TERMINOS Y DEFINICIONES

INTRINSECO: Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. El término intrínseco se aplica a cualquier

material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy
bajo; en esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnología actual. (pag. 5(24))

Semiconductor Portadores intrínsecos

(por centímetro cúbico)
GaAs 2.5 * 1013
Si 1.5 * 1010
Ge 1.7 * 106

DOPAJE: Proceso de impurificación de un material semiconductor con objeto de mejorar sus propiedades
conductoras, algo que el germanio, el silicio y el arseniuro de galio aceptan con facilidad y rapidez. (Boylestad 10ma.
Edicion pag. 5(24)). Una forma de aumentar la conductividad es mediante el dopaje. El dopaje supone que,
deliberadamente, se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica.
Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrínseco (Malvino 6ta ed., Pag.41)

LIBRE: El término libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la estructura entrelazada fija y es muy
sensible a cualquier campo eléctrico aplicado como el establecido por fuentes de voltaje o por cualquier diferencia
de potencial e incluso la tensión ms pequeña puede hacer que los electrones libres de un conductor se muevan de
un átomo al siguiente. Las causas externas incluyen efectos como energía luminosa en forma de fotones y energía
térmica (calor) del medio circundante. A temperatura ambiente hay alrededor de 1.5x 1010 portadores libres en un 1
cm3 de material de silicio intrínseco, es decir, 15 000 000 000 (quince mil millones) de electrones. Los electrones
libres (electrón de valencia arrancado de su órbita) presentes en un material debido a sólo causas externas se
conocen como portadores intrínsecos.

Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores es su reacción ante la aplicación de
calor. En el caso de los conductores, la resistencia se incrementa con un aumento de calor y se dice que los
materiales que reaccionan de esta manera tienen un coeficiente de temperatura positivo. Los materiales
semiconductores, sin embargo, presentan un nivel incrementado de conductividad con la aplicación de calor.
Conforme se eleva la temperatura, un mayor número de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica
para romper el enlace covalente y así contribuir al número de portadores libres.

El enlace covalente produce un enlace más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo padre, aún es posible
que los electrones de valencia absorban suficiente energía cinética proveniente de causas externas para romper el
enlace covalente y asumir el estado “libre”.

En un material tipo n (Fig. 1.11ª – pag.9) el electrón se llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario.
Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominación común de portadores debido a que
transportan la carga eléctrica de un lugar a otro.