Cuidados de los Dispositivos CMOS

Herrera Jean Paul.

Facultad de Ingeniería en Ciencias Aplicadas, Universidad Técnica del Norte
Ibarra - Ecuador
jpherreram1@utn.edu.ec

INTRODUCCION:

Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS (semiconductor complementario de óxido metálico)

es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su principal característica
consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma
que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado
obviamente en la placa base.

En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnología CMOS. Esto
incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de señales y muchos otros tipos de circuitos
integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.

CUIDADOS:

Debido al alto grado de sensibilidad de dichos dispositivos hay que tener en cuenta los siguientes cuidados:

• Algunos circuitos, especialmente los CMOS, son muy sensibles a las descargas electrostáticas y
puede ser que durante su manipulación se dañen y al colocarlos en el circuito, ya no funcionen.
Como regla general no se debe tocar ningún terminal de circuito integrado con los dedos,
procurando sujetarlos por los extremos y a ser posible con pinzas o guantes de latex.
• Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parásito en la estructura CMOS
que entra en conducción cuando la salida supera la alimentación. Esto se produce con relativa
facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentación de los circuitos integrados.
El latch-upproduce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentación que acarrea la
destrucción del dispositivo.
• El CMO puede generar una gran serie de ruido debido a las diversas fuentes tales como: Rayos
cósmicos, campos magnéticos que proviene de la maquinaria cercana, perturbación de la fuente
de alimentación y la acción de conmutación de los propios circuitos lógicos.
• El comportamiento de la estructura Mos es sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas
en el óxido. Una partícula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar cargas a su paso,
cambiando la tensión umbral de los transistores y deteriorando o inutilizando el dispositivo.

BIBLIOGRAFIA:

[1] J. Wakerly, J. Pérez Bonilla, E. Alatorre Miguel and H. Stone, Diseño digital. México: Prentice Hall,
2001.