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Física de Semiconductores.
Ingeniería Electrónica.
Electrones en
Elemento Grupos
la última capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B,
13 3 e-
In
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
Material Semiconductor
Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo
cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos
forman una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro
electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de
valencia absorben suficiente energía Calorífica para librarse del enlace
covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace
covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al
polo positivo.
Material Semiconductor
Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio,
deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones
próximos tiene efectos similares a los que provocaría una carga
positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con
signo positivo.
El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por
los siguientes fenómenos:
-Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen
hacia el polo positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila.
-Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito
cerrado, siendo constante en todo momento el número de electrones
dentro del cristal de silicio.
-Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el
conductor exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la
corriente eléctrica.
Cristal semiconductor intrínseco
A simple vista es imposible que un semiconductor permita el
movimiento de electrones a través de sus bandas de energía
▫ Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor es un aislante porque todos los
e- están formando enlaces covalentes.
Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar
libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e-deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la
estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el
electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de portador: el hueco
(h+).
Cristal semiconductor intrínseco
Cristal semiconductor intrínseco
En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y
de huecos son iguales:
Tarea
Investigar
capacitancia de difusión
Capacitancia de transición
Union P-N Condiciones de Polarizacion.
Potencial de Barrera.
En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente
polaridad que forman el diodo, se crea una ―barrera de potencial‖, cuya
misión es impedir que los electrones libres concentrados en la parte negativa
salten a la parte positiva para unirse con los huecos presentes en esa parte del
semiconductor. Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía
necesario que le debe suministrar una fuente de energía externa conectada a
los dos extremos del diodo, no podrán atravesar esa barrera.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Por otra parte, a ambos lados de la barrera de potencial se forma una ―zona de
deplexión‖ (también llamada zona de agotamiento, de vaciado, de carga
espacial o de despoblación). Esa es una zona o región aislada, libre de
portadores energéticos, que se origina alrededor del punto de unión de los dos
materiales semiconductores dopados de diferente forma y que poseen también
polaridades diferentes. La función de la ―zona de deplexión‖ es alejar a los
portadores de carga energética (electrones) del punto de unión p-n cuando el
diodo no se encuentra energizado con la tensión o voltaje suficiente, o cuando
se energiza con una tensión o voltaje inverso.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Pues bien, bajo estas premisas, resulta que toda la tensión externa aplicada, V,
aparece en la unión, aparece en la zona dipolar. Por lo tanto, para el análisis
bajo polarización de la zona dipolar, basta con sustituir
Union P-N Condiciones de Polarización.
Polarización directa.
Si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico
que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de
la zona de agotamiento. Sin embargo, mientras ésta exista la conducción es
casi nula. Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de
agotamiento, electrones y huecos se dirigen a la unión y se recombinan. En
estas condiciones la corriente queda determinada por el circuito externo ya
que la tensión en bornes de la juntura permanece prácticamente constante.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Un diodo PN conduce cuando está polarizado directamente, si bien recién
cuando la tensión aplicada vence la barrera de potencial los portadores de
carga tienen un movimiento suficiente para que la zona de agotamiento se
inunde de cargas móviles.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Polarización Inversa.
Al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran
portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos
hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de agotamiento, y la
corriente debido a los portadores mayoritarios es nula Dado que en ambas
zonas hay portadores minoritarios, y un diodo polarizado en inversa lo está en
directa para los minoritarios, estos portadores minoritarios son atraídos hacia
la unión. Este movimiento crea una corriente cuya magnitud es muy inferior a
la que se obtendría en polarización directa para los mismos niveles de tensión.