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Campos y Teoría de
Circuitos
Campos y Ondas
FACULTAD DE INGENIERÍA
UNIVERSIDAD NACIONAL DE LA PLATA
ARGENTINA
CAMPOS Y ONDAS
Teoría de Campos y Circuitos
CAMPOS Y ONDAS
• Los circuitos actuales, especialmente en sistemas
modernos, incluyen no linealidades, elementos activos, no
recíprocos o variables en el tiempo.
• En alta frecuencia la mayoría de los elementos tienen
naturaleza distribuida.
• Los modernos circuitos integrados tienen elementos de
almacenaje de energía, unidades disipativas y partes
activas , construidas en el mismo cristal o depositadas en
una delgada capa de film sobre un substrato común.
• Para mucha de estas generalizaciones los modelos de
elementos concentrados pueden ser construidos y utilizar
la potencialidad del circuito equivalente en el análisis
cuantitativo o cualitativo.
• Aún siendo impráctico el modelo, la filosofía causa-efecto
que es central en el pensamiento de los circuitos es muy
útil en cualquier problema de fuentes de energía y
transferencias o reacción de ellas.
• Consideraremos relaciones de circuitos clásicos y las
ecuaciones de Maxwell.
• Vimos Aproximaciones de Campo para las resistencias de
alta frecuencia (efecto pelicular o SKIN)
• e inductancias y capacidades que almacenan energía.
CAMPOS Y ONDAS
Formulación del Concepto consistente con la Ecuaciones de Maxwell
∑ In = 0
I
1
I
5
n =1
detrás de esta ley está la continuidad de corrientes Q
∂ρ ∂
∫∫ ∫∫∫
I
= − ρ .dv
2
∇J = − J .ds I
∂t
4
∂t I 3
dQ
∑
n =1
In = −
dt
CAMPOS Y ONDAS
dQ
∑ In = 0
n =1
∑ In = −
dt
n =1
∑ Iconducción + Icapacitiva = 0
n =1
∑ Iconducción = −∑ Icapacitiva
n =1 n =1
I1
I2
Icapacitiva
CAMPOS Y ONDAS
Segunda Ley de Kirchoff.
CAMPOS Y ONDAS
• La ley de Faraday puede ser expresada ∂
para cualquier camino cerrado como v∫ E.dl = − ∂t ∫∫
S
B.ds
∑V = ∫∫ B.ds
n =1
n
S
∑V
n =1
n = − V0 + V1 + V2 + V3 = 0
V0 = V1 + V2 + V3
CAMPOS Y ONDAS
V0 = V1 + V2 + V3
CAMPOS Y ONDAS
Campos Aplicados y Densidades de corrientes resultantes
CAMPOS Y ONDAS
Campos Aplicados y Densidades de corrientes resultantes
CAMPOS Y ONDAS
Campos Aplicados y Densidades de corrientes resultantes
E= Eo + Ei
GENERADOR CIRCUITO
Antena lejana R, L, C
CAMPOS Y ONDAS
Campos Aplicados y Densidades de corrientes resultantes
∂∇xA
∇xE = −
∂t ∂A
Ei = − − ∇U
∂t
∂A
∇x(E + ) = 0 = ∇x(GradU )
∂t
CAMPOS Y ONDAS
Campos Aplicados y Densidades de corrientes resultantes
J J ∂A
= (Eo + Ei ) = Eo − − ∇U
σ σ ∂t
∂A
Ei = − − ∇U J ∂A
∂t Eo = + + ∇U
σ ∂t
CAMPOS Y ONDAS
Tensiones Aplicados y relaciones de Circuito.
•El sentido está definido de tal forma que la tensión aplicada al circuito
es positiva en el Terminal 1 con respecto al 4 cuando se produce una
corriente que fluye dentro del circuito desde 1 por una resistencia pura
J ∂A
Eo = + + ∇U
σ ∂t
∂A
4 4 4 4
J
∫1 Eo.dl = ∫1 σ .dl + ∫1 ∂t dl + ∫1 ∇U dl
4
(Vo )14 = ∫ Eo.dl
1
CAMPOS Y ONDAS
Tensiones Aplicados y relaciones de Circuito.
4 4
∫ Eo.dl = ∫ ∇Udl
1 1
4 4
J
∫ Eo.dl = ∫
1 1
σ
.dl
CAMPOS Y ONDAS
Tensiones Aplicados y relaciones de Circuito.
I V1
Vo J
Eo Ei Ei
Vo=I.R Eo+Ei=J/σ
CAMPOS Y ONDAS
Tensiones Aplicados y relaciones de Circuito.
CAMPOS Y ONDAS
Tensiones Aplicados y relaciones de Circuito.
∂A
4 4 4 4
∫1 Eo.dl = ∫1 σ
J
.dl + ∫1 ∂t dl + ∫1 ∇U dl V0 = V1 + V2 + V3
∫ Eo.dl
1
= tensión aplicada (1 tomado como Terminal +)
4
J
∫ σ dl
1
= caída de tensión en la impedancia interna del conductor R, Li
∂A
4
∫ ∇U dl
1
= caída de tensión capacitiva
CAMPOS Y ONDAS
Baja frecuencia , comparación con la longitud del circuito
CAMPOS Y ONDAS
La Impedancia Interna y el Término de baja frecuencia.
CAMPOS Y ONDAS
4 4 4
J Es
∫1 σ .dl = I .∫1 I .dl = I ∫1 Zi.dl = IZ .
• La impedancia interna tiene una parte imaginaria y una parte real , ya que el
campo en la superficie no está en fase con la corriente total para circuitos de
alterna (Ver notas de Campos Variables en el tiempo)
• La elección del camino de integración del circuito a lo largo de la superficie es
arbitraria, y podría haber sido hecho en otro lugar, por ej. en el medio del
conductor.
• Pero debe ser tenido en cuenta en el mismo lugar para el tratamiento de cada
uno de los términos de la ecuación.
• La elección a lo largo de la superficie es conveniente porque esto da la
separación entre “inductancia interna” e “inductancia externa” para muchas
formas simples.
CAMPOS Y ONDAS
El Término Inductivo a baja frecuencias
∂A
4
∫1 ∂t dl
µJdv
A = ∫∫∫
v
4πr
CAMPOS Y ONDAS
El Término Inductivo a baja frecuencias
µ f ( x1, x 2)dv
A = I ∫∫∫
v
4π r
•La integral multiplicada por I es una función de la geometría y de la
distribución relativa de la densidad de corriente .
• Entonces L es una función de la configuración del circuito, la
permeabilidad y la distribución relativa de la corriente
•pero no de la corriente total
será definida como
∂A
4 4 4
A.dl d d dI
L=∫
I
∫1 ∂t dt ∫1
dl = A.dl =
dt
( LI ) = L
dt
1
∫∫ Bds 4
∂A d
4
d dI
L= S ∫1 ∂t dl = dt ∫1 A.dl = dt ( LI ) = L dt
I
• La ecuación es la forma usual de definición de la inductancia a baja
frecuencia, la cual se define como el flujo concatenado por unidad
de corriente.
• Si la configuración del inductor es tal que el campo magnético se
limita a la región la bobina (entre los punto 1 y 2) solo entre estos
puntos se desarrolla esta tensión.
• Si no hay pérdidas y no hay cargas libres a lo largo de las bobinas
del arrollamiento entonces la tensión debería tener el valor dado
por, con la definición usual de inductancia L.
• El efecto pelicular y el efecto capacitivo introducen
importantes modificaciones a la relación tensión-corriente
para un inductor a moderadas y altas frecuencias.
• El incremento de las pérdidas causadas por el efecto pelicular puede
ser tomada en cuenta por el término de impedancia interna visto en
la sección previa.
• El punto es que el circuito exacto equivalente para un inductor a alta
frecuencia no es posible y el equivalente para alguna frecuencia
puede ser difícil de calcular.
CAMPOS Y ONDAS
El Término Capacitivo a baja frecuencias
ρdV
U = ∫∫∫
v
4πε .r
CAMPOS Y ONDAS
El Término Capacitivo a baja frecuencias
∫ ∇Udl = v∫ ∇U .dl − ∫ ∇U = 0 + U
1 2
2 − U3
4 2
Q
U 2 − U1 =
C
CAMPOS Y ONDAS
• 1/C es la constante de proporcionalidad.
Q = ∫ I .dt
Entonces finalmente la caída de tensión capacitiva puede ser escrita como
4 3
1
∫1 ∇U dl =
C2∫ Idt
CAMPOS Y ONDAS
• Este es el usual término capacitivo en la teoría clásica de circuitos que
permite la definición de capacidad.
• Si hay suficiente carga distribuida a lo largo del conductor en otros puntos
diferentes que en el gap, la variación en el tiempo de esta cargas
constituyen corrientes de desplazamiento las cuales fluyen en caminos
diferentes del circuito elegido.
• En este sentido no es un simple lazo y la corriente ya no es más constante
alrededor del circuito.
CAMPOS Y ONDAS
Resumen
dI (t ) 1
Vo(t ) = ( Li + Le) + ∫ I (t ).dt + I (t ).R
dt C = Ve( jωt +φ )
Vo
⎡ 1 ⎤
Vo = I ⎢( R + jω Li ) + jω Le +
⎥
⎣ jω C ⎦
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