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Sistemas electrónicos de potencia
Bravo Valdez Javier de Jesús, Hernández Jaime Rocío Guadalupe, Pérez Serrano Edgar Roberto
Abstracto— Realizar el diseño y encontrar la aplicación de un
los convertidores de señal, media onda, onda completa, inversor,
convertidor corriente-voltaje. Los diseños se hicieron con
puramente dispositivos electrónicos, aplicando los conocimientos
adquiridos en esta área. Los resultados principales son las señales
e implica en el mundo de la electrónica diversas aplicaciones
bastantes útiles para la industria como para el uso cotidiano
Este debe expresar concisamente qué se hizo, cómo se hizo, los
resultados principales y sus implicaciones.
Índice de términos— Diodo, corriente, frecuencia, onda,
recortador, rectificador, señal, transistor.
I. INTRODUCCIÓN
E ste reporte muestra el diseño, la construcción, y la parte
teórica de los convertidores de señal más comúnmente
usados. Se enlista también los materiales electrónicos como el
equipo usado. Se anexan también las imágenes que sirven
como evidencia de que la práctica se realizó de forma correcta.
Convertidor I-V: Una aplicación sencilla de conversión de
corriente a voltaje es un detector de señales infrarrojas en el
cual se tiene una sensibilidad de 1V/μA.
II. MARCO TEÓRICO
Los dispositivos electrónicos tales como diodos,
transistores y circuitos integrados están hechos con un
material semiconductor; para entender cómo funcionan debe
tenerse conocimiento básico de la estructura de los átomos y la
interacción de las partículas atómicas. Un concepto importante
presentado en este capítulo es el de la unión pn, que se forma
cuando se unen dos tipos de material semiconductor. La unión
pn es fundamental para la operación de dispositivos tales
como el diodo y ciertos tipos de transistores. Se aborda la
operación y las características del diodo; asimismo, se
analizan y prueban tres modelos del diodo que representan tres
niveles de aproximación.
A. Diodos
Un semiconductor es un material que posee un nivel de
conductividad situado entre el de un buen conductor y el de un
aislante. Los incrementos en la temperatura pueden causar un
incremento importante en el número de electrones libres en un
material semiconductor. La mayoría de los materiales
semiconductores que se utilizan en la industria electró-nica,
poseen coeficientes de temperatura negativos; lo que significa
que la resistencia desciende cuando la temperatura se
incrementa. Los materiales intrínsecos son aquellos
semiconductores con bajos niveles de impureza. Los
materiales extrínsecos son semiconductores expuestos a un
proceso de dopado. Un material tipo n se forma al añadir
átomos donadores que cuentan con cinco electrones de
valencia de forma que se establezca un alto nivel de electrones
relativamente libres. En un material tipo n, el electrón es el
portador mayoritario, y el hueco es el portador minoritario.
Ocurre con lo contrario con un material del tipo p. La región
cercana a la unión en un diodo que contiene muy pocos
portadores se le denomina región de agotamiento.
Las características de un diodo ideal se asemejan mucho a las
de un interruptor simple, excepto por que un diodo ideal puede
conducir en una sola dirección. Este actúa como un circuito
corto en la región de conducción y como un circuito abierto en
la región de no conducción. En ausencia de cualquier
polarización externa aplicada, la corriente de un diodo es cero.
En la región de polarización directa la corriente del diodo se
incrementará de forma exponencial con incrementos en el
voltaje a través del diodo. En la región de polarización
inversa, la corriente del diodo se mantiene en la muy pequeña
corriente de saturación inversa hasta que la ruptura de Zener
se alcanza y la corriente comienza a fluir a través del diodo en
dirección opuesta. El voltaje de umbral es cercano a 0.7 V
para el caso de los diodos de silicio y de 0.3 V para el de los
diodos de germanio. El nivel máximo de disipación de
potencia de un diodo es igual al producto del voltaje del diodo
por la corriente. La capacitancia de un diodo se incrementará
exponencialmente con el incremento del voltaje en
polarización directa. Sus niveles más bajos se encuentran en la
región de polarización inversa.
Fig.1. Simbología de diodos más comunes.
B. Transistores
Los dispositivos semiconductores poseen las siguientes
ventajas sobre los tubos de vacío: Son más pequeños; más
ligeros; más resistentes, y más eficientes. Además, no
requieren periodo de calentamiento; no tienen requisitos de
disipación de calor, y tienen menores voltajes de operación.
Los transistores son dispositivos de tres terminales con tres
capas de semiconductor, siendo la capa central mucho más
angosta que las otras dos. Las dos capas exteriores son de tipo

n o tipo p con el material opuesto en la capa central. La
corriente del emisor en dc es siempre la mayor corriente de un
transistor mientras que la corriente de la base es siempre la
más pequeña. La corriente del emisor siempre es la suma de
las otras dos. La corriente del colector está compuesta por dos
componentes: el componente mayoritario y la corriente
minoritaria (también llamada corriente de fuga). La flecha en
el símbolo del transistor define la dirección del flujo de la
corriente convencional para la corriente del emisor y por tanto
define la dirección de las otras corrientes del dispositivo. Un
dispositivo de tres terminales requiere dos conjuntos de
características para definir de forma completa sus
características. En la región activa de un transistor, la unión
base-emisor se encuentra en polarización directa mientras que
la unión colector-base se encuentra en polarización inversa.
En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base
de un transistor se encuentran ambas en polarización inversa.
En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-
base se encuentran en polarización directa. La impedancia
entre las terminales para una unión en polarización directa
siempre será relativamente pequeña mientras que la
impedancia entre las terminales de una unión en polarización
inversa es generalmente muy grande.
Fig. 2. Simbología de transistores más comunes.
El JFET puede emplearse como un resistor controlado por
voltaje debido a la sensibilidad exclusiva de la impedancia
drenaje-fuente ante el voltaje compuerta-fuente. 3. La
corriente máxima de cualquier FET se denota por IDSS y
ocurre cuando VGS = 0 V. 4. La corriente mínima de un JFET
ocurre en el estrechamiento definido por VGS = VP. 5. La
relación entre la corriente de drenaje y el voltaje compuerta-
fuente de un JFET es una relación no lineal definida por la
ecuación de Shockley. A medida que el nivel de corriente se
aproxima a IDSS, la sensibilidad de ID ante cambios en VGS
se incrementa de forma significativa. 6. Las características de
transferencia (ID en función de VGS) son características
propias del dispositivo y no son sensibles a la red en la cual se
utilice el JFET. 7. Cuando VGS = VP/2, ID = IDSS/4; y en el
punto donde ID = IDSS/2, VGS ≅ 0.3 V. 8. Las condiciones
de operación máximas están determinadas por el producto del
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voltaje drenaje-fuente con la corriente del drenaje. 9. Los
MOSFETs se encuentran disponibles en dos tipos:
decremental e incremental. 10. El MOSFET de tipo
decremental posee las mismas características de transferencia
que el JFET para corrientes del drenaje de un nivel hasta de
IDSS. En este punto, las características de un MOSFET de
tipo decremental continúan hasta niveles por arriba de IDSS,
mientras que las del FET terminan ahí. 11. La flecha del
símbolo de los JFETs o de los MOSFETs de canal-n, siempre
apuntará hacia el centro del símbolo, mientras que la flecha de
un dispositivo de canal-p siempre apuntará hacia fuera del
centro del símbolo. 12. Las características de transferencia de
un MOSFET de tipo incremental no se encuentran definidas
por la ecuación de Shockley sino más bien, por una ecuación
no lineal controlada por el voltaje compuerta-fuente, el voltaje
de umbral y por una constante k definida para el dispositivo
que se emplea. La gráfica resultante de ID en función de VGS
es aquella que crece exponencialmente ante valores crecientes
de VGS. 13. Siempre es necesario tener cuidado adicional al
manejar MOSFETs debido a la electricidad estática que puede
existir en los lugares menos pensados. No elimine ningún
mecanismo de circuito cerrado entre las terminales del
dispositivo hasta que éste se instale. 14. Un CMOS (MOSFET
complementario) es aquel que utiliza una combinación única
de un MOSFET de canal-p con uno de canal-n mediante un
solo conjunto de terminales externas. Posee la ventaja de una
muy alta impedancia de entrada, velocidades de conmutación
rápidas y bajos niveles de potencia de operación, todo lo cual,
hace que sea muy útil para los circuitos lógicos.
C. Generadores de señal
Los osciladores son circuitos electrónicos que generan una
señal de salida sin necesidad de una señal de entrada. Se
utilizan como fuentes de señal en toda clase de aplicaciones.
Los distintos tipos de osciladores producen varios tipos de
salidas incluidas ondas senoidales, ondas cuadradas, ondas
triangulares y ondas de diente de sierra. En este capítulo se
presentan varios tipos de circuitos osciladores básicos que
utilizan tanto transistores como amplificadores operacionales
como elemento de ganancia. Además se analiza un circuito
integrado popular, el temporizador 555, en relación con sus
aplicaciones de oscilador. La operación senoidal de un
oscilador está basada en el principio de la realimentación
positiva, donde una parte de la señal de salida es realimentada
a la entrada de forma que la señal se autorrefuerza para
sostener una señal de salida continua. Los osciladores son
ampliamente utilizados en la mayoría de los sistemas de
comunicación, así como en sistemas digitales, incluidas
computadoras, para generar las frecuencias y señales de
temporización requeridas. Además, los osciladores se
encuentran en muchos tipos de instrumentos de prueba, como
los utilizados en el laboratorio.
Menciones por ejemplo como los más comunes para usar.
Amplificador con retroalimentación: consideraciones de fase y
frecuencia. Oscilador. Oscilador de corrimiento de fase.
Oscilador de puente Wien. Circuito oscilador sintonizado
Oscilador de cristal. Integrado 555.
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III. MATERIAL 1 IC LM337

Convertidor I-V:
1 R de 100 Ω, ½ W IV. EQUIPO
1 R de 1 KΩ, ½ W Convertidor I-V:
1 R de 4.7 KΩ, ½ W 2 Multímetros c/puntas
3 R de 10 KΩ, ½ W 1 Osciloscopio con dos puntas
2 R de 68 KΩ, ½ W 1 Plantilla de Experimentos
4 R de 100 KΩ, ½ W 1 Fuente de alimentación dual
1 R de 470 KΩ, ½ W 1 Generador de Funciones [2]
1 C de 1 uF / 63 V
1 IC LM741 Inversor:
2 IC TL082 1 Fuente de alimentación
1 Buzzer 1 Plantilla de experimentos
1 Fotodetector de Infrarrojo (IR) 1 Osciloscopio
1 Emisor de IR (control remoto TV)
1 Diodo Rectificador IN4002 Filtro de ½ onda:
1 Diodo Zener de 3.8 V / 1 W 1 Generador de Funciones
1 Diodo Zener de 4.7 V / 1 W 1 Plantilla de experimentos
1 IC 74LS14 [2] 1 Osciloscopio

Inversor: Filtro de onda completa:

C1- 4700 uF a 25 V electrolítico 2 Multímetros c/puntas
R1- 4.7 ka ½ Watt 1 Plantilla de Experimentos
R2- 100 ka ½ Watt 1 Fuente de alimentación c/puntas
C2, C3-0.1uF cerámico 4 Caimanes
R3-10 ka ½ Watt * Si usa un puente de diodos, reducir los diodos a 4 IN4007 o
R4- 2.7 ka ½ Watt equivalente y el puente de diodos que sea con una I >= 2
R5- 470 a ½ Watt Amps.
IC1- Integrado 555
Q1- BC547 V. PROCEDIMIENTO
Q2, Q3- Mosfet, consultar tabla siguiente Convertidor I-V:
T1- Transformador, consultar tabla siguiente El siguiente circuito consta de un fotodetector, el cual se
Potencia Modelo Mosfet Transformador comportará como una fuente de corriente al detectar luz
Hasta 200 Watts IRFZ44 10 Amperes infrarroja.
Hasta 350 Watts IRFZ48 15 Amperes a) Construya el siguiente circuito en su plantilla de
Hasta 600 Watts IRF3205 30 Amperes experimentos.
El transformador deberá ser en todos los casos de 127 a 24V,
con derivación central. El amperaje del transformador se
calcula dividiendo la potencia requerida entre 24.

Filtro de ½ onda:
1 Diodo 1N4004
8 Diodos LED de diferentes colores.
8 Resistencias de 22 

Filtro de onda completa:

2 R de 100 Ω, ½ W
2 R de 270 Ω, ½ W
2 R de 1 KΩ, ½ W
2 Pot. de 5 KΩ ó 4.7 KΩ
2 Capacitores de 1000 uF/63 V
2 Capacitores de 10 uF/63 V
2 Capacitores de 0.22 uF/250 V
8 Diodos 1N4003 ó equivalente *
1 Transformador (24Vca/2 A, CT)
1 IC LM317

Fig. 3. Circuito a armar en la plantilla.
b) Encienda las fuentes de alimentación y con una caja oscura
tape el circuito evitando que incida luz en el fotodetector,
reporte las diferencias de sonido que se presentan al hacer esto
repetitivamente. [2]
Inversor:
El siguiente circuito es un inversor de entre 100 y 600 watts
para poder contar con electricidad de 127 volts a 60 Hz a
partir de una fuente DC calibrada a 12 V. Cabe mencionar que
se puede emplear una betería de 12 V también.
a) Construya el siguiente circuito en la plantilla de
experimentos.
Fig. 4. Circuito a armar en la plantilla.
El circuito está basado en un temporizador que se encarga de
generar los pulsos de una frecuencia de 60 Hz como la red
eléctrica, a continuación se alimentan mosfets que son los que
general los pulsos de potencia los cuales a su vez se alimentan
al transformador que se encarga de elevar el voltaje. [3]
b) Conecte la fuente de alimentación y a la salida del
transformador un foco ahorrador de 13W 127V 60 Hz.
c) Conectar las puntas del osciloscopio a la salida del
transformador y reportar la forma de onda obtenida.
Filtro de ½ onda:
a) Construya el siguiente circuito en la plantilla de
experimentos:
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Fig. 5. Circuito a armar en plantilla.
b) Conecte el generador de funciones (XFG1) en sus
respectivas terminales como se muestra en la fig.
c) Programe una onda senoidal con una frecuencia de 0.6 Hz
en el generador de funciones.
d) Conecte una punta del osciloscopio a la salida del diodo y
observe el comportamiento de la onda así como el de los
diodos.
Filtro de onda completa:
a) Construya el siguiente circuito en la mitad, de su plantilla
de experimentos.
Fig. 6. Circuito a armar en plantilla.
Ajuste VR1 a un valor (mínimo) de 0Ω. Mida con un
voltmetro el Vo y si su circuito está correctamente construido,
al conectar el transformador a 127 Vca, en Vo debe leerse un
valor de 1.25 Vcd. Si la lectura no es la que se indica,
desconecte el transformador de 127 Vac y revise
cuidadosamente su circuito. Varíe VR1 de un extremo al otro
y reporte el rango del voltaje de salida.
b) Construya el siguiente circuito en la otra mitad, de su
plantilla de experimentos. Observe la polaridad correcta de los
componentes y la ubicación adecuada de las terminales del
regulador LM337 y de los diodos.
Fig. 7. Circuito a armar en plantilla.
Ajuste VR2 a un valor (mínimo) de 0Ω. Mida con un
voltmetro el Vo y si su circuito está correctamente construido,
al conectar el transformador a 127 Vca, en Vo debe leerse un
valor de -1.25 Vcd. Si la lectura no es la que se indica,
desconecte el transformador de 127 Vac y revise
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cuidadosamente su circuito. Varíe VR2 de un extremo al otro transformador y reporte si la variación disminuye
y reporte el rango del voltaje de salida. simétricamente.

c) Como se pudo dar cuenta, ha construido dos fuentes de VI. RESULTADOS.

alimentación, una positiva y otra negativa. Ahora, haciendo las Convertidor I-V:
modificaciones correspondientes primero conecte las fuentes Se obtuvo el siguiente circuito con sus conexiones
reguladas como se muestra en la siguiente figura. correspondientes.

Fig. 8. Circuito a armar en plantilla.

OBSERVACIÓN: Antes de conectar el transformador, revise

que sus capacitores electrolíticos estén correctamente
conectados por que los mismos pueden “explotar”,
Fig. 10. Circuito Fotodetector.
sobrecalentarse o dañarse, al no aplicarse la polaridad
correcta.
Para evitar el contacto de la luz con el fotodetector se utilizó
Conectando y desconectando rápidamente el transformador,
una caja de herramientas negra en su totalidad, cuando ésta se
mida los voltajes a través de los capacitores C1 y C4. El
colocaba sobre el circuito la incidencia de la luz disminuía
voltaje que debe registrarse es de alrededor de 12(21/2) Vcd
notoriamente disminuyendo el voltaje de salida y afectando así
positivo y negativo respectivamente con respecto a tierra. Si es
mismo al buzzer. El cual disminuye su frecuencia de sonido.
el caso, revise.
Esta es una clara aplicación de convertidores I-V los cuales se
Ahora, interconecte las fuentes reguladas positiva y
utilizan comúnmente como sensores de movimiento.
negativa para obtener una fuente dual como se muestra en la
siguiente figura.
Inversor:
Cabe mencionar que este tipo de inversores proporcionan
una onda cuadrada en lugar de una senoidal, por lo tanto no
puede utilizarse con cargas inductivas, como motores.

Fig. 11. Circuito Inversor.

Como se puede observar al poner en funcionamiento el

circuito inversor en capaz de alimentar un foco de AC sin
problema alguno.
Fig. 9. Circuito a armar en plantilla.

Mida ahora Vo (+) y Vo (-) y reporte el rango en el cual

varían, utilizando dos multímetros a la vez. Desconecte su

Fig. 12. Inversor en funcionamiento.
Fig. 13. Onda generada por el inversor.
Filtro de ½ onda:
Nosotros realizamos el circuito de LED y resistencias sobre
una placa de circuito impreso, montando únicamente el diodo
rectificador en la plantilla protoboard.
Fig. 14. Circuito de LED y resistencias.
A continuación se muestra el comportamiento de la onda
senoidal así como el de los diodos LED.
Fig. 15. Onda senoidal rectificada.
Como se pudo observar cuando la señal rectificada realiza
su trayectoria ascendente los LED comienzan a encenderse
uno por uno, al comenzar su trayectoria descendente, una vez
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pasado el voltaje pico, los LED comienzan a apagarse uno por
uno.
Fig. 16. Comportamiento de serie LED.
La frecuencia de la onda senoidal de entrada que se utilizo
fue de 0.6 Hz ya que es la frecuencia mínima que puede
otorgarnos el generador de funciones y tal frecuencia es
necesaria para apreciar el efecto de la rectificación en el
circuito de LED.
Filtro de onda completa:
Con fines de mejorar la presentación de nuestra fuente dual
ésta fue colocada en una caja fabricada a la medida deseada,
además de agregar un display para mostrar el voltaje otorgado
por la fuente. A continuación se muestra su funcionamiento.
Fig. 17. Fuente dual en funcionamiento.
VII. DISCUSIÓN.
Plasmar un circuito para demostrar un concepto teórico es
sencillo, encontrar una aplicación de tal concepto puede
resultar un verdadero reto, especialmente cuando no se está
acostumbrado a trabajar bajo tales condiciones. Por ello es
esencial comprender que fenómeno ocurre detrás de un
circuito, una vez comprendido es sencillo demostrar con
aplicaciones reales y practicas tal concepto.
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VIII. CONCLUSIÓN GENERAL

Algunos de los diseños realizados en esta práctica, lo vimos
de forma superficial en otras materias, pero en muy pocas lo
hicimos de forma tangible como en esta, así que para los
diseños no hubo muchos problemas sin embargo los análisis
de cada diseño fue la parte laboriosa además de retomar
algunos principios fundamentales de algunos dispositivos y
axiomas físicos. También cabe resaltar que trabajar en equipo
ayuda a reducir los tiempos de realización en cada práctica,
pues dividir las tareas propuestas de las practicas, tiende a que
los tiempos sean más cortos, que si fuera de forma individual.
El buscar ejemplos de aplicaciones de cada circuito nos
hace entrever que realmente son más comunes de lo que se
piensa o por lo menos de lo que se habla en la universidad.
Las aplicaciones son infinitas y basta con solo usar la
imaginación para aplicar ya sea un rectificador de onda
completa, media onda, convertidor V-I, en diseños y
aplicaciones creadas por nosotros mismo, para proponer
soluciones no solo a la industria, si no soluciones a problemas
de nuestras casa para nuestra familia, e inclusive para nosotros
mismos.

Referencias:
[1]http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d56994c00dc4601/0
1d56994c00df600b.html
[2] Manual de Prácticas, Circuitos Integrados Lineales. Enero 2016. División
de Ingenierías Campus Irapuato-Salamanca.
[3] https://www.youtube.com/watch?v=SuEjD3lsNN4&app=desktop
[4] FLOYD, THOMAS L. Dispositivos electrónicos Octava edición
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2008 ISBN: 978-970-26-1193-6
[5] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS Electrónica: teoría
de circuitos y dispositivos electrónicos, 8a. ed. PEARSON EDUCACIÓN,
México, 2003 ISBN: 970-26-0436-2
[6] DESING WITH OPERATIONAL AMPLIFIERS AND ANALOG
INTEGRATED CIRCUITS, THIRD EDITION, ISBN:007-2322084-2.