Electrnica General 1

2do Semestre 2017

Gua 3: Transistores BJT

1) En los circuitos de la Fig. 1:

a) Cul es el hf e mnimo que deben tener los transistores para activar el rel?
b) Obtenga las grficas para ic , y vc asumiendo que la constante de tiempo de la impedancia del rel es =T/20.
Suponga vce_sat =0[V], |vbe |=0.7[V] y un diodo ideal.

10[V] -9[V]

ic(t) 10[V]@ ic(t) vc(t)

10[V]@ vc(t) 0.15[A]
0.15[A] vb(t)
5.1k 3.2[V]
10k

vb(t) vb(t) T
1[V]
(a) (b) (c)

Fig. 1.

2) Para cada circuito de la Fig. 2, determine el valor de R tal que el transistor se encuentre al borde de la saturacin
y el valor de la corriente ic . Indique si la resistencia calculada es el valor mximo o mnimo para que el transistor
entre en saturacin. Suponga vce_sat =0.2 [V], vbe =0.7[V], hf e =100.

15[V] 10[V] 15[V] 10[V]

5k R 1k R 4.7k 1k 5k 1k
ic ic ic

ic
5k 1k 5[V] 1k 1.8k R R 1k

(a) (b) (c) (d)

Fig. 2.

3) Para el circuito de la Fig. 3, dibuje la forma de onda de vc , asumiendo que el voltaje inicial del condensador es vc =0.
Cul debera ser el valor de la resistencia de 50k para que T1 nunca se sature?

12[V]

600 5k hfe=100
vbe=0.7[V] vs(t)
T2 0.05
vce_sat=0[V] 12
vs(t)
50k
600 100nF vc(t)
T1 0.5 t[ms]

Fig. 3.

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4) En base al circuito de la Fig. 4(a) determine: (C1 2010)

a) El valor (o rango de valores) para Rb tal que ambos transistores, cuando conduzcan, operen en Zona Lineal.
Considere R3 , es decir, un circuito abierto.
b) La forma de onda de vo si Rb =200k y R3 =250. Para esto utilice las formas de onda provistas en la Fig. 4(b).

100
0.7V
0.2V
0.7V

Fig. 4. (a) Circuito para el problema 4; (b) Formas de onda para el problema 4.b).

5) En base al circuito de la Fig. 5(a) obtenga las formas de onda de los voltajes vx (t) y vo (t). El voltaje inicial del
condensador vx (0) = 0V, mientras que los parmetros de los transistores se encuentran en la Fig. 5(a). (C2 2016)

hfe = 100 5V va
vbe = 0.7V
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 ms
vce_sat = 0.2V 15V 15V
vo
2kW 1kW

100kW
T1

va T2
vo
vx
40mF vx

(a) (b)

Fig. 5. (a) Circuito para el problema 5; (b) Formas de onda para el problema 5.

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6) En base al circuito de la Fig. 6 dibuje las formas de onda de las seales vo1 y vo2 . (C2 2014)

2.5mF
4kW 4kW

vo1 vo2 hfe=200

11V 10V vbe=0.7V
vce_sat=0.2V

Fig. 6. (a) Circuito para el problema 6.

7) Para el circuito de la Fig. 7 determine la forma de onda de la seal vo (t). (C2 2011)

Fig. 7. Circuito para el problema 7.

8) En el circuito de la Fig. 8(a) las seales va , vb , y vc {0V, 5V}. De acuerdo a esto determine: (C2 2015)
a) Todas las combinaciones de va , vb , y vc que hacen que el transistor T3 conduzca.
b) El mnimo tiempo que deben aplicarse las combinaciones del punto anterior tal que el voltaje en el condensador,
vx (t) supere el 98% del mximo valor al que pueda llegar.

5V 5V 5V 20V

10kW 10kW 10kW 1kW

T1 T2 100nF vx
33kW
va vc
vb hfe=100
vbe=0.7V
T3 vce_sat=0.2V

Fig. 8. Circuito para el problema 8.

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9) Qu funcin lgica realiza el circuito de la Fig. 9? (considere 5[V] como un "1" lgico y un voltaje menor a 2[V]
como un "0")

5[V]

10k 10k 10k 10k 10k 10k 10k 10k

10k
a vo(t)

5[V]
hfe=100
10k 10k 10k 10k vbe=0.7[V]
vce_sat=0.2[V]
b
10k vd=0.7[V]

Fig. 9.

10) Para el circuito de la Fig. 10 determine los valores de vo1 y vo2 para todas las combinaciones de va , vb y vc si
vx {0, 5V }, x {a, b, c}. (C2 2012)

5V 5V
5V 5V
15kW 15kW
15kW 5V 250W
va 5V
15kW hfe= 50
vb 15kW vbe= 0,7V
5V vce_sat= 0,2V
vo2
vo1 vak= 0,7V
15kW
vc

Fig. 10. Circuito para el problema 10

11) Para el circuito de la Fig. 11 determine:

a) El valor de Rb para obtener la Mxima Seal Simtrica en vo (t).
b) Determine la eficiencia del circuito si vs = 9 sin(t).
c) Determine la eficiencia del circuito si vs = 3 sin(t).
d) La forma de onda de vo (t) si se utiliza una resistencia de la mitad del valor de la calculada en el punto 11a y
vs = 9 sin(t).

12[V]

vo(t) 2k

10[V] Rb hfe=100
vbe=0.7[V]
vs(t) vce_sat=0[V]

Fig. 11.

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12) De acuerdo con el circuito de la Fig. 12, determine:

a) La magnitud de la mxima seal simtrica que se puede obtener.
b) La eficiencia mxima que se puede obtener del circuito. Considere vce_sat = vbe = 0.
c) Rb y Rl tal que vo sea 3 veces vs = 3 sin(t) y la corriente por la base no sobrepase los 20[mA]. Considere
vce_sat = vbe = 0, hf e =100.
d) La eficiencia para las condiciones de operacin del punto c).

15[V]

Rb Rl

vs(t)
12[V]

Fig. 12.

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