Simulación De La Ecuación De Shockley

En el reporte se presenta la demostración gráficamente

de la ecuación de Shockley sobre un diodo en
polarización directa mediante el programa Excel. De
acuerdo a datos establecidos y a un cierto límite de
iteraciones, se podrá observar los cambios que presenta,
observando las regiones “ON” y “OFF” de un diodo
además del momento de crecimiento de la gráfica del
diodo ideal. Posteriormente, se graficará la ecuación de
Shockley en una línea de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷 de un diodo.

Introducción: Se puede demostrar físicamente las

características generales de un diodo semiconductor
mediante la ecuación de Shockley, tanto para una
polarización directa o inversa. La ecuación de Shockley
relaciona varios factores como la corriente en inversa,
voltaje de polarización y térmica, y un factor de idealidad.
Donde se establecen los valores y comportamientos entre
ambas uniones “P” y “N”. En este caso, cuando el valor de
(𝑉𝐷 > 0𝑉). Dicha ecuación es:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 [exp ( − 1)]
𝑁∗𝑉𝑇
(1)
Donde IS es la corriente de saturación en inversa, VD es el
voltaje de polarización en directa aplicado a través del
diodo, n es un factor de idealidad, de acuerdo con la
referencia [1], el cual es una función de las condiciones de
operación y construcción física; varía entre 1 y 2 según una
amplia diversidad de factores. Cuando el valor de VD toma
valores positivos, el IS crecerá rápidamente omitiendo al
último valor de (-IS) haciéndolo crecer exponencialmente.
Por otro lado, cuando los valores de VD tienden valores
negativos, la forma exponencial tiende a decaer rápidamente
por debajo del nivel de I, así como lo menciona en la
referencia [1], 𝐼𝐷 ≅ −𝐼𝑆 , por lo tanto es horizontal al nivel
de - IS. Por otra parte, el factor temperatura con la corriente
del diodo es el voltaje térmico, con un valor de 25.9 Mv.
Como menciona la referencia [2], en el caso de los diodos
de silicio, la tensión que corresponde a la barrera de
potencial se sitúa entre los 0,6V y 0,7V, en los de germanio
en el orden de los 0,2V y en los de arseniuro de galio
alrededor del V.
Se pudo observar cómo creció la curva del diodo polarizado
en la región directa. Por otra parte se presentan las regiones
on y off de la curva. Se observa detenidamente que a los 825
mV empieza a crecer rápidamente. En algunos casos, los
fabricantes manejan un voltaje comercial por el paso de
corriente.
Conclusión:
Mediante la experimentación de la ecuación de Shockley, se
pudo llegar a visualizar el comportamiento de un diodo. Al
igual se observó como a grandes cambios positivos en los
valores de voltaje, crece exponencialmente por ahí del valor
825 mV. Por otra parte, se observa una relación entre la
corriente y el área de unión. Como menciona el libro de
Boylestad, la corriente de saturación en inversa real de un
diodo comercial será medible a un valor mayor que la que
aparece como la corriente de saturación en inversa en la
ecuación de Shockley. Por último, cuando el V<0, el término
exponencial es sumamente pequeño; es decir, la intensidad
tiene al valor 𝐼𝑆 que vendría siendo la corriente inversa. Por
ende, existen varios factores que la gráfica del diodo ideal
puede cambiar y presentar más regiones, como ruptura,
zenner, entre otras.
Referencias:
1. Boylestad, Robert L. Y Nashelsky, Louis.
Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos. 10° ed. PEARSON EDUCACIÓN,
México, 2009
2. Fundamentos de diodos <
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Di
odos%20-%202012.pdf >

Implementación en Excel:

Mediante el uso de Excel, se desglosaron los valores de la

ecuación de Shockley (ecuación 1) para ver cómo crecía
exponencialmente y captar las regiones de la curva típica del
diodo. Se propuso tomar un voltaje de 0 a 900 mV para ver
la variación en la gráfica y poder observar el aproximado de
voltaje cuando empieza a crecer rápidamente.

Fig. 1 Curva del diodo típico a una temperatura ambiente de

(300 K)

Resultados: