Instituto Tecnológico de Tijuana
Arquitectura de Computadoras
Salcido Guerrero Raúl Alejandro, 15211356
Abstracto—En este escrito se presenta de manera completa lo
que engloba la memoria RAM o memoria de acceso aleatorio,
desenglosando los términos de SRAM y DRAM, sus
características, conceptos específicos, es decir, todo lo concerniente
a estos, para traer así una mejor compresión del trabajo y
funcionamiento que estos ejercen dentro de una computadora.
I. INTRODUCCIÓN
R AM es un acrónimo para la memoria de acceso aleatorio
("random access memory" en inglés), un tipo de memoria
de computadora en el que una lectura puede tener acceso a una
ubicación específica, conocida como una celda de memoria, sin
hacer referencia a las celdas anteriores. Dos tipos de memoria
RAM, conocida como RAM estática y RAM dinámica,
constituyen la memoria de almacenamiento de cualquier
equipo.
Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o
escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera
igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un
orden para acceder (acceso secuencial) a la información de la
manera más rápida posible.
II. RANDOM ACCESS MEMORY
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory,
RAM) se utiliza como memoria de trabajo de computadoras y
otros dispositivos para el sistema operativo, los programas y la
mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las
instrucciones que ejecuta la unidad central de procesamiento
(procesador) y otras unidades del computador, además de
contener los datos que manipulan los distintos programas.
Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o
escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera
igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un
orden para acceder (acceso secuencial) a la información de la
manera más rápida posible.
La expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para
describir a los módulos de memoria utilizados en las
computadoras personales y servidores.
La RAM es solo una variedad de la memoria de acceso
aleatorio: las ROM, memorias Flash, caché (SRAM), los
registros en procesadores y otras unidades de procesamiento
también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso
iguales para cualquier posición.
Los módulos de RAM son la presentación comercial de este
tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados
soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros
dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va
soldada directamente sobre la placa principal.
Dentro de la jerarquía de memoria, la RAM se encuentra en un
nivel después de los registros del procesador y de las cachés en
cuanto a velocidad.
Los módulos de RAM se conectan eléctricamente a un
controlador de memoria que gestiona las señales entrantes y
salientes de los integrados DRAM. Las señales son de tres tipos:
direccionamiento, datos y señales de control. En el módulo de
memoria esas señales están divididas en dos buses y un
conjunto misceláneo de líneas de control y alimentación. Entre
todas forman el bus de memoria que conecta la RAM con su
controlador:
 Bus de datos: son las líneas que llevan información
entre los integrados y el controlador. Por lo general,
están agrupados en octetos siendo de 8, 16, 32 y 64
bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de
datos del procesador. En el pasado, algunos formatos
de módulo, no tenían un ancho de bus igual al del
procesador. En ese caso había que montar módulos en
pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos, para
completar lo que se denominaba banco de memoria, de
otro modo el sistema no funciona. Esa fue la principal
razón para aumentar el número de pines en los
módulos, igualando al ancho de bus de procesadores
como el Pentium a 64 bits, a principios de los años
1990.
 Bus de direcciones: es un bus en el cual se colocan las
direcciones de memoria a las que se requiere acceder.
No es igual al bus de direcciones del resto del sistema,
ya que está multiplexado de manera que la dirección
se envía en dos etapas. Para ello, el controlador realiza
temporizaciones y usa las líneas de control. En cada
estándar de módulo se establece un tamaño máximo en
bits de este bus, estableciendo un límite teórico de la
capacidad máxima por módulo.
 Señales misceláneas: entre las que están las de la
alimentación (Vdd, Vss) que se encargan de entregar
potencia a los integrados. Están las líneas de
comunicación para el integrado de presencia (Serial

Presence Detect) que sirve para identificar cada
módulo. Están las líneas de control entre las que se
encuentran las llamadas RAS (Row Address Strobe) y
CAS (Column Address Strobe) que controlan el bus de
direcciones, por último, están las señales de reloj en
las memorias sincrónicas SDRAM.
Arquitectura de un ordenador.
Algunos controladores de memoria en sistemas como PC y
servidores se encuentran embebidos en el llamado puente norte
(North Bridge) de la placa base. Otros sistemas incluyen el
controlador dentro del mismo procesador (en el caso de los
procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7 y
posteriores). En la mayoría de los casos el tipo de memoria que
puede manejar el sistema está limitado por los sockets para
RAM instalados en la placa base, a pesar que los controladores
de memoria en muchos casos son capaces de conectarse con
tecnologías de memoria distintas.
Una característica especial de algunos controladores de
memoria, es el manejo de la tecnología canal doble o doble
canal (Dual Channel), donde el controlador maneja bancos de
memoria de 128 bits, siendo capaz de entregar los datos de
manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo
las latencias vistas por el procesador. La mejora en el
desempeño es variable y depende de la configuración y uso del
equipo.
III. MEMORIA RAM ESTATICA
SRAM son las siglas de Static Random Access Memory, que
significa memoria estática de acceso
aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de
tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz
de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad
de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de
memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al
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tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí
necesita refresco dinámico de sus cargas.
Se basa en circuitos lógicos denominados flip-flop, que retienen
la información almacenada en ellos mientras haya energía
suficiente para hacer funcionar el dispositivo (ya sean
segundos, minutos, horas, o aún días). Un chip de RAM estática
puede almacenar tan sólo una cuarta parte de la información que
puede almacenar un chip de RAM dinámica de la misma
complejidad, pero la RAM estática no requiere ser actualizada
y es normalmente mucho más rápida que la RAM dinámica.
Estas memorias son de acceso aleatorio, lo que significa que las
posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en
cualquier orden, independientemente de cual fuera la última
posición de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se
almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este
circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para
almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos
transistores adicionales para controlar el acceso al biestable
durante las operaciones de lectura y escritura.
A diferencia de la DRAM, en la cual la señal de la línea de
salida se conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar
la señal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM
son los propios biestables los que hacen oscilar dicha señal,
mientras que la estructura simétrica permite detectar pequeñas
variaciones de voltaje con mayor precisión. Otra ventaja de las
memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos
los bits de dirección al mismo tiempo.
a. Modos de operación de una SRAM
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación:
standby, en el cual el circuito está en reposo, reading o en fase
de lectura, durante el cual los datos son leídos desde la
memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se
actualizan los datos almacenados en la memoria.
Celda de memoria SRAM.
 Reposo: Si el bus de control (WL) no está activado, los
transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda
de los buses de datos. Los dos biestables formados por
M1 – M4 mantendrán los datos almacenados, en tanto
dure la alimentación eléctrica.

 Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es
1, y está almacenado en Q. El ciclo de lectura
comienza cargando los buses de datos con el 1 lógico,
y luego activa WL y los transistores de control. A
continuación, los valores almacenados en Q y Q se
transfieren a los buses de datos, dejando BL en su
valor previo, y ajustando BL a través de M1 y M5 al 0
lógico. En el caso que el dato contenido en la memoria
fuera 0, se produce el efecto contrario: BL será
ajustado a 1 y BL a 0.
 Escritura: El ciclo de escritura se inicia aplicando el
valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir
un 0, se ajusta, almacena, se activa el bus WL, y el dato
queda almacenado.
b. Características
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un
menor consumo (especialmente en reposo) que la
memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario
disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo
reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es
menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando
es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en
la memoria principal de los computadores personales.
c. Usos de las SRAM
 Como producto de propósito general:
 Con interfaces asíncronas como chips 32Kx8 de 28
pines (nombrados XXC256), y productos similares que
ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.
 Con interfaces síncronas, principalmente como
caches y otras aplicaciones que requieran
transferencias rápidas, de hasta 18Mbit por chip.
Integrados en chip:
 Como memoria RAM o de cache en micro-
controladores.
 Como cache primaria en microcontroladores, como
por ejemplo la familia x86.
 Para almacenar los registros de microprocesadores.
 En circuitos integrados.
d. Tipos de SRAM
 SRAM no volátiles: Las memorias SRAM no volátiles
(NVRAM) presentan el funcionamiento típico de las
RAM, pero con la característica distintiva de que los
datos almacenados en ellas son preservados aun
cuando se interrumpe la alimentación eléctrica. Se
utilizan en situaciones donde se requiere conservar la
información almacenada sin necesidad de
alimentación alguna, normalmente donde se desea
evitar el uso de baterías.
 SRAM asíncrona: Las SRAM asíncronas están
disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb. Con
un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el
uso en equipos de comunicaciones, como switches,
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routers, teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en
electrónica de automoción.
 Por tipo de transistor:
1. Transistor de unión bipolar.
2. MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor).
 Por función:
1. Asíncronas — independientes de la frecuencia de
reloj.
2. Síncronas — todas las operaciones son controladas
por el reloj del sistema.
e. Pros y Contras
La RAM estática es mucho más rápida que la RAM dinámica,
con tiempos de acceso comunes entre 10 y 30 mil millonésimas
de segundo, o nanosegundos. La RAM estática se utiliza
comúnmente para los búferes de alta velocidad, cachés y
registros, tales como la memoria intermedia de trama en un
adaptador de pantalla de video, donde el acceso rápido a los
datos es la principal preocupación. Sin embargo, cada celda de
memoria RAM estática tiene más partes que una celda de
memoria RAM dinámica y ocupa más espacio en un chip de
memoria. Esto significa menos memoria por chip, por lo que la
memoria RAM estática es más cara que la RAM dinámica.
IV. MEMORIA RAM DINAMICA
DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random
Access Memory, que significa memoria dinámica de acceso
aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de
tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los
cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un
circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa
dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
Se usa principalmente como módulos de memoria principal
RAM de ordenadores y otros dispositivos. Su principal ventaja
es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad
de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en
la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones
y velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo.
Como el resto de memorias RAM, es volátil, es decir, si se
interrumpe la alimentación eléctrica, la información
almacenada se volatiliza. Fue inventada a finales de los sesenta
y es una de las memorias más usadas en la actualidad.
La memoria dinámica fue desarrollada en los laboratorios de
IBM pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6
transistores a sólo un condensador y un transistor, como la
memoria DRAM que conocemos hoy.
A. Funcionamiento
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La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, 4. La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila
capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La de manera que, al llegar la segunda parte de la
construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto
en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus
efecto de campo y un condensador. El principio de de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el involucradas en el proceso son reescritas, ya que la
condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor lectura de la DRAM es destructiva.
funciona como un interruptor que conecta y desconecta al
condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores
a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de
celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la

forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede
por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas
estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la
superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son
visibles a simple vista.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una

dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están
multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las
entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por
el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna.
Las direcciones se diferencian por medio de señales de
sincronización llamadas RAS (del inglés Row Address Strobe)
y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada
parte de la dirección.

 Lectura:

Los pasos principales para una lectura son:

1. Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la
mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que
las líneas se comportan como grandes condensadores,
dada su longitud tienen un valor más alto que la de los
 Escritura: La escritura en una posición de memoria
condensadores en las celdas.
tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de
leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor
2. Una fila es energizada por medio del decodificador de
indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado
filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto
o descargado. El flujo del dato es mostrado con una
hace que los transistores conectados a una fila
línea gruesa en el gráfico.
conduzcan y permitiendo la conexión eléctrica entre
las líneas de columna y una fila de condensadores. El
efecto es el mismo que se produce al conectar dos
condensadores, uno cargado y otro de carga
desconocida: se produce un balance de que deja a los
dos con un voltaje muy similar, compartiendo las
cargas. El resultado final depende del valor de carga
en el condensador de la celda conectada a cada
columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de
columna es un condensador más grande que el de la
celda.

3. El cambio es medido y amplificado por una sección

que contiene circuitos de realimentación positiva: si el
valor a medir es menor que la mitad del voltaje de 1
lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se
regenera a un 1. Funciona como un redondeo.

B. Pros y Contras.
Las celdas RAM dinámicas requieren actualización de los
circuitos para revitalizar los condensadores, pero, aun así,
requieren mucho menos espacio que las celdas de memoria
RAM estática. La RAM dinámica es algo más lenta que la RAM
estática, con tiempos de acceso típicos por encima de 30
nanosegundos, pero es muy densa, con un solo transistor y un
condensador para cada bit. La RAM dinámica es más
económica de instalar que la RAM estática y, como resultado,
es el tipo más común de memoria en una computadora. La
memoria principal de una computadora es normalmente RAM
dinámica.
V. DIRECCIÓN DE MEMORIA
En informática, una dirección de memoria es un identificador
para una localización de memoria con la cual un programa
informático o un dispositivo de hardware pueden almacenar un
dato para su posterior reutilización.
Una forma común de describir la memoria principal de una
computadora es como una colección de celdas que almacenan
datos e instrucciones. Cada celda está identificada por un
número o dirección de memoria. La información que se
almacena en cada celda es un byte que es un conjunto de ocho
bits, estos bits representan la unidad mínima de
almacenamiento de datos e instrucciones, ya que un bit solo
puede contener el valor cero o uno y eso no es suficiente para
guardar datos o instrucciones, por lo que se debe almacenar en
bytes.
A. Direccionamiento de memoria físico y lógico.
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El direccionamiento de la memoria puede considerarse desde
dos puntos de vista: Físico y lógico. El primero se refiere a los
medios electrónicos utilizados en la computadora para acceder
a las diversas posiciones de memoria. El segundo, a la forma en
que se expresan y guardan las direcciones.
Los llamados modos de direccionamiento no son más que las
diferentes maneras de especificar en informática un operando
dentro de una instrucción esto es en lenguaje ensamblador.
Cómo se especifican e interpretan las direcciones de memoria
según las instrucciones. Las diferentes arquitecturas de
computadores varían mucho en cuanto al número de modos de
direccionamiento que ofrecen desde el hardware.
Eliminar los modos de direccionamiento más complejos podría
presentar una serie de beneficios, aunque podría requerir de
instrucciones adicionales, e incluso de otro registro. Se ha
comprobado que el diseño de CPUs segmentadas es mucho más
fácil si los únicos modos de direccionamiento que proporcionan
son simples.
B. Ancho soportado por registros
Los sistemas operativos actuales son comúnmente
diferenciados según el ancho soportado por sus registros, es
decir 32 y 64 bits. Estas cifras se refieren a la máxima capacidad
que dichos sistemas operativos pueden direccionar, así un
sistema de 32 bits podría acceder y direccionar, sin utilizar
memoria virtual, un máximo de 2^32 posiciones de memoria,
usualmente designadas por un código hexadecimal, Debido a
esto, el rango de valores naturales que pueden ser almacenados
en 32 bits es de 0 hasta 4.294.967.295, que vienen a ser los
famosos 4 gigabytes de capacidad límite de los sistemas
operativos de 32 bits. Debido a la estructura de 32 bits de un
procesador común como los de Intel, las direcciones de
memoria se expresan a menudo en hexadecimal. Para los
sistemas de 64 bits, siguiendo el razonamiento anterior,
obtendríamos 2^64 posibilidades, lo que se traduce en un rango
de valores desde 0 hasta 18.446.744.073.709.551.615, 18,4
zettabytes o 18.400.000.000 de gigabytes direccionables.
C. Aplicación informática.
En aplicaciones informáticas las direcciones son asignadas por
el sistema operativo a cada programa en ejecución,
asegurándose éste, comúnmente por medio de un daemon, que
las direcciones utilizadas por un ejecutable u otro proceso no se
solapen o se escriba en posiciones protegidas de memoria, por
ejemplo, en el sector de arranque.
En los lenguajes de programación, se puede acceder a las
direcciones de memoria utilizando punteros. Si bien algunos
sistemas operativos y lenguajes actuales no permiten acceder a
determinadas direcciones de memoria (o incluso, lenguajes
como Java que no implementan punteros), esto no significa que
dichas direcciones no existan o no sean correctas, por ejemplo,
la posición de memoria 0h es una posición válida y correcta y
es normal que se trabaje sobre ella por ejemplo cuando se
modifica la tabla descriptora de interrupciones.
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Pero cuando se trabaja en modo protegido, los programas

ejecutándose como aplicaciones de usuario no tienen acceso a
algunas posiciones (entre ellas la 0h), pero en el sistema
operativo TRES que trabaja en modo real, se puede acceder a
toda la memoria disponible con un simple programa de usuario.

VI. REFERENCIAS
https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio
https://www.ecured.cu/Direcci%C3%B3n_de_memoria
https://es.wikipedia.org/wiki/DRAM
https://es.wikipedia.org/wiki/SRAM
http://computecsena.blogspot.mx/2011/08/memoria-ram-
estatica.html
https://techlandia.com/tipos-ram-estatica-dinamica-
info_290309/