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TECSUP Electrónica Básica

UNIDAD V

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

Un factor importante en el trabajo de todo dispositivo semiconductor es la llamada


polarización; aunque en cada dispositivo no es exactamente el mismo proceso,
podemos seguir criterios generales similares para la mayoría de ellos. En el caso del
transistor bipolar, la polarización consiste en darle los niveles adecuados de corriente y
voltaje continuo entre sus terminales que le permitan realizar el trabajo que se
requiera de él.

El primer paso consiste en determinar el llamado punto de operación, el cual definirá


básicamente el trabajo que es capaz de realizar.

1. PUNTO DE OPERACIÓN

Cuando hablamos de punto de operación en un transistor bipolar, nos referimos


principalmente a la determinación de tres de sus parámetros; éstos son: Ib
corriente de base, Ic corriente de colector y el voltaje colector emisor; estos tres
parámetros nos serán útiles cuando los podamos ubicar en la gráfica que
corresponde a la característica de salida del transistor la cual se vio en el módulo
I de este curso.

A continuación reproducimos nuevamente estas curvas generales que nos


servirán de referencia en el estudio.

Luego de determinar el punto de operación y de ubicarlo en la gráfica de la


característica de salida que corresponda al transistor con el que estemos
trabajando, podremos saber si el transistor está en estado de saturación, corte o
en la zona activa.

Por ejemplo si tenemos como datos del punto de operación de un transistor los
siguientes valores para tres puntos distintos:

Punto 1:
Ib = 0.03 m A
Ic = 2 m A

Vce = 1 V

Punto 2:
Ib = 0.03 m A
Ic = 3.2 m A
Vce = 10 V

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Figura N° 1

Punto 3:

Ib = 0.001 m A
Ic = 0.1 m A
Vce = 10 V

Y los ubicamos en la gráfica anterior determinaremos que en el primer caso el


transistor se encuentra saturado, es decir que presenta como características
principales la de poder conducir una corriente entre colector y emisor sin
presentar casi resistencia interna al paso de la corriente; en el segundo caso
vemos que el dispositivo se encuentra en la zona de amplificación, donde es
capaz de trabajar como amplificador y de mantener una corriente de colector
aproximadamente constante a pesar del valor del voltaje de colector emisor; en
el tercer punto, el cual se encuentra en la parte inferior, el transistor está en
estado de corte, en el cual la corriente de colector a emisor es muy pequeña
debido a que presenta internamente una resistencia bastante grande.

Por tanto, es importante el poder lograr una buena polarización y un punto de


operación estable si se desea que el dispositivo opere eficientemente.

2. CIRCUITOS BÁSICOS DE POLARIZACIÓN

Para comenzar nuestro estudio partiremos definiendo una ecuación general que
siempre se puede plantear y que relaciona la corriente de colector, la corriente
de emisor y la corriente de base.

Ie = Ic + Ib

Si en esta expresión reemplazamos:

Ib = Ic / β y Ie = Ic / α

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Tenemos:
Ie = Ic + Ib
Ic / α = Ic + Ic / β

De dicha expresión se puede extraer una relación entre estos dos parámetros
que suele ser de gran ayuda:
β = α / (1 - α)

Podemos hacer el despeje de términos y encontrar el parámetro α en función de


β:
α = β / (β + 1)

A continuación presentaremos los tres circuitos sobre los cuales realizaremos


nuestro análisis posteriormente:

Figura N° 2: Polarización Fija

Figura N° 3: Polarización Estabilizada en Emisor

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Figura N° 4: Polarización por Divisor de Voltaje

3. CÁLCULO DEL PUNTO DE OPERACIÓN

Nuestro primer circuito es el denominado de polarización fija y está conformado


por una fuente de voltaje continuo, dos resistencias y el transistor; para poder
definir el circuito usaremos el transistor de código 2N3904 de la fábrica Motorola;
este dispositivo es de silicio, posee un valor variable para β entre 150 a 200 para
una corriente de colector próxima a 40 m A. a una temperatura de 25° C, como
se puede ver en la siguiente gráfica.

Figura N° 5

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Figura N° 6: Característica de salida del transistor 2N3904

En este circuito se pueden plantear las siguientes ecuaciones:

Vcc = Ib x Rb + Vbe

Figura N° 7

No debemos olvidar que entre base y emisor se desarrolla un voltaje de 0.6


debido a la característica de entrada, la cual es idéntica al de un diodo.

Vcc = Ic x Rc + Vce

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Además sabemos que se cumple la siguiente relación entre corrientes; Ic = β x


Ib, de estas tres expresiones podemos deducir:

Ib = (Vcc – Vbe) / Rb

Vce = Vcc – Rc x β x (Vcc – Vbe) / Rb

Las cuales nos ayudarán a determinar la Ib, Ic y Vce. La dirección de la corriente


de base y colector, además del voltaje colector emisor son mostrados a
continuación.

Figura N° 8

Si reemplazamos los valores de los componentes en las expresiones anteriores


tenemos:

Ib = 200 u A.
Ic = 30 m A.
Vce = 9.9 V.

En este punto es importante remarcar que estamos considerando que el valor de


β es de 150, aunque como se puede apreciar en la gráfica que le corresponde,
este parámetro tiene valores variables con la temperatura, la corriente de
colector y el voltaje de colector emisor. Por tanto, si se implementara físicamente
el circuito, se observaría que las mediciones y los cálculos no coinciden
exactamente; a partir de ahora contrastaremos los cálculos teóricos con la
información que nos puede proporcionar un simulador de circuitos electrónicos
como el mencionado al principio del presente curso, el cual nos dará un
parámetro de comparación entre el modelo teórico y un modelo muy cercano al
caso real o práctico (el modelo simulado).

Si realizamos la simulación de este circuito podemos encontrar las mediciones


mostradas de las cuales deduciremos el punto de operación, tal como lo

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haríamos si estuviéramos en el laboratorio. Las mediciones mostradas son las


que nos proporcionaría un voltímetro dc conectándolo entre el punto de tierra y
los puntos donde se muestran las mediciones.

Para estos cálculos usaremos en todo momento la ley de Ohm. :

V=IxR

En este circuito para comenzar calcularemos la corriente de base:

Ib = (Vcc – Vbe) / Rb = 199 u A

Ic = (Vcc – Vc) / Rc = 24.5 m A

Vce = Vc – Ve = 12.5 V

Figura N° 9

Comparando valores:

Teórico Simulado
Ib = 200 u A Ib = 199 u A
Ic = 30 m A Ic = 24.5 m A
Vce = 9.9 V Vce = 12.5 V

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Figura N° 10

El segundo circuito denominado polarización estabilizada en emisor, consiste en


el modelo anterior pero con la inclusión de una resistencia de emisor, el cual
tiene como fin el de mantener el punto de operación más estable.
Podemos establecer las siguientes relaciones:

Vcc = Ib x Rb + Vbe + Ie x Re

Vcc = Ic x Rc + Vce + Ie x Re

Considerando β = 150 el valor de α resulta de 0.9934

En la primera ecuación reemplazando Ie = Ib + Ic y luego Ic = β x Ib , tenemos:


Vcc = Ib x Rb + Vbe + (1 + β ) x Ib x Re

De esta expresión se deduce:


Ib = ( Vcc + Vbe ) / [ Rb + ( 1 + β ) x Re ]

Reemplazando los valores tenemos que Ib = 177 u A. , y el valor de Ic


= 26.57 m A

En la segunda ecuación considerando Ie = Ic / α , tenemos:

Vcc = Ic x Rc + Vce + Ic x Re / α

Vce = Vcc – ( Rc + Re /α ) x Ic

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Figura N° 11: Reemplazando valores tenemos Vce = 8.87 V

Si realizamos la simulación del circuito podemos realizar los siguientes cálculos:

Figura N° 12

Ib = (24 – 3) / 117k
Ib = 179.49 u A.
Ic = (24 – 13.5) / 470
Ic = 22.34 m A
Vce = 13.5 – 2.26

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Vce = 11.24 V

Podemos ahora comparar los valores teóricos y los simulados:

Teórico Simulado
Ib = 177 u A Ib = 179.49 u A
Ic = 26.57 m A Ic = 22.34 m A
Vce = 8.87 V Vce = 11.24 V

Figura N° 13: Polarización por Divisor de Voltaje

Otro circuito de polarización es el denominado por divisor de voltaje, el cual para


su análisis se transformará en uno de polarización con doble fuente de voltaje.

Para poder hacer esta transformación usaremos las siguientes expresiones:

Rb = R1 x R2 / (R1 + R2) = R1 // R2

V bb = Vcc x R2 / (R1 + R2)

A este circuito equivalente que vamos a conformar se le denomina Circuito


Thevenin Equivalente y está compuesto por una fuente de voltaje y una
resistencia conectados en serie. Reemplazando:

Rb = 1.74kΩ
Vbb = 3.13 V

El circuito equivalente es el que se muestra a continuación. En este circuito


podemos establecer las siguientes expresiones:

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Figura N° 13

Vbb = Ib x Rb + Vbe + Ie x Re
Vcc = Ic x Rc + Vce + Ie x Re

De la primera expresión podemos deducir:

Ib = ( Vbb – Vbe ) / [ Rb + ( β + 1 ) x Re ]
Ib = 150 u A

Ic = 22.54 m A

De la segunda expresión:

Vce = Vcc – ( Rc + Re/α ) x Ic


Vce = 11.14 V

Si realizamos la simulación y el cálculo del punto de operación en este circuito


obtendremos como resultado:

Ib = I1 – I 2
Ib = (24 – 2.74) / 20k – 2.74 / 3k
Ib = 1.063 mA – 0.9133 mA
Ib = 149.7 u A

Ic = (24 – 14.7)/ 470


Ic = 19.79 mA
Vce = 14.7 – 2
Vce = 12.7 V.

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Figura N° 14

Si realizamos la comparación de valores:

Teórico Simulado
Ib = 150 u A Ib = 149.7 u A
Ic = 22.54 m A Ic = 19.79 m A
Vce = 11.14 V Vce = 12.7 V

Finalmente, en esta parte podemos agregar que si bien el fabricante nos


proporciona información técnica de cada uno de los dispositivos que fabrica,
recordemos que puede existir gran dispersión en la respuesta de los transistores
y de los semiconductores en general, a pesar de que sean del mismo código, por
tanto muchas veces no cumplirán estrictamente con la información técnica que el
fabricante proporciona, la cual debe de ser tomada a manera de referencia.

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