Fsica Bsica de Semicondutores

Materiais semicondutores e suas

propriedades

Juno PN Diodos

Conduo Reversa Breakdown

1
 Fsica dos semicondutores
Semicondutores Juno PN
Portadores de Carga Estrutura
Dopagem Polarizao direta e reversa
Transporte de portadores Caratersticas V - I
Modelo de circuito

Dispositivos semicondutores so o centro de microeletrnica.

Juno PN o dispositivo mais fundamental de um

semicondutor.

2
 Portadores de cargas de semicondutores

Portadores de Modificao das Transporte dos

cargas em slidos densidades dos portadores
Estrutura dos cristais portadores Difuso
Bandas de energia Semicondutores Deriva
Intrnsecos
Buracos ou
Lacunas (Holes) Semicondutores
Extrnsecos
Dopagem

Para entender as caractersticas V-I da juno PN

importante entender o comportamento dos portadores de
carga em slidos,
E como modificar densidades dos portadores e os diferentes
mecanismos de fluxo de carga.
3
 Tabela Peridica

Importante: elementos com 03, 04 ou 05 eltrons de

valncia, sendo Si o mais importante.
4
 Tabela Peridica

Importante: elementos com 03, 04 ou 05 eltrons de

valncia, sendo Si o mais importante.
 Silcio

Ligao
Covalente

Eltron
Livre

Si tem 04 eltrons de valncia.

Portanto, ele pode formar ligaes covalentes com quatro
atomos vizinhos.
Quando a temperatura aumenta, os eltrons na ligao
covalente pode tornar-se livre.
6
 Interao do par eltron-buraco

Eltrons livres so resultantes da ruptura das ligaes

covalentes, assim os buracos ou lacunas so gerados.

Buracos pode ser preenchido atravs da absoro de outros

eltrons livres, de forma to eficaz que exista uma circulao
de portadores de carga.

7
 Densidade de e- livres em temperatura
ni = nmero de eltrons por unidade de volume

Eg
ni 5.2 10 T 15 3/ 2
exp electrons / cm3
2kT

ni (T 300 0 K ) 1.08 1010 electrons / cm3

ni (T 600 0 K ) 1.54 1015 electrons / cm3

Eg, bandgap ou energia da banda proibida, determina quanta

energia necessrio para romper a ligao covalente do
eltron.
Existe uma relao exponencial entre a densidade de eltrons
livres e energia da banda proibida.
8
 Modificao da densidade de portadores:
Dopagem (tipo N)

Si puro = semicondutor intrnseco

P 05 eltrons de valncia

Si puro pode ser dopado com outros elementos para alterar

suas propriedades eltricas.
Se o Si dopado com P (fsforo), passa a ter mais eltrons, ou
torna-se Si tipo N (eltrons).
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 Modificao da densidade de portadores:
Dopagem (tipo P)

B 03 eltrons de valncia

Se o Si dopado com B (boro), ento ele passa a ter

mais buracos ou lacunas, ou se torna tipo P.

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 Sumrio dos portadores de cargas
Si Semicondutor intrnseco

Eltron de
valncia
Ligao
Covalente
Si Semicondutor extrnseco

Cristal de Silcio Cristal de Silcio

ND Doadores/cm3 NA Aceitadores/cm3

Dopante Tipo Portador Dopante Tipo

n (Doador de Majoritrio Livre Portador p (Aceitador
e- ) Majoritrio Livre de e- )
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 Densidade dos eltrons e dos buracos
np ni
2

Portadores Majoritrios: p NA
2
n
Portadores Minoritrios: n i
NA
Portadores Majoritrios: n ND
2
n
Portadores Minoritrios: p i
ND

n densidade de eltrons
p densidade de buracos
ni densidade de eltrons em sem. Intrnseco

O produto das densidades de eltrons e buracos sempre

igual ao quadrado da densidade de eltrons intrnsecos,
independentemente dos nveis de dopagem.
12
 Primeiro mecanismo de transporte de
portadores de carga : Deriva

= 2 ()

vh p E

= 1350 2
ve n E
= 480 2

O processo no qual portadores de carga se movem por

causa de um campo eltrico chamado de deriva.
Partculas de carga se movimentam a uma velocidade que
proporcional ao campo elctrico.
13
 Corrente: Caso Geral
v
metros

= ( ) q = 1,6 X 10-19 C
=
=
Jn = densidade de corrente, ou seja a corrente que flui por
uma seo reta de rea unitria. expressa em A/cm2.
A corrente elctrica calculada como a quantidade de carga
em v metros que passa atravs de uma seco transversal. 14
 Fluxo da corrente: Deriva
Densidade de corrente Jn

J n n E n q
J tot n E n q p E p q
q( n n p p) E

A corrente igual velocidade da carga multiplicada pela densidade

de carga.
Como a velocidade igual a E, a corrente obtida pela substituio
de v por E na equao geral.
A densidade de corrente total consiste na soma das ambos
densidades: eltrons e buracos. 15
 Segundo mecanismo de transporte de
portadores de carga : Difuso

Material Semicondutor

Injeo de
portadores
Injeo de
portadores
Concentrao no uniforme

Partculas de carga se movimentam de uma regio de elevada

concentrao para outra regio de baixa concentrao.
anlogo ao exemplo de uma gota de tinta na gua. 16
 Fluxo de Corrente: Difuso

Dn constante de difuso
Dn = 34 cm2/s
Gradiente de concentrao Dp = 12 cm2/s
em relao a x

dn
J n qDn
dn dx dn dp
I AqDn J tot q ( Dn Dp )
dx dp dx dx
J p qD p
dx

Corrente de difuso proporcional ao gradiente de carga

(dn / dx) ao longo da direco do fluxo da corrente.
A densidade de corrente total composto por ambas
densidades: dos eltrons e buracos.
17
 Exemplo: Perfil da densidade de carga
Linear vs. No-linear

dn N dn N x
J n qDn qDn J n qDn qDn exp
dx L dx Ld Ld

Perfil de densidade de carga linear mantem a corrente de

difuso constante,
O perfil de densidade de carga no-linear significa variao
exponencial da corrente de difuso.
18
 Relao de Einstein
Corrente de Deriva Corrente de Difuso

K constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 joules/kelvin.

D kT
VT T = temperatura absoluta em graus kelvins = T(oC) + 2730C.

q q = carga do eltron = 1,60 x 10-19 C

VT = 26mV a 300K

Enquanto a fsica nos define as correntes de deriva e de difuso que so

totalmente diferentes, a relao de Einstein fornece uma ligao entre as duas
19
 Juno PN (Diodo)

Quando semicondutor do tipo N e do tipo P so

introduzidos lado-a-lado, uma juno PN ou um diodo
formado.
20
 As trs regies de operao do Diodo

Juno pn no Juno pn sob Juno pn sob

equilbrio polarizao reversa polarizao reversa
Regio de depleo Capacitncia de juno Caracterstica I/V
Potencial Interno

A fim de compreender o funcionamento de um diodo,

necessrio estudar as suas trs regies de operao: de
equilbrio, a polarizao reversa, polarizao direta.

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Fluxo de corrente atravs Junction: Difuso
Portadores Portadores
Majoritrios Majoritrios

Portadores Portadores
Minoritrios Minoritrios

nn : Concentrao de eltrons no lado n

pn : Concentrao de lacunas no lado n
pp : Concentrao de lacunas no lado p
np : Concentrao de eltrons no lado p

Porque em cada um dos lados da juno contm um excesso de

lacunas ou eltrons em relao ao outro lado, existe um
gradiente de concentrao muito elevado.

Por conseguinte, uma corrente de difuso flui atravs da juno

de cada um dos lados. 22
 Regio de Depleo.

Eltrons Lacunas
livres ons ons Regio de
livres
Positivos Negativos Depleo
Doadores Aceitadores

Eltrons e lacunas livres se difundem atravs da juno,

uma regio de ies fixos deixado para trs.
Esta regio conhecida como a "regio de depleo."

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Fluxo de Corrente atravs da juno: Deriva

Os ons fixos na regio de depleo criam um campo

eltrico que resulta em uma corrente de deriva.
24
 Fluxo de corrente atravs Juno:
Equilbrio

I drift , p I diff , p
I drift ,n I diff ,n

Em equilbrio, a corrente de deriva flui numa direco que

cancela o a corrente de difuso a qual flui na direco
oposta, a criao de uma corrente da rede igual a zero.

A figura mostra o perfil dos portadores em uma juno PN.

25
 Potencial interno
Dp pp
= V ( x2 ) V ( x1 ) ln
p pn
dp
q p pE qD p
dx kT pp
V0 ln ,
dV dp q pn
p p Dp
dx dx
x2 pn kT N A N D
dp V0 ln
p dV D p q ni
2

x1 pp
p

Devido ao campo eltrico atravs da juno,

existe um potencial incorporado ou interno.
Seu equacionamento mostrada acima.
26
 Juno pn sob polarizao reversa

Quando a regio do tipo N de um dodo est conectado a um

potencial positivo do que a regio tipo P, o dodo est sendo em
polarizao inversa, o que resulta na regio de depleo mais
larga e maior o campo elctrico atravs da juno. 27
Aplicao do diodo com polarizao reversa: Capacitor
dependente da tenso

A juno PN pode ser vista como um capacitor. Variando VR, a

largura da depleo muda, mudando o seu valor de
capacitncia, portanto, a juno PN realmente um capacitor
dependente da voltagem. 28
 Capacitncia Dependente da Tenso

C j0
Cj
VR
1
V0
si q N A N D1
C j0
2 N A N D V0

A equao que descreve a capacitncia dependente da

tenso mostrada acima.

29
 Oscilador controlado por Tenso: VCO

1 1
f res
2 LC

Uma aplicao muito importante da polarizado-reversa de

uma juno PN o VCO, em que o circuito tanque de LC
usado em um oscilador.
Mudando o valor de VR, podemos mudar C, que tambm
muda a frequncia de oscilao.
30
 Polarizao direta do Diodo

Quando a regio do tipo N de um diodo est a um potencial

mais baixo do que a regio tipo P, o dodo est em
polarizao direta.

A largura de depleo reduzida e o campo elctrico

incorporada diminuiu.
31
 Perfil dos portadores minoritrios em
polarizao direta
Potencial p

p p ,e
pn , e
V0
exp
VT
pn,e np,f

p p, f Em equilbrio
pn , f
V0 VF
exp
VT

Sob polarizao direta, portadores minoritrios aumentam em cada

regio, devido diminuio do campo interno / potencial.
Portanto, as correntes de difuso aumentar para suprir essas
portadores minoritrios.
32
Corrente de Difuso em polarizao direta
NA VF ND VF
I tot (exp 1) (exp 1)
= , , V0 VT V VT
exp exp 0
VT VT
NA VF
pn (exp 1) VF
V VT I tot I s (exp 1)
exp 0 VT
VT

ND V Dn Dp
n p (exp F 1) I s Aqni (
2
)
V0 VT N A Ln N D L p
exp
VT IS a corrente de saturao reversa

Corrente de difuso aumenta de forma a fornecer o aumento

dos portadores minoritrios. As equaes so mostrados acima
33
 Gradiente de portadores minoritrios
Fluxo
Fluxo de
de Fluxo de Fluxo de Fluxo de
eltrons
eltrons lacunas eltrons lacunas

- O perfil de carga dos portadores minoritrios no deve ser constante ao

longo do eixo-x, caso contrrio, no h gradiente de concentrao e
nenhuma corrente de difuso.
- A recombinao dos portadores minoritrios com os portadores
majoritrios explica a queda de portadores minoritrios como eles vo
fundo na regio de P ou N.
34
Sumrio das condies de polarizao direta

Na polarizao direta, existem grandes correntes de difuso

de portadores minoritrios atravs da juno. No entanto,
medida que avanamos em profundidade as regies P e N, as
correntes de recombinao dos portadores majoritrios
dominam. Estas duas correntes se somam a um valor
constante. 35
 Caracterstica I-V da Juno PN

Polarizao Polarizao
Direta Reversa

= ( 1)

A relao de tenso e corrente de uma juno PN

exponencial na regio de polarizao direta, e relativamente
constante na regio de polarizao reversa.
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 Junes PN paralelas

A correntes IS proporcional rea da seco transversal da

juno.
Duas junes PN colocadas em paralelo formama uma juno
PN com o dobro da rea de seco transversal, e, portanto, o
dobro da corrente. 37
Modelo do Diodo Tenso-Constante

38
 Conduo reversa: Breakdown

Quando uma grande tenso de polarizao reversa aplicada,

ocorre a conduo reversa no ponto de breakdown e uma
enorme corrente flui atravs do dodo.
39
 Zener vs. Avalanche Breakdown

Conduo reversa ou breakdown de um diodo Zener o resultado

de um grande campo eltrico aplicado na regio de depleo que
quebra as ligaes covalentes dos eltrons ou buracos.
Conduo por avalanche no ponto de breakdown o resultado de
eltrons ou buracos colidem com os ons fixos dentro da regio de
depleo.
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