SEMICONDUCTORES Y SUS

PROPIEDADES ÓPTICAS
Xavier Ignacio Gualán Japón
Jenny Judith Luzuriaga Jiménez
Ethetson Damián Pineda Morocho
Manuel Agustín Tuza Cuenca
Universidad Nacional de Loja
Loja, Ecuador
xavier.gualan@unl.edu.ec
jjluzuriagaj@unl.edu.ec
edpinedam@unl.edu.ec
matuzac@unl.edu.ec

Resumen—En el presente artículo hablaremos acerca de
los semiconductores y sus propiedades ópticas y dentro de lo
cual estaremos tratando de los dispositivos detectores y
emisores de luz, celulas solares además de las aplicaciones
en la fotónica así como las comunicaciones ópticas y sus
modos de propagación.
Abstract—.In the present article, we will talk about
semiconductors and their optical properties and what they
are dealing with in the detection and light emitting devices,
solar cells as well as applications in photonics as well as
optical communications and their propagation modes
Palabras claves — fotónica, optoelectrónica, chip,
propagación.
I. INTRODUCCIÓN
La fotónica estudia los fenómenos relacionados con la
generación, detección, control y aplicación de la luz en
diversos campos de la tecnología. El ámbito de la fotónica se
ha ido extendiendo paulatinamente en las últimas décadas y
hoy en día constituye la base fundamental de las modernas
telecomunicaciones. Los materiales semiconductores están
detrás de estos nuevos desarrollos, que se iniciaron en
paralelo al progreso de la microelectrónica. Las razones para
el éxito de estos materiales son varias, or un lado, los
semiconductores tienen excelentes propiedades electrónicas,
que han llevado al avance de toda la tecnología de
dispositivos microelectrónicos, basada fundamentalmente en
el silicio y, en menor medida, en los compuestos III-V. Por
otro lado, los semiconductores presentan un borde de
absorción en la región óptica del espectro electromagnético,
que determina una longitud de onda de emisión en una zona
de gran interés tecnológico. Por todo ello, los
semiconductores son muy apropiados para la fabricación de
dispositivos que combinan simultáneamente la
microelectrónica y la fotónica, por ejemplo, para convertir
luz en corriente eléctrica o viceversa. Los sensores, detectores,
células solares, pilotos e indicadores, semáforos, luces de freno
de los coches, lámparas, láseres, reproductores de CD y DVD,
impresoras láser, etc., constituyen un amplio abanico de las
recientes aplicaciones beneficiadas de los procesos de
conversión luz-corriente eléctrica.
II. MARCO TEÓRICO
A. Dispositivos detectores de luz
Los dispositivos detectores de luz de tipo semiconductor se
basan en la colección en un circuito eléctrico externo de los
portadores de carga generados por los fotones absorbidos dentro
del material. En semiconductores no dopados la anchura de la
banda prohibida 𝐸𝑔 , determina la máxima longitud de onda
detectable 𝜆𝑚𝑎𝑥 = ℎ𝑐/𝐸𝑔 Por tanto, para valores mayores de la
longitud de onda 𝜆 > 𝜆𝑚𝑎𝑥 el material se hace transparente y no
hay absorción de fotones ni generación de pares electrón-hueco.
Para longitudes de onda mucho más cortas 𝜆 ≪ 𝜆𝑚𝑎𝑥 el
coeficiente de absorción aumenta hasta alcanzar valores muy
elevados y los fotones é se absorben muy cerca de la superficie
El silicio es un buen material para detectores en el espectro
ultravioleta, visible e infrarrojo, en el rango de longitudes de
onda desde 300 nm hasta 1,1 µm, ya que tiene un gap de 1,12
eV y puede absorber fotones con energía por encima de este
valor. Sin embargo, para longitudes de onda menores de 300 nm
(4 eV) el silicio se deteriora, por lo que se recurre a otros
materiales con banda prohibida más ancha como el nitruro de
galio (GaN).
1. Fotoconductores
La fotoconductividad consiste en el aumento de
conductividad producido por la excitación de portadores cuando
un semiconductor es iluminado. Las transiciones de banda a
banda (intrínsecas) o las que se hacen involucrando niveles de
impurezas (extrínsecas) en los procesos de absorción óptica
en un semiconductor dan lugar a un incremento de la
concentración de portadores en la banda de valencia o de
conducción del semiconductor. Este fenómeno se utiliza para
detectar y medir la intensidad de la radiación.
Los dispositivos fotoconductores se utiliza simplemente
un semiconductor muy sensible a la radiación luminosa en
una región de longitud de onda determinada, el cual es
sometido a un voltaje V mediante dos electrodos aplicados
en sus extremos formando un contacto óhmico, como se
muestra en la figura 1.
Fig. 1 Esquema de un dispositivo fotoconductor de capa delgada.
Cuando aumenta la intensidad de luz sobre la superficie
del dispositivo se crean nuevos portadores en la banda de
valencia y conducción que son arrastrados por el campo
eléctrico aplicado hacia los electrodos de contacto. Se
produce así una fotocorriente en el circuito exterior como se
muestra en la figura 2.
Fig. 2 Diagrama de bandas de energía
En los fotoconductores intrínsecos (no dopados) esto
ocurre sólo para luz de energía mayor que la banda prohibida.
En los fotoconductores extrínsecos (dopados) ocurre para
energías mucho menores que la banda prohibida, ya que basta
que los fotones tengan una energía mayor que la energía de
ionización de las impurezas.
Incremento de corriente: Se puede hacer un cálculo
sencillo del incremento de corriente ∆𝐼𝑒 debida al exceso de
electrones generado en la banda de conducción ∆𝑛 , a través
de la ecuación
∆𝐼 = 𝑞𝜇𝑒 (∆𝑛)𝐹𝑆
Donde:
 ∆𝑛: Exceso de electrones generados en la banda de
conducción
 𝜇𝑒 : La movilidad de los electrones
 F: el campo eléctrico aplicado
 S: la sección transversal del fotoconductor
2. Fotodiodos
Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyas características
eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la
unión.
Los fotodiodos tienen una respuesta más rápida y de mayor
sensibilidad que los fotoconductores. Un fotodiodo es
básicamente un diodo operando en polarización inversa con un
voltaje relativamente alto para evitar el paso de los portadores
mayoritarios de un lado a otro de la unión. En ausencia de luz
el efecto rectificador del diodo impide el paso de corriente de
modo que la corriente de oscuridad es muy pequeña.
Fig. 3 a) Proceso de generación de pares electrón-hueco por
absorción en la región de carga espacial de un diodo foto detector,
b) Medida de la curva característica I-V del diodo en iluminación. La
línea a trozos representa la curva característica en oscuridad.
El punto Q corresponde al caso del diodo funcionando como
célula solar.
Cuando un diodo se ilumina con radiación de energía
suficiente se crean pares electrón-hueco a ambos lados de la
unión como consecuencia de la excitación de portadores desde
la banda de valencia a la de conducción. Los portadores
generados a uno y otro lado a distancias grandes de la unión no
producen efectos apreciables en las características del diodo. En
cambio, los pares electrón-hueco generados, bien sea dentro de
la región de carga espacial o bien a una distancia de la unión
menor que la correspondiente longitud de difusión, son
arrastradas.
Un diodo operando con un cierto voltaje aplicado, V, en
presencia de radiación electromagnética capaz de excitar
portadores a través de la banda prohibida dejará pasar una
intensidad I dada por:
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼0 [exp ( ) − 1] − 𝐼𝐿
𝑘𝑇
 Donde el primer término representa la corriente típica de
un diodo, el segundo término 𝐼𝐿 , representa la corriente
debida a los portadores generados.
El valor de IL, puede calcularse a través de la ecuación
𝐼𝐿 = 𝑞𝐺𝑆(𝐿𝑒 + 𝐿𝑛 )
Siendo G el número de portadores generados por unidad
de volumen y de tiempo y S el área de la sección transversal
del diodo, 𝐿𝑒 𝑦 𝐿𝑛 representan las longitudes de difusión de
electrones y huecos
3. Diodos p-i-n
En los diodos p-i-n, la anchura de la región de
agotamiento se puede variar con relativa facilidad ya que ésta
viene determinada fundamentalmente por la anchura de la
capa intrínseca. En la Figura 4 se presenta un diagrama
esquemático del corte transversal de un fotodiodo tipo p-i-n.
La región intrínseca está situada muy cerca de la superficie
con objeto de aumentar al máximo la absorción de la
radiación en esta región.
El contacto metálico superior suele hacerse utilizando
bien sea un material conductor transparente (el óxido de
estaño o de indio puede ser adecuado) o bien una capa
metálica muy fina en forma de dedos dejando la máxima
superficie del diodo expuesta a la radiación.
Fig. 4 a) Esquema del proceso de generacion de portadores en un
fotodiodo del tipo p-i-n. b) Seccion transversal de un fotodiodo p-
i-n
4. Tipos de fotodiodos
Existen otros tipos diferentes de fotodiodos. Los
fotodiodos Schottky constan de una unión entre un metal y
un semiconductor, formando una barrera Schottky. En los
fotodiodos de avalancha o APD (avalanche photodiodes) el
voltaje aplicado es mucho mayor, de modo que los pares
electrón-hueco son acelerados a velocidades tan elevadas que
su impacto con los átomos de la red cristalina produce más
pares electrón-hueco y la corriente se multiplica varios
órdenes de magnitud en un fenómeno de avalancha.
Finalmente, para detectores infrarrojos se emplean
fotodiodos de pozo cuántico, que aprovechan las transiciones
intrabanda en pozos cuánticos dopados.
B. Células Solares
Las células solares permiten convertir directamente la
energía de la luz del sol en corriente eléctrica por medio del
efecto fotovoltaico. La luz del sol que incide sobre la tierra
proporciona una energía promedio de más de un vatio por metro
cuadrado, que es suficiente para muchas aplicaciones y no
produce apenas contaminación o residuos. Sin embargo, el coste
de fabricación de las células solares hace que, sin contar el coste
ecológico, la energía solar no pueda competir en todas las
aplicaciones con las fuentes de energía convencionales y que su
uso esté todavía restringido a complementar éstas o a algunas
aplicaciones donde la autonomía es fundamental, como en las
estaciones remotas o en los satélites artificiales. Por ello se
intenta bajar el coste de las células y/o aumentar la eficiencia
con nuevos materiales y diseños.
Básicamente, y de forma similar a lo que ocurre en un
fotodiodo, en una célula solar los fotones absorbidos en la unión
p-n generan pares electrón-hueco en las bandas de conducción
y de valencia: El campo eléctrico en la unión p-n empuja a los
electrones hacia el lado n y a los huecos hacia el lado p. Los
portadores que llegan a los contactos exteriores generan una
fotocorriente que puede aprovecharse en un circuito eléctrico
externo, el cual se conecta a la célula a mediante un contacto
metálico depositado en ambas caras de la célula. En la Figura 5
se presenta un esquema de la estructura de una célula solar
típica, en la que se incluye también una película antirreflectante
para evitar las pérdidas por reflexión de la luz. El contacto
eléctrico superior se deposita en forma de rejilla, con objeto de
minimizar el área que cubre la superficie de la célula
Fig. 5 Esquema de una celular solar, mostrando el proceso de
formación de pares electrón-hueco.
C. Dispositivos emisores de luz
Los dispositivos emisores de luz funcionan al contrario de
los detectores de luz, es decir, producen un haz de luz cuando
pasa corriente a través de ellos. Estos dispositivos
semiconductores se basan en el fenómeno de la
electroluminiscencia, que consiste en la recombinación de pares
electrón-hueco generados o inyectados en el semiconductor.
Los dispositivos más sencillos son los paneles
electroluminiscentes, que no requieren materiales de gran
perfección cristalina. Otra familia de dispositivos son los diodos
emisores de luz, que están basados en la recombinación de
portadores en la unión p-n.
1. Diodos emisores de luz (LED)
Los diodos emisores de luz o LED (light emitting
diodes) tienen su fundamento en un proceso inverso al de los
fotodiodos. Cuando se aplica una polarización directa a un
diodo de unión p-n el campo eléctrico de la unión disminuye,
favoreciendo con ello la difusión de portadores minoritarios
hacia el lado opuesto, es decir, electrones hacia la zona p y
huecos hacia la zona n como se muestra en la figura 6. Se
crea entonces, en la región más próxima a la unión o zona
activa, una concentración elevada de electrones y huecos que
acaban recombinándose para producir fotones de luz, con una
energía próxima a la de la banda prohibida, es decir hv = Eg.
La emisión de luz tiene lugar en un proceso de
electroluminiscencia, donde la energía necesaria proviene del
circuito eléctrico externo que, a través de los contactos,
suministra electrones y huecos con la energía potencial
necesaria, es decir, electrones a la banda de conducción en el
lado n y huecos a la banda de valencia en el lado p. De esta
forma el proceso puede seguir de manera continua mientras
se mantenga el voltaje externo aplicado.
D. Diodo Laser
1. Historia
Del acrónimo en inglés LASER cuyo significado es
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
Amplificación de luz por Emisión Estimulada de Radiación.
El diodo láser fue inventado en tres laboratorios de
investigación en USA de modo independiente. Los
investigadores consiguieron radiación electromagnética
coherente de un diodo de unión p-n en base al
material semiconductor GaAs - Arseniuro de Galio.
En 1915, Albert Einstein estableció los fundamentos
para el desarrollo de los láseres y de sus predecesores,
los máseres (que emiten microondas), utilizando la ley de
radiación de Max Planck basada en los conceptos de emisión
espontánea e inducida de radiación.
En 1928, Rudolf Ladenburg informó haber obtenido la
primera evidencia del fenómeno de emisión estimulada de
radiación, aunque no pasó de ser una curiosidad de
laboratorio, por lo que la teoría fue olvidada hasta después de
la Segunda Guerra Mundial, cuando fue demostrada
definitivamente por Willis Eugene Lamb y R. C. Rutherford.
Un láser diodo es básicamente un LED diseñado
especialmente para emitir luz extremadamente
monocromática, direccional y coherente mediante la
amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación.
En un láser de diodo, la unión p-n está dentro de una
cavidad óptica resonante para que la luz emitida recorra
varias veces la zona activa y se produzca emisión estimulada.
Además, el láser funciona con corrientes más elevadas que
un diodo LED, lo cual da lugar a una alta concentración de
electrones y huecos en la zona activa y, por tanto, a un
fenómeno de amplificación y de fuerte emisión de la luz.
Un láser típico consta de tres elementos básicos de
operación.
 Una cavidad Resonante.
 Un medio activo.
 Un sistema de bombeo.
2. Cavidad Resonante.
La cavidad óptica resonante, conocida también
como cavidad láser, existe en la gran mayoría de los dispositivos
láser y sirve para mantener la luz circulando a través del medio
activo el mayor número de veces posible. Generalmente está
compuesta de dos espejos dieléctricos que permiten
reflectividades controladas que pueden ser muy altas para
determinadas longitudes de onda.
El espejo de alta reflectividad refleja cerca del 100 % de la
luz que recibe y el espejo acoplador o de salida, un porcentaje
ligeramente menor. Estos espejos pueden ser planos o con
determinada curvatura, que cambia su régimen de estabilidad.
Según el tipo de láser, estos espejos se pueden construir en
soportes de vidrio o cristales independientes o en el caso de
algunos láseres de estado sólido pueden construirse
directamente en las caras del medio activo, disminuyendo las
necesidades de alineación posterior y las pérdidas por reflexión
en las caras del medio activo.
3. Medio Activo.
El medio activo es el medio material donde se produce la
amplificación óptica. Puede ser de muy diversos materiales y es
el que determina en mayor medida las propiedades de la luz
láser, longitud de onda, emisión continua o pulsada, potencia,
etc.
El medio activo es donde ocurren los procesos de
excitación (electrónica o de estados vibracionales) mediante
bombeo de energía, emisión espontánea y emisión estimulada
de radiación. Para que se dé la condición láser, es necesario que
la ganancia óptica del medio activo sea inferior a las pérdidas
de la cavidad más las pérdidas del medio.
Dado que la ganancia óptica es el factor limitante en la
eficiencia del láser, se tiende a buscar medios materiales que la
maximicen, minimizando las pérdidas, es por esto que si bien
casi cualquier material puede utilizarse como medio activo,
sólo algunas decenas de materiales son utilizados
eficientemente para producir láseres.
4. Bombeo.
Para que el medio activo pueda amplificar la radiación, es
necesario excitar sus niveles electrónicos o vibracionales de
alguna manera. Comúnmente un haz de luz (bombeo óptico) de
una lámpara de descarga u otro láser o una corriente eléctrica
(bombeo eléctrico) son empleados para alimentar al medio
activo con la energía necesaria.
 El bombeo óptico se utiliza habitualmente en láseres de
estado sólido (cristales y vidrios) y láseres
de colorante (líquidos y algunos polímeros) y el bombeo
eléctrico es el preferido en láseres de semiconductor y de gas.
En algunas raras ocasiones se utilizan otros esquemas de
bombeo, por ejemplo a los láseres químicos o láseres de
bombeo nuclear que utilizan la energía de la fisión nuclear.
Debido a las múltiples pérdidas de energía en todos los
procesos involucrados, la potencia de bombeo siempre es
mayor a la potencia de emisión láser. En si el sistema de
bombeo puede consistir en otro láser, una lámpara
convencional, o una corriente o descarga eléctrica,
dependiendo del tipo de láser.
El secreto del láser está en el medio activo que,
debidamente bombeado, debe posibilitar la inversión de
población y la emisión estimulada. Además de estos
componentes básicos un láser puede tener otros dispositivos
intracavidad para modificar o controlar las características de
la luz emitida (longitud de onda, pulsación, etc.), o elementos
externos a la cavidad para amplificar la luz (a través de otro
medio activo con su correspondiente bombeo) o modificar la
duración de pulso, tasa de repetición, longitud de onda,
polarización, etc.
Fig. 6 Partes del diodo laser
1. Medio activo con ganancia óptica
2. Energía de bombeo para el láser
3. Espejo de alta reflectancia
4. Espejo de acoplamiento o salida
5. Emisión del haz láser
Fig. 7 Partes del diodo Laser
5. Emisión Estimulada, Emisión Espontanea, Absorción y
la Inversión de Población.
Primero recordemos lo que es un átomo, un átomo se puede
considerar como un núcleo alrededor del cual se mueven unos
electrones con unas energías bien determinadas. Los electrones
no pueden poseer cualquier valor de la energía sino solamente
unos valores bien definidos que se identifican como niveles,
algo así como los peldaños de una escalera. Ahora bien, un
electrón puede pasar de un nivel de energía a otro emitiendo o
absorbiendo una unidad de luz (llamada fotón) con una energía
igual a la diferencia entre los dos niveles de la transición.
∆𝑬 = 𝐸2 − 𝐸1
Cuando un electrón se encuentra en un nivel de energía
elevado, tiende a caer espontáneamente a un nivel de energía
inferior con la subsiguiente emisión de luz. Esto es lo que se
llama emisión espontánea y es la responsable de la mayor parte
de la luz que vemos. Por otro lado, un fotón puede estimular la
caída de un electrón a un nivel inferior si tiene una energía igual
a la diferencia entre los dos niveles, en ese caso se emitirá un
segundo fotón idéntico al que ha inducido la transición. Esta es
la llamada emisión estimulada.
Fig. 8 Emisión Estimulada
El proceso contrario, aquel en el que el fotón se absorbe
induciendo la subida de un electrón a un nivel de energía
superior, se llama absorción estimulada.
El hecho de que la emisión estimulada produzca dos fotones
idénticos a partir de un fotón inicial es precisamente lo que
permite amplificar la luz y es también responsable de que la luz
generada por emisión estimulada sea coherente, es decir que las
ondas electro-magnéticas que forman el haz de luz marchen “al
paso”. Pero, para que sea posible amplificar la luz por emisión
estimulada, es necesario además que en el medio activo haya un
número mayor de electrones en el nivel de energía superior que
en el inferior; esto es lo que se llama inversión de población. Si
por el contrario hubiera más electrones en el nivel inferior que
en el superior, entonces predominaría la absorción, y el medio
amortiguaría la energía de la luz en vez de amplificarla.
La inversión de población es el “principio vital” de los
láseres, y se consigue mediante el bombeo adecuado de ciertos
materiales con niveles de energía electrónicos metaestables, es
decir, con niveles de energía en los cuales los electrones tardan
un tiempo relativamente largo en desexcitarse por emisión
espontánea, lo cual favorece precisamente la acumulación de
electrones en el estado de energía superior.
Fig. 9 Mecanismos de la acción láser
Ventajas
 Son muy eficientes.
 Son muy fiables.
 Tienen tiempos medios de vida muy largos.
 Son económicos.
 Permiten la modulación directa de la radiación
emitida, pudiéndose modular a décimas de
Gigahercio.
 Su volumen y peso son pequeños.
 El umbral de corriente que necesitan para funcionar
es relativamente bajo.
 Su consumo de energía es reducido (comparado con
otras fuentes de luz)
 El ancho de banda de su espectro de emisión es
angosto (puede llegar a ser de sólo algunos kHz)
Algunas aplicaciones
 Comunicaciones de datos por fibra óptica.
 Lectores de CD, DVD, Blue-ray, HD-DVD, entre
otros.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.
 Armas láser.
E. Laser de Homounión
La forma más natural de obtener inversión de población
en un material semiconductor es mediante el uso de uniones
p-n realizadas con materiales de banda directa, como el
arseniuro de galio, fuertemente dopados. La estructura de
bandas de una estructura así aparece en la Figura 10. En ella,
en la zona p, el nivel de Fermi, EF, se encuentra por debajo
del límite superior de la banda de valencia mientras que en la
n, su nivel de Fermi EF está situado por encima del borde
inferior de la de conducción. Debido a la unión realizada, los
niveles de Fermi de ambas zonas se alinean de forma que sus
electrones queden por debajo de una única línea, tanto a un lado
como al otro de la unión. Este hecho se cumple siempre que no
se aplique ninguna tensión entre los extremos de la misma. La
configuración presentada, que posee un mismo tipo de material
semiconductor a ambos lados de la unión y en la que la única
diferencia a ambos lados de la misma es el tipo de dopaje que
tienen, se denomina homounión y constituye el primer tipo de
láser de semiconductor que se desarrolló
En la situación presentada en la Figura 10, no hay
posibilidad de efecto láser ya que no aparece en parte alguna la
inversión de población. Pero la situación cambia al polarizar en
directa al diodo. La configuración que adoptan entonces las
bandas es la de la Figura 10. Los dos niveles de Fermi de cada
lado de la unión se separan energéticamente una cantidad dada
por:
∆𝐸 = 𝐸𝐹𝑛 − 𝐸𝐹𝑝 = 𝑒𝑉
Fig. 10 Homounión p-n de AsGa
Siendo V el voltaje aplicado. Gracias a ello, en la zona de la
unión se consigue un determinado volumen, situado a un lado y
otro de la superficie de la misma y cuya sección transversal
aparece en la Figura 11, en el que ya se ha producido inversión
de población. Además de este hecho, la polarización directa da
lugar también a una inyección de electrones, desde la banda de
conducción de la zona n, y de huecos, desde la de valencia de la
p, a la zona de la unión, donde se recombinan entre sí para
generar los correspondientes fotones.
Fig. 11 Homounión p-n polarizada en directa
En la Figura 12 aparece el esquema simplificado de un láser
constituido en la forma indicada y en el que aparece en su
centro, la zona de deplexión que es donde se produce la emisión
de luz. Sus dimensiones típicas son muy reducidas, hecho que
contrasta con las del resto de los otros tipos de láseres.
 Fig. 13 Comparación de los procesos de emisión en un diodo láser
Fig. 12 Perfil de radiación de un láser simple de diodo
de homounión (a) y de heterounión doble (b). En la parte inferior se
muestran la estructura de bandas de energía y los procesos de
F. Laser de Heterounión
recombinación.

Los láseres de homounión tienen una corriente umbral G. Láser de confinamiento cuántico.
muy elevada, necesaria para alcanzar la condición de
inversión de población, ya que los portadores de carga se
En los láseres de confinamiento cuántico la zona activa es
difunden y se alejan de la zona de unión, disminuyendo así
una nanoestructura semiconductora como las descritas en el
su densidad. Para reducir la corriente umbral se han
capítulo, como un pozo cuántico, un hilo cuántico o un punto
desarrollado los láseres de heterounión. El láser de
cuántico.
heterounión sencilla o SH (single heterojuction) está formado
Un láser de pozo cuántico tiene la misma configuración que
por una heterounión p-n de un material como el GaAs junto
un láser de heteroestructura doble (DH), pero cada capa activa
a una intercara (la heterounión) con otro material de distinta
es mucho más delgada (de unos 5 a 10 nm), de modo que
composición como el AlGaAs que tiene un gap mayor sin
aparecen efectos cuenticos. Una ventaja de los láseres de
cambiar demasiado el parámetro de la red cristalina (evitando
confinamiento cuántico es que la corriente umbral necesaria
con ello la formación de dislocaciones por las tensiones
para producir emisión estimulada, es muy pequeña, ya que ésta
mecánicas residuales). Como ejemplo, una secuencia de
es proporcional al volumen de heteroestructura doble. Además
capas sería n- GaAs/p-GaAs/p+-AlGaAs. La heterounión en
ésta disminuye cuando se reduce la dimensionalidad de la
este caso sería la formada en la segunda unión (p-GaAs/p+-
nanoestructura (paso de pozo cuántico a hilo cuántico). Otra
AlGaAs), la cual forma una barrera abrupta que confina
ventaja es que, debido a los efectos cuánticos, la energía de la
mejor los portadores en las cercanías de la unión p-n (la
banda prohibida es mayor que en un material masivo, es decir,
formada por los materiales n- GaAs/p-GaAs) y produce una
la luz emitida es de menor longitud de onda. Por tanto, en su
mejora en la ganancia del láser, reduciendo así la corriente
diseño poseemos un grado de libertad adicional, ya que
umbral.
podemos modificar la longitud de onda de emisión variando el
Mejores prestaciones aún se obtienen con el láser de
tamaño de las nanoestructuras.
heterounión doble (DH). Una heterounión doble contiene dos
Como la capa activa en estos láseres es de dimensiones
heterouniones que delimitan una capa central de menor gap
mucho menores que la longitud de onda de las emisiones no se
y dos capas a los lados de mayor gap. La capa central tiene
puede confinar la luz. Para que la luz quede confinada en las
un espesor de aproximadamente 1 μm y contiene la unión p-
cercanías del pozo hay que crear una guía de onda más ancha
n que bien está en el centro o bien coincide con una de las
que contenga el pozo cuántico. Esta estructura recibe el nombre
heterouniones. Los electrones y huecos excitados caen
de heteroestructura de confinamiento separado o SCH (separate
rápidamente en el pozo de potencial formado en la capa
confinement heterostructure). En los láseres de GaAs en el
central. Allí la densidad de portadores es muy elevada porque
centro y rodeada por capas exteriores del AlGaAs con una
el espesor es muy pequeño. Además aumenta la probabilidad
mayor concentración de Al para que tenga un menor índice de
de recombinación. Por otra parte el índice de refracción
refracción que la guía. En esta estructura de bandas, la capa
también es mayor en la capa central (porque el índice
intermedia sirve también como ‘embudo’ para recolectar
disminuye al aumentar el gap) de modo que la luz también
electrones y huecos y facilitar que caigan en el pozo cuántico.
queda confinada por reflexión total en la misma zona que los
Para aumentar la interacción de la luz con los portadores
portadores. Todo ello aumenta considerablemente la
atrapados en el pozo se utilizan estructuras de pozos cuánticos
ganancia y disminuye la corriente de umbral. En la Figura d
múltiples, distribuyendo unos 10-25 pozos de la misma anchura
se comparan los procesos de emisión de láser convencional
en la zona de la guía. Mayor ganancia aún se consigue en la
de homounión (Figura 13.a) y de heterounión doble (Figura
heteroestructura de confinamiento separado con gradiente de
13.b).
índice o GRINSCH (graded-index separate confinement
heterostructure). Como se muestra en la figura 14 la zona de la
guía tiene una compensación que varía con la profundidad y
produce un perfil de potencial parabólico (sin cortar los
pozos) con el mínimo en el centro. Esta estructura maximiza
la densidad de portadores y de luz en el centro de la
estructura.
Los láseres de pozo cuántico desarrollados hace unos 20
años son los que encuentran mayores aplicaciones en
comunicaciones ópticas en la actualidad, aunque se espera
que los de punto cuántico se introduzcan a gran escala en los
próximos años. Así mismo, los láseres de ´pozo cuántico
también se utilizan en los modernos sistemas ópticos de
comunicaciones (tercera generación), basados bien en
sistemas de realimentación distribuida o DFB (Distributed
Feedback Lasers) o en los láseres de emisión superficial de
cavidad vertical o VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting
Laser).
% frente al 30-50 % de los láseres que emiten por el borde. La
causa es la fuerte absorción de la luz en las capas dopadas
superiores. Una solución es sustituir el espejo superior por otro
de un material con un borde de absorción de energía mayor que
la de la energía de los fotones del láser.
Una ventaja de los VCSEL es que sus dimensiones laterales
son muy reducidas y en una sola pastilla se puede poner muchos
de ellos. En la práctica se han conseguido densidades de más de
un millón por micro-láseres por centímetro cuadrado. En estos
dispositivos, denominados MASELA (matrix-addressable
Surface emitting laser), la emisión de cada láser se controla
separadamente por medio de una matriz bidimensional de
electrodos. Estos sistemas son muy prometedores para la
realización monolítica de pantallas, impresoras láser, lectores (o
escáneres) o proyectores de televisión en pantalla gigante. Los
VCSEL tienen otra ventaja adicional. En primer lugar, en
contraste con los láseres de emisión lateral, el haz de luz tiene
un perfil circular y es más fácil de acoplar a las fibras ópticas.
En segundo lugar, al ser la cavidad mucho más corta la
separación entre las frecuencias de los modos resonantes es más
grande y la posibilidad de salto entre modos más pequeña.

Fig. 14 Estructura de un láser de pozo cuántico para láseres de

baja corriente umbral.

H. Láser de emisión superficial.

En los láseres que hemos descrito hasta ahora la cavidad

laser está en el plano de la unión p-n. Por tanto, la luz se emite
por los bordes de la capa activa. En muchas aplicaciones es
preferible que la luz salga en la dirección perpendicular, es
decir, por la superficie del dispositivo. Se utilizan entonces
los llamados láseres de emisión vertical o SEL (Surface-
emitting lasers). Una forma de conseguir un SEL en un láser
normal es reflejar hacia arriba la luz emitida por los bordes
mediante espejos a 45°. Una solución más compacta es la de
los láseres de emisión superficial con cavidad vertical
(VCSEL). Un VCSEL es un láser de pozo cuántico atacado
químicamente hasta el sustrato excepto una columna
estrecha. Como la longitud de la cavidad es sólo la anchura Fig. 15 Estructura de un láser VCSEL
de la capa activa (uno o varios pozos), para obtener suficiente
amplificación hay que utilizar espejos con reflectividad del
99 % para que la luz recorra más veces la cavidad.
Esta reflectividad no se puede conseguir con el pulido de I. Optoelectrónica Integrada
las caras y hay que fabricar espejos de multicapas o espejos
Bragg, con capas de grosores próximos a un cuarto de la
La tendencia actual en optoelectrónica es la de disminuir el
longitud de onda. Estas estructuras se depositan con las
tamaño de los dispositivos e integrar el mayor número posible
mismas técnicas de crecimiento que los pozos cuánticos. Un
de ellos en una sola pastilla o chip
problema es que la eficiencia de los VCSEL es de solo el 10
 La miniaturización y la integración permiten aumentar la
velocidad, la fiabilidad y la portabilidad y al mismo tiempo
reducir el coste, el peso y el consumo de potencia.
En un circuito optoelectrónico integrado (OEIC)
moderno no hay más de unas pocas decenas de dispositivos.
Esto se debe a que la tecnología necesaria para el desarrollo
de la optoelectrónica integrada es mucho más compleja.
En optoelectrónica el nivel de integración dista mucho del
alcanzado en optoelectrónica, en primer lugar, el número de
dispositivos en microelectrónica es demasiado grande y no
hay un material como el silicio que sirva como base para
todos ellos, por lo que un sistema completo consta de muchos
elementos fabricados en muy diversos materiales.
La integración monolítica en la que todos los elementos
están basados en el mismo material solo es posible para
sistemas con funciones muy específicas
Con el reciente desarrollo de LED y láseres de silicio, la
integración monolítica de sistemas para longitudes de onda
de entre 1 y 2 𝜇𝑚, donde el silicio es transparente y donde
están las ventanas de las fibras ópticas de sílice, es más
factible. En los demás casos es necesario recurrir a una
integración hibrida donde un sustrato común de silicio o
vidrio por ejemplo, soporta distintas pastillas para los
dispositivos que requieren materiales semejantes.
Para algunas aplicaciones, la solución óptima se basa en
sistemas microelectromecánicos o MEMS, que consisten en
elementos mecánicos de tamaño microscópico sobre un
substrato de silicio, fabricados con las técnicas habituales de
la microelectrónica. Así, algunos proyectores de video se
basan en una pastilla que contiene millones de micro espejos
cuya inclinación se controla eléctricamente.
Debido a la complejidad inherente a los sistemas
optoelectronicos integrados, la tecnología es todavía muy
costosa ya que requiere muchas etapas que no están
automatizadas y el montaje de elementos muy dispares. En
muchos aspectos el nivel alcanzado por los circuitos
optoelectronicos es todavía similar al alcanzado por los
electrónicos en la década de los años setenta del siglo
anterior. No obstante la aplicación cada vez más amplia de la
optoelectrónica en sectores como las telecomunicaciones,
presentación de la información, almacenamiento de
información, sensores y detectores, etc: aumentara la presión
por conseguir sistemas ópticos integrados con mayor
densidad de dispositivos. A esta tendencia contribuyen
importantes avances en óptica en los años como la
nanoestructuras semiconductoras, nuevos materiales, guias
de onda, sistemas microelectromecánicos, nuevos conceptos
en computación cuántica, etc.
J. Guías de Onda Ópticas
En los circuitos optoelectronicos integrados y en muchos
dispositivos fotónicos la estructura básica es la guía de onda
óptica.
Una guía de luz es un dispositivo para conducir la luz de
un punto a otro, generalmente por medio de reflexiones
totales internas sucesivas en un medio transparente con un
índice de refracción mayor que el del entorno.
Cuando las dimensiones normales a la dirección de
propagación son mucho mayores que la longitud de onda de la
luz, cualquier rayo de luz que entre con un ángulo menor de un
valor umbral, dado por el ángulo limite se propaga por la guía.
Además, la propagación sigue las leyes de la óptica geométrica
de los de rayos. Sin embargo, cuando las dimensiones laterales
son del orden es decir de unos micrómetros o menos, el carácter
ondulatorio de la luz se vuelve muy importante y aparecen
fenómenos de interferencia y difracción. La consecuencia más
importante es que solo algunos modos pueden propagarse por la
guía. Por ello, estas guías de luz reciben el nombre de guías de
onda ópticas
Las guías de onda son el elemento básico de los sistemas y
circuitos optoelectronicos. Por un lado sirven como elementos
pasivos para llevar la luz de un sitio a otro, como los cables de
un circuito eléctrico. Por otro, sirven como elementos activos
para actuar sobre la luz cuando se construyen materiales con
propiedades electroópticas o no lineales.
5. Modos de propagación en las guías de onda
La figura siguiente muestra el esquema de una guía de onda
plana integrada formada por una capa transparente con un índice
de refracción (𝑛𝑟𝑓 ) mayor que el de la capa superior (𝑛𝑟𝑐 ) y el
del sustrato (𝑛𝑟𝑠 ). En el caso más general, un rayo que se
propague por la guía al llegar a la intercara con la capa superior
se dividirá en dos rayos, uno que es reflejado de nuevo hacia el
interior de la guía y otro refractado que se propagara por la
capa superior
Lo mismo ocurre en la intercara inferior de modo que el rayo
reflejado se refleja varias veces entre las dos intercaras hasta que
la luz se pierde debido a la luz que escapa a las zonas de menor
índice de refracción. Pero cuando el ángulo que forma el rayo
con la normal a la intercara 𝜃 es mayor que los ángulos límite
para las intercaras superior e inferior respectivamente, toda la
luz es reflejada y el rayo refractado desaparece. En este caso no
hay pérdidas y la luz se propaga por la guía a través de largas
distancias

Fig. 16
La primera condición para que un rayo sea guiado es, por
tanto, que el ángulo 𝜃 sea mayor que los dos ángulos críticos
𝜃 > 𝜃 𝑐 𝑦 𝜃 > 𝜃 𝑠 . Además si la anchura de la guía es de unas
pocas longitudes de onda, hay interferencia entre los distintos
haces reflejados.
La distribución del campo eléctrico no depende del
tiempo ni de la distancia de propagación, tal y como se
muestra en la figura siguiente
Fig. 17
El modo fundamental m=0 corresponde a rayos
propagándose paralelos a las intercaras y la intensidad es
máxima en el centro de la guía. El número de modos es finito
y decrece al disminuir la anchura de la guía. En guías
suficientemente estrechas puede haber un solo modo (guías
monomodo) o, en guías asimétricas, incluso ninguno. Para
los modos superiores, la intensidad oscila con un número de
nodos igual a m. Es interesante observar que, contrariamente
a lo esperado en la aproximación de rayos, hay una cierta
penetración de la luz en las zonas con menor índice de
refracción y que ésta aumenta con m. El grosor de las capas que
envuelven la guía tiene que ser bastante mayor que la
profundidad de penetración de la luz para que no haya pérdidas
y la reflexión no se frustre. La luz que sale de la guía se
denomina onda evanescente y se puede utilizar en algunos
dispositivos para acoplar la onda de una guía a otra mediante
dispositivos denominados acopladores ópticos.
La velocidad de propagación de la luz por la guía disminuye
cuando m aumenta. En la aproximación de rayos, los modos con
mayor m corresponden a rayos con mayor inclinación que tienen
más reflexiones en las intercaras y, por tanto, recorren una
distancia mayor. Si en un extremo de la guía, que no sea
monomodo se introduce un pulso de luz instantáneo cada modo
se propagara a distintas velocidades y saldrán por el otro
extremo en instantes distintos.
Las guías de onda se fabrican de materiales con una energía
del borde de absorción mayor que la energía de los fotones de
la luz para asegurar su transparencia. En el espectro visible
suelen usarse sílice, dieléctricos, semiconductores o polímeros.
El silicio, que es el material de los dispositivos
microelectrónicos, puede emplearse para el infrarrojo. Cuando
las guías forman parte de dispositivos electroópticos, laser o no
lineales, se recurre a materiales con las propiedades
correspondientes. Para obtener le perfil del indice de refracción
requerido hay dos rutas distintas. En la primera se depositan
capas de materiales con distinta composición, densidad o dopaje
para conseguir el índice deseado. En la segunda se parte de un
perfil de índice inicial y después se modifica éste dopando los
iones necesarios. El dopado se consigue por difusión térmica,
implantación iónica o intercambio de iones.
K. Dispositivos para el control de la luz
Para controlar el flujo de la luz en una guía óptica se utilizan
distintos métodos que se basan en la modificación de las
propiedades ópticas del material de la guía, es decir, en la
variación del coeficiente de absorción o del índice de refracción
ante algún estimulo externo.
La modificación de las propiedades ópticas se consigue a
través de efectos electroópticos y no lineales además hay otros
efectos que también son utilizados. Así, en el efecto termoóptico
las propiedades ópticas tienen una fuerte dependencia con la
temperatura. En el efecto acustoóptico la variación periódica de
la densidad producida por la onda acústica actúa como una red
de difracción. En el efecto magnetoóptico, las propiedades
ópticas varían con un campo magnético externo.
La aplicación de campos eléctricos intensos comparables a
los campos eléctricos internos del semiconductor altera la
distribución electrónica de los átomos y modifica sus
propiedades ópticas.
Cuando los campos eléctricos intensos se aplican mediante
electrodos, los efectos que producen en la interacción de un
material con un haz de luz reciben el nombre de efectos
electroópticos.
 III. CONCLUSIONES

 El fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a

iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y
puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta
más pequeño.
 Un láser diodo es básicamente un LED diseñado
especialmente para emitir luz extremadamente
monocromática, direccional y coherente mediante la
amplificación de la luz por emisión estimulada de
radiación, y esta se dará siempre que un electrón se
encuentre excitado en un nivel de energía superior, en
contraste con su nivel de energía más bajo entonces, un
fotón incidente con energía cuántica igual a la diferencia
de energía entre el nivel actual del electrón y un nivel
inferior, puede "estimular" una transición a ese nivel más
bajo, produciendo un segundo fotón con la misma
energía que el incidente
 Dispositivo Láser se utiliza para referirse al aparato o
equipo que genera el haz por medio de emisión
estimulada desde un medio gaseoso, estado sólido,
semiconductor, líquido u otro, siendo este aparato o
equipo complejo o simple.
 El láser Se usan en muchas aplicaciones incluyendo
procesamiento de materiales, construcción, medicina,
comunicaciones, producción de energía, usos militares,
soldadura, topografía, medicina, y como herramienta en
muchas áreas de investigación científica.

IV. REFERENCIAS

1. ¿Cómo funciona un láser?; 06/03/2018;

https://www.clpu.es/divulgacion/bits/como-funciona-
un-laser
2. ¿Qué son la emisión espontanea, la emisión estimulada
y la inversión de Población?;06/03/2018;
https://www.clpu.es/divulgacion/bits/que-son-la-
emision-espontanea-la-emision-estimulada-y-la-
inversion-de-poblacion
3. Láser; 06/03/2018;
https://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser
4. Emisión Estimulada; 06/03/2018;
http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/mod5.html#c3
5. Alonso Belmont, O. A. Peralta Landa, Dorothy. (2008).
Efectos que se producen en las comunicaciones ópticas,
sus soluciones y aplicaciones (tesis de grado). Instituto
Politécnico Nacional. Mexico DF.