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ESAME DI PROGETTAZIONE AUTOMATICA DI

CIRCUITI ELETTRONICI
NICOLA CASAMASSIMA
MATRICOLA 563423
A.A. 2016/2017

Nicola Casamassima
Matricola: 563423
1
Sommario
1) CARATTERISTICA DEI TRANSISTOR MOS ....................................................................................................... 4
1.1) Caratteristica duscita dellNMOS .......................................................................................................... 4
1.2) Valutazione del fattore di transconduttanza dellNMOS ............................................................... 4
1.3) Valutazione del fattore di modulazione di canale dellNMOS ............................................................ 5
1.4)Valutazione del fattore di transconduttanza del PMOS ................................................................... 6
1.5) Valutazione del fattore di modulazione del canale del PMOS ............................................................ 7
2) MOS SWITCH ................................................................................................................................................. 8
2.1) Caratteristica I-V di un NMOS operante come interruttore................................................................... 8
2.2) Resistenza di accensione dello switch MOS ........................................................................................... 9
2.3) NMOS utilizzato per pilotare un carico capacitivo ............................................................................... 10
2.4) CMOS Switch (transmission gate) ........................................................................................................ 12
2.5) Resistenza di accensione dello Switch CMOS....................................................................................... 12
2.6) CMOS utilizzato per pilotare un carico capacitivo ............................................................................... 13
2.7) Confronto e riepilogo sugli switch........................................................................................................ 14
3)SPECCHI DI CORRENTE ................................................................................................................................. 15
3.1) Caratteristica specchio semplice NMOS............................................................................................... 15
3.2) Confronto tra specchi ........................................................................................................................... 16
3.3) Specchio semplice vs cascode .............................................................................................................. 17
3.4) Cascode vs high swing cascode ............................................................................................................ 18
3.5) High swing cascode vs improved high swing cascode .......................................................................... 19
3.6) Self-biased cascode .............................................................................................................................. 20
4) RIFERIMENTI DI TENSIONE .......................................................................................................................... 21
4.1) Partitore di tensione resistivo ed attivo ............................................................................................... 22
4.2) Diodo zener .......................................................................................................................................... 23
4.3) Bootstrap refence-specchio semplice .................................................................................................. 24
4.4) Bootstrap reference - self-biased casscode ......................................................................................... 26
4.5) Riepilogo e confronto ........................................................................................................................... 27
5) AMPLIFICATORI ........................................................................................................................................... 28
5.1) Active Load Inverter ............................................................................................................................. 28
Analisi statica (VTC) ................................................................................................................................. 29
Analisi temporale..................................................................................................................................... 30
Analisi in frequenza ................................................................................................................................. 31
5.2) Current Source Inverter........................................................................................................................ 32
Analisi statica (VTC) ................................................................................................................................. 32
Analisi temporale..................................................................................................................................... 34
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Analisi in frequenza ................................................................................................................................. 34
5.3) Push-Pull inverter ................................................................................................................................. 35
Analisi statica (VTC) ................................................................................................................................. 36
Analisi Temporale .................................................................................................................................... 37
Analisi in frequenza ................................................................................................................................. 38
5.4) Confronto e riepilogo ........................................................................................................................... 38
6) PROGETTO DI UN OTA ................................................................................................................................. 41
6.1) Correnti nella coppia differenziale ....................................................................................................... 41
6.2) Analisi statica ........................................................................................................................................ 42
Offset ....................................................................................................................................................... 43
Dinamica .................................................................................................................................................. 43
6.3) Analisi in frequenza .............................................................................................................................. 44
Guadagno ................................................................................................................................................ 44
Frequenza di taglio .................................................................................................................................. 45
6.4) Analisi temporale ................................................................................................................................. 45
Guadagno ................................................................................................................................................ 45
FFT ........................................................................................................................................................... 46
6.5) Slew Rate .............................................................................................................................................. 47
6.6) CMRR .................................................................................................................................................... 49
Guadagno di modo differenziale ............................................................................................................. 49
Guadagno di modo comune .................................................................................................................... 50
6.7) ICMR ..................................................................................................................................................... 51
Stima minimo .................................................................................................................................... 53
Stima massimo .................................................................................................................................. 54

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1) CARATTERISTICA DEI TRANSISTOR MOS
1.1) Caratteristica duscita dellNMOS
Lobiettivo della simulazione la visualizzazione della caratteristica dellNMOS.
Si considera un transistor NMOS (M1) al quale sono state assegnate lunghezza di canale = 1 e
larghezza di canale = 5. Al transistore sono collegati generatori di tensione DC posti rispettivamente
tra Drain e Source (Vds) e tra Gate e Source (Vgs) ai quali sono assegnati valori arbitrari in quanto dovranno
variare nella simulazione. Bulk e Source sono cortocircuitati a massa.
Si vuole quindi visualizzare la caratteristica dellNMOS al variare della . Viene dunque creato un
profilo di simulazione DC sweep con le seguenti caratteristiche:
Name Sweep type Start value [V] Stop value [V] Increment [V]
Primary sweep Vds Linear 0 5 0,001
Secondary sweep Vgs Linear 0 5 0,5
(Tabella 1) Parametri di simulazione

(Fig. 1) Circuito

Per visualizzare la corrente di Drain stata inserita, sul nodo dello stesso, una sonda di corrente.

(Fig. 2) Caratteristica al variare della

Si noti che le caratteristiche ottenute per = 0 e = 0,5 la corrente di drain quasi nulla, in
quanto lNMOS lavora sotto soglia (essa risulta infatti pari a = 0,77).

1.2) Valutazione del fattore di transconduttanza dellNMOS


Facendo riferimento al circuito in di (Fig.1), il fattore di transconduttanza di un NMOS si pu valutare
individuando sulla caratteristica due punti distinti:
12
1 =
[(1 ) 2 ]
{ 1 2
= 2 1 =
(2 1 )
2 =
[(2 ) ]
2
Si definisce = (2 1 ) e si ricava:
1
=

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Affinch non siano presenti gli effetti di modulazione della lunghezza di canale, necessario che il MOS
lavori in zona di triodo; bisogna quindi verificare la disuguaglianza:
0 < <
Poich bulk e source sono cortocircuitati si ha = 0 e quindi = 0 = 0,77 dalla relazione:
1 1
= 0 + (|2 2 |2 |2 |2 )
Per assicurare il funzionamento del dispositivo in zona di triodo si fissata = 0,1, in modo che la
relazione precedente sempre verificata per [1, 5].
Per visualizzare la caratteristica si effettuata la simulazione DC Sweep con i seguenti valori:
Sweep variable Sweep type Name Start value [V] End value [V] Increment [V]
Voltage source Linear Vgs 0 5 0,001
(Tabella 2) Caratteristiche del profilo di simulazione

(Fig. 3) Transcaratteristica dell'NMOS


Facendo riferimento alle misure prese si ottiene = 109,93 .
2

1.3) Valutazione del fattore di modulazione di canale dellNMOS


Prendendo in considerazione il circuito in (Fig.1) possibile calcolare il fattore di modulazione del canale :
dopo essersi assicurati che il MOS lavori in saturazione, si individuano due punti sulla caratteristica
e si procede nel modo seguente:
1
1 = 2 ( )2 (1 + 1 )

{ 1
2 = ( )2 (1 + 2 )
2
1
= 2 1 = ( )2 (2 1 )
2

=
1
2 ( )2
Essendo = 2 1.
Affinch il MOS sia in saturazione necessario che sia sempre verificata la relazione: > ;
si quindi fissato = 3.
Per visualizzare la caratteristica stata effettuata una simulazione DC Sweep con le seguenti
caratteristiche:
Sweep variable Sweep type Name Start value [V] End value [V] Increment [V]
Voltage source Linear Vds 1 10 0,001
(Tabella 3) Caratteristiche del profilo di simulazione

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(Fig. 4) Caratteristica d'uscita per = 3

Facendo riferimento alle misure prese si ottiene = 0,014 1.

1.4)Valutazione del fattore di transconduttanza del PMOS

(Fig. 5) Circuito per il calcolo del

Facendo riferimento al nuovo circuito in figura, possibile calcolare il fattore di transconduttanza .


1
2
1 = [(1 ) ]
2
{ 1 2
= 2 1 = (2 1 )

2 = [(2 ) ]
2
Si definisce = (2 1 ) e si ricava:
1
=

Affinch non siano presenti gli effetti di modulazione della lunghezza di canale, necessario che il MOS
lavori in zona di triodo; bisogna quindi verificare la disuguaglianza:
0 < < | |
Poich bulk e source sono cortocircuitati si ha = 0 e quindi | | = |0 | = 0,81 dalla relazione:
1 1
= 0 + (|2 2 |2 |2 |2 )
Per assicurare il funzionamento del dispositivo in zona di triodo si fissata = 0,1, in modo che la
relazione precedente sempre verificata per [1, 5].
Per visualizzare la caratteristica si effettuata la simulazione DC Sweep con i seguenti valori:
Sweep variable Sweep type Name Start value [V] End value [V] Increment [V]
Voltage source Linear Vsg 0 5 0,0001
(Tabella 4) Caratteristiche profilo di simulazione

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(Fig. 6) Transcaratteristica del PMOS


Facendo riferimento alle misure prese si ottiene = 19,85 2 .

Tale valore risulta inferiore a quello corrispondente ad un NMOS di uguali dimensioni, ci


dovuto allinferiore mobilit delle lacune (portatori maggioritari nel PMOS) rispetto agli
elettroni.
Da tale risultato si deduce anche che, a parit di tensione di overdrive, nel NMOS scorre molta pi corrente
che nel PMOS, se si trascura leffetto di modulazione del canale.

1.5) Valutazione del fattore di modulazione del canale del PMOS


Procedendo alla stessa maniera del NMOS, si ricava il fattore di modulazione del canale del PMOS.

=
1
2 ( | |)2
Essendo = 2 1 .
Affinch il MOS sia in saturazione necessario che sia sempre verificata la relazione: > ;
si quindi fissato = 3.
Per visualizzare la caratteristica stata effettuata una simulazione DC Sweep con le seguenti
caratteristiche:
Sweep variable Sweep type Name Start value [V] End value [V] Increment [V]
Voltage source Linear Vsd 1 10 0,001
(Tabella 5) Caratteristica del profilo di simulazione

(Fig. 7) Caratteristica d'uscita per = 3

Facendo riferimento alle misure prese si ottiene = 0,036 1.

Tale parametro maggiore del corrispondente di un NMOS di uguali dimensioni, perci, a parit di punto di
lavoro, un PMOS presenta una resistenza duscita pi bassa.

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2) MOS SWITCH
2.1) Caratteristica I-V di un NMOS operante come interruttore
possibile realizzare degli interruttori utilizzando transistor MOS: i terminali dello switch sono
drain e source, mentre la tensione di controllo viene applicata sul gate.
Parametri importanti di un interruttore sono la resistenza daccensione (cio quella che si ha quando
chiuso) e la resistenza di spegnimento (quella che si ha quando aperto).
Per fare in modo che assuma valori quanto pi piccoli possibili necessario che il MOS lavori in zona di
triodo: in questo modo la resistenza di canale (che il contributo principale alla ) la pi piccola
possibile.

(Fig. 8) Circuito NMOS switch

Per visualizzare la caratteristica stata effettuata una simulazione DC Sweep con i seguenti valori:
Source name Sweep variable Sweep type Start value [V] End value [V] Increment [V]
Vds Voltage source Linear -2,5 2,5 0,01
Vg Voltage source Linear 0 5 1
(Tabella 6) Caratteristiche del profilo di simulazione

(Fig. 9) Caratteristica per diversi valori di Vg

Nel MOS drain e source possono invertirsi in base alla tensione applicata ai terminali del dispositivo stesso;
per questo la caratteristica non simmetrica rispetto a Vds=0V.
Per Vds<0 il nodo A il drain e il nodo B il source, la Vds continua a decrescere, la differenza di
potenziale tra gate e source aumenta e quella tra source e bulk aumenta causando variazioni nella
tensione di soglia. Non tutti i valori della accendono il MOS (deve risultare > ) ed
analizzando la condizione di saturazione:
> , si nota che per quei valori di che accendono il MOS, le sono tali da non farlo
lavorare in saturazione.
Per Vds>0 il nodo A il source e il nodo B il drain, la differenza di potenziale tra bulk e source fissata
a -2,5V e la tensione ai capi di gate e source anchessa fissata dalla Vg. Anche in questo caso non tutte

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le accendono il MOS, una volta acceso per bisogna distinguere le che lo fanno lavorare in zona
di triodo da quelle che lo fanno lavorare in saturazione.
Per evitare ambiguit necessario fissare un range di tensioni di funzionamento dellinterruttore.

2.2) Resistenza di accensione dello switch MOS


La resistenza di canale per piccolo segnale data da:

1
| =
( )

Per plottare la in funzione della tensione si pu utilizzare la seguente configurazione, fissando
= 0,1 per far operare il MOS in zona di triodo:

(Fig. 10) Circuito per la valutazione di

Si effettua una simulazione per valutare le variazioni di in funzione di quattro diversi valori dellaspect
ratio (W/L).
Sweep variable Sweep type Name Start value End value Increment
Voltage source Linear Vg 1V 5V 0,01V
(Tabella 7) Parametri simulazione DC

Sweep variable Parameter name Sweep type


Global parameter wval Value list: 1; 2; 5; 10
(Tabella 8) Parametri W

Landamento della in funzione della stato ottenuto plottando il rapporto fra la tensione ai capi
dello switch (Vds) e la corrente che scorre attraverso.

(Fig. 11) Caratteristica della per diversi valori dello spessore di canale "W"

Osservando la caratteristica si nota che la decresce allincrementare della e dei valori dellaspect
ratio W/L, aumentando cio lo spessore del canale del MOS.

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2.3) NMOS utilizzato per pilotare un carico capacitivo
possibile realizzare questa configurazione con un NMOS che fa da interruttore ed utilizzando come
tensione di controllo un segnale di clock che stato simulato mediante un generatore di onda quadra.
Tuttavia il MOS ha delle capacit intrinseche che possono essere abbastanza elevate (se il transistor viene
dimensionato con uno spessore di canale abbastanza grande cos da ottenere una piccola). Ne
consegue che quando lo switch viene chiuso le correnti di perdita possono caricare o scaricare il carico
capacitivo 1 (spike di corrente).

(Fig. 12) Circuito per valutare gli effetti delle correnti di perdita

Il segnale di clock ha utilizzato i seguenti parametri:


Primo Secondo Ritardo di Tempo di salita Tempo di Periodo Duty cycle
valore valore fase discesa
0 5 0 0.1; 1; 10 1 2 50%
(Tabella 9) Parametri generatore di onda quadra V2(clock)

Il dimensionamento della resistenza dello switch importante ai fini del trasferimento di carica sul
condensatore: affinch questultimo si carichi ad ogni impulso di clock, necessario un tempo pari a 5 volte
la costante di tempo del circuito: 1.
In base ai parametri settati sul generatore, il tempo durante il quale il clock alto risulta essere = 1,
per cui:

5 1 = 1000
5 1
Per valutare la presenza di spike di corrente si effettuata una simulazione Time domain valutando la
tensione ai capi di 1 . Inoltre, il tempo di salita stato impostato come variabile parametrica.
Run to time Start saving data after
4 10
(Tabella 10) Parametri simulazione Time domain. Il parametro "start saving data after" stato impostato su 10ns in modo da non
visualizzare nel grafico il transitorio.

Sweep variable Parameter name Sweep type


: 10; 1; 0.1
(Tabella 11) Parametri "time rise" del generatore V2

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(Fig. 13) Forma d'onda della tensione 1 zoomata nell'intorno di 2. Sono indicati i tempi di salita del segnale d'ingresso per
ciascuna delle 3 curve.

In (Fig.13) mostrato lo spike di corrente che si ha alla chiusura dellinterruttore (cio nellistante = 2
in cui V2 commuta da 0V a 5V). Si nota che le capacit intrinseche del MOS determinano picchi di tensione
che sono tanto pi elevati quanto pi il tempo di salita del segnale di clock piccolo: rallentando il tempo di
salita allora possibile ridurre lampiezza dello spike.

Un metodo per risolvere il problema dello spike di corrente quello di inserire un resistore 1 in parallelo
alla capacit 1 : le correnti di perdita in questa modo si scaricano sulla resistenza, evitando sbalzi di
tensione sul 1 .

(Fig. 14) Circuito con aggiunta del resistore 1 in parallelo a 1

(Fig. 15) Forma d'onda della tensione ai capi di 1 , zoomata nell'intorno di t=1s. I tempi di salita sono gli stessi indicati in (Fig.10)

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2.4) CMOS Switch (transmission gate)
Per risolvere il problema delle correnti di perdita possibile utilizzare switch realizzati con tecnologia
CMOS, composti da un NMOS e un PMOS posti in parallelo ed alimentati in controfase. In questo modo i
due MOS si accendono (stato bassa impedenza) o spengono (circuito aperto) contemporaneamente.

(Fig. 16) CMOS Switch (da "Figure 4.1-12, Allen Halberg-CMOS Analog Circuit Design, 3 edition)

Entrambi i dispositivi vanno dimensionati in maniera da avere la stessa resistenza equivalente ; deve
quindi essere soddisfatta la relazione:

( ) = ( )

Poich la mobilit dei portatori maggioritari di un NMOS (elettroni) maggiore dei rispettivi di un PMOS
(lacune), necessario che laspect ratio del PMOS sia maggiore di quello del NMOS a parit di . Si nota
che nelle espressioni delle non compare la dipendenza dalla tensione di controllo, come accade invece
nel MOS Switch.
Tuttavia, possibile utilizzare questo tipo di approccio finch i segnali di pilotaggio hanno frequenze
nellordine dei , perch salendo in frequenza non pi possibile utilizzare transistor di dimensioni
troppo elevate.

2.5) Resistenza di accensione dello Switch CMOS


Un ulteriore vantaggio degli switch CMOS la bassa resistenza daccensione . possibile valutarla al
variare della tensione V1 con la seguente configurazione:

(Fig. 17) Circuito per la valutazione della di un CMOS Switch al variare di V1

I due MOS sono alimentati in controfase, le tensioni sui gate di M1 e M2 sono rispettivamente 5V e 0V. Il
generatore ideale di corrente 1 polarizza i due MOS con una corrente costante. Il bulk del NMOS posto a
potenziale minore (in questo caso massa) mentre il bulk del PMOS a potenziale maggiore (5V).
Si quindi impostato un profilo di simulazione DC sweep con i parametri seguenti:
Sweep variable Sweep type Name Start value End value Increment
Voltage source Linear V1 0V 5V 0,0001
(Tabella 12) Parametri simulazione DC sweep

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La resistenza stata valutata come rapporto fra la tnsione ai capi dello switch e la corrente che lo
attraversa (quella fissata dal generatore ideale 1 ).

(Fig. 18) Caratteristica I-V dello switch CMOS al variare di V1

La caratteristica presenta approssimativamente una simmetria rispetto a V1/2; i due picchi sono quindi
dovuti a comportamenti duali, infatti:
Primo picco. Per bassi valori di tensione V1, la dellNMOS aumenta, mentre la del PMOS
diminuisce non consentendo al dispositivo di rimanere ben acceso. La dello switch, cio il parallelo
tra le resistenze dei due dispositivi, data prevalentemente dal contributo dellNMOS, che domina sul
PMOS.
Secondo picco. Per valori di tensione V1 elevati, la dellNMOS diminuisce non consentendo al
dispositivo di rimanere ben acceso. Allo stesso tempo la del PMOS aumenta; la data
prevalentemente dal contributo del PMOS che domina sullNMOS.
V1 = 2,5V. La corrente erogata da 1 si ripartisce nei due MOS quasi allo stesso modo. Nessuno dei due
dispositivi prevale sullaltro e conseguentemente i due transistor hanno una resistenza di accensione
molto simile. Si nota nella caratteristica infatti, che nellintorno di V1=2,5V, la resistenza assume un
valore minimo.
V1=0V. Il PMOS completamente spento e tutta la corrente erogata da 1 viene drenata dallNMOS.
V1=5V. LNMOS spento e tutta la corrente erogata da 1 fluisce nel PMOS.

2.6) CMOS utilizzato per pilotare un carico capacitivo


Con il circuito seguente si vuole valutare il comportamento di uno switch CMOS nel pilotaggio di un carico
capacitivo; in particolare si interessati ad un confronto delle correnti di perdita rispetto agli interruttori
MOS semplici.

(Fig. 19) Circuito di un CMOS utilizzato per caricare una capacit

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Linterruttore deve essere alimentato da due segnali di clock in controfase, ottenuti mediante due
generatori di onde quadre settati in questo modo:
Generatore Primo Secondo Ritardo di Tempo di Tempo di Periodo Duty cycle
valore valore fase salita discesa
1 0 5 0 1 1 2 50%
2 0 5 0 1 1 2 50%
(Tabella 13) Parametri dei due generatori di onda quadra

Per valutare la presenza di spike di corrente stata effettuata una simulazione Time domain valutando la
tensione ai capi di 1 .
Run to time Start saving data after
4 10
(Tabella 14) Parametri simulazione Time domain. Il parametro "saving data after" e stato impostato a 10ns in modo da non
visualizzare il transitorio nel grafico

(Fig. 20) Tensioni ai capi di 1

Si nota che nel passaggio tra valore alto e valore basso del clock non c nessun picco di tensione: le
correnti di perdita dei due dispositivi si annullano al nodo di uscita, essendo uguali ed opposte.

2.7) Confronto e riepilogo sugli switch


Vantaggi di un interruttore CMOS rispetto ad uno switch realizzato con tecnologia MOS:
Valore della resistenza pi bassi.
Il range di tensioni ai capi dello switch che permette di mantenere la ragionevolmente bassa pi
ampio rispetto, grazie alla tecnologia CMOS si ha una migliore gamma dinamica.
Nel caso di pilotaggio di un carico capacitivo si ha una riduzione delle correnti senza lutilizzo di resistori
in parallelo (si evita lingombro nel circuito integrato).
Svantaggi del CMOS rispetto ad uno switch MOS:
Necessit di due dispositivi attivi.
Necessit di due segnali di clock, uno complementare allaltro.

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3)SPECCHI DI CORRENTE
3.1) Caratteristica specchio semplice NMOS
Si considera il seguente specchio semplice NMOS:

(Fig. 21) Specchio semplice NMOS

Il ramo del transistor M1 chiamato ramo duscita dello specchio, mentre il ramo di M2 detto ramo di
riferimento. Il collegamento fra drain e gate del transistor M2 garantisce che questultimo, quando acceso,
operi sempre in condizioni di saturazione; il funzionamento di M1 dipende dalla sua 1. Pertanto, fissata
la 2 = 1 la corrente del ramo di riferimento costante; al variare di 1 = 2 cambier invece la
corrente del ramo duscita.

Per valutare la corrente di uscita dello specchio al variare dellaspect ratio di M1 e della V2 si effettuata
una simulazione DC sweep con i seguenti parametri:
Sweep variable Sweep type Name Start value End value Increment
Voltage source Linear V2 0V 10V 0,0001
(Tabella 15) Parametri simulazione DC sweep

Sweep variable Parameter name Sweep type


: 10; 20; 40
(Tabella 16) Valori del parametro wval

(Fig. 22) La corrente del ramo di riferimento costante (traccia blu), le correnti d'uscita variano al variare di e di wval.

Osservazioni:
Le dei due MOS sono uguali: tuttavia la corrente del ramo di riferimento viene perfettamente
replicata sul ramo duscita solo quando i due dispositivi hanno la stessa aspect ratio ( = 10) e
solo se 1 = 2 = 5.
Raddoppiando laspect ratio di M1 si nota che la corrente del ramo duscita circa raddoppiata.
Analogamente quando laspect ratio quadruplicata, la corrente nel ramo duscita risulta essere
anchessa quadruplicata.
Allaumentare di wval la pendenza delle correnti di uscita (cio la resistenza duscita per piccolo
segnale) risulta essere sempre meno costante allaumentare della tensione duscita V2.
Per far operare M1 in zona di saturazione necessario che V2 sia almeno pari o superiore a 1,5V: ne
consegue che il range di tensioni che fanno funzionare lo specchio in maniera corretta quindi molto
ridotto.
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3.2) Confronto tra specchi
Per effettuare un confronto fra diversi specchi di corrente si fissata la polarizzazione dei rami di
riferimento mediante un generatore di corrente da 10 e si utilizzato un net alias per far variare la
dei transistor duscita.

(Fig. 23) Configurazione utilizzata per i confronti

Il profilo di simulazione utilizzato per tutti i confronti il seguente:


Sweep variable Sweep type Name Start value End value Increment
1 ( Va) 0 10 0,0001
(Tabella 17) Parametri di simulazione DC

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3.3) Specchio semplice vs cascode

(Fig. 24) A sinistra il circuito di uno specchio semplice NMOS, a destra quello di uno specchio cascode. I MOS sono dimensionati in
modo da avere tutti stesso aspect ratio

Effettuando la simulazione DC Sweep si ottiene:

(Fig. 25) Corrente d'uscita dello specchio semplice (in verde) e dello specchio cascode (in rosso)

La pendenza della corrente duscita dello specchio cascode sembra nulla in saturazione, ci dovuto
alla resistenza di uscita pi elevata rispetto a quella di uno specchio semplice; analizzando il circuito per
piccolo segnale si ottiene infatti:
Specchio semplice Specchio cascode
Resistenza duscita 1 3 (1 + 3 5 )
(Tabella 18) Confronto resistenza d'uscita degli specchi

La dinamica risulta diminuita: M3 in saturazione 3 > 3 .


Ma 3 = 2 + 2 per cui la tensione minima che rende soddisfatta la relazione precedente
3() = 2 + . Uno specchio semplice invece richiede solo 1 .

Uno specchio cascode quindi ha una corrente duscita praticamente costante, grazie allelevatissimo ,
ma ha una scarsa dinamica dingresso. Questo rappresenta un problema nei circuiti in cui la tensione di
alimentazione molto ridotta: ad esempio, se una coppia differenziale alimentata da una tensione di 3
ed polarizzata da uno specchio cascode, =
1 sar necessario per il corretto funzionamento dello
specchio.

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3.4) Cascode vs high swing cascode

(Fig. 26) A sinistra il circuito di uno specchio cascode, a destra quello di uno specchio high swing cascode

Nello specchio cascode la 3() = 2 + . Poich 3 = 3 3 = risulta che 3 =


3 + 3 = . Risulta invece dal circuito che 5 = + ; dato che affinch M5 sia in
saturazione sufficiente che 5 , possibile risparmiare una di tensione.
Per due MOS tecnologicamente uguali in saturazione valida la relazione:

( ) 2
9 7
= 2
9
( )
7
Si nota che nel circuito dello specchio high swing cascode, stato imposto:
1
( ) = ( ) 9 = 27
9 4 7,8,10
In questo modo si ottiene: 9 = + 2 (anzich essere pari a + come per gli altri 3 MOS); in
questo modo risulta che la tensione minima per far funzionare correttamente lo specchio : 7() =
2 .

(Fig. 27) Corrente di uscita dello specchio cascode (in rosso) e dello specchio high swing cascode (in verde)

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(Fig. 28) Zoom della caratteristica nell'inizio della zona di saturazione, con relativi calori trovati con i due cursori.


Dalle misure effettuate si ottenuto che =
144 mentre =
905. La differenza
tra questi valori allincirca pari a =
760: questa la tensione che viene recuperata nella dinamica
di un high swing cascode.
Dalla caratteristica si nota che la corrente duscita del cascode allincirca pari ai 10 del ramo di
riferimento, mentre quella dellhigh swing cascode risulta essere inferiore. Analizzando le si osserva:
10 = 10 + 10, ma essendo drain e gate cortcircuitati si ha: 10 = 10 = + ;
7 = 2 = 7 + 8, da cui: 7 = 8 = .

Lespressione della corrente per un NMOS in saturazione :


1
= ( )2 (1 + )
2
A causa delle differenti e poich presente leffetto della modulazione della lunghezza di canale, la
corrente non viene specchiata perfettamente nel ramo duscita.
Infine si osserva che lo specchio high swing cascode utilizza due rami di riferimento, ci comporta un
aumento della potenza necessaria ad alimentarlo rispetto al cascode semplice.

3.5) High swing cascode vs improved high swing cascode


Per ottenere unesatta replica della corrente di riferimento si pu aggiungere un transistor in serie ad M10,
cosicch le tensioni di drain dei due MOS vengono forzate allo stesso valore: viene cos eliminato leffetto
della modulazione della lunghezza di canale. si ottiene in questo modo uno specchio improved high swing
cascode. Il collegamento a diodo di M14 viene effettuato tra il suo gate e il drain di M15.

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(Fig. 29) A sinistra circuito di uno specchio hs cascode, a destra circuito di uno specchio improved hs cascode

Effettuando la simulazione possibile confrontare le caratteristiche duscita di uno specchio cascode


semplice, un high swing cascode e di un improved high swing cascode.

(Fig. 30) Correnti di uscita di uno specchio cascode (traccia rossa), di uno high swing cascode (traccia verde) e di uno improved high
swing cascode (traccia blu)

La corrente di uscita dello specchio improved high swing cascode pari a quella del ramo di
riferimento, infatti, analizzando le tensioni:
= +
{ 15 15 =
15 = 2 +
Poich 15 = + , si ha che 15 = 15 + 15 = ; in definitiva: 14 = 15 =
.

Limproved high swing cascode ha la stessa ottima dinamica dellhigh swing cascode, quindi =
2 . Inoltre, tutti e tre gli specchi hanno la stessa resistenza duscita, molto elevata.

Dal punto di vista delle prestazioni limproved high swing cascode ha ottime caratteristiche: corrente
perfettamente specchiata, elevata resistenza duscita e ottima dinamica. Il prezzo da pagare per un
elevato consumo di potenza in quanto necessario alimentare cinque MOS e due rami di riferimento.

3.6) Self-biased cascode


possibile ridurre il consumo di potenza dello specchio improved high swing cascode eliminando sia un
ramo di riferimento che un transistor; le prestazioni invece rimangono invariate: le correnti duscita degli
specchi si sovrappongono perfettamente.
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(Fig. 31) Circuito di uno specchio self-biased cascode

(Fig. 32) Caratteristica d'uscita di un self-biased cascode (in verde) e di un improved hs cascode (in blu)

Anche questa configurazione presenta due problematiche:


Lintroduzione di un elemento resistivo aumenta notevolmente lingombro nella realizzazione di un
circuito integrato
Nel circuito c un nuovo nodo: ci significa che viene introdotto un polo indesiderato ed necessario
considerarne gli effetti in frequenza

4) RIFERIMENTI DI TENSIONE
I riferimenti di tensione sono nodi di un circuito che forniscono una tensione molto stabile e tale da non
essere inficiata da variazioni di segnale o temperatura, al contrario di quanto pu avvenire per alimentatori
e/o batterie.
Per quantificare la stabilit del riferimento alla tensione di alimentazione si introduce il parametro
sensitivity, definito come:


=


Con tensione di alimentazione del circuito e tensione di riferimento.
Un riferimento ideale ha una 0: non si ha alcuna variazione di al variare di .

Per valutare la sensitivity di vari circuiti si utilizzer sempre la seguente configurazione:

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Alimentazione: generatore di tensione 1 costante con in serie un generatore di onde sinusoidali 2 per
simulare le variazioni rispetto alle tensioni della rete.

(Fig. 33) Alimentazione

Profilo di simulazione: Time Domain (Transient) con Run to time = 50ms.

4.1) Partitore di tensione resistivo ed attivo

(Fig. 34) A sinistra partitore di tensione resistivo. A destra, NMOS connesso a diodo

Per il partitore resistivo si ha che:


4 4
= = =1
3 + 4 3 + 4

La configurazione con MOS connesso a diodo costituisce gi un primo miglioramento rispetto ad un


partitore resistivo, infatti:
2
7 = +

Si ha quindi in questo caso:
2 ( )
= 7 = +
5
Da questultima relazione si nota come il legame fra la e la non pi dato dalla diretta
proporzionalit (come nel caso del partitore resistivo) e ne consegue una sensitivity migliore.

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Avviando la simulazione si ottiene:

(Fig. 35) Caratteristica di (verde) partitore resistivo (blu) partitore attivo (rosso)

[%]
Partitore resistivo 2,5 498 5 996,2 1 100%
Partitore attivo 917,741 24,604 5 996,2 0,1346 13,5%
(Fig. 36) Calcolo della sensitivity

4.2) Diodo zener


Un altro riferimento di tensione comunemente utilizzato il diodo zener: polarizzato inversamente, al
raggiungimento della tensione di breakdown, fornisce una tensione fortemente scorrelata
dallalimentazione. Inoltre, la sua resistenza di piccolo segnale (sempre in breakdown) molto bassa (30
50) e ci lo rende un eccellente riferimento di tensione. Per quanto riguarda la sensitivity, risulta che:
1


Dove BV :breakdown Voltage.
Tuttavia, la BV dipende fortemente dalla temperatura (+3/), per cui variazioni di temperatura che
superano i 10C lo rendono praticamente inutilizzabile, se non in certi ambiti. Di contro, utilizzare un diodo
anzich circuiti pi complessi pu essere preferibile in determinate circostanze.

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4.3) Bootstrap refence-specchio semplice

(Fig. 37) Riferimento di tensione bootstrap. Si nota lo specchio semplice M1-M2 e, nella parte sinistra, M5-M6-R2 che fungono da
circuito di start-up. Il transistor M3 introduce una retroazione negativa che migliora l'uguaglianza di 1 ed 2 .

Lo specchio semplice costituito da M1 e M2 determina le correnti 1 = 2. Poich nel gate di M3 non pu


scorrere corrente, 2 entra in M4 e determina una 4 , mentre ai capi di 1 c una caduta di potenziale
(dato che esso attraversato dalla stessa corrente 1 specchiata nellaltro ramo).
Le due tensioni sono connesse (4 = 1 1 ), si deve quindi raggiungere un punto di equilibrio, dato
dallintersezione delle due caratteristiche di corrente:

(Fig. 38) Caratteristiche di corrente (da "Figure 4.5-5 (b), Allen Holberg-CMOS Analog Circuit Design, 3 edition")

Il circuito una sorta di bistabile, presenta cio due punti di equilibrio: Q e lorigine. Per il corretto
funzionamento del circuito necessario che il punto di lavoro resti Q e va impedito che, a causa di
variazioni di alimentazione, si sposti nellorigine.
A questo scopo provvede il circuito di start-up; sostanzialmente impedisce che M4 lavori al di fuori della
condizione di saturazione.

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Se il circuito nel punto di equilibrio indesiderato, allora 1 = 2 = 0. Il transistor M5 inietta corrente in
M4, ripristinando la condizione di equilibrio. Qualunque sia la variazione dellalimentazione, infatti, M5
continuer a fornire corrente: esso polarizzato da un lato da 2 e dallaltro da un MOS M6, che essendo
collegato a diodo, costituisce un riferimento stabile.
Man mano che M4 si riaccende aumenta la tensione di source di M5, finch la 5 diviene insufficiente ed
il transistor M5 si spegne, scollegando il circuito di start-up dal bootstrap.

Ponendo due sonde di tensione, una sulla tensione di alimentazione V1 ed una sulla (ai capi di R1),
possibile valutare la sensitivity:

(Fig. 39) Forma d'onda dell'alimentazione (in verde) e della tensione di riferimento (in rosso) con relative misure delle tensioni picco-
picco

[%]
802,202 2,629 5 996,2 0,01645 1,645%
(Tabella 19) Calcolo della sensitivity

La sensitivity molto buona, tuttavia, gli effetti della modulazione di lunghezza di canale che interessano lo
specchio M1-M2 fanno s che le correnti 1 ed 2 non siano perfettamente identiche.
Per quantificare queste variazioni delle correnti si utilizzato il seguente profilo di simulazione DC Sweep:

Sweep variable Sweep type Name Start value End value Increment
1 ( va) 0 6 0,0001
(Tabella 20) Parametri simulazione DC Sweep

(Fig. 40) Corrente del ramo di riferimento valutato dal source di M1 (verde). Corrente del ramo d'uscita valutato sul ramo di source
di M2 (in rosso). In basso a destra correnti valutate per V1=5V attraverso il cursore.

Si nota che per V1=5V le correnti non sono per nulla uguali (2 9,23, 1 8,02).
La situazione peggiora allaumentare della tensione: la corrente del ramo duscita si discosta sempre di pi
da quella di riferimento.

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quindi necessario migliorare la resistenza duscita dello specchio per rendere la ancora meno
dipendente dalla tensione di alimentazione .

4.4) Bootstrap reference - self-biased casscode

(Fig. 41) Botstrap con specchio self-biased cascode (M7-M8-M9-M10-R3)

Affinch le correnti siano perfettamente uguali, si sostituito lo specchio semplice con un self-biased
cascode. Si sono valutate le correnti di riferimento e di uscita dello specchio con il seguente profilo di
simulazione:
Sweep variable Sweep type Name Start value End value Increment
1 ( va) 0 6 0,0001
(Tabella 21) Parametri simulazione DC sweep

(Fig. 42) Corrente del ramo di riferimento valutata sul surce di M7 (in rosso) e corrente del ramo d'uscita valutata sul surce di M9 (in
verde). In basso a destra misura della corrente per V1=5V

Questa volta per V1=5V le correnti sono allincirca uguale (9 8,055, 7 7,964) e ci
analogamente valido per tutti i valori di tensione di alimentazione che garantiscono il corretto
funzionamento del circuito.

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Di conseguenza ci si aspetta anche un valore della sensitivity migliore. Per valutare la S sono state poste
due sonde di tensione, una sulla tensione di alimentazione V1 e laltra sulla tensione di riferimento
valutata ai capi di R1; si utilizzato il solito profilo di simulazione:

(Fig. 43) Forma d'onda della tensione di alimentazione (in verde) e della tensione di riferimento (in rosso). In basso a destra misura
delle tensioni picco-picco ottenute mediante cursori.

[%]
797,0 100 5 996,2 6,3 104 0,063%
(Tabella 22) calcolo della sensitivity

Il valore ottenuto eccellente: con il self-biased cascode si ottenuta la quasi totale uguaglianza delle
correnti di riferimento e di uscita, nonch un notevole aumento della resistenza di uscita grazie alla quale le
correnti rimangono costanti al variare dellalimentazione.

4.5) Riepilogo e confronto


Partitore di MOS connesso Diodo Zener Bootstrap Bootstrap
tensione a diodo specchio self-biased
resistivo semplice cascode
Sensitivity 100% 13,5% 0,2% 1,645% 0,063%
(Tabella 23) Confronto fra i valori di S per i vari riferimenti di tensione.

Si osserva che il diodo zener fornisce una tensione di riferimento che meno correlata alla tensione di
alimentazione rispetto, ad esempio, ad un bootstrap con specchio semplice; esso tuttavia, non presenta un
comportamento ottimale nei confronti delle variazioni di temperatura. Ne consegue che in base agli spazi
disponibili ed alle temperature di esercizio pu essere preferito il diodo o il bootstrap; generalmente il
primo viene impiegato in circuiti a componenti discreti, il secondo nei circuiti integrati.

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5) AMPLIFICATORI
Linverter uno ei blocchi base nei circuiti CMOS. generalmente costituito da un MOS in configurazione
source comune con un carico attivo: questultimo pu essere realizzato in tre maniere diverse che verranno
di seguito analizzate.
Per confrontare i 3 tipi di amplificatore si utilizzata la stessa alimentazione (net alias Vdd).

(Fig. 44) Alimentazione DC

Sono stati utilizzati anche i seguenti profili di simulazione:


Source name Sweep variable Sweep type Start value End value Increment
0 5 1
0 5 0,0001
(Tabella 24) Profilo di simulazione per valutare i punti della VTC

Source name Sweep variable Sweep type Start value End value Increment
0 5 0,0001
(Tabella 25) Profilo di simulazione per ottenere la curva VTC

AC Sweep Type Start frequency End frequency Points/Decade


1 100 1000
(Tabella 26) Profilo di simulazione per l'analisi in frequenza

5.1) Active Load Inverter


In questa configurazione lNMOS in configurazione source comune ha come carica attivo un PMOS
connesso a diodo.

(Fig. 45) Active Load Inverter

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Analisi statica (VTC)
Lobiettivo individuare la caratteristica al fine di trovare i valori di tensione per i quali i
transistor sono in saturazione ed i valori di da applicare per non uscire dalla dinamica (e quindi riuscire
ad amplificare il segnale dingresso). Effettuando la simulazione si ottiene:

(Fig. 46) Caratteristica di uscita di M2 (verde) e retta di carico M1 (rosso). quest'ultima non che la transconduttanza di M1
invertita e sottratta alla

I punti di intersezione delle due caratteristiche sono quelli che servono per descrivere la VTC. Si nota che
non ci sono punti dincontro che giacciono sugli assi: non si ha un amplificatore rail-to-rail (la dinamica non
arriva a 0V e 5V).
Per visualizzare la caratteristica statica si pu inserire un carico capacitivo 1 = 10 (carico caratteristico)
al posto del generatore Vout e procedere quindi con la simulazione.

(Fig. 47) Circuito per valutare la VTC

possibile valutare la tensione ai capi di 1 effettuando la simulazione DC sweep:

(Fig. 48) tensione ai capi di C1 (verde) e retta 2 (rosso)

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La pendenza della curva negativa, la caratteristica dellamplificatore invertente.
I risultati ottenuti mostrano la dinamica dellactive load inverter:
< 2,26 1 2
{
> 2,26 2 1

> = 1,49 1 2
{
< = 1,49 2 1

Dove = 0 = 0,77 poich bulk e source di M2 sono allo stesso potenziale.

La pendenza nella zona in cui entrambi i MOS sono in saturazione rappresenta il guadagno
dellamplificatore valutata mediante i due cursori, risulta pari a
= 1,84

Analisi temporale

(Fig. 49) Circuito Active Load Inverter modificato per l'analisi nel dominio del tempo

Il generatore stato fissato ad un valore di tensione per cui M2 in saturazione. In serie stato inserito
un generatore di onde sinusoidali V2 con le seguenti caratteristiche:
Source name Voltage offset Amplitude Frequency
2 0 10 1
(Tabella 27) Parametri generatore V2

In questo modo M2 sicuramente in zona di saturazione. Ora possibile confrontare le forme donda della
tensione dingresso effettuando la simulazione con = 4.

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(Fig. 50) Tensione di uscita (verde), tensione in ingresso (rosso). In basso a destra misure prese attraverso i cursori.

37,2
= = = 1,86
20

Analisi in frequenza
Impostando AC=1 sul generatore di onde sinusoidali V2 ed utilizzando il profilo di simulazione per lanalisi in
frequenza, possibile tracciare il diagramma di Bode della funzione di trasferimento del circuito che dalla
teoria risulta essere:

() ( + 1)
1
=
()
1
1
Si nota lazione del polo e successivamente di uno zero (in trasmissione).

(Fig. 51) Diagramma di Bode delle ampiezze (in alto) e delle fasi (in basso) di / . In basso a sinistra misure del guadagno e
della frequenza di taglio effettuate tramite cursori.

| | | |
| | =
5,424 1,867
(Tabella 28) Guadagno in dB a centro banda e relativo valore naturale

Utilizzando un cursore per valutare dove il diagramma di Bode delle ampiezze si riduce di 3dB (e il
diagramma delle fasi vale 135) rispetto al valore del guadagno a centro banda, possibile ricavare la
frequenza di taglio del circuito che risulta:
616,596

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5.2) Current Source Inverter
Questa configurazione ha un guadagno maggiore rispetto allactive load inverter perch utilizza il ramo
duscita di uno specchio di corrente come carico attivo: la resistenza duscita risulter quindi pi elevata. Il
carico attivo costituito da un PMOS in configurazione gate comune, connesso ad una tensione di
riferimento = 2. Rispetto allamplificatore precedente, entrambi i transistor possono uscire dalla
zona di saturazione (non presente il collegamento a diodo come nellactive load inverter).

(Fig. 52) Current source inverter

Analisi statica (VTC)


Analogamente allactive load inverter, lo scopo quello di individuare la caratteristica per
valutare i limiti di dinamica.
Per determinare le correnti di drain di M4 e di source di M3 si effettuata una simulazione DC sweep:

(Fig. 53) Caratteristica di uscita di M4 (in rosso) e di M3 (in verde)

I punti dintersezione delle due caratteristiche sono quelli che servono per descrivere la VTC.

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Per visualizzare la caratteristica statica stata inserita una capacit 1 al posto del generatore ed in
seguito valutare la tensione duscita.

(Fig. 54) Circuito per valutare la VTC

Per visualizzare la tensione ai capi della capacit si effettuata la simulazione; per individuare le regioni in
cui ciascun transistor lavora in saturazione si sono inserite due rette:
NMOS:
4 = 0,77
PMOS:
3 3 | |
| |
+ | |
2,81

Si considerato = 0 = 0,81 e = 0 = 0,77 (bulk e source sono allo stesso


potenziale).

(Fig. 55) VTC, tensione di uscita in funzione d'ingresso con le due rette per individuare la regione in cui entrambi i dispositivi
sono in saturazione.

1,92 2,007
{
1,23 2,81
La pendenza nella zona in cui i MOS sono in saturazione rappresenta il guadagno il guadagno
dellamplificatore: valutata attraverso i due cursori risulta essere:
17,9

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Analisi temporale

(Fig. 56) Circuito per l'analisi nel dominio del tempo

Source name Voltage offset Amplitude Frequency


2 1,96 10 1
(Tabella 29) Parametri generatore V2

Il generatore V2 stato impostato con un Voltage offset VOFF=1,96V in modo che entrambi i MOS siano in
saturazione ( = 1,96 a met della dinamica dingresso trovata).

Ora possibile confrontare le forme donda delle tensioni di ingresso e duscita effettuando una
simulazione con = 4.

(Fig. 57) Tensione in uscita (verde), tensione in ingresso (rosso) e tabella contenente i valori picco-picco delle due tensioni ottenuti
tramite i cursori.


= 17,91

Analisi in frequenza
Impostando AC=1 sul generatore di onde sinusoidali V2 ed utilizzando il profilo di simulazione per lanalisi in
frequenza, possibile tracciare il diagramma di Bode della funzione di trasferimento del circuito.

Si nota lazione del polo e successivamente dello zero (di trasmissione).

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(Fig. 58) Diagramma di Bode delle ampiezze in dB (verde) e delle fasi (rosso) di / . In basso a sinistra tabella relativa al
guadagno in dB a centro banda e alla frequenza di taglio ottenuti attraverso i cursori.

| | | |
| | =
25,305 18,42

Attraverso il cursore si valutato dove il diagramma di Bode delle ampiezze si riduce di 3dB (e quindi il
diagramma delle fasi cale 135) rispetto al valore del guadagno a centro banda, si quindi stimata la
frequenza di taglio:
75,906

5.3) Push-Pull inverter

(Fig. 59) Circuito push-pull inverter

Collegando i gate di NMOS e PMOS si ottiene un amplificatore invertente CMOS detto push-pull. Ci si
aspetta un guadagno molto elevato dato che i due MOS sono alimentati dalla stessa tensione.

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Analisi statica (VTC)

(Fig. 60) Corrente di source di M5 (verde) e di drain di M6 (rosso)

Essendo entrambi i dispositivi alimentati dalla stessa tensione, si visualizzano entrambe le caratteristiche:
anche il punto di lavoro del PMOS varia al variare dellalimentazione. I punti dintersezione delle due
caratteristiche sono quelli che servono per descrivere la VTC.
Si nota inoltre che, a differenza degli altri due amplificatore, luscita dellamplificatore rail-to-rail (ci sono
punti dintersezione che giacciono sugli assi).

Per visualizzare la caratteristica occorre inserire una capacit C1 al posto del generatore e valutare la
tensione duscita.

(Fig. 61) Circuito per valutare VTC

Si valutata la regione in cui entrambi i transistor lavorano in saturazione:


NMOS:
6
PMOS:
5 5 | |
| |
+ | |
Con = 0 = 0,81 e = 0 = 0,77 (bulk e source allo stesso potenziale).

Si individuato il range di valori che pu assumere la tensione duscita mantenendo in saurazione


entrambi i MOSFET:
0,77 + 0,81

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(Fig. 62) VTC, tensione d'uscita in funzione della tensione in ingresso (verde) con le due rette che individuano la regione in cui
entrambi i MOS lavorano in saturazione. La tabella riporta i limiti della dinamica.

La pendenza della curva negativa, la caratteristica dellamplificatore invertente.


possibile individuare la dinamica:
1,947 < < 2,006
{
1,235 < < 2,756
La pendenza nella zona in cui entrambi i MOS sono in saturazione rappresenta il guadagno
dellamplificatore:
25,8
La regione di funzionamento la pi ristretta fra i 3 amplificatori, ma il guadagno il pi elevato.

Analisi Temporale

(Fig. 63) Circuito del Push-Pull per l'analisi temporale

Il generatore V2 stato impostato con un offset (VOFF=1,96V circa la met della dinamica dingresso) in
modo che entrambi i MOS siano in saturazione.
Source name Voltage offset Amplitude Frequency
2 1,96 10 1
(Fig. 64) Parametri generatore V2

In questo modo si rientra sia nei valori della dinamica dingresso che nei valori della dinamica duscita.
possibile confrontare le forme donda della tensione dingresso e duscita effettuando una simulazione
Time domain con = 4.

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(Fig. 65) Tensione in uscita (verde),tensione in ingresso (rosso), tabella con valori picco-picco delle tensioni ottenute mediante i due
cursori.

514
= 25,7
20

Analisi in frequenza
Impostando AC=1 sul generatore di onde sinusoidali V2 ed utilizzando il profilo di simulazione per lanalisi in
frequenza, possibile tracciare il diagramma di Bode della funzione di trasferimento del circuito.

Si nota la presenza di un polo e di uno zero di trasmissione.

(Fig. 66) Diagramma di Bode delle ampiezze in dB (verde) e delle fasi (rosso) di / . Tabella relativa al guadagno in dB a centro
banda e alla frequenza di taglio.

| | | |
| | =
28,432 26,4
(Tabella 30) Guadagno in dB a centro banda e relativo valore naturale

Utilizzando il cursore per valutare il punto in cui il diagramma di Bode delle ampiezze si riduce di 3dB (e il
diagramma delle fasi vale 135) rispetto al valore del guadagno a centro banda, possibile stimare la
frequenza di taglio del circuito che risulta:
80,124

5.4) Confronto e riepilogo


Il circuito utilizzato per confrontare i tre amplificatori il seguente:

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(Fig. 67) Circuito per il confronto delle tre configurazioni

Nella figura stato realizzato un confronto delle prestazioni in frequenza dei tre amplificatori:

(Fig. 68) Risposta in frequenza di ampiezza (in alto) e risposta in frequenza di fase (in basso) degli amplificatori push-pull inverter
(blu), current source inverter (rosso), active load inverter (verde)

Nella tabella sottostante una panoramica delle principali caratteristiche:


Guadagno (valori Banda Dinamica dingresso Ampiezza dinamica Rail-to-rail
naturali) dingresso
Active load 1,867 616,596 0 < < 2,26 2,26
inverter
Current source 18,42 75,906 1,92 < 87
inverter < 2,007
Push-pull 26,4 80,124 1,947 < < 2,006 59
inverter
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(Tabella 31) Confronto caratteristiche amplificatori

Si nota che allaumentare del guadagno si riduce sia la banda disponibile che la dinamica dingresso.

Confrontando il Current-Source Inverter ed il Push-Pull Inverter si osserva:


Il guadagno del Push-Pull circa pari ad una volta e mezzo quello del Current Source, col vantaggio di
mantenere la stessa banda;
Lespressione del guadagno direttamente proporzionale allinverso della radice quadrata della
corrente di drain:
1
=

Ci valido finch i MOS operano in weak inversion: le correnti sono basse e la transconduttanza
molto elevata ed proprio in questa condizione che si realizza il guadagno massimo (e non in strong
inversion).

Infine, mediante un FFT possibile verificare il contenuto di armoniche nei tre segnali:
A = 0 si hanno tre valori di tensione corrispondenti al valor medio di armoniche nei tre segnali
duscita;
A = 1 si ha la componente spettrale che rappresenta la sinusoide dingresso.
Sono presenti inoltre delle componenti armoniche di minore ampiezza dovute alla distorsione di non
linearit degli amplificatori.

(Fig. 69) FFT dei segnali di uscita con asse delle ordinate in scala logaritmica. Si osservano: Push-Pull in blu, Current source inverter
in rosso e Active load inverter in verde.

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6) PROGETTO DI UN OTA
Si vuole realizzare un amplificatore differenziale con le seguenti caratteristiche:
Slew Rate Frequenza di taglio Guadagno ICMR Potenza Carico
100 100 1,5 2 1 = 5
10

(Tabella 32) Specifiche di progetto

Le specifiche di progetto hanno portato al dimensionamento dei componenti in modo seguente:

(Fig. 70) Circuito dell'OTA

I dispositivi M5-M6 costituiscono uno specchio semplice ed 1 nel ramo di riferimento per dimensionare
la corrente duscita. M1 ed M2 costituiscono la coppia differenziale ed alluscita di M2 collegato un carico
capacitivo 1 .
Occorre verificare che il circuito cos dimensionato soddisfi i requisiti indicati.

6.1) Correnti nella coppia differenziale


Innanzitutto, necessario verificare che le correnti che alimentano la coppia differenziale siano uguali, in
modo da abbattere il pi possibile il guadagno di modo comune.

Ipotizzando 1 = 2 ed avendo dimensionato ( ) = ( ) dovrebbe risultare:
1 2
5
1 = 2 =
2
La corrente nel ramo duscita dello specchio dovrebbe partizionarsi perfettamente nei due rami, poich
questi sono simmetrici.
Per verificare luguaglianza delle correnti si posto un generatore di tensione V1 in ingresso alla coppia
differenziale nel modo seguente:

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(Fig. 71) Porzione del circuito modificata per la verifica dell'uguaglianza delle correnti: M1 ed M2 sono alimentate dal generatore
V1. Il resto del circuito rimasto invariato.

Le correnti di drain sono state valutate mediante tre sonde con un profilo di simulazione DC Sweep:
Source name Sweep variable Sweep type Start value End value Increment
1 2,5 2,5 0,00001
(Fig. 72) Parametri della simulazione DC Sweep

(Fig. 73) Correnti 1 e 2 e corrente d'uscita dello specchio 5 . Valori delle correnti per 1 = 1.

Si nota che le tracce delle correnti di M1-M2 sono perfettamente sovrapposte. Prendendo 1 = 1 si trova:
5
5 100,44 1 = 2 = 50,22
2

6.2) Analisi statica

(Fig. 74) Configurazione per l'analisi statica. L'ingresso di M1 rimane collegato al generatore V1, mentre l'ingresso di M2
cortocircuitato a massa.

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Offset
Idealmente, con i terminali a di ingresso della coppia differenziale posti a 0V, la tensione duscita dovrebbe
essere pari a 0V. Ci non accade nella realt, per cui, in un amplificatore differenziale reale, la tensione di
offset duscita viene definita come la differenza tra il valore di tensione che si rileva effettivamente in uscita
e quella che si dovrebbe avere idealmente.

Si perci valutata, con una sonda, la tensione duscita attraverso una simulazione DC Sweep:
Source name Sweep variable Sweep type Start value End value Increment
1 2,5 2,5 0,00001
(Tabella 33) Parametri della simulazione DC Sweep

(Fig. 75) Caratteristica d'uscita con misura per il valore della tensione di offset

Per V1=0V i dispositivi M1-M2 hanno il terminale dingresso allo stesso potenziale. Si pu notare che per
1 7,9 0 si ha un offset sulla tensione duscita pari a 1,1276.
Si nota inoltre che lamplificatore rail-to-rail (le tensioni in uscita variano da -2,5V a 2,5V).

Dinamica
Il guadagno massimo dellamplificatore si ha quando i transistor M2-M4 sono in saturazione. Le relazioni
che permettono di verificare questa condizione sono, rispettivamente:
M4
4 4 | |
4 | |
4 + | |
M2
2 2
2 2 2
2
Poich 2 = 0
Concludendo, deve risultare:
0,77 4 + 0,81
Essendo = 0 = 0,77 e = 0 = 0,81 (bulk e source sono allo stesso potenziale).

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(Fig. 76) VTC con le rette che individuano la zona in cui i due MOS sono in saturazione. Misure relative ai limiti di dinamica.




28,25 8,61 36,86
(Tabella 34) Dinamica d'ingresso




770 1,93 2,7
(Tabella 35) Dinamica d'uscita

6.3) Analisi in frequenza


Per effettuare questo tipo di analisi si lasciato il gate di M2 connesso a massa e si posto in ingresso ad
M1 un generatore sinusoidale con i seguenti parametri:
Source name Voltage offset Amplitude Frequency
1 0 7 1
(Tabella 36) Parametri generatore sinusoidale

(Fig. 77) Circuito modificato per l'analisi in frequenza (la configurazione restante rimane invariata)

Guadagno
Dopo aver settato il parametro AC=1 al generatore V1 si effettuata una simulazione AC Sweep:
AC sweep type Start frequency End frequency Points/decade
1 100 1000
(Fig. 78) Parametri simulazione AC

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(Fig. 79) Grafico / e misura del guadagno per = 1


Ponendo un cursore su = 1 si rileva un guadagno 101,25 = 100.

Frequenza di taglio
Per verificare se la frequenza di taglio rispetta le specifiche si tracciato il diagramma di Bode elle ampiezze
in dB:

(Fig. 80) Diagramma di bode delle ampiezze (in dB) di / . Misura della frequenza di taglio attraverso i cursori.


268,35 = 100

6.4) Analisi temporale


Guadagno
Utilizzando lo stesso circuito impiegato nellanalisi in frequenza si creato un profilo di simulazione Time
Domain con i seguenti parametri:
Run to time Maximum step size
4 0,00001
(Tabella 37) Parametri simulazione Time Domain

La tensione dingresso e di uscita sono state individuate mediante due sonde di tensione:

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(Fig. 81) Tensione in ingresso (rosso), tensione in uscita (verde) con relativo offset (giallo), misure delle tensioni picco-picco

1,3461
= 96,16 < = 100
13,998 103
Il valore trovato risulta leggermente inferiore rispetto alle specifiche (al contrario dei valori individuati
precedentemente nellanalisi in frequenza).

FFT
Mediante un FFT possibile verificare il contenuto di armoniche nel segnale di uscita ed effettuare anche
unulteriore stima del guadagno:
A = 0 si ha una componente corrispondente alla tensione di offset.

(Fig. 82) Valore di tensione sulla FFT per f=0Hz


Dalla misura effettuata risulta = 1,289 = 1,1276

A = 1 si ha la componente spettrale che rappresenta la sinusoide dingresso.

Sono presenti inoltre delle component armoniche a frequenza 1kHZ di minore ampiezza dovute alla
distorsione di non linearit dellOTA. Inoltre, non si ben centrati nella dinamica dingresso ma si sta
leggermente sul gomito del limite superiore.

(Fig. 83) FFT segnale d'uscita

Confrontando il valore di tensione dingresso/uscita nel picco a = 1 si ottiene unaltra stima del
guadagno:

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(Fig. 84) FFT del segnale d'ingresso (rosso) e del segnale d'uscita (verde). Tabella con misura delle tensioni per f=1kHz.

679,572
= 96,92
7,0114
Anche il guadagno valutato i n questo modo risulta inferiore a quello previsto dalle specifiche.

6.5) Slew Rate


Lo slew rate definito come la massima variazione della tensione duscita e fornisce unindicazione sulla
capacit dei sistemi di reagire agli stimoli, senza introdurre distorsioni.
In un OTA CMOS dipende dalla corrente duscita dello specchio che polarizza la coppia differenziale (5 ) e
dalla capacit connessa al nodo duscita (1 ).
5
=
1
Il circuito stato modificato nel modo seguente:

(Fig. 85) M2 con il gate a massa, M1 con il gate collegato al generatore donda quadra V1

Generatore Primo Secondo Ritardo di Tempo di Tempo di Periodo Duty cycle


valore valore fase salita discesa
1 2,5 2,5 1 10 10 2 50%
(Tabella 38) parametri del generatore di onda quadra

Il profilo di simulazione lo stesso utilizzato per valutare il guadagno nellanalisi temporale:


Run to time Maximum step size
4 0,00001
(Tabella 39) Parametri simulazione Time Domain

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(Fig. 86) Le forme d'onda delle tensioni di ingresso e di uscita sembrano perfettamente coincidenti

Zoomando sul fronte donda di discesa e di salita la situazione appare diversa:

(Fig. 87) A sinistra zoom del fronte di salita (t=1ms); a destra zoom del fronte di discesa (t=2ms)

Il sistema risponde diversamente al fronte di salita/discesa.


Per calcolare lo SR relativo al fronte di salita bisogna valutare il rise time, ossia il tempo necessario affinch
il segnale si porti dal 10% al 90% del suo valore picco-picco (in questo caso i valori ottenuti andranno
sommati al valore minimo: -2,5V).
In maniera reciproca, per calcolare lo SR relativo al fronte di discesa, va stimato il tempo necessario
affinch il segnale duscita si porti dal 90% al 10% del suo valore picco-picco (analogamente a prima i valori
ottenuti andranno sommati al valore minimo del segnale)
Analiticamente i valori sono:
90%
= 2
{ 10%
= 2
Mediante i due cursori si ottenuto:
90% 10%

4
= 90% 10%
= 40 > = 10
( ) 0.1
90% 10%
4
= 10% 90%
13,33 > = 10
0,3
Anche se < , entrambi riescono a soddisfare la specifica.

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6.6) CMRR
Un parametro che indica le prestazioni degli amplificatori differenziali il rapporto di reiezione di modo
comune (CMMR). Risulta definito come il rapporto fra il modulo del guadagno di modo differenziale e il
modulo del guadagno di modo comune. Viene generalmente espresso in dB:
| |
| 20 log10
| |
Un amplificatore differenziale ha un 0 e un

Guadagno di modo differenziale


Definendo = + ed applicando in ingresso ad una generica coppia differenziale due segnali
identici in modulo opposti in fase risulta:

+ = + =
{ 2 { 2

= =
2 2
Lamplificatore che si sta studiando ha invece una sola uscita, sul drain di M2. Risulta allora che = .
Il circuito utilizzato il seguente:

(Fig. 88) Circuito modificato per la valutazione di

I generatori V1 e V2 sono duali e sono posti in ingresso alla coppia differenziale.


Source name Voltage offset Amplitude Frequency
1 0 5 1
2 0 5 1
(Tabella 40) Parametri generatori V1 e V2

La tensione duscita valutata mediante una sonda su 1 con il seguente profilo di simulazione:
Run to time Maximum step size
4 0,00001
(Tabella 41) Parametri di simulazione Time domain

(Fig. 89) Forma d'onda della tensione d'uscita. Misura della tensione picco-picco effettuata tramite cursori

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1,8426
= 92,13
20

Guadagno di modo comune


+
Definendo = + 2 ed applicando in ingresso ad una generica coppia differenziale due segnali
identici in modulo risulta:
= =
{ + { +
= =
Lamplificatore che si sta studiando ha una sola uscita sul drain di M2. Risulta quindi = . Il circuito
utilizzato il seguente:

(Fig. 90) Circuito modificato per il guadagno di modo comune (in ingresso M1-M2 applicato al segnale )

Applicando in ingresso due segnali sinusoidali uguali, idealmente, nel ramo duscita (1 ) la corrente
dovrebbe essere nulla: effettuando un bilancio di correnti al nodo si nota che la corrente di drain di M2
uscente mentre quella di M4 entrante. In realt la corrente non nulla ma comunque molto piccola,
infatti la tensione duscita (valutata con le stesse modalit usate per il guadagno di modo differenziale)
risulta essere:

(Fig. 91) Forma d'onda della tensione in ingresso (rosso) e della tensione in uscita (verde). Misura del valore picco-picco (mediante
cursori) delle tensioni d'uscita

100
= 0,01
9,998
Ora possibile calcolare il CMRR:
92,13
= 20 log10 20 log10 79,3
| | 0,01

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6.7) ICMR
Lintervallo di ingresso di modo comune indica per quale range di tensioni di modo comune lamplificatore
riesce ad amplificare il segnale differenziale con un guadagno costante. In altre parole, lICMR definisce un
range di tensioni di modo comune per il quale tutti i transistor sono in saturazione.

(Fig. 92) Circuito per la valutazione dell'ICMR

Per individuare analiticamente lICMR si applica ai gate M1-M2 una stessa tensione di modo comune.
Per la vanno analizzati due percorsi per i quali risulta:

1 3 1 = 1

= 1 1 3 + = 3 + 1
{ 2
2 4 = 2 2 4() + = + 4() + 2

Il primo percorso quello che va studiato da un punto di vista di caso peggiore: se si vuole incrementare
necessario utilizzare un carico diverso dal ramo di riferimento di uno specchio di corrente per M1.

Per la il percorso unico, assumendo 1 = 2


= 1

= 2
= 1 + 5() +
Per cui in conclusione:
1 + 5() + 5 < < 3 + 1

In questo modo, noto lICMR e le correnti di polarizzazione, possibile dimensionare gli aspect ratio dei
transistor interessati.

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Per lanalisi mediante simulazione dellICMR si utilizzato un generatore sinusoidale V1 (segnale di modo
differenziale) ed un generatore di tensione continua V2 (segnale di modo comune).
Si quindi effettuata una simulazione parametrica, coi seguenti parametri:
Run to time Maximum step size
4 0,00001
(Tabella 42) Profilo di simulazione Time Domain

Voltage Source Value list [V]


2 2,5; 2; 1; 1,5; 0,5; 1; 1.5; 2; 2,5
(Tabella 43) Parametric Sweep

La tensione duscita risulta essere:

(Fig. 93) Tensione d'uscita per tutti i parametri di V2

Le forme donda che non sono sinusoidi corrispondono a tensioni di modo comune che vanno scartate in
quanto non garantiscono il corretto funzionamento dellamplificatore.
Eliminando dalla simulazione parametrica i valori: -2,5V; -2V; 2V; 2,5V si ottiene:

(Fig. 94) Tensione di uscita per alcuni parametri di V2

Dalla figura si evince che anche le curve corrispondenti a 1V e 1,5V andrebbero scartate.

Inoltre, va verificato per quali dei parametri rimanenti valida la specifica sul guadagno = 100

(Fig. 95) Misura delle tensioni picco-picco mediante due cursori

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[] [] [] = /
-1,5 1,7048 14 121,77
-1 1,5593 14 111,38
-0,5 1,4578 14 104,13
1 1,0646 14 76,04
1,5 0,8297 14 59,26
(Tabella 44) Calcolo parametro per ciascun guadagno

Scartati i valori 1V e 1,5V che determinano un guadagno troppo basso rispetto alla specifica, bisogna
ispezionare lintervallo 2 < < 0,5

Stima minimo
Per effettuare una stima pi precisa si si effettuata unaltra simulazione:
Voltage source Sweep type Start value End value Increment
2 2 1,5 0,1
(Tabella 45) Parametri V2

(Fig. 96) Forme d'onda ottenute

Tutte le sinusoidi fino a = 1,7 risultano troncate nel picco massimo e/o distorte.
Si allora provato ad aumentare nuovamente V2 nel modo seguente:
Voltage source Sweep type Start value End value Increment
2 1,7 1,3 0,1
(Tabella 46) Parametri V2

(Fig. 97)

Scartando i valori -1,7V; -1,6V; -1,5V per cui le sinusoidi risultano deformate possibile affermare che
1,4.

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Stima massimo
Per effettuare una stima pi precisa su si effettuata una simuazione:
Voltage source Sweep type Start value End value Increment
2 0,9 0,5 0,1
(Tabella 47) Parametri V2

Si ottenuto:

(Fig. 98)

Le sinusoidi appaiono tutte non deformate: si procede quindi con la verifica della specifica sul guadagno:

(Fig. 99) misura delle tensioni picco-picco effettuata tramite cursori

[] [] [] = /
-0,9 1,5395 14 109,96
-0,8 1,5195 14 108,54
-0,7 1,4992 14 107,09
-0,6 1,4787 14 105,62
-0,5 1,4578 14 104,13
(Tabella 48) Calcolo dei guadagni

Si allora provato ad aumentare nuovamente V2, nel modo seguente:


Voltage source Sweep type Start value End value Increment
2 0,4 0 0,1
(Tabella 49) Nuovi parametri V2

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(Fig. 100)

(Fig. 101)

[] [] [] = /
-0,4 1,4365 14 102,61
-0,3 1,4146 14 101,04
-0,2 1,3922 14 99,44
-0,1 1,3695 14 97,82
0 1,3461 14 96,15
(Tabella 50) Calcolo dei guadagni

In accordo con le specifiche di progetto lICMR risulta pari a:


1,4 < < 0,3

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