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E ste reporte muestra el diseño, la construcción, y la parte En la región de polarización directa la corriente del diodo se
teórica de los convertidores de señal más comúnmente incrementará de forma exponencial con incrementos en el
voltaje a través del diodo. En la región de polarización
usados. Se enlista también los materiales electrónicos como el
inversa, la corriente del diodo se mantiene en la muy pequeña
equipo usado. Se anexan también las imágenes que sirven
corriente de saturación inversa hasta que la ruptura de Zener
como evidencia de que la práctica se realizó de forma correcta. se alcanza y la corriente comienza a fluir a través del diodo en
dirección opuesta. El voltaje de umbral es cercano a 0.7 V
Convertidor I-V: Una aplicación sencilla de conversión de para el caso de los diodos de silicio y de 0.3 V para el de los
corriente a voltaje es un detector de señales infrarrojas en el diodos de germanio. El nivel máximo de disipación de
cual se tiene una sensibilidad de 1V/μA. potencia de un diodo es igual al producto del voltaje del diodo
por la corriente. La capacitancia de un diodo se incrementará
II. MARCO TEÓRICO exponencialmente con el incremento del voltaje en
Los dispositivos electrónicos tales como diodos, polarización directa. Sus niveles más bajos se encuentran en la
transistores y circuitos integrados están hechos con un región de polarización inversa.
material semiconductor; para entender cómo funcionan debe
tenerse conocimiento básico de la estructura de los átomos y la
interacción de las partículas atómicas. Un concepto importante
presentado en este capítulo es el de la unión pn, que se forma
cuando se unen dos tipos de material semiconductor. La unión
pn es fundamental para la operación de dispositivos tales
como el diodo y ciertos tipos de transistores. Se aborda la
operación y las características del diodo; asimismo, se
analizan y prueban tres modelos del diodo que representan tres
niveles de aproximación.
A. Diodos
Un semiconductor es un material que posee un nivel de Fig.1. Simbología de diodos más comunes.
conductividad situado entre el de un buen conductor y el de un B. Transistores
aislante. Los incrementos en la temperatura pueden causar un
Los dispositivos semiconductores poseen las siguientes
incremento importante en el número de electrones libres en un
ventajas sobre los tubos de vacío: Son más pequeños; más
material semiconductor. La mayoría de los materiales
ligeros; más resistentes, y más eficientes. Además, no
semiconductores que se utilizan en la industria electró-nica,
poseen coeficientes de temperatura negativos; lo que significa requieren periodo de calentamiento; no tienen requisitos de
que la resistencia desciende cuando la temperatura se disipación de calor, y tienen menores voltajes de operación.
incrementa. Los materiales intrínsecos son aquellos Los transistores son dispositivos de tres terminales con tres
semiconductores con bajos niveles de impureza. Los capas de semiconductor, siendo la capa central mucho más
materiales extrínsecos son semiconductores expuestos a un angosta que las otras dos. Las dos capas exteriores son de tipo
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n o tipo p con el material opuesto en la capa central. La voltaje drenaje-fuente con la corriente del drenaje. 9. Los
corriente del emisor en dc es siempre la mayor corriente de un MOSFETs se encuentran disponibles en dos tipos:
transistor mientras que la corriente de la base es siempre la decremental e incremental. 10. El MOSFET de tipo
más pequeña. La corriente del emisor siempre es la suma de decremental posee las mismas características de transferencia
las otras dos. La corriente del colector está compuesta por dos que el JFET para corrientes del drenaje de un nivel hasta de
componentes: el componente mayoritario y la corriente IDSS. En este punto, las características de un MOSFET de
minoritaria (también llamada corriente de fuga). La flecha en tipo decremental continúan hasta niveles por arriba de IDSS,
el símbolo del transistor define la dirección del flujo de la mientras que las del FET terminan ahí. 11. La flecha del
corriente convencional para la corriente del emisor y por tanto símbolo de los JFETs o de los MOSFETs de canal-n, siempre
define la dirección de las otras corrientes del dispositivo. Un apuntará hacia el centro del símbolo, mientras que la flecha de
dispositivo de tres terminales requiere dos conjuntos de un dispositivo de canal-p siempre apuntará hacia fuera del
características para definir de forma completa sus centro del símbolo. 12. Las características de transferencia de
características. En la región activa de un transistor, la unión un MOSFET de tipo incremental no se encuentran definidas
base-emisor se encuentra en polarización directa mientras que por la ecuación de Shockley sino más bien, por una ecuación
la unión colector-base se encuentra en polarización inversa. no lineal controlada por el voltaje compuerta-fuente, el voltaje
En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base de umbral y por una constante k definida para el dispositivo
de un transistor se encuentran ambas en polarización inversa. que se emplea. La gráfica resultante de ID en función de VGS
En la región de saturación las uniones base-emisor y colector- es aquella que crece exponencialmente ante valores crecientes
base se encuentran en polarización directa. La impedancia de VGS. 13. Siempre es necesario tener cuidado adicional al
entre las terminales para una unión en polarización directa manejar MOSFETs debido a la electricidad estática que puede
siempre será relativamente pequeña mientras que la existir en los lugares menos pensados. No elimine ningún
impedancia entre las terminales de una unión en polarización mecanismo de circuito cerrado entre las terminales del
inversa es generalmente muy grande. dispositivo hasta que éste se instale. 14. Un CMOS (MOSFET
complementario) es aquel que utiliza una combinación única
de un MOSFET de canal-p con uno de canal-n mediante un
solo conjunto de terminales externas. Posee la ventaja de una
muy alta impedancia de entrada, velocidades de conmutación
rápidas y bajos niveles de potencia de operación, todo lo cual,
hace que sea muy útil para los circuitos lógicos.
C. Generadores de señal
Los osciladores son circuitos electrónicos que generan una
señal de salida sin necesidad de una señal de entrada. Se
utilizan como fuentes de señal en toda clase de aplicaciones.
Los distintos tipos de osciladores producen varios tipos de
salidas incluidas ondas senoidales, ondas cuadradas, ondas
triangulares y ondas de diente de sierra. En este capítulo se
presentan varios tipos de circuitos osciladores básicos que
utilizan tanto transistores como amplificadores operacionales
como elemento de ganancia. Además se analiza un circuito
Fig. 2. Simbología de transistores más comunes. integrado popular, el temporizador 555, en relación con sus
aplicaciones de oscilador. La operación senoidal de un
El JFET puede emplearse como un resistor controlado por
oscilador está basada en el principio de la realimentación
voltaje debido a la sensibilidad exclusiva de la impedancia
positiva, donde una parte de la señal de salida es realimentada
drenaje-fuente ante el voltaje compuerta-fuente. 3. La
a la entrada de forma que la señal se autorrefuerza para
corriente máxima de cualquier FET se denota por IDSS y
sostener una señal de salida continua. Los osciladores son
ocurre cuando VGS = 0 V. 4. La corriente mínima de un JFET
ampliamente utilizados en la mayoría de los sistemas de
ocurre en el estrechamiento definido por VGS = VP. 5. La
comunicación, así como en sistemas digitales, incluidas
relación entre la corriente de drenaje y el voltaje compuerta-
computadoras, para generar las frecuencias y señales de
fuente de un JFET es una relación no lineal definida por la
temporización requeridas. Además, los osciladores se
ecuación de Shockley. A medida que el nivel de corriente se
encuentran en muchos tipos de instrumentos de prueba, como
aproxima a IDSS, la sensibilidad de ID ante cambios en VGS
los utilizados en el laboratorio.
se incrementa de forma significativa. 6. Las características de
Menciones por ejemplo como los más comunes para usar.
transferencia (ID en función de VGS) son características
Amplificador con retroalimentación: consideraciones de fase y
propias del dispositivo y no son sensibles a la red en la cual se
frecuencia. Oscilador. Oscilador de corrimiento de fase.
utilice el JFET. 7. Cuando VGS = VP/2, ID = IDSS/4; y en el
Oscilador de puente Wien. Circuito oscilador sintonizado
punto donde ID = IDSS/2, VGS ≅ 0.3 V. 8. Las condiciones
Oscilador de cristal. Integrado 555.
de operación máximas están determinadas por el producto del
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Filtro de ½ onda:
1 Diodo 1N4004
8 Diodos LED de diferentes colores.
8 Resistencias de 22
b) Encienda las fuentes de alimentación y con una caja oscura b) Conecte el generador de funciones (XFG1) en sus
tape el circuito evitando que incida luz en el fotodetector, respectivas terminales como se muestra en la fig.
reporte las diferencias de sonido que se presentan al hacer esto c) Programe una onda senoidal con una frecuencia de 0.6 Hz
repetitivamente. [2] en el generador de funciones.
d) Conecte una punta del osciloscopio a la salida del diodo y
Inversor: observe el comportamiento de la onda así como el de los
El siguiente circuito es un inversor de entre 100 y 600 watts diodos.
para poder contar con electricidad de 127 volts a 60 Hz a
partir de una fuente DC calibrada a 12 V. Cabe mencionar que Filtro de onda completa:
se puede emplear una betería de 12 V también. a) Construya el siguiente circuito en la mitad, de su plantilla
a) Construya el siguiente circuito en la plantilla de de experimentos.
experimentos.
El circuito está basado en un temporizador que se encarga de Ajuste VR1 a un valor (mínimo) de 0Ω. Mida con un
generar los pulsos de una frecuencia de 60 Hz como la red voltmetro el Vo y si su circuito está correctamente construido,
eléctrica, a continuación se alimentan mosfets que son los que al conectar el transformador a 127 Vca, en Vo debe leerse un
general los pulsos de potencia los cuales a su vez se alimentan valor de 1.25 Vcd. Si la lectura no es la que se indica,
al transformador que se encarga de elevar el voltaje. [3] desconecte el transformador de 127 Vac y revise
b) Conecte la fuente de alimentación y a la salida del cuidadosamente su circuito. Varíe VR1 de un extremo al otro
transformador un foco ahorrador de 13W 127V 60 Hz. y reporte el rango del voltaje de salida.
c) Conectar las puntas del osciloscopio a la salida del
transformador y reportar la forma de onda obtenida. b) Construya el siguiente circuito en la otra mitad, de su
plantilla de experimentos. Observe la polaridad correcta de los
Filtro de ½ onda: componentes y la ubicación adecuada de las terminales del
a) Construya el siguiente circuito en la plantilla de regulador LM337 y de los diodos.
experimentos:
cuidadosamente su circuito. Varíe VR2 de un extremo al otro transformador y reporte si la variación disminuye
y reporte el rango del voltaje de salida. simétricamente.
VII. DISCUSIÓN.
Plasmar un circuito para demostrar un concepto teórico es
sencillo, encontrar una aplicación de tal concepto puede
resultar un verdadero reto, especialmente cuando no se está
acostumbrado a trabajar bajo tales condiciones. Por ello es
esencial comprender que fenómeno ocurre detrás de un
circuito, una vez comprendido es sencillo demostrar con
Fig. 15. Onda senoidal rectificada. aplicaciones reales y practicas tal concepto.
Referencias:
[1]http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d56994c00dc4601/0
1d56994c00df600b.html
[2] Manual de Prácticas, Circuitos Integrados Lineales. Enero 2016. División
de Ingenierías Campus Irapuato-Salamanca.
[3] https://www.youtube.com/watch?v=SuEjD3lsNN4&app=desktop
[4] FLOYD, THOMAS L. Dispositivos electrónicos Octava edición
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2008 ISBN: 978-970-26-1193-6
[5] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS Electrónica: teoría
de circuitos y dispositivos electrónicos, 8a. ed. PEARSON EDUCACIÓN,
México, 2003 ISBN: 970-26-0436-2
[6] DESING WITH OPERATIONAL AMPLIFIERS AND ANALOG
INTEGRATED CIRCUITS, THIRD EDITION, ISBN:007-2322084-2.