Sólidos

La materia está formada por átomos que se van juntando hasta

formar sustancias de tamaño macroscópico. Dependiendo de la
intensidad de las interacciones entre los átomos las sustancias
van a tener un comportamiento mecánico distinto. Una
categorización de las sustancias de acuerdo a sus propiedades
mecánicas es la que se denomina estados o fases de la materia.
sólidos

Existen cuatro tipo de estados: líquidos Los sólidos cristalinos son ordenaciones regulares de átomos
que son periódicas en el espacio (como moléculas
gases gigantescas). Los sólidos normalmente no son perfectos sino
que aparecen impurezas y dislocaciones
plasma (gas ionizado)
Sólidos:
• En los sólidos los átomos mantienen una ordenación relativa
conservando cada átomo sus vecinos (estructuras estables).
• Los sólidos estables son ordenaciones regulares de los átomos
(periódicas en el espacio) denominadas estructuras cristalinas
• Los sólidos no cristalinos se denominan sólidos amorfos y en
realidad no son estructuras estables sino que son más bien
líquidos que fluyen con altísima viscosidad, con escalas de
tiempo de cientos de años (Ej: vidrio)
• El tipo de estructura cristalina que asume un sólido (cúbica,
cúbica centrada en las caras, hexagonal, etc) es aquella que En una estructura cúbica los átomos se ubican como se muestra
minimiza la energía total del sistema. en la figura (a), pero se representa como en la (b) para que se vea
• El espectro de emisión-absorción de un sólidos es por lo más clara la estructura. La unidad básica de la estructura
general continuo (los electrones del sólido tienen bandas de cristalina es la celda unidad (fig. c) que se repite en las 3
energía continua posible) 1 direcciones 2

1
 Plasmas:
Líquidos:
•Ocurren cuando los materiales están a mucha temperatura y es
• En los líquidos los átomos tienen bastante cohesión entre sí de como un gas de iones y electrones separados entre sí (átomos
modo que el espacio entre átomos es más o menos uniforme, sin ionizados)
embargo los átomos no mantienen sus vecinos.
• Un líquido por lo tanto no tiene forma definida sino que fluye.
Los enlaces entre dos átomos pueden romperse fácilmente por
efecto térmico (movimiento)
• El espectro de emisión-absorción de un líquido también es
continuo

Gases:
• En los gases la distancia media entre átomos es >> que el
tamaño de los átomos, entonces los átomos o moléculas se
• En un cristal los átomos tienen posiciones regulares definidas
mueven libremente sufriendo algunos choques ocasionales
existiendo cohesión (enlaces) entre un átomo y sus vecinos.
• Casi toda la energía del gas es energía cinética, hay muy poca
energía potencial porque son muy poco los átomos que están • En un sólido amorfo las posiciones están más o menos definidas
chocando en un dado instante de tiempo. La aproximación de pero no son regulares. Además el amorfo fluye como un líquido
“gas ideal” que vimos anteriormente supone que toda la energía pero en escala de tiempos de cientos de años.
es cinética.
• En un líquido hay cierta cohesión entre los átomos, pero los
• Como los átomos o moléculas del gas están libres (separados
enelaces se rompen fácilmente debido a movimientos térmicos.
entre sí) el espectro de absorción-emisión es el característico de
los átomos o moléculas y por lo tanto es discreto (algunas energía
• En un gas los átomos son aproximadamente independientes
posibles)
unos de otros

3 4

2
 Tipos de enlace cristalino Enlace metálico: Ej: Aluminio
Enlace iónico: Ej: ClNa (sal común)
+ + + + + +

+ + + +
Atracción entre iones de La atracción entre
distinto signo + + + + núcleos es debida al
gas de electrones
libres distribuidos por
+ + + +
todo el material.

gas de electrones libres

Enlace covalente: Ej: Silicio

+ +

La atracción entre
núcleos es debida a
los electrones de
valencia que
comparten

5 6

3
 Teoría de bandas Y la energía total de la molécula como función de la separación
R entre los núcleos es:
Cuando vimos moléculas habiamos visto que cuando hay dos
núcleos iguales a una distancia R como el potencial es simétrico
la probabilidad de encontrar al electrón debe ser simétrica EM

Ep ΨA : repulsión pura
R

+ +
R
-E0

Ψs: tiene un punto donde la

energía es un mínimo ⇒ estable

Esto llevaba a que la función de onda debía ser simétrica o

antisimétrica
Entonces como conclusión el nivel de energía de los átomos
infinitamente separados (2 niveles de -E0) se comienzan a
Solución simétrica
separar al acercar los átomos (disminuir R) y uno acaba con dos
niveles de energía distintos.

Solución antisimétrica

7 8

4
 Que ocurre si en vez de tener 2 núcleos tenemos 4 núcleos ? Y la energía para las cuatro posibles soluciones es:
El potencial sigue siendo simétrico por lo tanto las soluciones
deben seguir siendo simétricas o antisimétricas
Ep
R E Ψ2 Ψ3 Ψ4

+ + + +
r
R

-E

Ψ1

Las 4 soluciones posibles son:

Ψ1 Entonces los niveles de energía de los átomos separados se
dividen en 4 niveles posibles al acercar los átomos. Lo mismo
r va a ocurrir con los todos lo niveles de energía de los átomos
individuales al acercarse los átomos se van a separar en 4
Ψ2
niveles diferentes
r

Ψ3 En forma general si hay N átomos cada nivel electrónico de los

r átomos individuales se va a separar en N niveles distintos al
acercarse los átomos.
Ψ4
r
9 10

5
Como en un átomo tenemos del orden de 1023 átomos los niveles Bandas continuas Niveles atómicos
electrónicos individuales se separan en muchos niveles muy
cerca uno de otro dando lugar a bandas de energía continua.
3s
Tremenda densidad
de niveles
3s
E gap
⇒ bandas continuas
2p 2p 2p

2s 2s

2s 1s 1s

R0 R Los electrones de las bandas pertenecen a todos los átomos, si la

banda es muy estrecha significa que los electrones están
localizados en los átomos
1s

Los electrones que pertenecen a bandas continuas tienen Entre las bandas hay zonas de energías prohibida denominadas
funciones de onda extendida por todo el sólidos . En cambio los “gaps”. Un electrón del sólido solo puede tener la energía que
electrones más cercanos al núcleo (aquellos de niveles de energía corresponde a alguna de las bandas.
menores) quedan ligado al núcleo y no pueden moverse por todo
el sólido. Los niveles de energía de ese electrón ligado son
discretos como en un átomo solo. En la figura si la distancia entre
átomos del sólido es R0 el nivel 1s es ligado a un solo núcleo
mientras que el nivel 2p está extendido por el sólido y pertenece
a una banda de energía 11 12

6
 Ocupación electrónica de las bandas Por ejemplo para el caso del Na que tiene 11 electrones por
átomo, el sólido tendrá 11x N electrones
N átomos interactuantes N átomos libres

La banda 3s está semillena

3p (6xN) 3p(6)

3s(2) 3s1 capa

3s (2xN) 3s (1xN) semi
llena

2p (6xN) 2p(6) 2p (6xN)

2p6 capa
2s(2) 2s2 llena
2s (2xN) 2s (2xN)

capa
1s (2xN) 1s2
1s (2xN) 1s (2) llena

Número de electrones por banda

N veces

Entre paréntesis figura el número de estados que hay en cada

nivel o banda.

13 14

7
 A veces no es tan directo decir si una banda va a estar Conducción eléctrica en sólidos (Teoría de bandas)
llena o vacía, porque las bandas se pueden traslapar como
en el caso del berilio (Be, Z=4)
Como ocurre la conduccion eléctrica en un material ?

Los electrones de un sólido pueden responder a un campo

eléctrico externo, aumentar su energía cinética y comenzar a
moverse en dirección opuesta al campo generando una corriente
2e eléctrica.

E
2e

e
I

Como tiene 4 electrones uno diría que tiene las bandas 1s y 2s Pero los electrones de un sólido solo pueden aumentar su energía
llenas y la banda 2p vacía. Pero como las bandas 2s y 2p se si tienen estados disponibles de energía superior hacia donde
traslapan en una sola banda, resulta que el Be tiene la última puedan ir. Recordemos que no podemos tener más de un electrón
banda semillena. por estado.

Conductor

Los electrones de más

energía de la banda
Banda semillena
semillena pueden
acelerarse ocupando los
estados vaciós de la
Banda llena misma banda ⇒ conduce
15 16

8
 Semiconductor
También puede conducir cuando hay un
traslape de bandas, de manera que el
electrón tiene estados disponibles donde
Como kT y Eg pueden Banda vacía
ir ⇒ conduce (caso del berilio: Be)
ser comparables algunos
electrones pueden poblar Eg ∼ 0.5 eV
la banda superior y
Banda llena
conducir

Aislador
El semiconductor es un material que a T=0K no conduce
porque no dispone de estados vacíos en su banda pero como el
Banda vacía gap es tan pequeño (∼ 0.5 eV) a T >0K algunos electrones
logran saltar a la banda vacía por agitación térmica y entonces
Eg Brecha prohibida o gap esos electrones pueden conducir

Banda llena
Nomenclatura:
El electrón no tiene estados disponibles donde ir si quiere
Banda de valencia: última banda con electrones (a T=0K)
acelerarse, los estados de su propia banda están llenos y sabemos
contiene a los electrones de valencia
que no puede haber más de un electrón en cada estado (Principio
de exclusión). Como no puede acelerarse ⇒ material no conduce
Banda de conducción: primera banda con estados vacíos

La energía del gap Eg es del orden de los eV (>∼ 3 eV) en los • En un metal (conductor) ambas bandas coinciden
materiales aislantes • En un aislador la banda de valencia (BV) está totalmente llena y
la banda de conducción (BC) totalmente vacía
17 18

9
 Portadores de carga en la conducción eléctrica Qué significa el movimiento de huecos?
Cuáles son las partículas que colaboran en la conducción
Al aplicar un campo eléctrico en un semiconductor a T> 0K
eléctrica (que generan una corriente):
no solo los electrones de la banda de conducción se van a
mover sino también los de la banda de valencia que van a
En un conductor como un metal los únicos que pueden moverse
ocupar los huecos.
son los electrones de la banda de conducción ⇒
Portadores con carga negativa (electrones)
e e e BC
En un semiconductor los mecanismos para de movimiento de
carga pueden ser dos:
• electrones (portadores de carga positiva) BV
• huecos (portadores de carga positiva)
E externo

BC Al aplicar el campo eléctrico E dirigido a la derecha los

electrones de la BC se mueven a la izquierda (Q<0) entonces la
T >0 K
corriente está dirigida a la derecha.
BV En la BV los electrones que tienen un hueco a su izquierda se
mueven a la izquierda para llenarlo de modo que el hueco
(ausencia de Q<0 ⇒ Q>0) se mueve a la derecha ⇒ corriente
En un semiconductor algunos electrones pueden excitarse hacia la derecha
térmicamente ocupando estados de la banda superior (de t=t1
conducción) y por lo tanto van a dejar huecos en la banda de
valencia. Obviamente los electrones de la banda superior pueden t=t2
conducir porque tienen estados disponibles para moverse. Pero
ahora veremos que los huecos también pueden conducir. t=t3
19 20

10
Entonces los semiconductores tienen portadores de carga Recordemos que el principio de exclusión nos dice que no
negativa (electrones) en la banda de conducción y portadores de puede haber más de un fermiones en cada estado. Veamos que
carga positiva (huecos) en la banda de valencia la función de distribción nos dice esto ( fFD(E) ≤ 1 )
Analicemos como es fFD a T=0K y que significado tiene EF
Electrones en un conductor
1 si E < EF
Como podemos estudiar a los electrones de la banda de
conducción de un material conductor ?
0 si E > EF
Si T → 0K
EF Los electrones llenan todos los
BC
niveles hasta una energía EF. Estos
Entonces a T=0K todos los estado por debajo de EF están
electrones tienen muchos estados
ocupados (f=1) y todos los estados por debajo de EF están
disponibles para acelerarse y
desocupados (f=0). EF representa la máxima energía ocupada.
moverse por todo el sólido.

E T > 0K
Podemos tratar a los electrones de la BC como un gas de
electrones libres.
Y como los electrones son fermiones satisfacen una función de EF
T=0K
distribución de Fermi-Dirac

Reemplazamos
µ por EF 1 f(E)

A medida que aumenta la temperatura se empiezan a despoblar

Número medio de partículas que puebla un estado de energía E estados con energía menor que EF y se pueblan estados con
a temperatura T 21 energía mayor 22

11
 Como podemos determinar cuál es el valor de EF ? Integrando se obtiene
Sabemos que a T=0 K, EF corresponde a la máxima energía
ocupada
Como contamos los estados que hay en la banda de conducción?
⇒ ⇒ EF ∼ (N/V)2/3
Podemos suponer que los estados en la banda de conducción son
similares a los de una partícula libre en una caja de volumen V,
contando desde los estados con energía E=0 en el fondo de la
banda hasta la máxima energía ocupada (EF)
Cuán lejos está uno de la situación de T=0K a temperatura
ambiente (T=300 K) en un conductor típico?
Habíamos visto anteriormente que para una partícula libre en una
caja de volumen V el número de estados con valores de
En un conductor hay aproximadamente 1 electrón libre en la
momentum entre p y p+d3p es:
banda de conducción por átomo (1 en el caso del Na, 3 en el
Al, etc..)

El volumen que ocupa cada átomo en un conductor es en

2 valores de spin por cada valor de momentum posible
Si tengo cuántos estados hay y sé a través de f cuántas partículas
pueblan cada estado puedo obtener el número total de partículas.
promedio del orden de 10 A3 (Por ejemplo en el Al, la celda
unidad es un cubo con átomos en los centros de las caras (4
átomos por cubo) y el cubo tiene una arista de aprox 3.6 A
3.6 A Vat=(3.6 A)3/4= 11.7 A3/at

número total de Entonces la densidad electrónica es:

electrones

a T=0K
23 24

12
 Propiedad general de la fFD(E)
∼ 8.3 eV
E T=0K E T > 0K
k T=0.025 eV si T=300 K
EF EF
Entonces estamos en la situación en que kT << EF , entonces la
función de distribución se parece mucho a la de T=0K ⇒ gas de
fermiones degenerado (ocupan los niveles de más baja energía)

1 f(E) 1 f(E)

Se puede comprobar que la función fFD satisface la relación

número de electrones número de huecos (falta de electrones)

con energía E+∆E con energía E-∆E

Demostración

25 26

13
 E Electrones y huecos en semiconductores o aislador
Cuántos electrones hay en la banda de conducción de un
semiconductor o aislador ?
electrones
E
∆E huecos
EF f(E) pequeño ⇒ pocos electrones
∆E
Ec

EF

Ev
f(E)
1

En el caso de un semiconductor a T >300 K, el número de 1 f(E)

electrones en la banda de conducción es igual al número de
huecos dejados en la banda de valancia

BC
ne
Ec ne=nh
EF
E=Ec+Ep=Ec + p2/2m
Ev
nh BV Número de electrones
en la BC
27 28

14
 Como Ec-EF >> kT podemos aproximar Esta conductividad es menor que la de un conductor donde hay
un electrón por átomo para conducir pero se puede medir
para E ≥ Ec facilmente

Distribución de Boltzmann clásica. En BC el gas • Para aislantes en cambio Ec-EF ∼ 3 eV

de electrones es muy diluido
∼ 10-53

O sea uno de cada 1053 átomos contribuye con un electrón de

conducción ⇒ conductividad casi nula

Ejemplos:
• Trozo de metal de resistencia 1mΩ
a T=300 K ∼ 1electron/A3 • Trozo de semiconductor de la misma forma y tamaño
tiene una resistencia 1MΩ
Y como 1 A3 es aprox. el volumen de un átomo, la exponencial •Trozo de aislante de la misma forma y tamaño
nos dice el número de electrones por átomo tiene una resistencia 1050 Ω

en electrones de
conducción/átomo

• Para semiconductores Ec-EF ∼ 0.5 eV kT=0.025 eV

a T=300 K
∼ 10-9

O sea uno de cada 109 átomos contribuye con un electrón de

conducción ⇒ conductividad medible
29 30

15

Materiales y dispositivos semiconductores
Los semiconductores más comunes son el Silicio (Si) y el
Germanio (Ge)
Pero uno puede introducir impurezas en un semiconductor y de
esta manera controlar la conductividad. Los conductores con
impurezas o dopados se denominan extrínsecos

Si → Eg=1.14 eV Semiconductores tipo n: Si a un semiconductor puro le

Ge→ Eg=0.67 eV agregamos impurezas de un átomo donador de electrones como
el arsénico (As), fósforo (P)
También existen otros compuestos como GaAs, ZnSe, etc que
tienen distintos valores de Eg. El arsenico tiene 5 electrones de valencia y entra
As en la red del silicio con 4 de sus 5 electrones de
Los semiconductores puros como los anteriores se denominan valencia. El electrón restante queda debilmente
intrínsecos ligado al As+ debido a atracción Coulombiana.
Cada Si tiene 4 electrones de Como esta energía de ligadura es muy pequeña
valencia este puede pasar facilmente a la BC

BC

ne
Ec
EF

Ev
nh

BV

El número de electrones es igual que el número

ne=nh de huecos (EF en el medio de las dos bandas)
31 32

16
 Este electrón puede excitarse facilmente térmicamente y pasar a
Para ver la energía de ligadura de este electrón extra usemos el la BC
modelo de Bohr en un medio dieléctrico
BC nivel donador
Si Si Si Si Si Si 0.09 eV
Eg=1.1 eV
Si Si Si Si Si Si
e-
BV
Si Si Si Si Si Si

+ Entonces en un semiconductor tipo n va a haber más electrones

Si Si Si As Si Si en la BC que huecos en la BV. Como hay más portadores
negativos que positivos se denomina tipo n.
Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si ne Como hay más electrones

BC
en la BC que huecos en la
EF BV significa que la EF se
La constante dieléctrica del Si es ε =12.ε0
corre hacia la BC
La energía de ligadura de ese electrón es: nh BV

ne > nh
El radio de Bohr r=12 r0 ∼ 6 A
Entonces es un electrón muy alejado del núcleo y muy
debilmente ligado, al entregarle 0.09 eV pasa a la BC 33 34

17
Semiconductores tipo p: Si a un semiconductor puro le Entonces en un semiconductor tipo p va a haber más huecos en la
agregamos impurezas de un átomo aceptador de electrones BV que electrones en la BC. Como hay más portadores positivos
como el galio (Ga) que negativos se denomina tipo p.

El galio tiene 3 electrones de valencia por lo tanto

Ga al entrar en la red del silicio uno de los enlaces
estará incompleto y quedará un hueco en la BV ne BC Como hay más huecos
en la BV que electrones en
la BC significa que la EF
EF se corre hacia la BV

nh BV
Hole=hueco
nh > ne

35 36

18
 Junturas de dos materiales M1 M2
N12
Cuando juntamos dos materiales diferentes va a haber una
difusión de electrones (también de huecos) de un material de un N21
material a otro.
Va a haber transferencia de partículas hasta que EF1 = EF2
e (recordemos que EF depende del número de partículas)
Cuando se llega al equilibrio se tiene que:
h

Se va a llegar a un equilibrio termodinámico cuando la energía f1(E) = f2(E) O sea la probabilidad de encontrar
de Fermi de los dos materiales sean iguales. un electrón con una cierta energía a
Esto es equivalente a cuando se ponen en contacto dos ambos lados de la juntura es la
recipientes con distinto nivel de líquido el equilibrio se llegará misma.
cuando los niveles se igualen

En un sólido los electrones se transfieren hasta que la

probabilidad de llenar un estado de la misma energía es la
misma a ambos lados de la juntura
37 38

19
 Juntura de dos metales Se forma una polarización de carga en la juntura ⇒ diferencia
de potencial (potencial de contacto Vc)
Si tenemos una juntura de dos metales con distinta estructura
de bandas. Tienen por tanto distinta función trabajo eΦ, que es
la energía mínima que tengo que entregar para arrancar un Vc =Φ1 - Φ2
electrón del material
Nivel de vació Aplicación: Termocupla
eΦ2
eΦ1
EF2 Cu
T de referencia
EF1

horno
Zn
Cuando los junte se van a empezar a transferir electrones de un
material a otro (en este caso del metal 2 al 1) hasta que se
igualen las EF
Aparece un gradiente de Vfrio=(Φ1-Φ2) frio Vcaliente=(Φ1-Φ2) caliente
potencial en la juntura
Como la EF cambia con la termperatura T también cambiarán
eΦ1
eΦ2 los potenciales de contacto de las junturas. Como las diferencias
-- + de potenciales son distintas aparecerá una corriente que puede
- + EF ser medida
- +
-- +
+ I ∼ (Vfrio-Vcaliente) ∼ (Tref-Thorno)
- +
Zona de Y conociendo la temperatura de referencia puedo obtener la del
juntura 39 horno 40

20
 Al llegar al equilibrio se tiene:
Junturas semiconductoras (Diodos)
Supongamos que realizamos una juntura de un semiconductor
tipo n con un semiconductor tipo p

EF
EF

lado p Zona de juntura lado n

Material tipo p Material tipo n

Notar que el paso de electrones al lado p y huecos al lado n

Al juntarlos los electrones de la BC pasan del n al p ⇒ aparece deja en la juntura una carga polarizada que produce un
una carga negativa del lado p ⇒ el lado p aumenta su energía gradiente de potencial, de manera que las bandas del lado p
hasta que las EF se igualan a ambos lados tienen mayor energía.
Lo mismo ocurre con los huecos pero en sentido contrario

El equilibrio al que se llega es dinámico en el sentido de que

sigue habiendo una difusión continua de electrones del lado n al
p y viceversa, pero en equilibrio estas dos corrientes son iguales
de modo que no hay cambio neto de carga.

Analicemos el caso de los electrones de la BC (los huecos en la

BV hacen lo mismo pero en sentido contrario)
lado p lado n
41 42

21
 Ipn
Que ocurre si ahora aplicamos una diferencia de potencial
Inp externa a la juntura pn
Ec V
BC
-- +
- +
+ EF
- +
-- + p n
- +
BV Con esta polarización la energía potencial de los electrones
lado p lado n
sube en el lado n una cantidad (e.V)
Ipn
Inp

Ipn: flujo de electrones del lado p al lado n Ec

Inp: flujo de electrones del lado n al lado p

Ipn ∼ a la densidad de carga en el lado p desde el fondo de la EF eV

BC para arriba
lado p
Ipn ∼ lado n

Inp ∼ a la densidad de carga en el lado n pero solo desde Ec igual que antes
Ipn ∼
para arriba (los electrones con energía inferior a Ec no tienen
estados del lado p Inp mayor que antes

Inp ∼ Por lo tanto Ineta= Inp-Ipn es distinta de cero ⇒ hay un

flujo neto de electrones del lado n al p ⇒ corriente del lado
Como Ipn=Inp ⇒ I neta=Inp-Ipn = 0 ⇒ equilibrio p al n
43 44

22
 Ipn ∼ Sigue siendo igual que antes

Inp ahora es menor que antes

Entonces al aumentar el potencial Inp se reduce y la corriente

Siendo corriente de fuga neta queda

Ineta ≈ -Ipn ≡ -I0 (corriente muy pequeña)

Y si la polarización de la juntura es al revés ?
V

p n

Con esta polarización la energía potencial de los electrones

sube en el lado p (baja en el lado n) una cantidad (e.V)
Ipn
Inp
Ec

lado n
EF
eV En resumen esta juntura actúa como un dispositivo que conduce
si está polarizado en un sentido (V>0) pero en conduce si está
polarizado en sentido contrario (V<0). Este dispositivo se
lado p 45 denomina diodo 46

23
Otra manera de ver el funcionamiento del diodo es que en
polarización inversa los portadores se alejan de la zona de la Rectificador
interface, dejando una zona vacía donde no hay circulación de
corriente El diodo (juntura pn) se representa por el símbolo
V I≈0
- +

y conduce en el sentido indicado por el tríangulo

h+ e-
Un rectificador elimina la parte negativa del potencial en un
potencial alterno

p n
En polarización directa los portadores van a la interface y cuando diodo I
se encuentran se aniquilan. La batería restituye los portadores
(huecos en el lado p y electrones en el n) y entonces hay una
corriente circulando
+ + + Vi R Vf
+ + +
V - -
+ -
aniquilación e-h

I
h+ e-

p n 47 48

24
 Transistor En el funcionamiento del transistor la juntura E-B se polariza
como diodo directo y la juntura B-C como diodo inverso como
Un transistor bipolar (de junturas pn) son tres trozos de indica la figura:
E B C
material semiconductor dopados (2 junturas) con el trozo
del medio muy delgado para que haya gran difusión IE IC
n p n
(tránsito) de portadores entre los trozos de los lados.
IB
Puede ser de dos tipos: npn o pnp. Ambas funcionan igual
pero con portadores de distinto signo.
VBE VCB
n p n
En principio uno diría que como la juntura BC está polarizada
de manera inversa debería conducir poco, sin embargo los
Colector (C) electrones del emisor atraviesan la base muy delgada hacia el
Emisor (E) Base (B)
colector. Inp (E) Ipn (C)

Ipn (E) Inp (C)

Diagrama de bandas del transistor BC

BC EF
VBE

EF
VCB
BV

lado n lado n (C) BV

(E) lado p
(B) 49 50

25
Entre la base y el emisor se comporta como un diodo directo Entonces si la corriente que se transmite al colector desde el
emisor es:

(corriente de fuga pequeña)

la corriente que va por la base es lo que queda de la corriente del

colector

Entonces la corriente neta de electrones que llega a la base es:

despejando de aquí se obtiene:

Entre la base y el colector se comporta como un diodo inverso

muy pequeña como entonces

Gran parte de la corriente de la corriente de

electrones que llega desde el emisor transita
hasta el colector debido al poco espesor de la
base.
La corriente del colector es la corriente de base amplificada un
factor β. Valores tipos de β van desde 50 hasta 500.
muy pequeño
Entonces la principal aplicación del transistor es como
amplificador de corriente.
51 52

26
El transistor se representa por la siguiente figura donde quedan
especificadas la base, emisor y colector
Colector
Diodo Zener
En un diodo con polarización inversa aparece un voltaje muy
preciso Vz (independiente de la corriente). Se usa como
referencia de voltaje en fuentes de CC

Emisor

p n

Ec lado n

EF

eVz

lado p
Iz (la coriente cruza la
juntura por efecto túnel)

53 54

27
 Diodo Túnel
Dispositivo donde aparece una zona de resistencia diferencial
Polarización negativa (disminuye la corriente al aumentar el potencial)
directa
Se construye a partir de una juntura pn donde los componentes
Vz están muy altamente dopados.

EF queda en BV EF queda en BC

Polarización EF
inversa
Zona de diodo normal
Zona Zenner
EF

Existe un voltaje Vz muy bien definido (cuando el tope de la tipo p tipo n

BV del lado p se junta con el fondo de la BC del lado n) a
partir del cual empieza a haber corriente de túnel
Aceptador tan intenso Donador tan intenso
que vacía parcialmente la BV que llena parcialmente la BC

55 56

28
 Con voltaje V>0 pequeño, sube el lado n
Con voltaje V=0, las energías de Fermi se igualan
I difusion
lado p lado n lado p lado n

I tunel
V
EF EF

no hay corriente Hay corriente tunel y corriente de difusión

Con voltaje V<0, baja el lado n

Con voltaje V>0 y grande

lado p lado n I difusion

lado p lado n

V
EF I tunel
V<0 EF

Se corta la corriente de túnel y solo hay corriente de difusión,

Conduce normalmente por efecto túnel 57 entonces al aumentar V se redujo la corriente 58

29
 I I tunel va Fotocelda
Desapareciendo Juntura pn que produce corriente al recibir luz.
(zona de R<0) I difusion para
V grande • Se aplica V inverso ⇒ I aproximadamente cero
• Cuando llega luz un electrón salta de la BV del lado p a la BC
del lado n, produciéndose un par electrón-hueco
• Entonces aumenta la corriente inversa

V
I tunel I tunel +I difusion
para V<0 Para V>0 peq.
lado p lado n
Ec

EF hν

59 60

30
 LED (Diodo Emisor de Luz)

Se necesita de un alto dopamiento como en el caso del diodo túnel

y un alto V directo

lado p lado n

γ
V
EF

Un electrón de la BC del lado n decae a un estado vació de la BV

del lado p, emitiendo un fotón

61

31