Resumen Disp.

Electrónicos Juan Pablo Colagrande Martí

Teoría de Junturas
Juntura P-N:

La Juntura P-N es un monocristal de material semiconductor con contaminaciones distintas en sus

extremos, vale decir, con una variación de concentración de portadores de un extremo a otro del material.
Cabe aclarar que la Juntura P-N no es la “unión” o “soldadura” de un material N con uno P, sino un
monocristal.
Para comprender cómo funciona, supongamos dicha juntura representada en el siguiente gráfico:

P N
p>> n>> Los portadores cercanos a
huecos la juntura se recombinan
por difusión y los pierdo
electrones
n<< p<<
Al recombinarse se generan
iones negativos en el lado P y
P N positivos en el lado N. Esto
genera un campo eléctrico
- + que se opone a la corriente
- + E de difusión.
- +
- +
El campo eléctrico es
suficiente como para producir
V0 una corriente de arrastre, que
va a contrarrestar la corriente
de difusión. De ésta manera
P N se llega al EQUILIBRIO

IA
Juntura en Equilibrio
ID

Toda juntura está formada por una zona de contaminación aceptora (tipo P) separada de una de
contaminación donora (tipo N). El plano que depara ambas zonas se denomina plano metalúrgico. En
todo el análisis vamos a suponer que la juntura es abrupta, ya que por más que en la realidad no sea así la
construcción, los cálculos siguen siendo válidos debido a que no dependen del tipo de perfiles de las
contaminaciones.

Cuando decimos que la juntura está en equilibrio, nos referimos al equilibrio térmico, con lo cual
afirmamos que el sistema sólo interacciona con el ambiente por medio de la temperatura (no existen
efectos de luz, campos magnéticos o eléctricos).

En nuestro análisis vamos a hacer una “aproximación de vaciamiento”, es decir, suponemos que la zona
de transición de la juntura (o zona de carga espacial) se vacía de portadores por difusión, dejando las
cargas fijas de los iones de las impurezas. La situación real es bastante parecida.

Podemos visualizar algunos gráficos que representan magnitudes importantes en la juntura en equilibrio.
En éste caso, se ha dibujado una impurificación simétrica, pero puede no darse éste caso. Se debe
entender cómo variarán los gráficos para la situación mencionada.

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Zona de transición
Zona P Zona N de la Juntura


Densidad espacial
(+) de carga
(-)

E
Campo Eléctrico

V0 Potencial

U  q.V

q.V0 Energía Potencial

En el primer diagrama representamos la diferenciación de las zonas, entendiendo que todos los demás
diagramas estarán representando lo que ocurre en la zona de transición de la juntura.
En el segundo, tenemos la densidad espacial de carga. Ésta carga se debe a los iones de las impurezas y
no a los portadores. Cuando las impurezas se ionizan, algunos portadores liberados cruzan la zona de
transición y se recombinan. Como las cantidades recombinadas son iguales por más que las
concentraciones de impurezas no lo sean, las áreas de los rectángulos (vale decir la carga) deben ser
iguales.
Al haber carga en la juntura, habrá un campo eléctrico que representamos en el tercer gráfico. Su
magnitud es representada de forma negativa debido a la dirección del mismo. Su variación es lineal,
porque la cantidad de cargas es constante.
En el cuarto gráfico vemos la distribución de potencial, que sigue una ley cuadrática debido a que es la
integral del campo respecto a la posición (deduciendo de la ecuación de Poisson).
Por último, vemos en el quinto gráfico la distribución de energías de los portadores. El salto de energía
q. V0 es la diferencia de potencial existente entre ambas zonas.

Las curvas de Potencial y Campo Eléctrico, se deducen de la Ecuación de Poisson:

d 2V 
dx 2 ε
/*Estudiar las deducciones*/

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El proceso de la difusión termina cuando el campo eléctrico que ese mismo proceso genera es
suficientemente intenso, y hace que la corriente resultante en la juntura sea cero. Como resultado de estos
dos procesos que se acaban de analizar, y que se produjeron al fabricar la juntura, nace el potencial V0 ,
que no puede medirse con ningún instrumento, porque es un potencial de contacto. Su valor numérico se
calcula como:

N D.N 
V0  VT .ln 

A 

 ni 2 
/*Estudiar la deducción*/

k.T
de donde VT   26mV es la tensión térmica, y ese valor aproximado es para T  300K
q

Diagrama de Bandas en la juntura P-N:

Sabiendo cómo son los diagramas de bandas de Energía para cada tipo de material, podemos unirlo
sabiendo que la energía de Fermi en todo el material es constante, cuando éste está en equilibrio.

P N

EC EC
EF
EF
EV EV

P N

EC - - - -

q.V0
------------- EC
EF
EV ++++++++++
EF

+ + + +
EV

Zona de
Transición

Nos queda la forma del mismo diagrama que dedujimos anteriormente, para cada límite de banda.
La densidad de concentración de portadores está representada por la cantidad de signos + y -.
Debe recordarse que es éstos diagramas los electrones tratan de caer buscando el mínimo de energía
potencial, pero la agitación térmica, representada por la expresión k.T , trata de enviar electrones hacia
niveles más altos de energía.

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La Juntura P-N fuera del equilibrio:

Inyección Débil:

Como en un extremo del cristal, las concentraciones de los portadores difieren de manera
descomunal, a un aumento de portadores (por algún motivo), le corresponde una variación
relativa, para cada tipo de portador. En los mayoritarios esa variación no se nota, en cambio en
los minoritarios sí. Las variaciones de los portadores se producen, generalmente, por aplicación
de un potencial externo a la juntura, pero puede también producirse por la incidencia de luz al
cristal. Para poder conectar una diferencia de potencial a la juntura, debemos soldar dos contactos
óhmicos de muy baja resistencia y que no discriminen el sentido de la corriente, uno a cada lado.
Quedan delimitadas por esos contactos tres zonas: dos zonas neutras y la zona de transición.
Para el análisis, vamos a suponer que en las zonas neutras no se produce caída de tensión y que
los contactos son perfectos (resistencia nula para ambas situaciones).

Al polarizar en directo una juntura, se produce un aumento de portadores que llamamos inyección
débil (o inyección de portadores minoritarios). Esto se puede ver en la zona de transición del
siguiente gráfico de concentración de portadores:

pP0 p, n pP0 p, n
nn 0 nn0

pn 0
nP 0
 pn0
nP 0


JUNTURA EN EQUILIBRIO  POLARIZACIÓN DIRECTA 


Al polarizar en directo la juntura, disminuye el campo eléctrico que provocaba la corriente de

arrastre, permitiendo más difusión.

Fuera de la zona de transición, las concentraciones son:

pP0 p, n pP0  p, n
nn 0 nn0

pn 0
nP 0

pn0
pn0 n p 0
nP 0

JUNTURA EN EQUILIBRIO POLARIZACIÓN DIRECTA
De aquí puedo sacar una ecuación para averiguar la concentración de portadores en cualquier
lugar fuera de la zona de transición:

x
 
pn  x   pn0  p
n
0.e L p

donde Lp  longitud de difusión, que es la distancia promedio que ingresa el hueco antes de
recombinarse, y no es una constante.

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Análogamente:

 x
 
nP  x nP0  n P 0.e Ln

Sabiendo que en la zona de transición se inyectan portadores, ¿qué sucede fuera de esa zona? No
hay ninguna fuerza que lleve a esos portadores hacia la parte externa de esa zona. Lo que los
impulsa a moverse es la energía térmica del ambiente, combinada con una “fuerza” de
probabilidad basada simplemente en el lugar en el que se ubican. La ley que rige éste movimiento
determina el flujo de corriente de Difusión. Las ecuaciones son las vistas anteriormente.
Tremosa Pág.: 48
Juntura en equilibrio:

Cuando la juntura está en equilibrio, existen corrientes dentro del material. Dichas corrientes son:
I1
----

I2 -------------

++++++++++
I3

++++
I4

I1  I 2  I 3  I 4  0 entonces I1  I 2 e I 3  I 4

Polarización directa:

Cuando conectamos la fuente, de tal manera que el positivo de la

misma se conecte al lado P de la juntura, el potencial de la juntura
V0 disminuye a V0  V . Entonces las bandas se juntan.

I1
----
q.V0  V 
I2 -------------

++++++++++
I3
++++
I4

En la zona de transición nunca se genera un potencial V mayor que V0 , porque sino se quema el
diodo.
I1 e I 4 son iguales al equilibrio. I 2 e I 3 aumentan, porque la energía que adquieren les permite
pasar la barrera.
La corriente del diodo es:
I D  I2  I3

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Polarización inversa:

Cuando a esa juntura le conectamos una fuente, de tal manera que el

positivo de la misma se conecte al lado N de la juntura, el potencial
de la juntura V0 aumenta a V0  V . Entonces las bandas se separan.

I1
----

q.V0  V 
I2 -------------
++++++++++
I3

++++
I4

De ésta manera se genera una corriente de portadores minoritarios, que es muy pequeña.
I1 e I 4 son iguales al equilibrio. I 2 e I 3 tienden a 0, porque la energía que tienen que superar es
más alta.
La corriente del diodo (que en este caso es inversa) queda determinada como:
I D  I1  I 4

Ley de la Unión:

Sabiendo que la densidad de corriente de difusión es igual a la densidad de corriente de arrastre en una
juntura en equilibrio, podemos deducir dos relaciones interesantes.

V V

pn0  p n0 .e y n P0  n P 0 .e
VT VT

Ley de la Unión
/*Estudiar la demostración*/
Tremosa Pág.: 117
Corriente en la juntura con polarización directa:

De los análisis anteriores surge la existencia de

corriente eléctrica en el circuito, pues hay un I
I D  I pn 0 Inp 0
cruce de portadores de distinto signo, lo que I pp
I nn
supone una corriente en un solo sentido.
Consideraremos el plano de análisis a uno ubicado
dentro de la zona de transición, donde la
recombinación es prácticamente nula. I np (difusión) I pn (difusión)

Viendo el gráfico de concentración de portadores

fuera de la zona de transición cuando hay
polarización directa, si lo derivamos podemos
obtener el gráfico de las corrientes del diodo fuera POLARIZACIÓN DIRECTA
de la misma zona.

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Vemos que la suma de las corrientes de difusión I np e I pn , en su punto inicial, dan como resultado la
corriente del diodo, que debe ser constante en toda la juntura debido al principio de conservación de la
carga. Entonces nacen corrientes de arrastre y difusión a la vez, que llamamos I pp e I nn .
Los portadores, al atravesar la zona de transición, llegan a una zona neutra y fluyen por difusión. La zona
contraria podría proveer una cantidad mayor de portadores, pues allí son mayoritarios, pero es necesario
que fluyan a través de la zona contraria, por difusión. Entonces determinamos que la limitación a la
corriente la impone la difusión.
Dentro de la zona de transición, suponemos que las corrientes se mantienen iguales que en sus estados
iniciales, es decir que dentro de esa zona: I pn  I pn 0 e I np  I np 0.
Tomamos como importante la siguiente ecuación que deducimos gráficamente en el paso anterior:
I D  I pn 0 I np 0

A partir de ella podemos deducir la siguiente expresión, que nos da la relación entre la tensión y la
corriente en la juntura, y por lo tanto, la característica teórica del diodo de juntura:
 V V
I D  IS .e T 1

 

donde I S   D p . pn0  Dn .nP 0 es la Corriente de Saturación de la juntura

q.A. 

 


 Lp Ln 
/*Estudiar la demostración*/
Tremosa Pág.: 119
Corriente de Saturación inversa:

Es conveniente deducir I S como resultado de una polarización inversa.

Fuera de la zona de transición de la juntura, las concentraciones de portadores son:

pP0 p, n pP0 p, n
nn0 nn 0

pn0
p n0 nP 0
nP 0

JUNTURA EN EQUILIBRIO POLARIZACIÓN INVERSA

Las corrientes existentes en éste caso son I1 e I 4 , que son minoritarias y cruzan la zona de transición por
difusión.

Calculando esas corrientes, obtendremos la expresión encontrada anteriormente para la corriente inversa
de saturación de la juntura:
D p . p n0 Dn.n P0 
I S  q.A.  
 L Ln 
 p 
/*Estudiar la demostración*/

En éste caso, el signo menos indica que es una corriente inversa.

U.T.N. F.R.M. - 17 - Dispositivos Electrónicos

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La misma fórmula puede expresarse de otra manera:

 p n 
I S  q. n0 A.L p  P0 .A.Ln 
 p n 
 
/*Estudiar la demostración*/

que nos dice que la corriente inversa de saturación del diodo está formada por los portadores minoritarios
generados térmicamente dentro del espacio de una longitud de difusión, a partir de los planos que forman
la zona de transición y hacia las zonas neutras.
Tremosa Pág.: 122
Distribución de las corrientes:

Como se supone que en la zona de transición no existe

recombinación de portadores, la corriente, tanto de
huecos como de electrones, será constante en esa zona.
Sabiendo que son corrientes minoritarias de difusión,
averiguamos su valor. Si sumamos los resultados,
obtendremos una corriente total en la zona de
transición, pero podemos afirmar que esa misma es la
corriente que atraviesa todo el diodo.
Como las corrientes consideradas se refieren solamente a los portadores minoritarios, debemos aceptar
que los portadores mayoritarios proveen la corriente necesaria para obtener la igualdad en todos los
puntos del circuito.
En los planos de los contactos, es común que toda la corriente sea conducida por los portadores
mayoritarios.

Éstas corrientes mayoritarias son de ambas

naturalezas: Difusión y Arrastre. Esto es porque en
las zonas neutras está presente un campo eléctrico
muy débil, cuyo efecto sobre los portadores
minoritarios es despreciable, pero sobre los
mayoritarios es de un orden importante. Al ser de
las dos naturalezas, el cálculo de la corriente
mayoritaria resulta complicado. Pero se facilita su
comprensión viendo el gráfico. Si la corriente
calculada para la zona de transición es la misma
para toda la juntura, conociendo las corrientes
minoritarias, podemos saber que las mayoritarias
componen el resto de la corriente para alcanzar la
total.
Tremosa Pág.: 124
El diodo real:

En el diodo real, el comportamiento no es exactamente como el descrito hasta ahora. Las razones de ésta
divergencia son:
a) Caídas de tensión asociadas a los campos eléctricos en las zonas neutras.
 Provoca la existencia de una resistencia en serie con el diodo.
b) Generación y recombinación de portadores en la zona de transición.
 Provoca que las corrientes en la zona de transición no sean constantes, como se ve en el
siguiente gráfico:

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c) Corrientes de fugas sobre las superficies de las junturas.

 Provoca una variación en la curva de polarización inversa del diodo, sobre todo en el
Silicio.
d) Ruptura debida a tensiones inversas excesivas.
 Provoca la región Zéner del diodo.
Tremosa Pág.: 128
Capacidades de transición y de difusión:

Ancho de la juntura:

Basándose en la aproximación del vaciamiento, se llega a una distribución lineal, idealizada, en la

distribución de cargas y campos eléctricos. Para poder determinar los efectos capacitivos de la
juntura, usando ésta aproximación, debemos conocer el ancho de la zona de carga espacial, con lo
cual conoceremos la distancia entre las placas del “capacitor” que asociamos a la juntura.

El ancho de dicha zona es:

l  2.ε.V0  V   1  1 
q  N D N A 

/*Estudiar la demostración*/
Tremosa Pág.: 130
Capacidad de Transición:

Si se aplica una tensión V a una juntura (generalmente en polarización inversa) y se provoca una
variación dV , las cargas almacenadas en la zona de transición de la juntura varían en dQ . Una
variación de cargas almacenadas al variar la tensión aplicada, implica un efecto capacitivo. Se
define como capacidad de Transición a:

dQ ε.A
Cj   
dV l
/*Estudiar la demostración*/

donde l es el ancho de la juntura deducido anteriormente, ε es la constante dieléctrica del

semiconductor, y A es el área transversal del diodo. Obsérvese que la fórmula es idéntica a la de
un capacitor de placas paralelas.

En éste caso, la distancia l varía con la tensión aplicada al diodo y, por lo tanto, varía la
capacidad. Ésta propiedad se utiliza para disponer de capacidades variables electrónicamente, y
cuando al diodo de juntura se lo utiliza aprovechando ésta propiedad se lo llama Varactor o
Varicap.

Hemos visto que al polarizar en inverso una juntura se genera una capacidad de transición. Ella
también existe cuando se polariza en directo al diodo, pero en esas condiciones la corriente

U.T.N. F.R.M. - 19 - Dispositivos Electrónicos

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directa, de gran valor, enmascara su efecto. Veremos que en esas condiciones, hay una capacidad
más importante.
Tremosa Pág.: 133
Capacidad de Difusión:

Cuando polarizamos la juntura en directo, y variamos la tensión aplicada, aparece una nueva
capacidad, denominada capacidad de Difusión:

CD  q A pno .L p  n p0 .Ln 
2 VT
.e
2.k.T
/*Estudiar la demostración*/

Ésta capacidad es directamente proporcional a la corriente del diodo.

Tremosa Pág.: 135
Dinámica de los diodos de Juntura
Generalidades:

Existen dos causas principales que provocan corrientes en el diodo cuando la tensión varía:
a) Variación de la carga almacenada en las zonas neutras:
Existirá corriente de inyección de portadores para aumentar o disminuir la cantidad de portadores
almacenados en las zonas neutras. La inyección de portadores minoritarios en una zona neutra
significa el arrastre de portadores mayoritarios en sentido contrario, para mantener esa
neutralidad. Es así como se almacenan, en una misma zona, portadores mayoritarios y
minoritarios, vale decir, cargas positivas y negativas en cantidades iguales. La similitud con un
condensador, en el cual siempre se almacenan cargas iguales y de distinto signo, es muy grande.
La diferencia fundamental, es que en la juntura, la distribución de cargas es espacial y no
superficial.
b) Variación de la carga almacenada en el dipolo de cargas fijas, en la zona de transición de la
juntura:
Habrá corriente en los terminales del diodo, pues una variación en las cargas fijas significa un
flujo de electrones y lagunas que son las que las neutralizan. No debe olvidarse que el aumento de
las cargas fijas se debe a que electrones y lagunas, en iguales cantidades, se retiran de la zona de
transición; y la disminución se debe a que electrones y lagunas, en iguales cantidades, fluyen
hacia la zona neutralizando cierto número de iones. Este efecto de almacenamiento y variación de
cargas es también similar, en muchos aspectos, a un condensador.
Tremosa Pág.: 137
Dinámica de los excesos de portadores minoritarios:

En todas las consideraciones que siguen se ha supuesto una juntura p   n . De ésta manera la inyección
de portadores en la juntura consistirá casi exclusivamente en lagunas que irán de la zona p  hacia la
zona n . Los electrones inyectados en sentido contrario son muy pocos debido a la baja contaminación de
la zona n .
Debemos prestar especial atención a las cargas almacenadas en las zonas neutras, pues son las
responsables en mayor grado de los fenómenos que ocurren en la conmutación.
Realizando algunos procedimientos de análisis, obtenemos una segunda ecuación para la corriente del
diodo, dependiente de variables muy diferentes a las de la ecuación anterior, vale decir, ésta segunda
depende de la carga almacenada en la zona neutra:

q.A.L p . p n 0 
I
p

U.T.N. F.R.M. - 20 - Dispositivos Electrónicos