Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
PAMPLONA NORTE DE SANTANDER
ELECTRNICA DE POTENCIA
GRUPO A
2017-II
OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
Determinar los parmetros del oscilador de relajacin con UJT a partir de
clculos y realizar las respectivas mediciones prcticas para comprobar que
el voltaje de disparo del UJT y el tiempo de carga mnimo del capacitor
corresponden con los valores tericos dados.
OBJETIVOS ESPECFICOS
Realizar el diseo previo (prediseo), para conocer los elementos a utilizar
en el circuito.
Realizar las mediciones necesarias para la correcta recoleccin de datos y
evitar errores en la estimacin de los parmetros.
Identificar la seal diente de sierra que se produce a partir del voltaje de carga
del capacitor con respecto al tiempo.
MARCO TERICO
TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) [1]
Dispositivo que se utiliza fundamentalmente como generador de pulsos de disparo
para SCR y TRIACs, contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales
denominados emisor E, base uno B1 y base dos B2, Fijndose en la curva
caracterstica del UJT (datasheet) se puede notar que cuando el
voltaje VEB1 sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de
modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo,
la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta
regin se llama regin de resistencia negativa. Este es un proceso con
realimentacin positiva, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace
excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de
relajacin, en la figura 1 se puede observar la estructura interna y el circuito
equivalente de un transistor UJT.
PREDISEO
1. Consultar las referencias de UJT comercializados en la ciudad para conocer
sus valores caractersticos (datasheet) con el fin de realizar los respectivos
clculos para el circuito del oscilador de relajacin propuesto en clases.
= ,
Se halla el valor del voltaje interbase (21) con la siguiente frmula:
0,6
21 =
8,5 0,6
21 =
0,75
= ,
10,53
21 =
6,825 + 2,278
= ,
= ()
= 8,5 0,8
= ,
11,087 8,5
=
6
600
=
8,5
565 ln [1 11,087 ]
= , ,
= 10,91
1 = 259,18
2 = 220
= 535
= 482
= 0,5
Con ayuda del multmetro se hallaron los valores de 21 y21 , estos son los
siguientes:
21 = 10,32
21 = 1,42
21 = 10,32
21 = 1,42
= 10,91
1 = 259,18
2 = 220
A partir de dichos datos se puede a calcular la resistencia prctica para
comprobar que este valor sea similar con el valor dadod en las hojas caractersticas
del UJT.
Tenemos que:
=
Conclusiones
Se pudo observar experimentalmente cada uno de los
comportamientos de los transistores MOSFET en sus diferentes
modos de operacin; en zona de saturacin donde el dispositivo se
comporta como una fuente de corriente y en zona hmica su
comportamiento como una resistencia variable.
El comportamiento del disipador result efectivo ya que evit el
recalentamiento del MOSFET como tambin un posible dao en el
circuito. El caso contrario se pudo observar en la resistencia de
potencia, la cual aument su temperatura durante la prctica.
La importancia de la precisin tanto del aparato de medida, como de
la persona que realiza la medicin en prcticas de este tipo es muy
grande ya que, para unos buenos resultados, se precisa de precisin
tanto en las medidas, como en los clculos realizados.
Se pudo observar que mediante la ingeniera y el criterio de anlisis
se pueden obtener parmetros desconocidos pero importantes de un
determinado dispositivo, haciendo uso del conocimiento previo como
tambin del impartido en clase.