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1.1. Com referncia curva caracterstica da Figura 1 (a) e ao circuito da Figura 1 (b):
(a) Determine id, vd e vR;
(b) Repita o item (a) considerando o modelo aproximado do diodo e compare os resultados;
(c) Repita o item (a) considerando o modelo ideal do diodo e compare os resultados.
iD (mA)
10
9
id vd 8
7
Si 6
Vin vR R 5
10 V 1 k 4
3
2
1
vD (V)
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
(a) (b)
Figura 1 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Curva caracterstica do diodo.
1.2. Determine o valor de R para o circuito da Figura 1 (b) que resulta em uma corrente no diodo de
10 mA com Vin = 7 V. Utilize a curva caracterstica da Figura 1 (a) para o diodo.
2.1. Determine a corrente i para cada uma das configuraes da Figura 2 utilizando o modelo equivalente
aproximado do diodo.
20 V 20 V
i
Si i
Ge Ge
12 V 10 10 10 V 10
20 i Si
Si Ge 2 k 1,2 k Si
20 V vo 10 V vo
1 k 4,7 k
-2 V
(a) (b)
Figura 3 Circuitos propostos.
id Si
vo 6,8 k vo Si
iin 20 V -5 V
2,2 k 1,2 k id
10 mA
(a) (b)
Figura 4 Circuitos propostos.
15 V
id Si
id
vo Si Si
20 V
Si vo
4,7 k
2,2 k
-5 V
(a) (b)
Figura 5 Circuitos propostos.
Si 2 k
id
20 V vo
2 k
Si 2 k
3. Retificador de meia-onda
3.1. Considerando o diodo ideal, esboce vin(t), vo(t), vd(t) e id(t) para o retificador de meia-onda da Figura
7. A forma de onda de entrada, vin(t), senoidal, apresenta valor mximo de Vm e frequncia de 60 Hz.
Usando a definio (integral), calcule o valor mdio da forma de onda de sada, vo(t).
id vd
vo
vin
2,2 k
3.2. Repita o exerccio 3.1 com um diodo de silcio (VT = 0,7 V).
vin
iR 1 k 10 V
vin Si 10 k vo 0 2 t
-10 V
(a) (b)
Figura 8 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Forma de onda.
3.4. Dado Pd,max = 14 mW para cada diodo da Figura 9, determine a corrente nominal, id, e verifique se a
potncia dissipada em cada dispositivo no extrapola o seu limite mximo.
vin
id Si 311 V
Si 0 2 t
vin 4,7 k 56 k
-311 V
(a) (b)
Figura 9 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Forma de onda.
4. Retificador de onda-completa
4.1. Um retificador de onda completa em configurao ponte com uma entrada senoidal de vin,rms = 120 V
possui um resistor de carga de 1 k.
(a) Se diodos de silcio so empregados, qual a tenso mdia disponvel na carga? No-
ta: calcule o valor mdio usando a definio (integral);
4.2. Esboce vo(t) para o circuito da Figura 10 e determine a tenso mdia disponvel na sada. Nota: cal-
cule o valor mdio usando a definio (integral).
vin
2 k 170 V
vin 2 k
vo 0 2 t
2 k -170 V
(a) (b)
Figura 10 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Forma de onda.
5. Ceifadores
5.1. Esboce vo(t) para os circuitos da Figura 11 (a) e (b) para o sinal de entrada apresentado na Figura 11 (c).
vin
Si 5V 20 V
vin
iR 10 k 10 V
vin Si Si vo 0 2 t
5,3 V 7,3 V
-10 V
(a) (b)
Figura 12 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Forma de onda.
6. Grampeadores
6.1. Esboce vo(t) para os circuitos da Figura 13 (a) e (b) para o sinal de entrada apresentado na Figura 13
(c). Seria uma boa aproximao considerar o diodo ideal em ambos os circuitos? Por qu?
vin
C C 120 V
vin vo vin Si vo
Si R E R 0 2 t
20 V
-120 V
(a) (b) (c)
Figura 13 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Circuito. (b) Forma de onda.
C vin
0,1 F 10 V f =1 kHz
vin Si R vo 0 2 t
E 56 k
2V -10 V
(a) (b)
Figura 14 Exerccio proposto. (a) Circuito. (b) Forma de onda.
vin vo
30 V
20 V
vin Circuito vo
0 2 t 0 2 t
-10 V
-20 V
7.1. Determine o nvel de tenso disponvel no dobrador de tenso da Figura 16 se a tenso eficaz na
entrada do circuito vin,rms = 120 V.
C1 D2
vin D1 C2 vo
RS io
16 V
VZ Ro vo
PZ
8.2. Para o circuito da Figura 18, determine a faixa de vin(t), vin,min e vin,max, que manter vo(t) = 8 V e no
exceder a potncia mxima nominal do diodo zener.
RS
91
vin
VZ =8 V Ro vo
PZ =400 mW 0,22 k