LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PRÁCTICA 8 TRANSITORES BIPOLARES

PRACTICA LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Jhonatan Forero – 2140212
Angie Sánchez Barajas - 2132228

Escuela E3T
Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga, Colombia

OBJETIVOS
Comparando estos resultados con los obtenidos
experimentalmente se obtiene:
- Determinar las condiciones de polarización DC
de transistores bipolares para zona activa V. Simulado V. Experimental % Error
(amplificación). 𝑽𝑩 7.02 V 7.09 V 0.99
- Medir las variables de voltajes y corriente en 𝑽𝑪 8.69 V 8.68 V 0.11
circuitos de polarización DC. 𝑽𝑬 6.35 V 6.46 V 1.73
- Registrar las señales del amplificador y obtener 𝑰𝑪 1.36 mA 1.371 mA 0.80
las características (Gv, Av, Vsmax). 𝑰𝑩 9.70 uA 8.31 uA 14.3

Con estos datos se calculó el parámetro β y se

ANALISIS DE DATOS determinó si se encuentra en zona activa.
a) CIRCUITO POLARIZACION DC. 𝐼𝐶
𝛽=
El circuito montado para esta parte del laboratorio en la 𝐼𝐵
cual se determinan las condiciones de zona activa, fue 𝛽𝒔𝒊𝒎𝒖𝒍𝒂𝒅𝒐 = 140.2061
el siguiente:
𝛽𝒆𝒙𝒑𝒆𝒓𝒊𝒎𝒆𝒏𝒕𝒂𝒍 = 164.9819

%Error = 17.6709
Condiciones zona activa:
𝑉𝐶𝐸 >> 0.2𝑉, 𝑉𝐵𝐸 ≌ 0.6𝑉, 𝑉𝐶𝐵 > 0

Resultados obtenidos:

𝑉𝐶𝐸 = 2.22 𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 0.668 𝑉

En el cual se obtuvieron los siguientes resultados

mediante simulación: Con los datos obtenidos se puede determinar que el
transistor utilizado en la práctica estaba en zona activa
durante la misma.

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

Escuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones - E³T
“Perfecta combinación entre energía e intelecto
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b) CIRCUITO AMPLIFICADOR TRANSISTOR Se obtienen dos valores para Gv, uno simulado y uno
BIPOLAR. experimental, los cuales fueron los siguientes:

En esta parte del laboratorio se realizó el montaje del 𝑉𝑂

𝐺𝑉 =
siguiente circuito: 𝑉𝑆
𝑉𝑂 1.96 𝑉
𝐺𝑉𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙 = = = 9.6078
𝑉𝑆 204 𝑚𝑉
𝑉𝑂 1.78 𝑉
𝐺𝑉𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 = = = 8.9447
𝑉𝑆 199 𝑚𝑉
%𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = 7.41
Calculo Av:

Resultados simulados:

Calculo Gv:

Resultados simulados:

Resultados experimentales:

Resultados experimentales:

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Los valores obtenidos son los siguientes: CONCLUSIONES

𝑉𝑂 - Se determinaron las condiciones de polarización
𝐴𝑉 =
𝑉𝐼 en zona activa de un transistor bipolar
𝑉𝑂 1.88 𝑉 realizando los montajes expuestos en la
𝐴𝑉𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙 = = = 130.55 práctica, teniendo en cuenta las condiciones
𝑉𝐼 14.4 𝑚𝑉
que se deben cumplir para estar en zona activa.
𝑉𝑂 1.78 𝑉 - 𝑉𝐶𝐸 >> 0.2𝑉, 𝑉𝐵𝐸 ≌ 0.6𝑉, 𝑉𝐶𝐵 > 0
𝐴𝑉𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 = = = 160.36
𝑉𝐼 11.1 𝑚𝑉
- Se realizó el montaje del circuito propuesto en
%𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = 18.51 la práctica con el fin de analizar y medir las
A continuación se aumentó la señal de entrada hasta variables de entrada y salida y determinar el
encontrar Vi = 20mV funcionamiento de este montaje como circuito
amplificador

Luego se analizó la señal del voltaje máximo en

pequeña señal:

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