UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN

FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

LABORATORIO Nº 02

CURVA DEL DIODO SEMICONDUCTOR

I. OBJETIVO:
 Estudiar los diferentes modelos de circuitos rectificadores monofásicos y los tipos
de recortadores.

II. MARCO TEORICO

DIODO SEMICONDUCTOR.- Un diodo semiconductor está formado por 2 capas de
material semiconductor extrínseco P y N apareciendo entre ellas una capa
denominada barrera de potencial si aplicamos a dicha unión una tensión exterior de
signo contrario a la barrera de potencial interna, esta irá disminuyendo en anchura.
A mayor tensión aplicada externamente corresponderá una barrera interna menor y
podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este
momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en disposición
de pasar al a zona P. Exactamente igual están los huecos de la zona P que quieren
“pasar” a la zona N.

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Con la polarización directa, los electrones portadores aumentaran su velocidad y

al chocar con los átomos generan calor que hará aumentar la temperatura del
semiconductor. Este aumento activa la conducción en el diodo.

CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Como todos los componentes electrónicos, los diodos poseen propiedades que
les diferencia de los demás semiconductores. Es necesario conocer estas, pues
los libros de características y las necesidades de diseño así lo requieren. En
estos apuntes aparecerán las más importantes desde el punto de vista práctico.

Valores nominales de tensión:

VF = Tensión directa en los extremos del diodo en

conducción.
VR = Tensión inversa en los extremos del diodo
en polarización inversa.
VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.
VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.
VRWM = Tensión inversa de cresta de
funcionamiento.

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Valores nominales de corriente:

IF = Corriente directa.
IR = Corriente inversa.
IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente
durante un periodo.
IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la
máxima corriente eficaz que el diodo es capaz de soportar.
IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.
AV= Average(promedio)
RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)

III. ELEMENTOS A UTILIZAR

 Osciloscopio
 Fuente DC.
 Multimetro digital.
 Placa de montaje Board
 Así mis02mo son necesarios unidades de componentes pasivos R y C.
 04 diodos 1N4004

IV. ACTIVIDADES

 Identificación de los terminales de un diodo.

Con la ayuda d un multímetro en en la opción de probar diodos, conecte al diodo las

puntas de prueba como se muestra a continuación e identifique las terminales de
anodo y catodo.

Con ayuda del multimetro medimos las terminales del diodo; esto nos dio
como resultado 5v lo que quiere decir que el cable rojo del multimetro en la
terminal que lo pusimos es el ánodo y en la terminal donde se encuentra el
cable negro es el cátodo. Esta conexión fue en polarización directa lo cual el
diodo permite el paso de la corriente y se comporta como un interruptor
cerrado.
Si invertimos la polarización no conduce corriente y el diodo se comporta
como un interruptor abierto.

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 Medición De Voltaje Umbral De Distintos Diodos: Realizando el mismo

procedimiento anterior, llene la siguiente tabla con los voltajes umbrales
medidos para diferentes tipos de diodos.

TIPO DE DIDO VOLTAJE UMBRAL

Diodo de Silicio 1N4001 0.541v
Diodo de Germanio NTE109 0.250v
Diodo Led Rojo 1.54v
Diodo Led Verde 2.10v

1.- Arme el circuito de la figura

Mida el valor de voltaje Vd, con el osciloscopioen acoplo de CD para obtener los
valores que se indican en la tabla 2.1 y con el multímetro mida las corrientes
correspondientes del diodo (las mediciones deberán hacerse con el
osciloscopio en la escala de 100mV/Div).

Vd(mV) 200 400 500 550 600 625 675 700 750
Id(mA) 1uA 12.2uA 60uA 115.6uA 825uA 2.24uA 6.42uA 11.7uA 36.8uA

2.- Invierta el diodo como se muestra

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3.- Con un multímetro ajustado a su menor escala de corriente, varie la fuente de

manera que el voltaje a través de diodo rectificador, medida con el
osciloscopio, sea cero.

4.- Desconecte el osciloscopio del circuito y mida la corriente resultante,

asemejándola en la tabla. El osciloscopio debe ser retirado del circuito para
evitar que el multímetro detecte la pequeña cantidad de corriente que fluye
hacia el

5.- Varie la fuente de manera que el voltaje en el diodo rectificador, medido con el
osciloscopio, sea ahora Vd=-2V. Desconecte el osciloscopio del circuito, mida
y anote el valor de Id correspondiente

6.- De igual manera que en el punto anterior, determine Idpara cada valor de Vd
mostrado en la tabla

Vd(v) 0 -2 -4 -6 -8 -10

0 0 0 0 0 0

Id(uA)

V.- CUESTIONARIO:

1. Presentar los resultados obtenidos en el laboratorio en forma

ordenada,indicando el circuito y las observaciones tomadas. Explicar las
diferencias con los valores esperados

los valores obtenidos no son iguales a los bibliográficos esto no presenta mayor
error puesto que que las diferencias son minimas

2. Grafique, sobre un par de ejes la característica de corriente – voltaje para el

diodo en base a las tablas de polarización directa, compare con la teórica.

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3. Grafique, sobre un par de ejes la característica de corriente – voltaje para el

diodo en base a las tablas de polarización indirecta, compare con la teórica.

0.8

0.6

0.4

0.2

0
0 -2 -4 -6 -8 0

4. Explique qué función tiene R1 en el circuito en directa.

Cumple la función de protection

5. Observando las graficas de las características en directa, determine el voltaje

de arranque en directa para el diodo estudiado

a partir de 625mV o 0,6v el diodo pasa la tencion de barrera.

6. Calcule la resistencia estática promedio en directa Rd para el diodo

rectificador, tomando intervalos desde Vd=650mV hasta Vd=750mV (cuatro
intervalos)

Rd=245.254 KΩ

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7. Explique el funcionamiento del diodo y su curva característica

Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa

conectándole una fuente de fuerza electromotriz o suministro eléctrico
(como una batería, por ejemplo), su lado “P” se vuelve más positivo, lo que
ocasiona que se cree una diferencia en altura del “nivel de fermi” en la parte
negativa del diodo. Esto facilita que los electrones libres en esa parte
alcancen la “banda de conducción” y puedan atravesar la unión o juntura
“p-n” pasando a llenar los “huecos” presentes al otro lado de la unión. De
esa forma los electrones alcanzarán la banda de conducción, atravesarán la
unión “p-n” y saltarán de un hueco a otro en la parte positiva (P) hasta
concluir finalmente su recorrido en el polo positivo de la fuente de suministro
eléctrico. La situación que se produce se puede interpretar como: electrones
moviéndose en un sentido y huecos moviéndose en sentido opuesto.

La curva del diodo muestra claramente el voltaje necesario para romper el

potencial de barrera

8. ¿Por que existe una corriente minima cuando el diodo esta trabajando en
inversa antes que llege a la saturación?

Esto es debido a los portadores minoritarios presentes en el diodo

9. ¿Cuáles son las aplicaiones de este dispositivo y que tipos existen?

Retificadores,multiplicadores de tencion,limitador de voltaje,compuertas

lógicas,regulador de voltaje o corriente,circuito fijador

Los tipos de diodo son:

-diodo rectificador

-diodo varactor

-diodo led

-diodo zenner

-diodo laser

-diodo túnel

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-diodo pin

-diodo backward

-diodo schottky

10. ¿Qué tipo de resistencias se consideran para modelar el diodo?

Se puede usar las resistencias de oxido metalico debido a su gran fiabilidad

Pero el uso de resistencias de carbón son la mejor opción debido a su precio

V. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

 La instrumentos de medición no tenían la sensibilidad adecuada para medir

valores tan bajos

 La tención de umbral del diodo es de 0.6v

 No se pudo llevar al diodo a zona de ruptura de avalancha por las limitaciones

de las fuentes

 Al superar la tención umbral el diodo conduce, cuando esta polarizado en

directa

 A pesar que no se obtuvo este resultado el diodo se puede llevar ruptura por
avalancha cuando esta conectado en inversa

VI. BIBLIOGRAFIA

 Wikipedia

 https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos

 Floyd 8 Edicion