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1nm 10 7 cm
Un atomo è dell’ordine di 0.1nm mentre il diametro del DNA è 1nm. Il canale del MOS è dell’ordine di
centinaia di nm. (35nm)
c 310 8 m / s
Per trovare l’una basta prendere la velocità della luce e dividerla per quella che hai.
(Tabelle prese dall’Hanson, pag 12, attenzione nella tabella sono in GHz, non in Hz).
o
1 A 10 10 m
o
1 A 10 8 cm
Esempio della fisica atomica: ho una tabella con le densità di elettroni liberi nei metalli (Ashcroft Mermin
pag 27).
Da queste con la formula di sotto trovo il numero di elettroni data una lunghezza.
Ad esempio voglio trovare il numero di elettroni nel canale di un MOS di lunghezza 35nm e larghezza
100nm e spessore 1nm:
elettroni elettroni
N n( 3
)V (nm 3 ) 10( ) * 3500(nm 3 ) 35000elettroni
nm nm 3
o
1 A 10 8 cm
Dalla densità elettronica-atomica posso trovare il rs che è raggio occupato da una sfera di volume
dell’elettrone, ns la trovo dalla tabella di sopra.
1 1 1
1 4rs
0.02 *10
3
3 3 3 3 3 3 1 1
rs 22
22
0.2 *10 22 3 21 3
0.14 *10 7
n 3 4n 4 * 3.14 *10 12.6 *10
o
rs 0.14 *10 7 cm 0.14 *10 7 *10 7 nm 3 0.14nm 1.4
e=1,602176565 x 10−19C
e ottengo.
1J 1J
1eV e 1.6 *10 19 1.6 *10 19 J 1.6 *10 12 erg
1C 1C
j
j E da cui ho [ ]
E
Sviluppo dimensionalmente j
A
[ j]
m2
Passo ora ad E
F kg * m
[E] [ ] 2
q sC
Da quelle ottengo:
j A s C
2
A2 s 3
[ ] 2 3
E m kg * m m kg
ne
2
C 2s A2 s 3 C
utilizzando A
m m3kg m3kg s
ne 2
vado a trovarmi da questa l’espressione della mobilità
m
ne 2 ne 2
j E E
m noto che ho m
j nev d neE vd E
ne 2
E neE ->
m
j E nevd
ne 2
j E neE
m
ne 2 e
ne ->
m m
ne 2 e e Cs As
2
->
esu * s
ne da cui ottengo
m m m kg kg g
Un esempio di teoria fenomenologica è quello formulato da Drude con le sue 5 semplici assunzioni sul
comportamento degli elettroni:
urtano in modo: istantaneo, anelastico (dopo l’urto torno alla quantità di moto equivalente), poissoniano
Si basa su un modello semplificato di uno microscopico molto più dettagliato, dal cui confronto risultano
problemi sia di accuratezza che fondamentali.
E’ bene che il modello fenomenolgico dipenda da pochi parametri in quanto ho meno ‘entità’ di cui non
consco la causa con cui lavorare (Drude -> Tempo di Rilassamento).
Data la relazione di sopra
j E
I V
So che I jdS jS j S e che E V integro e ottengo El V E
l
I V V l l
j E R
S l I S S
V 1 4rs
3 1/ 3
3
rs
N n 3 4n
1/ 3 1/ 3
3 3
1/ 3 o
rs 22
0.24 *10 22 (0.024 *10 21 )1 / 3 0.29 *10 7 cm 0.29 *10 9 m 2.9
4n 4 *10
(c) gas elettronico in semiconduttore non degenere n da 10^13-10^18 cm^3.
1/ 3 1/ 3
3
rs
3
18
0.24 *10 18
1/ 3
(240 *10 21 )1 / 3 6.21 *10 7 cm 6.21 *10 9 m 6.21nm
4n 4 *10
1/ 3 1/ 3
3
rs
3
13
0.24 *10 13
1/ 3
(0.024 *10 12 )1 / 3 0.29 *10 4 cm 0.29 *10 6 m 290nm
4n 4 *10
m 9.11*10 31
4.1*10 14
ne 10 * 2.56 *10 * 8.55 *10
2 28 38 8