Dissertacao Samuel Final

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR
CENTRO DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
UMA PROPOSTA DE PROJETO PARA INVERSOR

MULTINVEL EM CASCATA ASSIMTRICO COM 63
NVEIS NA TENSO DE SADA E OPERAO EM BAIXA
FREQUNCIA
Samuel J de Mesquita
Fortaleza
Fevereiro de 2011
ii

FREQUNCIA
Dissertao submetida Coordenao do

Curso de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica, da Universidade Federal do Cear
como requisito parcial para obteno do grau
de Mestre em Engenharia Eltrica.
rea de concentrao: Eletrnica de Potncia e

Acionamento Eltricos.
Orientador: Prof. Dr. Fernando Luiz Marcelo

Antunes.
Co-orientador: Prof. Dr. Srgio Daher.
Fortaleza
Fevereiro de 2011
iii

FREQUNCIA
Esta dissertao foi julgada adequada para obteno do ttulo de Mestre em Engenharia
Eltrica, rea de Eletrnica de Potncia e Acionamentos Eltricos e aprovada em sua forma
final pelo programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica na Universidade Federal do
Cear.
______________________________________________________
Banca Examinadora:
______________________________________________________
Prof. Fernando Luiz Marcelo Antunes, Dr.
Presidente
______________________________________________________
Prof. Ren Pastor Torrico Bascop, Dr.
______________________________________________________
Prof. Srgio Daher, Dr.
______________________________________________________
Prof. Marcelo Cabral Cavalcanti, Dr.
Fortaleza, Fevereiro de 2011

iv
O temor do senhor o princpio da sabedoria,

e o conhecimento do santo entendimento
(Salomo. Pv. 9.10)
v
Primeiro a Deus,
Aos meus pais, Francisco e Lindaura,
Ao meu Av Antnio, Irms Patrcia e Eliabe,
A todos os familiares e amigos
vi
AGRADECIMENTOS
A todas as pessoas que por motivo de esquecimento no foram citadas anteriormente,

vou deixando neste espao minhas sinceras desculpas.
Sou grato primeiramente a Deus que est acima de tudo e por ter me fortalecido e me
capacitado para continuar as pesquisas deste trabalho. Segundo ao meu professor orientador,
Fernando Antunes, pelo apoio, confiana, por ter fornecido embasamento terico, provendo
condies de prosseguir com as pesquisas, ajudando no s a mim, mas a todos os alunos do
PPGE que o procuram. Depois, ao professor, Srgio Daher, por ter fornecido softwares de
apoio a pesquisa, materiais didticos e por tirar dvidas, ao meu Pai Francisco das Chagas por
sempre acreditar em mim por ter fornecido educao suficiente de estar onde me encontro e
pelo exemplo de comprometimento com as obrigaes, a minha me Lindaura pelo recproco
do meu pai, pelas oraes incessantes e por sua sabedoria em me orientar nos impasses
cotidianos. A minhas ims Patrcia e Eliabe que tanto amo, aos professores Ren e Demercil
por estar sempre presente nos momentos de dvidas, fornecendo sugestes para qualidade do
trabalho, a todos os professores do PPGE, amigos formados nas disciplinas e no GPEC
consinto meus sinceros agradecimentos.
Ao professor externo Marcelo Cabral pelos esclarecimentos, sugestes e crticas
positivas, enriquecendo ainda mais este trabalho.
Aos amigos de mestrado e laboratrio, Hermnio Miguel, Rock Junior, Lvia, Daniel
Lima, Eudes, Rafael, Rodrigo, Eduardo Lens, Ranoica, Carlos Elmano, Gustado Henn, e
Deivid.
Aos funcionrios do Departamento de Engenharia Eltrica (DEE), Mrio Srgio e
Rafael pelo apoio na resoluo de problemas administrativos.
Aos amigos da repblica Aldinei, Lincoln, Andr, Jefferson, Eldio e Irailson.
A todos os amigos do CENTEC (Centro de Ensino Tecnolgico) de Sobral.
Ao Dr. Ari Portela e sua esposa Odlia, seus filhos Ari Filho e Lucas.
Funcap (Fundao Cearense de Apoio ao Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico)
e ao CNPQ (Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico), pelo apoio
financeiro.
vii
RESUMO
Mesquita, S. J., Uma Proposta de Projeto Para Inversor Multinvel em Cascata Assimtrico
com 63 Nveis na Tenso de Sada e Operao em Baixa Freqncia, Universidade Federal
do Cear UFC, 2010, 147p.
Este trabalho apresenta um estudo dos inversores multinveis em cascata usando clulas
H-bridge na configurao assimtrica usando transformador de mltiplos secundrios. Ele
demonstra equaes para o clculo da freqncia das clulas para o inversor operando com as
configuraes binria e ternria, bem como o projeto completo do transformador toroidal com
ncleo laminado. Este trabalho define a melhor freqncia de operao do transformador que
possibilita reduo no tamanho se comparado a operao em 60 Hz. Ele tambm aborda uma
metodologia para o clculo das perdas nas clulas do inversor as quais so teis para o clculo
trmico do inversor.
Palavras-Chave: Inversores Multinveis Isolados, Modulao Staircase,
Transformadores com Mltiplos Secundrios, Sistemas Autnomos de Energia.

viii
ABSTRACT
Mesquita, S. J., "Design Proposition For a 63 Levels Output Voltage Asymmetric

Multilevel Cascaded Inverter at low Frequency Operation ", Federal University of Cear -
UFC, 2010, 147p.
This dissertation proposes a design of a cascaded multilevel inverter using H-bridge
cells in asymmetric configuration and a multiple secondary transformer. Equations for
determining the frequency operation of each cell with binary and ternary configurations, as
well as the complete design of toroidal transformer with laminated core. This work proposes
also the optimal operating frequency of the transformer that enables reduction in core size,
when compared to 60 Hz operation. It is also discussed a methodology for calculate the losses
in the cells of the inverter, which are useful to determine the thermal behavior of the inverter.
Keywords: Multilevel Inverters Isolated, Modulation Staircase, Transformers With
Multiple Secondary, Autonomous System of Energy.

ix
SUMRIO
LISTA DE FIGURAS XII
LISTA DE TABELAS XVII
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS XIX
LISTA DE SMBOLOS XX
INTRODUO GERAL 1
1.1 OBJETIVOS GERAIS E CONTRIBUIO DO TRABALHO.............................................2

1.2 MOTIVAO.............................................................................................................................5
1.3 ORGANIZAO DO TRABALHO......................................................................................... 6
CAPTULO 1 INVERSORES MULTINVEIS: PRINCIPAIS TOPOLOGIAS PARA

APLICAES EM ALTAS E MDIAS POTNCIAS 1
1.1 APLICAES DOS INVERSORES MULTINVEIS.......................................................... 2

1.2 ASPECTOS GERAIS DE UMA ONDA MULTINVEL....................................................... 3
1.3 TIPOS DE MODULAO EM INVERSORES MULTINVES.......................................... 4
1.3.1 MODULAO PWM .......................................................................................................5
1.3.2 MODULAO STAIRCASE. ............................................................................................9
1.4 INVERSORES MULTINVEIS, TOPOLOGIAS CONVENCIONAIS 15
1.4.1 NPC OU INVERSOR COM DIODOS DE GRAMPEAMENTO ....................................................15
1.4.2 FLYING CAPACITOR, FLC .................................................................................................18
1.4.3 INVERSORES MULTINVEIS EM CASCATA..........................................................................19
1.4.4 INVERSOR USANDO CLULAS H-BRIDGE EM CASCATA ASSIMTRICO, CHCA................24
1.5 CONSIDERAES FINAIS....................................................................................................34
x
CAPTULO 2 INVERSORES MULTINVEIS ISOLADOS USANDO CLULAS H-BRIDGE

OU DERIVADA DESSA COM DIFERENTES FONTES DE TENSES DE ENTRADA 35
2.1 TOPOLOGIAS, SIMULAES E ESTUDO........................................................................ 36

2.1.1 TOPOLOGIA A) ..................................................................................................................36
2.1.2 TOPOLOGIA B): DERIVADA DO INVERSOR COM CLULAS H-BRIDGE: ..............................38
2.1.3 TOPOLOGIA C): APRESENTANDO CLULAS H-BRIDGE COM RETIFICADORES ACOPLADOS
AO BARRAMENTO CC DE SADA. .............................................................................................................39
2.2 ANLISE E SIMULAO DAS TOPOLOGIAS SELECIONADAS................................ 40

2.2.1 TOPOLOGIA A ...................................................................................................................40
2.2.2 TOPOLOGIA B ...................................................................................................................52
2.2.3 TOPOLOGIA C ...............................................................................................................54
2.3 CONSIDERAES FINAIS.................................................................................................. 59
CAPTULO 3 ESTUDO DO TRANSFORMADOR 60
3.1 METODOLOGIA GENERALIZADA DE PROJETO PARA APLICAES EM

BAIXAS E ALTAS FREQNCIAS 61
3.1.1 REGULAO DE TENSO. .................................................................................................67
3.1.2 SELEO DO NCLEO .......................................................................................................68
3.1.3 CLCULO DAS PERDAS NO TRANSFORMADOR (PERDAS NO NCLEO E PERDAS NO
COBRE)....................................................................................................................................................75
3.1.4 TRANSFORMADOR APLICADO EM INVERSORES ................................................................77

3.2 CONSIDERAES FINAIS................................................................................................... 90
CAPTULO 4 ESTUDO DA TOPOLOGIA ESCOLHIDA 91
4.1 ASPECTOS RELEVANTES E CRITRIOS ADOTADOS 92

4.1.1 DEFINIO DA ESTRATGIA DE MODULAO ..................................................................92
4.1.2 DEFINIO DO NMERO DE NVEIS DE OPERAO ...........................................................92
4.1.3 ESCOLHA DA FREQNCIA DE OPERAO .......................................................................92
4.1.4 ESCOLHA DOS SEMICONDUTORES ....................................................................................93
4.1.5 DEFINIO DAS CARACTERSTICAS DE CARGA ................................................................93
4.2 DIMENSIONAMENTO DOS COMPONENTES.............................................................................. 93
4.2.1 SIMULAO DO INVERSOR ...............................................................................................93
4.2.2 MTODOS PARA MENSURAR AS PERDAS NAS CHAVES DE CADA CLULA H-BRIDGE .......97
4.2.3 CLCULO DO DISSIPADOR ..............................................................................................104
xi
4.2.4 CLCULO DOS CAPACITORES DO BARRAMENTO CC .......................................................117

4.2.5 RESUMO DO PROJETO DO TRANSFORMADOR OPERANDO EM 300 HZ .............................125
4.2.6 RESULTADOS DOS ENSAIOS NO TRANSFORMADOR TOROIDAL. ......................................132
4.2.7 RESUMO DAS PERDAS NO INVERSOR ..............................................................................135
4.3 CONSIDERAES FINAIS................................................................................................. 137
CONCLUSES GERAIS 138
SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS............................................................................. 139
BIBLIOGRAFIA 141
xii
LISTA DE FIGURAS
Figura 1.1: Tenso de sada com nveis igualmente espaados. ................................................. 3

Figura 1.2: Diagrama simplificado das tcnicas usadas para obter a onda multinvel. .............. 4
Figura 1.3: Lgica para obter uma tenso de sada modulada.................................................... 5
Figura 1.4: Modulao PD. ........................................................................................................ 6
Figura 1.5: Modulao POD....................................................................................................... 6
Figura 1.6: Modulao APOD .................................................................................................... 7
Figura 1.7: Modulao hbrida. .................................................................................................. 7
Figura 1.8: Sinais de referncias (Vref) e tenso de sada (Vout) das clulas 3, 2, 1
respectivamente nas figuras: a), b) e c) o item d) representa o somatrio das tenses de sada
das clula, ou a tenso de carga. ................................................................................................. 8
Figura 1.9: a) Inversor CHC; b) Sadas do CHC: do primeiro ao penltimo grfico, tenso de
sada nas clulas (Voh1, Voh2 e Voh3), ultimo grfico tenso na sada do inversor. .................. 9
Figura 1.10: Tenso de sada em funo do nmero de passos em 1/4 de ciclo da senoide (sem
a otimizao). ........................................................................................................................... 10
Figura 1.11: Ferramenta computacional : a) Unidade de tratamento da forma de onda; b)
Compilador dos arquivos gerados em a); b) Pseudo cdigo usado na programao dos tempos
de simulao. ............................................................................................................................ 12
Figura 1.12: Modulao staircase. ........................................................................................... 13
Figura 1.13: Mtodo flexvel da senide de referncia usado para obter a THD otimizada. ... 13
Figura 1.14: Algoritmo usado para o clculo da THD mnima. ............................................... 14
Figura 1.15: NPC com 3 nveis na tenso de sada. ................................................................ 16
Figura 1.16: NPC operando com 5 nveis. ............................................................................... 16
Figura 1.17: Flying capacitor, FLC operando com trs nveis. ................................................ 18
Figura 1.18: a) Clula H-bridge elementar; b) Tenso de sada Vab. ...................................... 20
Figura 1.19: Inversor multinvel com clulas H-bridge em cascata. ........................................ 21
Figura 1.20: Diagrama simplificado para o inversor simtrico com 3 clulas H-bridge. ........ 22
Figura 1.21: a) Nvel zero, b) Nvel um, c) Nvel Dois, d) Nvel trs. ..................................... 22
Figura 1.22: Do primeiro ao penltimo grfico, tenso de sada das clulas H-bridge, figura
1.19 com 3 clulas, respectivamente, Voh1, Voh2 e Voh3. ltimo grfico tenso na sada do
inversor, 220V-1kVA. .............................................................................................................. 23
Figura 1.23: CHCA operando com a configurao binria. ..................................................... 25
xiii
Figura 1.24: Diagrama simplificado para inversor operando em binrio com trs clulas. ... 28
Figura 1.25: Generalizao das formas de ondas em binrio Vohx . ....................................... 29
Figura 1.26: Inversor CHCA operando com a configurao ternria. ...................................... 31
Figura 1.27: Do primeiro ao penltimo grfico, tenso de sada das clulas da figura 1.26,
ultimo grfico tenso na sada do inversor. .............................................................................. 32
Figura 1.28: Generalizao de formas de onda para a configurao ternria........................... 32
Figura 2.1: Inversor usando transformadores independentes [41], [53]. .................................. 36
Figura 2.2: Inversor apresentado por [27]. ............................................................................... 38
Figura 2.3: Inversor CHCA com transformador de mltiplos secundrios [42]. ..................... 39
Figura 2.4: Topologia operando com 63 nveis. ....................................................................... 41
Figura 2.5: Configurao das sadas dos transformadores independentes na formao da
tenso de sada com 63 nveis. Do primeiro grfico ao penltimo, grficos em ordem
crescente de tenso na configurao binria para os respectivos secundrios (primeiro,
segundo... quinto) ligados em srie, ultimo grfico, tenso na carga. ...................................... 42
Figura 2.6: Correntes do primeiro ao penltimo grfico, respectivamente em ordem crescente
de potncia em cada primrio dos transformadores. Ultimo grfico, corrente no barramento
cc............................................................................................................................................... 43
Figura 2.7: Pulsos nas chaves usadas na simulao do inversor com 27 nveis. ...................... 44
Figura 2.8: Do primeiro ao terceiro grfico em ordem crescente na escala de tenso (pesos,
1:3:27), mostram as tenses nas sadas das clulas, respectivamente da primeira terceira,
usando a lgica ternria. Ultimo grfico, forma de onda da tenso de sada, programada para
operar com 220V de sada e 1kVA de potncia. ...................................................................... 45
Figura 2.9: Espectro harmnico da tenso de sada. A THD das 60 primeiras harmnicas foi
THD= 3,41%, sem o filtro passa baixa..................................................................................... 46
Figura 2.10: Topologia do inversor operando com 81 nveis. .................................................. 46
Figura 2.11: Tenso de sada das clulas do primeiro ao penltimo grfico, respectivamente
para operao da clula de menor tenso a de maior tenso. Ultimo grfico tenso de sada. 47
Figura 2.12: Espectro Harmnico da tenso de sada. A THD das 60 primeiras harmnicas da
tenso de sada sem filtro THD= 1,1%. ................................................................................. 48
Figura 2.13: Vpr1 representa a tenso no primrio do transformador da clula de menor
potncia. md a variao do fluxo mdio no primrio do transformador. ................................ 49
Figura 2.14: Vpr2 representa a tenso no primrio do transformador da segunda clula de
menor potncia. md variao do fluxo mdio no primrio do transformador. ...................... 50
xiv
Figura 2.15: Vpr3 representa a tenso no primrio do transformador da penltima clula. md

a variao do fluxo mdio no primrio do transformador. .................................................... 50
Figura 2.16: Vpr4 representa a tenso no primrio da clula de maior potncia. md o incio
da variao do fluxo mdio. ..................................................................................................... 51
Figura 2.17: Simulao da topologia com 63 nveis. ............................................................... 52
Figura 2.18: Do primeiro ao penltimo grfico, formas de onda respectivamente, na sada da
clula L, de menor potncia a clula de maior potncia. Ultima forma de onda senoidal,
tenso na carga linear. .............................................................................................................. 53
Figura 2.19: Primeiro grfico, onda senoidal, corrente na carga, segundo grfico, corrente no
primrio, ultimo grfico da corrente no barramento cc. ........................................................... 54
Figura 2.20: Espectro harmnico da tenso de sada do inversor da fig.13. (Anlise das 60
primeiras harmnicas, THD=1,37%, sem o filtro de sada). .................................................... 54
Figura 2.21: Simulao do inversor operando com a lgica binria em 63 nveis na tenso de
sada. ......................................................................................................................................... 55
Figura 2.22: Pulsos na chave para gerao dos 63 nveis......................................................... 56
Figura 2.23: Contribuio de cada clula na gerao dos 63 nveis. ........................................ 57
Figura 2.24: Espectro harmnico da tenso de sada do inversor mostrado na figura 2.21.
(Anlise das 60 primeiras harmnicas, THD=1,61%, sem o filtro de sada). .......................... 58
Figura 3.1: Transformador com ncleo C. ............................................................................... 63
Figura 3.2: Aplicaes: variao da potncia aparente em funo da corrente nos
enrolamentos............................................................................................................................. 65
Figura 3.3: Tipos comuns de geometria dos ncleos. .............................................................. 65
Figura 3.4: Circuito simplificado do transformador. ................................................................ 67
Figura 3.5: Ciclo de histerese ideal. ......................................................................................... 70
Figura 3.6: Ciclo de histerese e principais variveis envolvidas na induo de tenso. .......... 70
Figura 3.7: Comportamento da curva B-H para os diversos tipos de material. ........................ 71
Figura 3.8: Comparao dos laos de histerese dos materiais magnticos. ............................. 71
Figura 3.9: Custo em funo da eficincia para transformadores com ncleo laminado. .... 72
Figura 3.10: Comparao do peso: ncleo toroidal e EI [64]................................................... 73
Figura 3.11: Comportamento da temperatura em funo da variao de potncia. ................. 74
Figura 3.12: Diminuio da regulao de tenso em funo do aumento do ncleo
selecionado. .............................................................................................................................. 74
Figura 3.13: Eficincia versus aumento de potncia para o ncleo toroidal [64]. ................... 75
Figura 3.14: Comprimento mdio de uma espira. .................................................................... 77
xv
Figura 3.15: MLTm: para enrolamento em ncleo toroidal. .................................................... 77

Figura 3.16: Algoritmo do projeto do transformador. .............................................................. 79
Figura 3.17: Variao de Pa em funo da ftra. ......................................................................... 80
Figura 3.18: tima densidade de fluxo em funo do aumento da freqncia. ....................... 81
Figura 3.19: tima densidade de corrente em funo do aumento da freqncia.................... 82
Figura 3.20: Espao central, dsx deixado para passagem da ferramenta. ................................ 83
Figura 3.21: Variao das perdas no ncleo para lmina 0,30mm, em funo Bmax e ftra,
equao (3.32). ......................................................................................................................... 84
Figura 3.22: Circuito simplificado do transformador. .............................................................. 86
Figura 3.23: Casos para a operao do transformador. ............................................................ 87
Figura 3.24: Correntes de inrush: a) Ncleo sem gap; b) Ncleo com gap.............................. 88
Figura 3.25: Curva B-H dos ncleos GO: a) Sem gap; b) Com o menor gap. ......................... 88
Figura 4.1: Contribuio das clulas na formao da tenso de sada. ................................... 94
Figura 4.2: Relao dos pulsos nas chaves com a tenso de sada da clula............................ 95
Figura 4.3: Primeiro grfico: corrente de carga na chave S11 e sua complementar chave S13,
segundo grfico corrente na carga. ........................................................................................... 96
Figura 4.4: Fenmeno da comutao e conduo..................................................................... 98
Figura 4.5: Todas as formas de onda das correntes nas chaves.............................................. 103
Figura 4.6: Corrente na fonte de alimentao......................................................................... 104
Figura 4.7: Formas de onda das correntes nas chaves na clula 1.......................................... 106
Figura 4.8: Validao da equao (4.20). ............................................................................... 107
Figura 4.9: Validao da equao (4.22). ............................................................................... 108
Figura 4.10: Validao da equao (4.23) por software. ........................................................ 109
Figura 4.11: Modelo simplificado para os mosfet da ponte H-bridge, sobre o mesmo
encapsulamento. ..................................................................................................................... 110
Figura 4.12: Potncia dissipada na primeira clula ................................................................ 113
Figura 4.13: Potncia dissipada na segunda clula................................................................. 114
Figura 4.14: Potncia dissipada na terceira clula.................................................................. 115
Figura 4.15: Potncia dissipada na quarta clula.................................................................... 116
Figura 4.16: Potncia dissipada na quinta clula.................................................................... 117
Figura 4.17: a) Inversor multinvel CHCA operando em binrio com 5 clulas (caso ideal); b)
Inversor isolado CHCA operando em binrio equivalente ao inversor mostrado em a); c)
Circuito do inversor isolado CHCA equivalente a uma fonte cc apresentada na topologia a).
................................................................................................................................................ 118
xvi
Figura 4.18: Formas de onda do inversor ideal figura 4.17: a) Corrente na entrada da clula
cel1; b) Tenso ideal na sada da clula e c) Onda multinvel de sada. ................................ 119
Figura 4.19: Formas de onda para o projeto do capacitor 1: a) Tenso de sada da clula para o
barramento com capacitncia mnima; b) Interrupes na tenso de sada em virtude da
freqncia da ponte H-bridge de entrada. .............................................................................. 120
Figura 4.20: Formas de onda para o projeto do capacitor c2: a) Tenso de sada da clula em
de ciclo para o barramento com capacitncia mnima; b) Tenso Vocarg(t) em de ciclo.
................................................................................................................................................ 121
................................................................................................................................................ 122
de ciclo para o barramento com capacitncia mnima; b) Tenso Vocarg(t) em de ciclo. 122
................................................................................................................................................ 123
Figura 4.24: Comportamento da tenso no capacitor em funo dos parmetros descritos ... 124
Figura 4.25: Variao das potncias nos cinco secundrios em funo da potncia de carga.
................................................................................................................................................ 126
Figura 4.26: Grupo de fios externo ao ncleo toroidal apresentam espaos maiores em relao
os internos. .............................................................................................................................. 130
Figura 4.27: Distribuio dos enrolamentos na janela do ncleo toroidal selecionado para o
projeto. .................................................................................................................................... 131
Figura 4.28: Transformador toroidal implementado em 300Hz. ............................................ 133
Figura 4.29: a) Curva B x Ph em 60 Hz com onda quadrada; b) Curva B x Ph em 60Hz onda
senoidal. .................................................................................................................................. 133
Figura 4.30: a) Curva Ph x B em 300 Hz com onda quadrada; b) Curva Ph x B em 300 Hz
com onda senoidal. ................................................................................................................. 134
Figura 4.31: Curva da perda no ncleo a vazio em funo do aumento de tenso................. 134
Figura 4.32: a) Curva Ph x B em 400 Hz com onda quadrada; b) Curva Ph x B em 400 Hz
com onda senoidal. ................................................................................................................. 135
Figura 4.33: Rendimento versus potncia de sada ............................................................... 135
xvii
LISTA DE TABELAS
Tabela 1-1: Inversores multinveis, pesquisa realizada pelos principais produtores de drives
para mquinas, a maioria operando em mdias tenses (3,3kV 6,6kV) .................................. 2
Tabela 1-2: THD com eliminao de harmnicas mpares (THDcel) e THD gerada sem o
mtodo flexvel ......................................................................................................................... 14
Tabela 1-3: THD mnima obtida para os diversos tipos de passos usuais ................................ 15
Tabela 1-4: Estados de chaveamento do NPC operando com 5 nveis .................................... 17
Tabela 1-5: Possveis casos para gerao da tenso de sada Vab da figura 1.18 b). ............... 21
Tabela 1-6: Comparao do nmero de componentes entre as topologias convencionais. ...... 23
Tabela 1-7: Gerao de nveis para CHCA em binrio com 7 nveis. ...................................... 26
Tabela 1-8: Abordagem diferenciada da configurao binria. ............................................... 30
Tabela 1-9: Contribuio das clulas na formao da tenso de sada para a topologia vista na
figura 1.26................................................................................................................................. 31
Tabela 1-10: Comparao entre as configuraes, simtrica, binria e ternria para x clulas.
.................................................................................................................................................. 33
Tabela 2-1: Valores de freqncia para operao com trs clulas. ......................................... 46
Tabela 2-2: Freqncia para operao das clulas com 81 nveis. ........................................... 47
Tabela 2-3: Fatores de forma de onda necessrios a implementao do transformador em
ternrio. ..................................................................................................................................... 52
Tabela 3-1: Fator de empilhamento garantido usado para lminas padronizadas [70]. ........... 66
Tabela 3-2: Principais materiais usados em projetos de transformadores. ............................... 69
Tabela 3-3: Lminas de ao silcio ........................................................................................... 73
Tabela 3-4: Coeficientes usados no clculo da perda no ncleo. ............................................. 76
Tabela 3-5: Perdas no ncleo toroidal em funo da variao de freqncia. ......................... 83
Tabela 3-6: Principais normas para perda em ncleo GO para lmina de 0,30 mm. ............... 84
Tabela 3-7: Comparao das perdas no ncleo para os valores calculados e os valores
fornecidos pelo fabricante ........................................................................................................ 85
Tabela 3-8: Tabela elaborada com base no grfico mostrando na figura 3.21. ........................ 85
Tabela 4-1: Parmetros gerais .................................................................................................. 93
Tabela 4-2: Freqncia da tenso Vohx operando em binrio. .................................................. 95
Tabela 4-3: Corrente eficazes na chave parametrizadas em funo da corrente eficaz de carga
em meio perodo. .................................................................................................................... 102
xviii
Tabela 4-4: Dados do dissipador ............................................................................................ 105

Tabela 4-5: Caracterstica das chaves usadas para validao das equaes. .......................... 113
Tabela 4-6: Fator de correo das correntes nos secundrios em funo da corrente de carga
................................................................................................................................................ 126
Tabela 4-7: Clculo da potncia aparente nos enrolamentos secundrios.............................. 127
Tabela 4-8: Resumo das variveis envolvidas no clculo do ncleo. .................................... 128
Tabela 4-9: Dados do projeto do transformador..................................................................... 128
Tabela 4-10: Fios usados no projeto do transformador: ......................................................... 129
Tabela 4-11: Perdas calculadas no transformador. ................................................................. 132
Tabela 4-12: Caractersticas complementares no resumo do projeto do transformador ........ 132
Tabela 4-13: Perdas nas clulas H-bridge do CHCA isolado. ............................................... 136
xix
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas

AD Analgico/Digital
AISI American Iron and Steel Institute
Amp-Op Amplificador Operacional
APOD Alternative Phase Opposition Disposition
ASTM American Society for Testing and Materials
AWG American Wire Gauge
ca Corrente Alternada
cc Corrente Contnua
CEM Comprimento Efetivo por Espira
DA Digital/Analgico
DIN Deutsches Institut fr Normung
DSP Digital Signal Processor
EMI Eletromagnetic Interference
GO Material do ncleo de ao silcio em gro orientados
FPGA Field Programmable Gate Array
JIS Japanese Industrial Standards
MLT Mean Length Turn
MLTm Mean Length Turn for turns winding m
MPL Magnetic Path Length,
NPC Neutral Point Clamped
PD Phase Disposition
POD Phase Opposition Disposition
PWM Pulse Width Modulation
RISC Reduced Instruction Set Computing
THD Total Harmonic Distortion
THDcel THD com eliminao seletiva das harmnicas mpares.
THDnopt THD no otimizada gerada pelo processo de formao natural, fig. 1.1.
THDvo THD na sada do inversor

xx
LISTA DE SMBOLOS
Valor de tenso correspondente a um degrau ou nvel da senide,

a
(Vcc)
Aef rea efetiva do ncleo em cm2
Afio rea do fio sem isolamento em cm2

rea do fio sem isolamento em cm2, respectivamente dos condutores
A fio pr e Afio sc
primrio secundrios
Ast rea da seo transversal do ncleo
Aps Produto das reas (Waj) x rea (Aef) , expresso em cm4

B Densidade de fluxo eletromagntico em Gaus
Bmax Mxima densidade de fluxo, em Tesla
Cel1, cel2, cel3, cel4 Representam as clulas H-bridge de sada respectivamente, clula 1,
e cel5 clula 2, clula 3, clula 4 e clula 5
Cx Capacitor correspondente ao barramento da clula x
Com Expoente da freqncia, Ftra usado para o clculo da perda no ncleo
Con Expoente de Bmax usado para o clculo da perda no ncleo

Dx1, Dx2, Dx3, Dx4 Diodos da ponte retificadora correspondente a clula x acoplada.
IDxymd Corrente mdia no diodo xy
Iefm Corrente eficaz num dado enrolamento m.
Eon Energia dissipada para entrada em conduo
Eoff Energia dissipada no bloqueio
e(t) Tenso induzida em N espinas
emed Tenso mdia em meio ciclo (1/ffund)
eef Tenso eficaz numa espira
Fcelx Freqncia de comutao da clula x
fcomsxy Freqncia de comutao da chave Sxy, equivale a Fcelx , Hz
fund Freqncia fundamental, 60 Hz

f, ftra Freqncia da tenso no enrolamento primrio
Id Corrente de dreno
xxi
Ip Corrente de pico na carga

ID Dimetro Interno do ncleo toroidal
Corrente eficaz resultante da combinao entre as correntes nas chaves
Ibef x1
complementares do primeiro brao
Corrente eficaz resultante da combinao entre as correntes nas chaves
Ibef x 2
complementares do segundo brao
Icelx Corrente eficaz que circula na clula x no perodo de 60 Hz.
I C1 max Corrente Mxima Atravs do Capacitor da Ponte de Graetz
IDxymd Corrente mdia nos diodos Dxy

Corrente eficazes nas chaves da ponte H-bridge de entrada, onde Se1 e
Ief Se1 , Ief Se 2 ,
Se2 so chaves do primeiro brao e Se3 com Se4 so chaves do
Ief Se3 e Ief Se 4
segundo brao.
Ief sxy Corrente eficaz na chave Sxy
Iefm Corrente eficaz no enrolamento m

Ip Corrente mxima na carga
Ip pr Corrente de pico no enrolamento primrio
Ief sxy Corrente eficaz na chave Sxy
I celx Corrente que circula na clula x no perodo de 60 Hz
ic1ef , ic2 ef , ic3 ef Corrente Eficaz dos Capacitores
J Densidade de corrente em A/cm2

K Fator usado para mudar a amplitude da senoide de referncia.
Kfo Fator de forma de onda
Kuj Fator de utilizao da janela
LR Low Resolution
L1 e L2 Indutncias de Filtro dos Conversores
mi ndice de modulao
ndice relativo ao enrolamento, assume, pr para o enrolamento
m primrio, e sc1, sc2, sc3... para cada enrolamento em ordem crescente
de potncia.
N Nmero de espiras
xxii
n Nmero de nveis
ns Expoente de Bmax, constante de Steinmetz
P o nmero do Passo, ou o nmero de ngulos da senoide em escada.
Pa Potncia aparente do transformador, expresso em VA
Pdcelen Potncia dissipada na clula H-bridge de entrada
PcomDxy Potncia dissipada na comutao do Diodo Dxy, W
Pdcel1 ,
Potncia total dissipada nas clulas H-bridge de sada,
Pdcel2 , Pdcel3 ,
respectivamente, cel1, cel2, cel3, cel4 e cel5
Pdcel4 , Pdcel1
Pcond Dxy Potncia dissipada na conduo do Diodo Dxy, W
Pcomsxy Potncia dissipada na comutao da chave Sxy, W
Pcond sxy Potncia dissipada na conduo da chave Sxy, W
Pdmcob Potncia dissipada no cobre para o enrolamento m, dado em Watts
Perda total no Diodo Dxy, equivalente a soma da PcomDxy com

Ptot Dxy
Pcond Dxy , W
Perda total na chave Sxy, equivalente a soma da Pcomsxy com

Ptotsxy
Pcond sxy , W
Pfb Perda mostrada pelo fabricante
Pfe Potncia dissipada no ncleo

Pncl Peso do ncleo em Kg
Psc Potncia aparente do secundrio
Pos1 , Pos 2 , Pos 3 ... Potncia aparente em cada enrolamento secundrio
Ppr Potncia aparente no primrio
P scx Potncia aparente total dos enrolamentos secundrios

Ptotcu Perdas totais no cobre, em Watts
q Carga do capacitor
Rc arg , Ro Resistncia de carga
Rcd Resistncia entre a cpsula e o dissipador
xxiii
Rdson Resistncia entre drain-source no mosfet

Rdsonsxy Rdson da chave Sxy,
Rsc Resistncia do enrolamento secundrio
Rm Resistncia do enrolamento m, expresso em
Rthda Resistncia trmica do dissipador ao ambiente, C/W
RJC Resistncia trmica juno cpsula

Sxy Interruptor pertencente a clula x, com posio y na clula H-bridge.
OD Dimetro externo do ncleo toroidal
Ta Temperatura do ambiente, C
Tc Temperatura de cpsula
Td min Menor temperatura do dissipador, C
Temperatura na juno dos mosfets da clula x, respectivamente, Sx1,
Tjsx1, Tjsx2, Tjsx3, Tjsx4
Sx2, Sx3 e Sx4.
Tn Tempo de transio de nveis, s
TS1 Perodo de Comutao do Interruptor S1
TS2 Perodo de Comutao do Interruptor S2
tdon Tempo de retardo durante a entrada em conduo, s

tdoff Tempo de retardo durante o bloqueio, s
tf Tempo de descida (do ingls fall), s
tr Tempo de subida (do ingls, rise), s
tl Somatrio dos tempos tf com tdoff, (tf+tdoff), s
tcf Tempo de descida calculado, equivale a 1.2.tf
tcr Tempo de subida calculado, equivale a 1.2.tr
Tenses respectivamente de entrada das clulas H-Bridge: Cel.1,
V1 , V2 ,V3 ...
Cel.2...
Vohx (t) Tenso de sada da clula H-bridge x, V
Vosc Tenso de sada sem carga, V
Vocn Tenso de sada com carga nominal, V

Tenso elementar correspondente a um nvel da senide dado em
Vcc
Volts.
xxiv
Vf Tenso de barreira do diodo, V

Waj rea da janela
W por .kg Perda no ncleo em Watt por Kilogram, W/kg
xt O nmero total de clulas

Z ca rg Impedncia da carga
V pr Queda de tenso no enrolamento primrio, V
Vsc Queda de tenso no enrolamento secundrio, V

Regulao de tenso
1 Sinal de Erro do Compensador
x Limite de comparao para clula x, da Modulao Hbrida
Fator de correo da corrente eficaz na chave em funo da corrente
Sxx
eficaz na carga em meio perodo
t Rendimento do transformador
Rendimento do inversor
Relao de transformao do enrolamento secundrio (1/ )
Fluxo eletromagntico
m Fluxo mtuo
pm Mximo fluxo mtuo

INTRODUO GERAL
Uma das principais caractersticas dos inversores multinveis consiste em prover que
suas chaves operem com baixos esforos 1 no seu estado de funcionamento, o que justifica sua
aplicao em altas potncias e tenses [1].
Os inversores multinveis tambm esto sendo aplicados em baixas e mdias potncias
com topologias de alto rendimento em sistemas autnomos de energia [2]. Isso
impulsionado pelo desenvolvimento de tecnologias dos semicondutores, que permitem obter
componentes com alto desempenho e baixo custo, alm das caractersticas desses de operar
com baixos esforos nos semicondutores e baixas freqncias, aumentando a faixa de
aplicaes.
Atualmente os inversores multinveis que utilizam Clulas H-bridge em Cascata
(Assimtrico), CHC(A), so apontados como topologias promissoras, devido a possibilidade
de produzir grande quantidade de nveis na tenso de sada com menor nmero de
componentes, para o mesmo nmero de nveis, que as topologias convencionais com
grampeamento a diodo-Netral Point Clamped (NPC) e capacitores flutuantes-Flying
Capacitor (FLC). Os inversores do tipo CHC ainda possibilitam aumentar o nmero de nveis
na tenso de sada sem aumentar o nmero de componentes das clulas H-bridge. Isso
possvel modificando as amplitudes de pelo menos uma fonte de alimentao das clulas, o
qual comumente conhecido como inversor com Clulas H-bridge em Cascata Assimtrico,
CHCA [9]. Comumente as fontes de alimentao obedecem a uma lgica binria (tenses:
Vcc, 2Vcc, 4Vcc...) ou ternria (tenses: Vcc, 3Vcc, 9Vcc...), as quais permitem majorar o
nmero de nveis sem aumentar a quantidade de componentes, resultando em estruturas mais
eficientes. Dentre as topologias de inversores analisadas pela reviso bibliogrfica, a que
permitiu desenvolver mais nveis na tenso de sada com menor nmero de componentes
trata-se do inversor CHCA operando em ternrio, o que tambm foi mostrado em [5]. A
vantagem de se operar com o CHCA est na capacidade de promover grande quantidade de
nveis na tenso de sada (THD<5%) com poucas chaves, permitindo o uso da modulao
staircase 2 [4].
1Principalmenteosesforosdetenso.
2 Maneira de gerar uma senide em formato de escada, com nveis/degraus no modulados em alta
freqncia.
2
O uso da modulao staircase no inversor CHCA faz com que as clulas de maiores
potncias operem em baixa freqncia (prximas de 60 Hz), o que reduz as perdas por
comutao alm de promover baixo Eletromagnetic Interference, EMI se comparado a outras
topologias de inversores que operam com modulao PWM (Modulao por largura de pulso-
Pulse Width Modulation) [6]. Outras vantagens da modulao staircase em relao
modulao PWM esto descritas em captulos dedicados nesta dissertao.
Apesar do inversor multinvel em cascata usando clulas H-bridge ter surgido h
algumas dcadas (BAKER, 1975), o uso dessa topologia com diferentes valores das fontes de
alimentao possui data recente (Damiano et al, 1997; Manguelle et al, 2001). Portanto, h
pouca bibliografia a respeito da modulao staircase operando com lgica binria ou ternria,
e, em sua maioria, as que existem mostram apenas a lgica de formao da senoide com as
formas de onda para gerao da tenso de sada. Contudo, ainda existe uma necessidade de
estudos que generalize os casos de operao do inversor assimtrico usando clulas H-bridge
com as configuraes binria e ternria.
sabido que, devido o inversor operar com clulas de maiores potncias em baixa
freqncia e as de menores potncias com freqncias de chaveamento maiores, as perdas por
comutao, assim como as por conduo, so reduzidas, pois ele permite que suas clulas
operem com diferentes tecnologias de semicondutores em virtude dos diferentes valores de
tenso e de potncia, o que resulta num maior rendimento da estrutura.
No entanto, devido s formas de onda da tenso e da corrente na entrada das clulas e
nas chaves serem diferentes dos inversores comuns e no seguirem um padro aparentemente
lgico de formao, principalmente quando se trabalha com muitos nveis, pouco se tem
investido em pesquisas que permitam obter expresses para o clculo das perdas nos
semicondutores. Essas dependem da freqncia de chaveamento da clula que no trabalha
com pulso fixo os quais variam sua largura com aumento do nmero nveis da tenso de sada.
1.1 OBJETIVOS GERAIS E CONTRIBUIO DO TRABALHO
Dessa forma a estrutura assimtrica ainda pouco implementada comercialmente (Bin

WU, 2006). Um auxlio a implementao do inversor CHCA consiste no desenvolvimento de
equaes que mensuram as perdas por comutao e por conduo, das chaves. O
conhecimento destas perdas necessrio na anlise da viabilidade da topologia para projeto
adequado dos dissipadores. Pelo fato do inversor CHCA proporcionar mais nveis na forma de
onda da tenso de sada com menos componentes e operar em baixa freqncia, eles so
estruturas de alto rendimento, conseqentemente usam menores dissipadores.
3
Nessas circunstncias, este trabalho visa a contribuir com essa lacuna, apresentando
uma nova abordagem envolvendo a modulao em staircase com lgica binria ou ternria
aplicada aos inversores CHCA. Para isso, foram realizados estudos e generalizados as
modulaes binria e ternria para o ensimo caso usando clulas H-bridge conectadas em
srie. A generalizao abrange desde o princpio de gerao das formas de onda na sada do
inversor, envolvendo x clulas H-bridge conectadas em srie, que possui os benefcios citados
em captulo dedicado, como tambm no desenvolvimento de expresses para o clculo da
freqncia da tenso de sada das clulas H-bridge, operando com a configurao binria e
ternria.
Tambm so apresentados dois mtodos desenvolvidos para obter as perdas nos
componentes das clulas H-bridge, os quais so importantes no clculo trmico do inversor
resultando na escolha adequada do dissipador. Essas expresses foram desenvolvidas com
base nas informaes fornecidas pelos datasheets dos semicondutores, permitindo um maior
compromisso com o funcionamento real do inversor.
O principal objetivo do trabalho delimitar uma topologia de inversor multinvel de alto
rendimento para aplicao em sistemas autnomos de energia, com o comprometimento de
manter os custos acessveis e um menor volume. O que a princpio pode parecer um paradoxo,
pois normalmente um alto rendimento est relacionado com maior custo. Mas a topologia
escolhida parte de um inversor CHCA isolado com possibilidade do transformador operar em
ampla faixa de freqncia. Isso congrega as caractersticas de um alto rendimento promovido
pelo inversor CHCA com a diminuio dos custos das fontes de alimentao das clulas, as
quais so substitudas por um transformador de mltiplos secundrios com poucos
semicondutores adicionais, transferindo a dependncia do inversor CHCA com vrias fontes
de tenso independentes por apenas um barramento cc.
A partir da escolha da topologia, deve ser selecionada a freqncia que possibilite
reduzir os custos e o tamanho do inversor sob o comprometimento de uma boa eficincia.
Logo as anlises partem desde a seleo do ncleo adequado ao dimensionamento de
todos os componentes da topologia, bem como a escolha da melhor estratgia de modulao
que se ajuste aos parmetros de aplicao previamente estabelecidos.
Deve ser enfatizada a pouca existncia de material bibliogrfico como referncia para o
projeto de transformadores com mltiplos secundrios usando ncleo toroidal aplicados a
inversores, principalmente por se tratar de uma aplicao inovadora envolvendo o CHCA, que
possui data tambm recente (Damiano et al, 1997; Manguelle et al, 2001). No Brasil, isso
4
ainda retratado por haver poucas fbricas 3 que trabalham com projetos de ncleo toroidal
laminado, principalmente quando se trata de uma aplicao especfica como o caso dos
inversores. A vantagem de se operar com o ncleo toroidal vai desde o aumento da eficincia
do transformador, como a considervel reduo de peso e volume, se comparado com o
transformador de ncleo EI para processar a mesma potncia. Sendo assim, foi realizado o
projeto completo do transformador com ncleo toroidal aplicado ao CHCA e fornecidas
sugestes envolvendo circuitos magnticos para suprimir o efeito da saturao do ncleo.
Tambm foram levantados critrios e elaboradas solues para implementao do
inversor, projetando cada componente mediante as caractersticas especficas de
funcionamento desses em virtude da aplicao, deixando subsdios para implementao de
trabalhos vindouros.
Para obter dados apresentados nas tabelas comparativas usadas na seleo do ncleo,
verificou-se um oneroso trabalho para conseguir os diversos dados tabelados (padronizados) a
serem preenchidos por uma simples planilha com o programa Math Cad 14.0, tais como: fios
AWG, dados de ncleos comercias, tipo de lminas, bem como outros necessrios ao projeto
completo do transformador com ncleo toroidal, para isso foi elaborada uma planilha
especial no Math Cad. Essa planilha usa recursos avanados do software, envolvendo
funes de programao (IF, While, For...) que permitem o projeto automtico do
transformador com ncleo toroidal a partir de poucas informaes apresentadas no cabealho
da mesma.
A contribuio do elaborado no se restringiu apenas implementao de uma
topologia. Ele deixa seu sufrgio em outros casos, a priori abordados, bem como fornece
condies para implementao dos inversores multinveis isolados utilizados na delimitao
da topologia escolhida.
Este escrito tambm comporta vrias informaes e estudos que podem ser teis na
implementao de trabalhos porvindouros. Elas esto organizadas nos captulos que se
seguem.
3NoBrasilsforamencontradasduasfbricas.
5
1.2 MOTIVAO
Tendo em vista o espao ainda a ser preenchido para pesquisa dos inversores
multinveis em cascata assimtricos, observa-se que esse ainda no adquiriu relevncia
comercial, o que foi comprovado a partir da reviso bibliogrfica, principalmente no que diz
respeito necessidade de estudos para a generalizao das configuraes binria e ternria
para x nveis na tenso de sada. Um dado interessante diz respeito a pesquisa realizada por
(Bin WU, 2006), a qual mostra um vasto campo de aplicao dos inversores multinveis,
relata que o espao dos inversores multinveis em cascata assimtrico em escala industrial
ainda no foi preenchido, ficando a cargo dos inversores em cascata simtricos a grande
aplicao em diversas faixas de potncia como mostrado no captulo 1. Isso tambm foi
comprovado mediante a reviso bibliogrfica envolvendo os inversores em cascata
assimtricos.
Um dos possveis motivos do pouco uso dos CHCA se deve ao grande nmero de fontes
cc independentes que esses inversores exigem bem como apontada pela maioria das
pesquisas no que se refere ao uso dos inversores multinveis em cascata operando com a
configurao assimtrica. Uma soluo para sanar o problema do alto custo envolvendo a
grande quantidade de fontes cc independentes que deixa os CHCA a preos acessveis e
competitivos com os demais inversores existentes no mercado, principalmente em sistemas
isolados de energia, o uso de topologias utilizando transformadores devidamente projetados
para induzir tenso em seus secundrios com magnitude equivalentes a das fontes cc
independentes para alimentar as clulas do CHCA.
O exposto acima ser abordado em captulo dedicado que trata sobre o princpio de
funcionamento e o uso das principais topologias de inversores multinveis, empregando
clulas H-bridge em cascata.
Quando se parte para o uso de topologias com transformadores, foi observado que ainda
existe pouca bibliografia a respeito da implementao do transformador aplicado a inversores
multinveis. Essa resistncia se deve principalmente no que refere o rendimento e o problema
da saturao do ncleo, no entanto ainda no existem maiores estudos que permitissem chegar
a concluses concisas.
Um dos grandes motivos que impulsionou os estudos deste trabalho foi necessidade de
realizar pesquisas a respeito do transformador e fornecer material bibliogrfico suficiente que
permita a implementao dos inversores em cascata assimtricos com reduo do custo das
fontes cc. O resultado desta pesquisa, em virtude da escolha de uma topologia com
6
possibilidade de aplicao em ampla faixa de potncia, resultou na produo de um captulo

sobre Metodologia Generalizada de Projeto de Transformadores para Aplicaes em Altas e
Baixas Freqncias.
Mais um motivo que impulsionou a pesquisa do trabalho foi a necessidade de ter
equaes matemticas que permitam um clculo preciso das perdas nos semicondutores dos
inversores com tenso de alimentao em seqncias binria e ternria, e assim comparar os
resultados obtidos matematicamente com aqueles apresentados por softwares dedicados ao
clculo de perdas nos semicondutores.
Como fontes de impulso das pesquisas desenvolvidas ficam o empenho de poder
colaborar com desenvolvimento das fontes alternativas de energia para aplicao em sistemas
autnomos, permitindo acessibilidade s informaes e uso dos benefcios que a energia
eltrica proporciona na qualidade de vida das comunidades isoladas. Certamente, essa uma
das fontes de valor que motivaram o desenvolvimento deste trabalho.
1.3 ORGANIZAO DO TRABALHO
CAPTULO 1
Este captulo descreve o conceito e a forma de obter uma onda multinvel, a qual
comumente conhecida como modulao staircase (em escada). Em seguida feita uma
reviso dos tipos de controles e modulaes utilizados em inversores multinveis,
descrevendo-se ento as caractersticas das modulaes mais implementadas.
Este captulo tambm demonstra o funcionamento dos tipos de inversores utilizando
topologias convencionais, relatando suas vantagens, limitaes e aplicaes. Ele tambm
apresenta o desenvolvimento das topologias de inversores multinveis, evoluindo at o
modelo base para a formao do inversor escolhido no captulo 2.
O captulo aborda a modulao staircase operando com lgica binria e ternria, bem
como generaliza o princpio de formao da onda senoidal da tenso de sada no inversor
(com lgica binria e ternria), e para cada caso, envolvendo x clulas conectadas em cascata,
destacando as vantagens dessa abordagem.
No final deste captulo sero evidenciadas as consideraes finais sobre o assunto
desenvolvido.
7
CAPTULO 2
Este trata das topologias de inversores multinveis isolados que apresentam potencial de
aplicao em fontes alternativas de energia. Esses inversores foram selecionados mediante
reviso bibliogrfica. Neste captulo mostrado o princpio de funcionamento de cada
topologia bem como suas vantagens e limitaes frente aos critrios utilizados para a escolha
da topologia.
Neste mesmo captulo ser apresentado o princpio de desenvolvimento utilizado para
obteno das frmulas que calculam a freqncia da tenso de sada de cada clula. Sero
mostrados os valores de freqncia de comutao das chaves para modulao staircase com
lgicas binria e ternria obtida a partir das equaes desenvolvidas.
No final deste ser apresentada a topologia escolhida para estudo, relatando as
consideraes finais sobre o assunto abordado.
CAPTULO 3
Este captulo inicia com a teoria necessria para o desenvolvimento de frmulas

comumente utilizadas na implementao de projeto de transformadores.
Em seguida feita uma abordagem generalista sobre critrios de escolha de ncleos
com seo homognea (comumente usado em alta freqncia) e de ncleos laminados
(aplicado em baixa freqncia). Tambm so mostrados os critrios para escolha dos tipos de
geometria de ncleo existentes com base na minimizao de perdas, bem como apresentado as
frmulas utilizadas para o clculo do Aps (produto das reas da janela pela seo transversal
do ncleo) o qual contm informao embutida da capacidade de potncia aparente suportada
pelo ncleo.
Este captulo apresenta o projeto de transformadores para aplicao em mdias e baixas
potncias, fornecendo informao suficiente para um bom projeto de transformadores e
aplicaes com ampla faixa de freqncia.
Ele tambm apresenta de forma resumida as informaes dos tipos de materiais
disponveis para uso em transformadores, atravs de tabelas e curvas B-H sobrepostas de cada
material facilitando a rpida escolha da melhor composio do ncleo de acordo com
aplicao e especificaes de projetos.
O mesmo captulo mostra informaes para implementao do transformador com
ncleo toroidal, o qual foi escolhido para o projeto do inversor.
8
Neste captulo tambm ser explanado que uma boa seleo do material concomitante
com a geometria apresentada pelo ncleo possibilita produzir transformadores com
rendimentos dependendo da faixa de potncia extrada em torno de 98% para 1 kVA e de 95%
para 300 VA [66]. O mesmo tambm aborda fatores decisivos para um bom projeto de
transformadores aplicados a inversores, com a proposta de circuitos magnticos que reduzem
o problema da saturao do transformador.
CAPTULO 4
O captulo 4 trata do estudo da topologia escolhida para o inversor multinvel

assimtrico, para o qual so determinadas as equaes que permitem obter as perdas por
conduo e comutao dos interruptores dos inversores multinveis em cascata assimtrico
operando com a lgica binria e ternria as quais so necessrias ao projeto adequado do
dissipador. Para manter a fidelidade dos equacionamentos com os resultados reais foram
desenvolvidas expresses com base nos dados fornecidos pelos datasheets dos fabricantes.
Um dos possveis motivos do inversor com clulas H-bridge assimtrico no est
presente na manufatura da escala industrial (Bin Wu, 2006) dos inversores multinveis se d
por existir pouca literatura com equacionamentos que relate e possibilite ao projetista
mensurar com segurana as perdas por conduo e por comutao (depende da freqncia de
chaveamento) para operao em binrio e ternrio, as quais so fundamentais para
implementao do projeto adequado do dissipador. Sendo assim foi deduzido frmulas para o
clculo da freqncia das clulas H-bridge de sada, bem como a freqncia de operao das
chaves para funcionamento do inversor tanto em binrio quanto em ternrio as quais so
fundamentais para mensurar as perdas por comutao.
Antes de desenvolver equaes que quantificam as perdas no captulo 4, foi feito uma
abordagem generalista no captulo 1, que fala sobre o princpio de formao de uma onda com
n nveis na tenso de sada usando inversores multinveis em cascata com as lgicas binria e
ternria. Para comprovar essa anlise foram implementadas simulaes com inversores com
63 e 81 nveis na tenso de sada com intuito de validar a abordagem, sendo essa ltima um
feitio de poucos trabalhos.
A validao dos equacionamentos obtidos mostrados no captulo 4 foi realizada com o
programa Orcad Pspice por permitir uma proximidade com a realidade prtica e ser uma
9
ferramenta de simulao de uso para validao de projetos tanto em aplicaes envolvendo

circuitos magnticos 4 como circuitos eletrnicos.
Os resultados das equaes desenvolvidas para a topologia escolhida mensuram as
perdas nas chaves em uma freqncia de 60 Hz, e tambm proposto o mtodo para o clculo
trmico dos componentes de uma clula H-bridge inseridos sobre um mesmo
encapsulamento. Para validar os equacionamentos propostos foram realizadas simulaes
empregando as caractersticas dos modelos reais fornecidos pelos fabricantes dos
semicondutores, os quais permitem a simulao dos componentes com as caractersticas de
funcionamento reais, inseridas as no linearidades que ocorrem na implementao prtica
[76]. Quando se trata da simulao utilizando modelos com parmetros reais dos componentes
fornecidos pelos fabricantes para aplicao eletrnica, o programa gera um maior
compromisso com a realidade prtica principalmente no clculo da potncia dissipada
produzindo um baixo erro [77],[78].
O Orcad Pspice considerado uma importante ferramenta que colabora com a
validao de equaes e apresenta um pequeno erro nos valores obtidos se comparado com a
implementao prtica [76],[77],[78] e [79].
CAPTULO 5
No captulo 5, so mostradas as concluses gerais do trabalho e apresentadas as

sugestes para trabalhos futuros.
Paraanlisedecircuitosmagnticososoftwaredispedoaplicativomagneticspartseditorencontradonas
4
verses a partir da 10.5 o qual permite a simulao integrada dos modelos de transformadores com aplicaes
reais.
CAPTULO 1
INVERSORES MULTINVEIS: PRINCIPAIS TOPOLOGIAS PARA
APLICAES EM ALTAS E MDIAS POTNCIAS
Atualmente existem diversas topologias de inversores, dentre as quais devido sua ampla
aplicao industrial e do uso em acionamento de mquinas, as estruturas que utilizam formas
de onda quase quadradas, em sua sada possuem harmnicas que produzem torque contrrio
na maquina ocasionando perdas por aquecimento dos enrolamentos [80], alm de aumentar o
custo do filtro de sada. Para conform-la em uma onda senoidal normalmente modula-se esse
sinal em alta freqncia, com intuito de diminuir o custo do filtro de sada. Para os inversores
que operam em baixas potncias, como o caso do inversor em ponte completa, quando se
aumenta a potncia prtica comum diminuir a freqncia para manter as perdas dentro de
limites aceitveis. A diminuio da freqncia acarreta no aumento do custo e do tamanho do
filtro de sada que para certas faixas de potncias as topologias que operam com dois nveis na
tenso de sada se tornam inviveis, por razes de eficincia e por aumento da THD. Uma
soluo para esse caso usar topologias que permitam obter na sada uma onda multinvel, a
qual diminui a THD sem precisar aumentar a freqncia de operao para deixar baixo o custo
do filtro de sada.
Em meio a essa situao foi pensado em estruturas que gerassem formas de ondas com
maior resoluo na tenso de sada sem aumentar consideravelmente o custo de produo,
bem como os efeitos eltricos desses acoplados ao sistema eltrico.
O estudo de conformar a tenso de sada em degraus suaves gerou um termo prprio
muito utilizado em eletrnica de potncia o qual atualmente conhecido como multinvel.
Alguns estudos realizados que acompanham o desenvolvimento da eletrnica de
potncia, relatam que esse termo provavelmente surgiu com o arranjo de transformadores
polifsicos muito usado nos primrdios da eletrnica de potncia (Flairty, 1961; Bedford e
Hoft, 1964; Garth et al., 1971). Importantes contribuies como a terminologia e o
equacionamento generalizado dos conversores multinveis foram apresentados por Stefanovic
e Bhagwat (1983).
Tendo em vista o estudo de topologias multinveis, pode-se mencionar as de relevncia
na indstria: Diode-clamp (diodos de grampeamento), Flying-capacitors (capacitores
flutuantes), Cascaded inverter with separate source dc (inversor multinvel em cascata com
diferentes fontes cc).
2
Em [2], relatam-se as caractersticas e o princpio de funcionamento das trs estruturas

multinveis mencionadas acima, bem como as principais vantagens e desvantagens.
1.1 APLICAES DOS INVERSORES MULTINVEIS
Os inversores multinveis so amplamente aplicados em altas potncias e em mdias

tenses. Segundo pesquisa realizada por (Bin Wu, 2006) no mbito industrial entre os maiores
fabricantes de inversores multinveis, foi demonstrado que grande parte das aplicaes em
mdias tenses para drives acionamento de mquinas se efetua na faixa de potncia de 0,4
MW a 40 MW com nvel de tenso variando de 2,3 kV a 13,8kV. Entre as aplicaes esto
bombas de gasoduto na indstria petroqumica e estaes de bombeamento [41],[42],
ventiladores na indstria de cimento [43], traes no transporte industrial, indstria na
produo de rolos de ao dentre outras [44],[45].
As principais topologias de inversores e faixas de potncias mostradas nessa pesquisa
so mostradas na tabela 1-1.
Tabela 1-1: Inversores multinveis, pesquisa realizada pelos principais produtores de acionamento para
mquinas, a maioria operando em mdias tenses (3,3kV 6,6kV).
Configurao do Componente de Faixa de Potencia
Fabricante
Inversor chaveamento (MVA)
Two-Level Voltage IGBT 1,4-7,2 Alstom (VDM5000)
0,3-5 ABB (ACS1000)
GCT 3-27 (AC6000)
NPC
(Neutral Point Clamped) GCT General Electric (Innovation Series
3-20
MV-SP)
IGBT 0,6-7,2 Siemens (SIMOVERT-MV)
IGBT General Electric Toshiba
0,3-2,4
(Dura Bilts MV)
0,3-22 ASI Robicon (Perfect Harmony)
CHC IGBT 0,5-6 Toshiba (TOSVERT - MV)
(Cells H-bridge Cascaded) General Electric (Innovation MV-GP
0,45-7,5
Type H)
NPC/ H-bridge inverter IGBT 0,4-4,8 Toshiba (TOSVERT 300MV)
Flying-capacitor inverter IGBT 0,3-8 Alstom (VDM6000 Symphony)
PWM Current Source Symmetrical GCT Rockwell Automation (PowerFlex
0,2MVA 20MVA
Inverter 7000)
Load Commutated >10MVA Siemens (SIMOVERT S)
Inverter SCR >10MVA ABB (LCI)
>10MVA Alstom(ALSPA SD7000
Os multinveis tambm so aplicados na compensao de harmnicos e reativos

dispensando o uso de transformadores, comumente conhecido como STATCOM (Static
Synchronous Compensator) [37],[40].
3
Em virtude do desenvolvimento tecnolgico dos semicondutores e a grande demanda da

sociedade por servios que envolvem eletrnica de potncia, os custos dos interruptores tem
cado o que diminui o custo de produo dos conversores multinveis e colocam esses no
mercado de aplicaes em mdias potncias e baixas freqncias, principalmente no uso de
sistemas de energia em alta eficincia [25]. O alto rendimento nos inversores multinveis
conseguido em virtude da operao dos interruptores com baixos esforos de tenso e
corrente, e o surgimento de topologias capazes de gerar uma tenso na sada de alta resoluo
com poucos componentes [2],[9],[34],[36],[37],[38].
1.2 ASPECTOS GERAIS DE UMA ONDA MULTINVEL
Para manter uma baixa THD na tenso de sada, os nveis (+n a n) devem ser
igualmente espaados e a lgica para obter uma onda com n nveis consiste em estrutur-la
conforme a figura 1.1 (Bin Wu, 2006). As topologias de inversores multinveis podem gerar
uma onda multinvel com formato apresentado na figura 1.1. No entanto, devido aplicao,
quando se deseja diminuir o custo de filtros, algumas topologias apresentam a senoide com
nveis modulados, figura 1.3. A forma de obter os nveis modulados dada pelas estratgias
de modulao aplicadas em inversores multinveis [15],[16],[17],[18].
Vo
3Vcc
Passo 3
2Vcc
Vcc/2
Vcc/2
Vcc
Passo 1 Vcc/2
Vcc/2
1 2 3 wt
-Vcc
-2Vcc
-3Vcc
Figura 1.1: Tenso de sada com nveis igualmente espaados.
Onde os valores aproximados para o clculo dos tempos de transio de cada nvel
consistem em:
Vcc(n 0.5)
Tn sin 1 360 f (1.1)
Vp
4
Vcc o valor fixo de cada nvel e Vp o valor de pico da senide desejada, f a

freqncia em Hz e Tn dado em segundos . Assim para a formao da senoide bastam os
tempos de cada nvel em do perodo, sendo os outros obtidos por simetria, visto que a onda
senoidal perfeitamente simtrica nos outros quadrantes subseqentes.
1.3 TCNICAS DE MODULAO EM INVERSORES MULTINVES
Existem diversos tipos de modulaes que podem ser aplicadas em inversores

multinveis. Elas agem de maneira a permitir que na sada do conversor seja gerado uma
tenso com nvel modulado (com estratgia PWM) ou nvel fixo (staircase), e cada uma
dependendo da aplicao oferece vantagens ou limitaes. Dentre os diversos tipos de
modulaes aplicveis aos inversores multinveis [12],[14],[15], o diagrama da figura 1.2
expe de forma simplificada.
Figura 1.2: Diagrama simplificado das tcnicas usadas para obter a onda multinvel.
No diagrama da figura 1.2 os blocos selecionados representam as tcnicas explanadas

nessa seo. Dos tipos de modulaes que so comumente aplicadas em inversores
multinveis pode-se relatar: a modulao PWM e suas variantes: PD, phase disposition, POD,
phase opposition disposition, e APOD, alternative phase opposition disposition
5
[15],[16],[17]. Ainda compondo os tipos de modulao PWM pode-se mencionar a estratgia

PS, phase shifted, e a modulao Hbrida [18].
1.3.1 Modulao PWM
Os detalhes para a lgica da implementao esto organizados a seguir, podendo ser

estendida a anlise da estratgia PWM nas configuraes PD, POD e APOD para o caso em
que o inversor permita gerar n nveis na tenso de sada, onde o resultado desses parte do
princpio da comparao entre um sinal de referncia senoidal (moduladora) com (n-1)
portadoras triangulares. Assim cada portadora envolve a intermitncia de valores includos
entre os diferentes nveis permitidos.
A diferena entre as estratgias PD, POD e APOD, consiste no defasamento angular
entre as portadoras envolvidas na modulao.
O nmero de portadoras (n-1) no regra geral quando se utiliza inversores multinveis
em cascata, pois uma clula pode operar com uma estratgia, por exemplo, APOD e as outras
no ou ainda uma das clulas pode operar com diferentes estratgias.
Pelo motivo das estratgias PD, POD e APOD serem baseadas na modulao PWM
clssica, a lgica para formao dos pulsos segue o mesmo princpio apresentado na figura
1.3.
A figura 1.3 expressa de forma simplificada o princpio utilizado para gerao dos
nveis com uso da modulao PWM clssica.
Figura 1.3: Lgica para obter uma tenso de sada modulada.

6
PD
O exemplo da estratgia PD evidenciado na figura 1.4.
Figura 1.4: Modulao PD.
A caracterstica dessa estratgia consiste na disposio em fase de todas as portadoras.
POD
Figura 1.5: Modulao POD.
O distintivo dessa estratgia consiste no defasamento angular de todas as portadoras

superiores ao nvel zero de 180 em relao a todas as portadoras inferiores ao mesmo nvel
zero.
7
APOD
Figura 1.6: Modulao APOD
Nessa estratgia, todas as portadoras esto defasadas entre si de 180. Dessa maneira
uma portadora sempre estar deslocada de 180 em relao s triangulares de seus extremos.
Modulao Hbrida
Seja o inversor apresentado na figura 1.9 a), operando com 3 clulas e suas fontes de
tenso dispostas a formar uma PG 5 de razo 2, assim, V1= 1V, V2= 2V e V3= 4V. Os
mdulos desses inversores podem ser representados em ordem de grandeza decrescente por
mdulos descritos no diagrama da figura 1.7.
Figura 1.7: Modulao hbrida.
O diagrama de controle da figura 1.7 demonstra a gerao das referncias de cada clula
H-bridge, onde:
-3 e 3 representam os nveis de comparao da terceira clula H-bridge, que na
anlise seguinte est representada pelos respectivos valores, -4 e 4, figura 1.8.
-2 e 2, so os limites de comparao da segunda clula, representada por -2 e 2,
figura 1.8 .
5Progressogeomtrica
8
-1 e 1, so os nveis de comparao da primeira clula, que no nosso caso ser

representada por, -1 e 1, figura 1.8.
O sinal de referncia rx-1 de uma clula qualquer sempre o resultado da diferena
envolvendo o sinal de referncia da x clula consecutiva de maior tenso, rx e sua tenso de
sada Vx(t), rx-Vx(t) figura 1.7.
O princpio de funcionamento dessa estratgia se baseia nas seguintes afirmaes:
Toda vez que o sinal de referncia rx for maior que a restrio x, as chaves da clula
so comandadas a colocar em sua sada um valor de tenso positivo, Vx.
De maneira semelhante ocorre com a comparao no caso se a referncia rx for menor
que a restrio negativa, -x. Assim, as chaves so comandadas a colocar na sada da clula
uma tenso Vx. O resultado dessas comparaes no decorrer do tempo gera uma tenso de
sada da clula Voutx(t). Esses procedimentos so realizados at a segunda clula do inversor.
Para a primeira clula o sinal de referncia rx comparado com uma portadora
triangular com limites de comparao -1 e 1, resultando numa tenso de sada da clula
modulada em alta freqncia. O somatrio das tenses na sada de todas as clulas resulta
numa onda multinvel com modulao em alta freqncia nos diversos nveis.
O resultado das comparaes resultante do diagrama, figura 1.7, mostrado na figura
1.8.
Figura 1.8: Sinais de referncias (Vref) e tenso de sada (Vout) das clulas 3, 2, 1 respectivamente nas figuras:
a), b) e c) o item d) representa o somatrio das tenses de sada das clula, ou a tenso de carga.
9
1.3.2 Modulao Staircase
O princpio utilizado para obter uma tenso de sada com aspecto mostrado na figura 1.1
denominado modulao staircase [4]. Grandes contribuies a modulao staircase de alta
resoluo foram apresentadas por [25]. O uso dessa estratgia aplicada ao inversor em cascata
usando clulas H-bridge mostrado na figura 1.9 b). Sendo assim, os trs ngulos de
chaveamento podem ser utilizados: um para ajustar o ndice de modulao mi (1), e os outros
dois para eliminar duas harmnicas (2 e 3).
Voh1 Voh1 Vcc

S11 S13
V1= Vcc
Voh2 Vcc
S12 S14
Voh3 Vcc
Vo
S21 S23 Voh2 Vo
V2= Vcc
Vo1
S22 S24 3Vcc 1.02x3Vcc
S31 S33 Voh3
V3= Vcc
S32 S34
a) Inversor b) Sadas
Figura 1.9: a) Inversor CHC; b) Sadas do CHC: do primeiro ao penltimo grfico, tenso de sada nas clulas
(Voh1, Voh2 e Voh3), ultimo grfico tenso na sada do inversor.
A tenso de sada Vo da topologia vista na figura 1.9 pode ser expressa em termos da
srie de Fourier:

4Vcc 1
Vo = [cos(m1 ) + cos(m 2 ) + cos(m3 )] sin(mt ) (1.2)
m =1,3,5... m

com 0 3 2 1
2
10
Onde: o coeficiente 4Vcc/ representa o valor de pico da fundamental da tenso de sada

Vo1max de uma clula H-bridge (por exemplo, clula Voh1) que ocorre quando o ngulo de
chaveamento 1 reduzido zero, m a ordem harmnica e 1, 2 e 3 so os ngulos
independentes de chaveamento.
O contedo harmnico total na tenso de sada pode ser mensurado pela equao (1.3).

(Vo mrms )2
(Vorms ) 2 Vo1rms 2 H o2 + H 22 + C + H m2 + C
THD = 2
= = x 100% (1.3)
Vo1rms Vo1rms H1
Onde: Vomrms, o valor eficaz da nth (nth-ensima) ordem harmnica da tenso de

sada, Vo1rms o valor eficaz da harmnica fundamental da tenso de sada e Hm a
magnitude de cada harmnica.
Se o interesse for descobrir o impacto no contedo harmnico em baixa freqncia na
sada do inversor, ele pode ser mensurado pelo fator de distoro DF (atenuao de 2 ordem,
divididos por m2) o qual dado [19]:
2
1 Vm
DF =
V1
2
m = 2,3 m
(1.4)
O comportamento do contedo harmnico na tenso de sada para forma de onda,

mostrada na figura 1.1, sem a otimizao dos ngulos de chaveamento, THDnopt,
apresentada na figura 1.10.
passo
Figura 1.10: Tenso de sada em funo do nmero de passos em 1/4 de ciclo da senoide (sem a otimizao).
11
Aspectos Relevantes
Essa modulao permite que as clulas operem em baixa freqncia o que diminui as
perdas por comutao. Ela atrativa para o CHCA por permitir alta resoluo na tenso de
sada com poucos componentes.
Quando se tem muitos nveis em Vo (n> 7), tabela 1-2, a THD menor que 5%. A
possibilidade de se trabalhar com muitos nveis permite o controle do valor eficaz da tenso
de sada atravs da adio e subtrao de nveis em torno da tenso eficaz de referncia do
inversor. Os estados de chaveamento referentes soma ou subtrao de nveis podem ser
armazenados em tabelas no microcontrolador e acessados quando preciso.
Por essa modulao permitir que as clulas operem em baixas freqncias o inversor
produz baixo nvel de EMI.
A modulao em staircase aplicada em inversores multinveis com alta resoluo na
tenso de sada permite suprir os efeitos secundrios da modulao PWM em alta freqncia,
principalmente quando se trabalha em altas potncias. A desvantagem da modulao PWM
quando se trabalha em altas potncias, reside principalmente no aumento das perdas nos
semicondutores (comutao e conduo), o que pode inviabilizar a implementao do
inversor especialmente quando esse aplicado em filtros ativos usados para compensao de
harmnicos e reativos quando comparado a modulao staircase [20]. Alm das perdas a
modulao PWM gera componentes harmnicas de vrias freqncias o que poderia exigir um
filtro LC de ordem superior a 2 [21]. Uma alternativa modulao PWM para aplicaes em
inversores multinveis em mdias e altas potncias o uso de uma estratgia de chaveamento
que gera uma tenso de sada sob forma de escada, figura 1.1, com nveis igualmente
espaados [22],[23] como o apresentado nessa seo.
Eliminao Seletiva de Harmnicas
Para um dado nmero de passo P, a modulao staircase permite eliminar (ou atenuar)
harmnicas de maiores ordens atravs do ajuste dos ngulos de transio dos degraus, figura
1.9. Os ngulos de transio podem ser programados para sobrepor os ngulos
correspondentes s harmnicas de maiores magnitudes [24].
A eliminao seletiva de harmnicas bastante utilizada em aplicaes de altas
potncias pelo motivo dos inversores atuarem com poucos nveis na tenso de sada. Todavia,
quando se deseja implementar o conversor em mdias potncias para aplicaes em sistemas
isolados pode-se usar topologias que operam com muitos nveis na tenso de sada [25], as
12
quais tambm possibilitam a regulao da tenso atravs da eliminao ou adio de nveis

com pouca variao da THD, eliminando assim o custo adicional de um conversor para
controlar o barramento cc.
Ferramenta Computacional Para Auxlio Simulao e Implementao da Modulao

Staircase
A ferramenta computacional mostrada na figura 1.11 a) foi estruturada em linguagem

C, ela auxilia nas anlises da THD para os diversos nveis e fornece os tempos de transio
dos degraus da senide a serem usados para compor a pseudo-linguagem, figura 1.11 c), onde
programado o estado de chaveamento da topologia. O segundo programa, figura 1.11 b),
compila a pseudo-linguagem (.txt) e gera os arquivos dos pulsos utilizados para comandar as
chaves da topologia simulada no Orcad Pspice.
b)

Pseudo code n=7 level, file .txt :
% Comments
% Pseudo code, for 7 levels fig. 3 (n=3 in the of the cyclo)
% Initial (I) command states: Level of the switches:
% H=high, L=Low
I 11=H 12=L 13=H 14=L;
I 21=H 22=L 23=H 24=L 31=H 32=L 33=H 34=L;
% General Settings
% Period, dead time, rise/fall, drive volt.
S 16.667e-3 2000e-9 100e-9 12;
% Transition (T) <time in seconds> switch= b, e, a
%b: before, a: after (b/a=-/+dead time); e:exact dead time
T 0.000444188 33=e 34=a;
T 0.001388896 23=e 24=a;
a) c)
Figura 1.11: Ferramenta computacional : a) Unidade de tratamento da forma de onda; b) Compilador dos
arquivos gerados em a); b) Pseudo cdigo usado na programao dos tempos de simulao.
Para implementar um conversor com vrios nveis na tenso de sada, h um trabalho

oneroso em realizar a eliminao seletiva de harmnicas, THDcel, como tambm usar o
critrio da mnima THD, THDmin. A ferramenta computacional torna possvel resolver esse
inconveniente, permitindo a operao do inversor com pulsos em suas chaves que resultam
uma tenso de sada Vo, apresentando valores prximos de THDcel ou THDmin, mostradas na
tabela 1-2 e tabela 1-3.
Pelo motivo da onda multinvel ser composta por nveis finitos, e se for considerado o
valor de pico da onda multinvel Vpk (n x Vcc) igual ao valor da senoide de referncia, figura
13
1.1, a razo entre o valor eficaz da senide em escada sobre Vpk/2 ligeiramente diferente,
essa diferena chamada de ndice de modulao mi:
VoRMS
mi = (1.5)
(V pk / 2 )
Onde: Vorms o valor eficaz da tenso de sada em escada e Vpk o valor de pico da
onda multinvel, o mi pode ser usado como uma medida da qualidade da forma de onda.
Para implementar o controle timo de alta resoluo da onda multinvel, pode-se
recorrer ao uso simultneo da adio e subtrao de nveis para obter o melhor resultado
(Figura 1.12).
400 [V]
[V] p = 31, mi = 1.00 300 p = 10, mi = 1.00
263 Vrms, THD = 0.38% 230 Vrms, THD = 2.53%
300 50 50
p = 27, mi = 1.00 200
200 229 Vrms, THD = 0.45%
50
100 100
p = 10, Mi = 0.95
0 p =16, mi = 1.00 0
219 Vrms, THD = 3.41%
136 Vrms, THD = 1.08% 50
-100 50
-100
-200
-200
-300
-300
-400
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Time [ms] Time [ms]
Figura 1.12: Modulao staircase.
A ferramenta computacional, figura 1.11, gera os ngulos timos de chaveamento que

podem se utilizados para implementar o controle da onda multinvel de alta resoluo. O
princpio usado para obt-los realiza a variao (ou varredura) da senide de referncia
atravs da mudana de amplitude determinada pelo fator k e exemplificada na figura 1.13.
K>1 Variao
a
K=1 Vref=k.3.a.sin(wt)
3a ajustado para atingir o
mi desejado
K<1 K>1
K=1
2a K<1
a/ 2
a/ 2
a
a/ 2
a/ 2
Figura 1.13: Mtodo flexvel da senide de referncia usado para obter a THD otimizada.
Conforme visto, quando se deseja eliminar harmnicas com o inversor operando em

diversos nveis na tenso de sada (63 e 81 nveis) o trabalho se torna oneroso, sendo assim, a
14
ferramenta computacional apresentada na figura 1.11 pode gerar tanto os tempos de transio
dos degraus da forma de onda natural (sem a eliminao de harmnicas) THDnopt como
tambm os tempos otimizados com a eliminao das harmnicas mpares, THDcel, ou ainda
uma atenuao na THD para um total de harmnicas definidas THDmin (90 primeiras
harmnicas).
O diagrama da figura 1.14 mostra a estrutura do algoritmo utilizado para obteno dos
ngulos timos da ferramenta computacional.
entrada
p e Mi
Define o intervalo de k
Exemplo: k_min = 0.97 k = k + passo
k_max = 1.03 Exemplo: passo= 0.001
k = k_min
THDmin = 100
Sim No
k = k_max ?
Use o mtodo FLEXIVEL

para determinar 1 , 2 ... p-1
e calcula p para atingir o Mi desejado
mostra o melhor resultado
com os valores de: 1 , 2 ... p

calcula a THD
Fim
armazena 1 , 2 ... p (os melhores) Sim No

THD < THDmin ?
THDmin = THD
Figura 1.14: Algoritmo usado para o clculo da THD mnima.
A tabela 1-2 mostra a comparao da THD obtida com a eliminao das harmnicas
mpares (THDcel) versus a THD natural (THDnopt sem o uso do mtodo flexvel, figura 1.13)
para os diversos nmeros de nveis usuais aplicados em inversores multinveis de alta
resoluo na tenso de sada.
Tabela 1-2: THD com eliminao de harmnicas mpares (THDcel) e THD gerada sem o mtodo flexvel.
p 3 4 7 9 13 15 20 25 31 40
thdnopt 11.606 8.748 4.934 3.668 2.480 1.918 1.145 0.771 0.559
thdvo
thdcel 11.923 8.831 4.780 3.552 2.454 1.845 1.122 0.770 0.556
thdcel 1.0282 1.0179 1.0074 1.0050 1.0028 1.0022 1.0014 1.0010 1.0007
mi
thdopt 1.0390 1.0165 1.0190 1.0149 1.0064 1.0099 1.0070 1.0075 1.0047
THD considerada com base nos clculos para as primeiras 90 harmnicas e P a quantidade de ngulos em de ciclo da senide.
15
A tabela 1-3 mostra o contedo harmnico obtido pelo critrio da THD mnima.
Tabela 1-3: THD mnima obtida para os diversos tipos de passos usuais.
P 3 4 7 9 13 15 20 25 31 40
THDmin 11.149 8.450 4.708 3.531 2.444 1.783 1.090 0.770 0.556 0.324
mi 1.0487 1.0348 1.0264 1.0205 1.0055 1.0105 1.0069 1.0075 1.0047 1.0029
1.4 INVERSORES MULTINVEIS, TOPOLOGIAS CONVENCIONAIS
1.4.1 NPC ou Inversor com Diodos de Grampeamento
Alguns trabalhos fazem referncia a essa topologia como a topologia que mantm a
tenso fixa na chave atravs dos diodos grampeadores D1 e D1, figura 1.15 [26],[28].
Dentre as aplicaes do NPC pode-se mencionar o uso em acionamento de mquinas
[27] e filtros ativos [29].
As Principais Caractersticas do Inversor NPC so:
A tenso do barramento cc dividida entre o ramo de capacitores (em srie)

conectados em paralelo ao barramento, figura 1.15.
A conexo da carga deve ser realizada entre os terminais a-n.
A tenso mxima entre os terminais a-n para quaisquer n nveis Vcc/2.
As chaves superiores ao ponto a S1 e S2 so respectivamente complementares as chaves
S1 e S2 inferiores ao mesmo ponto a.
Assim o inversor da figura 1.15 gera trs nveis na tenso de sada (Van) que so:
+Vcc/2, para S1 e S2 acionadas, 0 para S2 e S1 acionadas e -Vcc/2, para S1 e S2 acionadas.
Como visto, o nmero de chaves acima do ponto a (duas chaves) representa a quantidade de
chaves que so acionadas para gerar cada um dos trs estados na sada do inversor.
Na figura 1.15 mostrada a topologia do inversor e sua tenso com trs nveis
modulada em alta freqncia com intuito de reduzir o tamanho do filtro de sada, figura 1.15
b).
16
Figura 1.15: NPC com 3 nveis na tenso de sada.
A figura 1.16 demonstra o inversor operando com cinco nveis. Nessa topologia a
tenso do barramento Vcc foi dividida por quatro capacitores conectados em srie, o que
permite resultar na tenso de sada os cinco nveis: Vcc/4, Vcc/2, 0, -Vcc/2 e -Vcc/4.
O uso de capacitores nessa topologia e em outras com mais nveis permite estabelecer a
relao entre esses com o nmero de chaves, resultando para n nveis, (n-1) capacitores no
barramento [26]com 2.(n-1) chaves[6].
Os interruptores da topologia exibida na figura 1.16 sero considerados acionados para
o valor representado por um (1) e o estado de bloqueio concebido por zero (0), ambos
exibidos na tabela1-4.
Figura 1.16: NPC operando com 5 nveis.
Os estados de chaveamento do NPC operando com cinco nveis so mostrados na tabela

1-4.
17
Tabela 1-4: Estados de chaveamento do NPC operando com 5 nveis.

Estados de chaveamento para gerar os cinco nveis na tenso de sada
Van S1 S2 S3 S4 S1 S2 S3 S4
+Vcc/2 1 1 1 1 0 0 0 0
+Vcc/4 0 1 1 1 1 0 0 0
0 0 0 1 1 1 1 0 0
-Vcc/4 0 0 0 1 1 1 1 0
-Vcc/2 0 0 0 0 1 1 1 1
Novamente para cinco nveis, as chaves superiores ao ponto a S1, S2, S3 e S4 so

respectivamente complementares as chaves S1, S2, S3 e S4. E novamente a quantidade de
chaves superiores ao ponto a representa o nmero de interruptores que so acionadas para
formar os outros estados da tenso de sada.
Como observado no funcionamento da topologia, a tenso em cada chave fixada
(grampeada) pelos diodos e para n nveis sua tenso ser Vcc/(n-1).
Os diodos de grampeamento esto submetidos a diferentes nveis de tenso, figura 1.16.
Isso pode ser observado quando a chave S4 est bloqueada, o diodo D3 est submetido
apenas tenso de um capacitor. Se a chave S3 e S4 esto fechadas, o diodo D2 est
submetido ao dobro da tenso de um capacitor. Caso S2, S3 e S4 estejam acionadas, o
diodo D1 fica submetido ao triplo da tenso de um capacitor. Se for assumido que cada diodo
possua a mesma tenso de bloqueio, o nmero de diodos para n nveis do NPC considerando a
estrutura monofsica ser (n-1).(n-2) diodos grampeadores.
Vantagens:
O aumento do nmero de nveis diminui o contedo harmnico da tenso de sada.

bidirectional ou back to back .
Baixas perdas por chaveamento se devem a operao do inversor na freqncia
fundamental sem aumentar o contedo harmnico na sada [6],[29].
O fluxo de potncia reativa pode ser controlado sem causar desbalanceamento nos
capacitores [30].
18
Limitaes:
A transferncia de potncia ativa causa desbalanceamento dos capacitores, o que

dificulta o controle do sistema.
O nmero de diodos grampeadores aumenta com o nmero de nveis.
1.4.2 Flying Capacitor, FLC
O princpio de funcionamento dessa topologia simples e assim como no NPC so

utilizados diodos para grampear a tenso sobre a chave. O flying capacitor utiliza capacitores
para manter fixa a tenso sobre a chave [6],[31],[32],[33].
A topologia do inversor vista na figura 1.17. Se a tenso de sada extrada dos
terminais a e n, os nveis da tenso de carga so: +Vcc/2, 0, Vcc/2.
Figura 1.17: Flying capacitor, FLC operando com trs nveis.
A combinao de chaveamento utilizada para colocar os trs nveis na tenso de sada

dada para: Van= +Vcc/2, S1 e S2, esto acionadas. Para Van=0 as chaves S1 e S1 ou S2 e
S2 so acionadas, para gerar Van= -Vcc/2 as chaves S1 e S2 so acionadas.
O controle da tenso sobre o capacitor C1 flutuante feito da seguinte maneira. Para
carregar C1 as chaves S1 e S1 so acionadas. Para descarregar C1 as chaves S2 e S2 so
fechadas.
Esse controle de carga e descarga de C1 ou colocado sob tenso de flutuao realizado
continuamente.
As Principais Caractersticas Desse Inversor:
Como j mencionado ele utiliza capacitores para grampear a tenso nas chaves
ao invs de diodos de grampeamento.
19
Ao contrrio do NPC ele possui estados de comutao redundantes para

sintetizar a tenso de fase, ou seja, alguns valores podem ser sintetizados por
mais de um estado de comutao.
Exige um controle complexo para minimizar o efeito do desbalanceamento da
tenso dos capacitores em aplicaes com transferncia de potncia ativa.
A anlise para n nveis desse inversor tem por princpio [30] grampear a tenso nos
interruptores com valor igual ao dos capacitores em srie que compem o barramento cc.
Dessa forma so necessrios [(n-1).(n-2)]/2 capacitores de grampeamento, alm de (n-1)
capacitores no barramento cc [6].
Vantagens:
Com o aumento do nmero de nveis o contedo harmnico na tenso de sada
diminui, bem como o tamanho do filtro de sada.
Rpida resposta dinmica.
O fluxo de potncia reativa pode ser controlado [30].
Desvantagens:
Quando aumentado o nmero de nveis, o nmero de capacitores tambm aumenta
rapidamente surtindo efeito no custo final do inversor, bem como na dificuldade de
implementao da topologia.
Apresenta um controle complexo.
1.4.3 Inversores Multinveis em Cascata
Diversas fontes relatam os inversores multinveis em cascata como um dos mais

aplicados na indstria.
Inversor usando Clulas H-bridge em Cascata, CHC (simtrico)
Considerando a clula H-bridge na figura 1.18, pode-se fazer um estudo generalista para
x clulas conectadas em cascata.
Consideraes:
x, o nmero da clula, i.e para configurao em cascata com 3 clulas x assume:1, 2,

3, para respectivas clulas.
y, o nmero correspondente a chave da clula e varia de 1 a 4.
A clula H-bridge contm:
20
O barramento cc representado por:

Vx, o valor da tenso de entrada da clula.
As Chaves so representadas por:
Sxy, com os braos referidos por:
o Sx1 e Sx2 so as chaves do primeiro brao.
o Sx3 e Sx4 so as chaves do segundo brao.
Todas as chaves, Sx1, Sx2, Sx3 e Sx4 so acionadas em 1 e bloqueadas em 0.
Assim a chave de qualquer clula pode ser rapidamente identificada atravs dos ndices
xy. Por exemplo, para um inversor composto por 4 clulas, a chave S32 representa a segunda
chave da terceira clula .
Sabemos tambm que para gerar uma tenso alternada na sada, as chaves de cada brao
trabalham de maneira complementar para evitar curto de brao na fonte de alimentao.
Os possveis nveis na tenso de sada so:
Nvel 1 o valor que representa a tenso Vx.
Situaes:
Nvel 1 : Sx1 e Sx4 acionadas.
Nvel 0 : Sx1 e Sx3 ou Sx2 e Sx4 acionadas.
Nvel -1: Sx2 e Sx3 acionadas.
a) b)
Figura 1.18: a) Clula H-bridge elementar; b) Tenso de sada Vab.
Com intuito de ter uma anlise simplificada da estrutura feita referncia somente s
chaves superiores, sabendo que as chaves de cada brao operam de maneira complementar,
logo se tem a tabela 1-5:
21
Tabela 1-5: Possveis casos para gerao da tenso de sada Vab da figura 1.18 b).
Chaves
Nveis S11 S13
1 1 0
0 1/0 1/0
-1 0 1
Estudo do Encadeamento de Clulas H-bridge com Mesma Fonte de Tenso: Inversor

Multinvel em Cascata Simtrico
Os inversores em CHC simtricos caracterizam-se por possuir clulas H-bridge em

cascata com fontes de tenso de mesma magnitude (Vx=V1=V2=V3=Vcc) [9].
O nmero de nveis para x clulas expresso por:
N = 1 + 2 xt (1.6)
Onde xt o valor total de clulas H-bridge conectadas em srie, (por exemplo para 3
clulas conectadas em srie, xt = 3, portanto a senide de sada ter 7 nveis, para xt= 4, ter 9
nveis ...).
Essas estruturas so amplamente empregadas em inversores multinveis trifsicos, onde
cada brao do inversor composto por um mdulo representado na figura 1.19.
Voh1
S11 S13
V1=Vcc
S12 S14
Vo
S21 S23 Voh2
V2=Vcc
S22 S24
Sx1 Sx3 Vohx

Vx=Vcc
Sx2 Sx4
Figura 1.19: Inversor multinvel com clulas H-bridge em cascata.
Se a estrutura mostrada na figura 1.19 for composta por 3 clulas, xt =3, a sada da
tenso Vo ser composta por 7 nveis (2+2+2+1), pois cada clula consegue gerar dois nveis
distintos (+1 e -1) com um nvel zero comum a todas.
22
O diagrama da figura 1.20 exemplifica o caso para 3 clulas em cascata.
Figura 1.20: Diagrama simplificado para o inversor simtrico com 3 clulas H-bridge.
Os estados de chaveamento para um quarto de ciclo so mostrados na figura

1.21.
Figura 1.21: a) Nvel zero, b) Nvel um, c) Nvel Dois, d) Nvel trs.
O resultado da estrutura simulada mostrado na figura 1.22.

23
100V
0V
-100V
V(S1:4,S4:3)
100V
0V
-100V
V(S4:3,S8:3)
100V
0V
-100V
V(S8:3,S12:3)
200V
SEL>>
0s 5ms 10ms 15ms

V(S1:4,S12:3)
Time
Figura 1.22: Do primeiro ao penltimo grfico, tenso de sada das clulas H-bridge, figura 1.19 com 3 clulas,
respectivamente, Voh1, Voh2 e Voh3. ltimo grfico tenso na sada do inversor, 220V-1kVA.
O clculo dos tempos e parmetros de performance da THD esto apresentados na

modulao staircase.
Uma comparao das principais topologias convencionais apresentadas neste trabalho
foi realizada por [6]. Segundo estudos realizados para operao trifsica, foi constatado que os
inversores CHC simtricos conseguem desenvolver a mesma quantidade de nveis na tenso
de sada que as topologias convencionais com menos componentes. A tabela 1-6 exemplifica
o caso para aplicao monofsica sem considerar o circuito de acionamento.
Tabela 1-6: Comparao do nmero de componentes entre as topologias convencionais.
Topologia Nveis Capacitores Diodos Chaves Fontes cc
3 2 2 4 1
NPC 5 4 12 8 1
n (n-1) (n-1).(n-2) 2.(n-1) 1
3 3 0 4 1
Capacitores flutuantes 5 10 0 8 1
n n.[(n-1)/2] 0 2.(n-1) 1
3 1 0 4 1
Inversor CHC
5 2 0 8 2
(simtrico)
n (n-1)/2 0 2.(n-1) (n-1)/2
24
Segundo a tabela 1-6, pode-se perceber que os inversores em cascata usando clulas H-
bridge (simtrico) exigem menos componentes para gerar a mesma quantidade de nveis que
os inversores envolvidos. Assim, os estudos e simulaes desenvolvidas a seguir sero
direcionados s topologias que usam clulas H-bridge em cascata ou estruturas cujo princpio
de funcionamento derivado dessa figura 1.19.
1.4.4 Inversor usando Clulas H-bridge em Cascata Assimtrico, CHCA
Segundo Damiano et al (1997) e Manguelle et al (2001), esses inversores apresentam ao

menos uma fonte de tenso com valor diferente das demais fontes. Eles tm sido utilizados
para sintetizar tenses de sada com um maior nmero de nveis sem aumentar o nmero de
dispositivos de potncia.
Segundo a literatura, os nveis da tenso na sada do conversor em cascata devem ser
igualmente espaados (Vcc=V(x)-V(x-1)=V(x-1)-V(x-2)=...=Vcc), figura 1.1, caso oposto sob pena
do comprometimento da THD na tenso de sada [34]. Para garantir esse exposto as seguintes
condies devem ser satisfeitas:
1- Os valores das fontes de tenso consecutivas devem obedecer relao:
V1 V2 V3 K Vx
com (1.7)
Vx , x = 1, 2,3K n
2- A menor fonte de tenso escolhida como base para a normalizao. Dessa forma,
tm-se os valores das fontes normalizados:
Vx
VxNOR =
V1
com (1.8)
VxNOR , x = 1, 2,3L n
3- Para ser garantido que a forma de onda da tenso opere com nveis igualmente
espaados, essa ltima restrio demonstra que os valores normalizados das tenses
tambm deve satisfazer:
x 1
VxNOR 1 + 2 VxNOR (1.9)
x =1
A partir das restries (1.7), (1.8) e (1.9), pode-se demonstrar os tipos de configuraes
das fontes de tenses que permitem obter um maior nmero de nveis igualmente espaados
na tenso de sada.
25
Configurao das Fontes de Tenso Dispostas em Binrio e Ternrio
As configuraes usuais das fontes de tenso de entrada que no apresentam casos

redundantes subdividem-se basicamente em duas:
Binria (1:2:4:8...): as fontes de tenso esto dispostas em progresso geomtrica com
razo igual a 2, no ocorrendo subtrao entre as fontes das clulas para gerar nveis
intermedirios.
Ternria (1:3:9:27...): as fontes de tenso esto dispostas em progresso geomtrica
com razo igual a 3 e ocorre subtrao entre as fontes de tenso das clulas para gerar nveis
intermedirios.
O nmero total de nveis para as configuraes unria, binria e ternria pode ser
calculado pela frmula que relaciona os pesos (unria: 1:1:1... binria: 1:2:4...; ternria:
1:3:9...):
x
Vx
N =1 + 2. (1.10)
1 V1
Estudo da Configurao Binria
A figura 1.23 mostra o CHCA, usando duas clulas com a configurao binria.
Figura 1.23: CHCA operando com a configurao binria.
Com essa estrutura usando a configurao binria possvel obter 7 nveis distintos na
tenso de sada economizando uma clula em relao ao inversor simtrico. Todavia, se fosse
utilizado a configurao ternria, era possvel obter 9 nveis na tenso de sada do CHCA,
reduzindo rapidamente a THD na tenso de sada, figura 1.10, tabela 1-3.
26
Pode-se ainda perceber que no caso da configurao ternria mencionada acima, se

estivssemos usando o inversor em cascata simtrico necessitaramos de 4 clulas para gerar
os 9 nveis, enquanto aquele operando em ternrio envolveu somente 2 clulas para produzir a
mesma quantidade de nveis.
Princpio de Funcionamento
Como deve ser gerado nveis igualmente espaados na tenso de sada, as fontes cc de
cada clula devem se combinar de tal forma a garantir nveis consecutivos de mesmo V
(V= Vx -Vx-1=Vcc) para todos os degraus da senide.
Para gerar uma tenso de sada Vo, vista na figura 1.1, as chaves de cada clula
mostrada na figura 1.23 devem se combinar de tal modo a gerar nas sadas das clulas
tenses, Voh1 e Voh2 mostradas na tabela 1-7.
Tabela 1-7: Gerao de nveis para CHCA em binrio com 7 nveis.
Gerao de nveis para configurao binria

Chaves da clula 2 Chaves da Clula 1 Combinao das clulas Tenso de sadaVo
2
S21 S23 S11 S13 Voh2 Voh1 Vo
1
hx
1/0 1/0 1/0 1/0 0 0 0

1/0 1/0 1 0 0 +Vcc +Vcc
1 0 1/0 1/0 +2Vcc 0 +2Vcc
1 0 1 0 +2Vcc +Vcc +3Vcc
1 0 1/0 1/0 +2Vcc 0 +2Vcc
1/0 1/0 1 0 0 +Vcc +Vcc
1/0 1/0 1/0 1/0 0 0 0
1/0 1/0 0 1 0 -Vcc -Vcc
0 1 1/0 1/0 -2Vcc 0 -2Vcc
0 1 0 1 -2Vcc -Vcc -3Vcc
0 1 1/0 1/0 -2Vcc 0 -2Vcc
1/0 1/0 0 1 0 -Vcc -Vcc
Da tabela 1-7, pde-se perceber que o princpio utilizado para obter uma senide com
formato de escada, usando a configurao binria, feito somando as fontes de tenso de cada
clula de forma a obter nveis igualmente espaados na tenso de sada.
27
Tambm foi mostrado que os casos redundantes de chaveamento ocorrem somente

quando a clula programada para colocar o nvel zero na sada (i.e. Voh1=0: S21=1/0 e
S23=1/0). Nesse caso existem duas possibilidades para o arranjo das chaves. Por exemplo,
considerando a anlise para a segunda clula:
1- As chaves superiores esto fechadas: S21=1 e S23=1 Voh2=0
2- As chaves inferiores esto fechadas: S21=0 e S23=0 Voh2=0
A nomenclatura para os casos redundantes em negrito (i.e. S21=1/0) denota a escolha
adotada para a gerao do nvel zero na tenso de sada. Como visto na tabela 1-7, para gerar
o nvel zero na tenso de sada as chaves superiores de ambas as clulas esto acionadas (cel2:
S21=1/0 e S23=1/0 e Cel1: S11=1/0 e S13=1/0).
As estruturas em cascata permitem ao programador decidir quais chaves iro operar no
estado zero. Isso importante, pois o estado zero tambm seria conseguido por conduo de
apenas uma chave com um diodo. Em aplicaes de baixas e mdias potncias a conduo por
diodo no desejvel, visto que a perda por conduo desses maior que as perdas nos
mosfets (ver tabela 4-5, apresenta tecnologias ultra baixo Rdson,) e como a estrutura multinvel
com a configurao binria permite que as chaves operem com baixos nveis de tenso nos
semicondutores, a conduo por mosfet uma alternativa que aumenta o rendimento do
inversor.
Como observado na tabela 1-7, a configurao binria tambm permite o uso do critrio
mnimo de comutao entre os semicondutores (menores perdas). Assim a cada semi-ciclo
somente um brao fica ativo e o outro comuta na freqncia caracterstica da configurao
binria para cada clula. No capitulo 2 ser apresentada uma frmula para o clculo da
freqncia da ensima clula operando com a configurao binria. Essa frmula
fundamental para mensurar as perdas por comutao do inversor a qual parte integrante do
clculo trmico que define o tipo de dissipador usado para os semicondutores (captulo 4).
Logo como j foi demonstrada a lgica para obteno dos estados de chaveamento
atravs da tabela 1-7, foi pensado e elaborado um mtodo simplificado que permita ao leitor
uma rpida viso da contribuio de cada clula na formao da tenso de sada. O mtodo
aqui mencionado um critrio utilizado em estatstica e parte do princpio da rvore das
possibilidades, onde as informaes usadas para montar a rvore so apenas os fatores
multiplicativos das fontes de tenso de cada clula (1:2:4:8...). O diagrama da figura 1.24
apresenta o exposto com anlise para trs clulas.
28
Figura 1.24: Diagrama simplificado para inversor operando em binrio com trs clulas.
O diagrama de rvore das possibilidades mostrado na figura 1.24 analisado da

seguinte maneira:
1- As clulas so representadas por seus fatores multiplicativos (1, 2 e 4).
2- A contribuio de cada clula com anlise at o limite de seu peso (valores 1,2,4...)
apresentada nos quadrculos laterais.
3- A contribuio de cada clula no est restringida aos valores dos quadrculos
laterais, logo elas podem contribuir caso haja pesos superiores.
Pelo motivo da configurao binria no apresentar casos redundantes e por obedecer s
restries (1.7), (1.8) e (1.9), a observao da figura 1.24, possibilitou identificar:
I- Que as clulas de maiores tenses (potncia) passam mais tempo ativas em nveis
consecutivos, ou seja, apresentam menores freqncias.
II- A contribuio de cada clula para anlise restrita ao seu peso sempre a mesma
independente do nmero de clulas do inversor. Dessa forma para quaisquer
inversores com nmeros de clulas diferentes pode-se generalizar:
As formas de onda das clulas de maior tenso (potncia) sempre tero mesmo
formato, bem como as da penltima clula, antepenltima... Ver os resultados de
simulao realizados para os diversos casos at cinco clulas, demonstrados a seguir.
29
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms

V(R9:2,0)
Time
Figura 1.25: Generalizao das formas de ondas em binrio Vohx.
Como observado, a figura 1.25 generalizou as formas de ondas do inversor com x

clulas H-bridge operando em binrio, logo, pde-se comprovar a justificativa II em relao
ao diagrama de operao simplificado do inversor mostrado na figura 1.24. Abaixo de cada
coluna dos inversores simulados (Inv1, Inv2, Inv3, Inv4 e Inv5) esto apresentadas suas
clulas com as caractersticas das formas de ondas e freqncias no eixo horizontal.
As simulaes implementadas para o funcionamento dos inversores (inv1, inv2... Inv5),
operando com lgica binria comprovam a expresso apresentada para o clculo da
freqncia do inversor com x clulas.
As formas de onda da tenso de sada de cada clula, Vohx, vista na figura 1.25,
apresentam o mesmo formato das simulaes individuais de cada inversor, com os mesmos
valores de freqncia, diferindo apenas nas larguras dos pulsos, j que a simulao dos
inversores individuais apresenta um nmero de clulas menor que o inversor simulado com
cinco clulas, figura 1.25.
Um forma criada para representar a configurao binria que tambm contribui para
implementao digital fazer aluso ao cdigo BCD 8421. Assim como j conhecida a
lgica dos estados de chaveamento, uma tabela pode ser formada em funo apenas do peso
de cada clula, o valor 1 representando a clula ativa e 0 para clula desativada. Assim uma
anlise resumida para 4 clulas (31 nveis) pode ser mostrada na tabela 1-8.
30
Tabela 1-8: Abordagem diferenciada da configurao binria.

Gerao de nveis para configurao binria
Combinao das clulas Nveis de sada
4
Vx
8V1 4V1 2V1 V1 V1
1
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9
1 0 1 0 10
1 0 1 1 11
1 1 0 0 12
1 1 0 1 13
1 1 1 0 14
1 1 1 1 15
Essa forma de representar o funcionamento do inversor multinvel, proposta neste

trabalho, alm de simplificar a anlise para diversos nveis tambm um importante meio
para implementao do controle digital, rea que ainda pouco explorada para essas
estruturas (modulao staircase) em virtude da dificuldade de operar com diversos estados de
chaveamento se comparada a outras tcnicas de modulao descritas neste captulo.
A lgica de descrever os estados de operao em analogia ao cdigo BCD 8421 pode
ser facilmente implementada desde os princpios clssicos de eletrnica digital, utilizando a
lgica combinacional ou a lgica seqencial, at estudos mais recentes empregando poderosos
processadores digitais tais como: FPGAs, DSPs..., o que contribui no desenvolvimento de
estudos do controle digital aplicado aos inversores em cascata assimtrico.
Estudo da Configurao Ternria
A figura 1.26 mostra o exemplo do CHCA usando trs clulas com a configurao
ternria.
31
Figura 1.26: Inversor CHCA operando com a configurao ternria.
A tabela 1-9 mostra a combinao das clulas na gerao dos nveis da tenso de sada.
Tabela 1-9: Contribuio das clulas na formao da tenso de sada para a topologia vista na figura 1.26.
Gerao de nveis para configurao ternria

Combinao das clulas Tenso de sadaVo
3
Voh3 Voh2 Voh1 Vo
1
hx
0 0 0 0
0 0 Vcc Vcc
0 3Vcc Vcc 2Vcc
0 3Vcc 0 3Vcc
0 3Vcc Vcc 4Vcc
9Vcc 3Vcc Vcc 5Vcc
9Vcc 3Vcc 0 6Vcc
9Vcc 3Vcc Vcc 7Vcc
9Vcc 0 Vcc 8Vcc
9Vcc 0 0 9Vcc
9Vcc 0 Vcc 10Vcc
9Vcc 3Vcc Vcc 11Vcc
9Vcc 3Vcc 0 12Vcc
9Vcc 3Vcc Vcc 13Vcc
32
As formas de onda que demonstram os estados apresentados na tabela 1-9 para a

topologia vista na figura 1.26, so mostrados na figura 1.27.
20V
-20V
V(D22:2,R16:1)
50V
-50V
V(D26:2,S11:4)
200V
-200V
V(D30:2,D32:2)
360V
SEL>>
-360V
15ms 20ms 25ms 30ms 35ms
V(D22:2,R37:1)
Time
Figura 1.27: Do primeiro ao penltimo grfico, tenso de sada das clulas da figura 1.26, ltimo grfico tenso
na sada do inversor.
Por no possuir casos redundantes, bem como a configurao em binrio, as formas de

onda das clulas de sada para a configurao ternria tambm podem ser generalizadas
conforme mostrada nos grficos da figura 1.28, e possuem freqncias determinadas pela
frmula deduzida e apresenta na equao (2.2) para ensima clula.
10V
-10V
V(R9:2,R2:2)
20V 20V
-20V -40V
V(D22:2,R16:1) V(R2:2,Lbs:2)
50V 50V
-50V -100V
V(D26:2,S11:4) V(Lbs:2,Lcs:2)
200V 200V
-200V -200V
V(D30:2,D32:2) V(Lcs:2,0)
360V 410V
SEL>> SEL>>
-360V -410V
15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(D22:2,R37:1) V(R9:2,0)
Time Time
a) Trs clulas 27 nveis. b) Quatro clulas 81 nveis.
Figura 1.28: Generalizao de formas de onda para a configurao ternria.

33
Semelhantemente as formas de ondas apresentadas na figura 1.25, a tenso Vohx do

inversor operando com duas clulas em ternrio ter o mesmo formato das ondas na figura
1.28 a) para o inversor com trs clulas, com exceo da clula de maior freqncia. Assim as
formas de ondas comuns, Vohx, para o inversor operando com duas ou trs clulas so as
ltimas e penltimas formas de ondas.
Benefcio da Generalizao das Formas de Onda Binrio e Ternrio
Em aplicaes exigidas por normas em que o inversor opera como fonte de tenso, o
aumento de carga (linear, no linear...) pode resultar na sada do inversor, figura 1.28 a), uma
THD>5% e uma potncia maior. Isso pode ser resolvido preservando a mesma estrutura
implementada e adicionando uma clula H-bridge em cascata a estrutura inicial. Dessa forma
o inversor passaria de trs clulas, figura 1.28 a), a operar com quatro clulas, figura 1.28 b),
o que resultaria numa rpida diminuio da THD na tenso de sada e um aumento da
capacidade de potncia da estrutura.
Comparao das Configuraes Unria (simtrica), Binria ou Ternria Para um Dado

Nmero de Clulas
Tabela 1-10: Comparao entre as configuraes, simtrica, binria e ternria para x clulas.
X
Configurao
1 2 3 4 5 6 7 8 9
(1:1:1:1:...) 3 5 7 9 11 13 15 17 19
Nmero de nveis (1:2:4:8:...) 3 7 15 31 63 127 255 511 1023
(1:3:9:27:...) 3 9 27 81 243 729 2187 6561 19683
Como observado na tabela 1-10, os inversores CHCA conseguem resultar mais nveis na
tenso de sada para uma mesma quantidade de componentes, modificando apenas a
magnitude da tenso de entrada das suas clulas. Eles tambm permitem a implementao da
modulao staircase de alta resoluo, a qual admite o controle da tenso de sada, figura
1.12, eliminando um custo adicional de um conversor cc-cc para controlar o barramento de
cada clula.
Todavia, a principal limitao dos inversores CHCA consiste no custo de obteno do
grande nmero de fontes cc usadas para compor o barramento das clulas H-bridge, o que
pode inviabilizar sua aplicao como fonte de tenso em sistemas autnomos de energia. Uma
possvel soluo para esse impasse usar topologias CHCA isoladas, onde se utiliza um(s)
34
transformador(es) como principal elemento implementao das lgicas binria e ternria [2].
O captulo seguinte aborda as topologias dos inversores CHCA isolados delimitadas pela
reviso bibliogrfica, as quais apresentam potencial para aplicao em sistemas autnomos de
energia em mdias potncias.
1.5 CONSIDERAES FINAIS
Nesse captulo foi abordado desde os conceitos bsicos envolvendo a gerao da onda
multinvel de tenso apresentao das principais tcnicas de modulao aplicadas em
inversores multinveis. Tambm foi mostrado o princpio de funcionamento das topologias
convencionais mencionando suas vantagens e limitaes.
Por fim foi conceituada a lgica binria e ternria, bem como apresentadas simulaes
que permitiram generalizar as formas de onda da tenso de sada em x clulas, relatando a
vantagem desse estudo e sua contribuio na elaborao das equaes usadas para calcular a
freqncia de operao de cada clula. O encerramento desse captulo mostrou as
configuraes que permitem gerar mais nveis na tenso de sada com menos componentes
aplicadas no inversor CHCA.
35
CAPTULO 2
INVERSORES MULTINVEIS ISOLADOS USANDO CLULAS H-BRIDGE OU
DERIVADA DESSA COM DIFERENTES FONTES DE TENSES DE ENTRADA
O objetivo deste captulo delimitar a topologia do inversor multinvel que proporcione

reduo de peso e volume aliada ao alto rendimento, facilitando a aplicao em sistemas
autnomos de energia.
Conforme visto no captulo anterior, os inversores multinveis em cascata operando com
a configurao assimtrica permitem gerar mais nveis na tenso de sada com menos
componentes que as topologias convencionais NPC e FLC. Todavia, como abordado, o custo
de implementao desses elevado por usar diversas fontes cc (baterias ou painis
fotovoltaicos) para compor o barramento das clulas. Isso inviabilizaria o custo de
implementao dessas estruturas em sistemas isolados de mdias potncias ou baixas
potncias. Uma soluo para substituir as diversas fontes cc que compem o barramento de
cada mdulo utilizar transformadores que permitem induzir tenses nos secundrios com
magnitudes iguais as fontes cc de cada clula. No captulo 4 ser mostrado atravs de
grficos que o desenvolvimento tecnolgico da indstria no processo de fabricao dos
transformadores permite que esses operem com eficincia de 98% para potncia de 1 kVA e de
95% para 300 VA.
As topologias de inversores multinveis isolados que foram delimitadas pela reviso
bibliogrfica [2],[6],[8],[10],[26],[32], usam clulas H-bridge em cascata assimtricas ou
derivam dessas. Elas esto apresentadas na figura 2.1, figura 2.2 e figura 2.3.
Este captulo tambm mostrar frmulas que foram deduzidas para o clculo da freqncia de
operao das clulas H-bridge do inversor operando com n nveis na tenso de sada,
envolvendo a configurao binria ou ternria. Para a validao dessa ltima foi elaborada
uma simulao com o inversor, figura 2.1, operando em 81 nveis na tenso de sada o que
representa o estado da arte envolvendo inversores multinveis [36]. A simulao em 81 nveis
com o inversor dedicado permitiu as generalizaes das formas de onda das clulas H-bridge
dos inversores em cascata descritas no captulo anterior para a lgica ternria, alm de abrir
portas para que essa configurao seja implementada em escala industrial por tornar possvel
mensurar as perdas nos interruptores do inversor, principalmente por chaveamento.
Neste captulo sero apresentadas as topologias de inversores multinveis isolados
evidenciando suas principais caractersticas. Na seo especfica de simulaes e discusses
ser apresentada a topologia escolhida como tema de estudo deste trabalho.
36
Conforme ser visto, os inversores multinveis isolados representam uma boa alternativa
para substituir a grande quantidade de fontes cc independentes usadas na topologia em cascata
convencional.
2.1 TOPOLOGIAS, SIMULAES E ESTUDO
Na figura 2.1 apresentada a topologia utilizando transformadores independentes.
2.1.1 Topologia a)
P1'= p
P2'= 2p
Relao P1= p Relao P2= p Relao P3= p Relao P4= p
P3'= 4p
Topologia usando transformadores independentes:

P4'= 8p
Terminologia:
Enrolamento Primrio: Px
Enrolamento Secundrio: Px
Figura 2.1: Inversor usando transformadores independentes [38], [50].
Essa topologia apresenta o uso de transformadores independentes na proporo de um

para cada clula H-bridge com primrios independentes entre si e secundrios interligados em
srie.
Funcionamento:
Essa estrutura possibilita que suas clulas operem com todas as combinaes de
chaveamento que um inversor em cascata usando clulas H-bridge com fontes de tenso
independentes permite (figura 1.19). As clulas desse inversor no esto em cascata, mas os
enrolamentos secundrios esto. Portanto o efeito tal qual o apresentado na figura 1.19.
Todos os transformadores operam com relao fixa p no primrio e os secundrios de
cada transformador operaram com uma relao p ou mltipla. Dessa forma os
transformadores podem ser projetados para garantir que o inversor opere com a configurao:
Simtrica: onde cada transformador projetado de forma a permitir que seus
secundrios apresentem um mesmo valor de tenso.
37
Assimtrica: onde os transformadores so projetados de maneira a garantir que cada

secundrio correspondente opere interligado entre si de forma ordenada com a relao binria
(1:2:4...) ou ternria (1:3:9...).
Vantagens Dessa Topologia:
Permite que o inversor opere na configurao assimtrica com lgica binria ou

ternria possibilitando gerar uma tenso de sada com alta resoluo, reduzindo
o nmero de componentes e de clulas H-bridge.
bidirecional.
Necessita de apenas uma fonte cc.
Permite o uso da modulao staircase de alta resoluo, a qual desejvel em
inversores multinveis [6].
Por ser isolado esse inversor pode ser associado em srie com outro inversor
para formar um barramento de tenso maior, sem problema de curto-circuito.
Limitaes:
Possui grande nmero de transformadores (os quais dependem da lgica de

operao das clulas H-bridge).
Apresenta complexidade no controle de saturao dos transformadores.
Apresenta maior volume do prottipo.
Os transformadores esto limitados a operao em baixa freqncia para
quaisquer configuraes.
38
2.1.2 Topologia b): Derivada do Inversor com Clulas H-bridge
Figura 2.2: Inversor apresentado por [25].
Funcionamento:
Esses inversores permitem que suas clulas L operem com a modulao staircase
usando a lgica binria, resultando dessa forma uma tenso de sada com diversos nveis.
O princpio para gerar a senide de sada baseia-se no comportamento que uma clula L
pode assumir. Assim as chaves de uma mesma clula (perpendiculares) atuam de maneira
complementar para gerar os nveis da senide [25].
Quando o inversor utiliza a modulao staircase com lgica binria para formar a
tenso de sada, o resultado das formas de ondas nas sadas de cada clula L o mesmo
apresentado na sada das clulas dos inversores CHCA operando com a lgica binria. Isso
acontece porque a lgica de gerao da senide a mesma quando se considera o mesmo
nmero de clulas H-bridge conectadas em srie.
Vantagens:
bidirecional.
O uso da modulao binria permite obter uma alta resoluo na tenso de sada
com clulas operando em baixa freqncia, o que aumenta o rendimento.
39
As clulas processam diferentes valores de potncias e de freqncias o que

permite o uso de diferentes tecnologias de semicondutores para aplicao em
altas potncias.
Esse inversor pode ser associado em srie com outro inversor para formar um
barramento de tenso maior.
Limitaes:
Apresenta volume do transformador limitado na freqncia fundamental.

limitado modulao staircase com lgica unria ou binria.
2.1.3 Topologia c): Apresentando Clulas H-bridge com Retificadores Acoplados ao
Barramento cc de Sada
Clula h-bridge
de sada
Clula h-bridge
Clula H-bridge
de de entrada
entrada
CONFIGURAO (1:2:4:8:16) 63
NVEIS
5 SECUNDRIOS
Equivalncia
Vcc5
Vs5
Fonte
CC
a) b)
Figura 2.3: Inversor CHCA com transformador de mltiplos secundrios [39].

40
Funcionamento
Essa topologia preserva a mesma estrutura de um inversor usando clulas H-bridge em

cascata com alimentao de suas clulas promovida pela substituio de equivalncia vista na
figura 2.3 a). Logo, o princpio de funcionamento desse inversor para gerar a tenso Vocarg o
mesmo apresentado pela topologia em cascata convencional segundo a disposio das fontes
de tenso que alimentam as clulas (simtrica ou assimtrica).
Vantagens:
Essa topologia promove uma tenso Vocarg de alta resoluo para operao com lgica
binria 6.
Baixo custo para obter as tenses na entrada das clulas.
Permite a reduo do peso e volume conforme a freqncia de operao da clula H-
brige de entrada.
atrativa para injetar corrente na rede por no permitir fluxo reverso de energia.
Por ser isolado esse inversor pode ser associado em srie com outro inversor para
formar um barramento de tenso maior, sem o problema de curto-circuito.
Limitaes:
Maior quantidade de componentes.

Apresenta trs estgios na transferncia de energia.
2.2 ANLISE E SIMULAO DAS TOPOLOGIAS SELECIONADAS
2.2.1 Topologia A
Uma desvantagem da topologia que usa clulas H-bridge com fontes de tenso
independentes, figura 1.19, o fato dessas fontes estarem separadas, tendo como resultado o
aumento no custo do inversor.
O princpio de funcionamento da topologia da subseo 2.1.1, baseia-se na mesma
lgica para gerao dos nveis da tenso de sada que uma estrutura usando clulas H-bridge
com fontes independentes, figura 1.19.
6Transformadoresprojetadosparapromovermltiplastensesnosenrolamentossecundrioscomrelao
(1:2:4...)
41
A topologia da subseo 2.1.1 pode usar a configurao binria ou ternria ou ainda

qualquer tipo de lgica para as fontes de tenso que uma estrutura com clulas H-bridge
alimentadas por fonte de tenso independente utilizaria.
Para substituir a funo das fontes de tenso que uma estrutura H-bridge na
configurao normal utilizaria, a estrutura da subseo 2.1.1 utiliza transformadores
independentes com secundrios projetados para operar com valores de amplitude de tenso
iguais aos valores que seriam usados pelas fontes de tenso de cada clula H-bridge
independentes, figura 1.19, empregando a configurao normal.
Formao da Tenso de Sada com a Lgica Binria
A lgica para o chaveamento das clulas a mesma apresentada no captulo 1 para o

inversor CHC.
Assim uma simulao com o inversor operando com 5 clulas resultando 63 nveis na
tenso de sada pode ser conseguida usando a modulao staircase com lgica binria.
P1'= p
P2'= 2p
Relao P1= p Relao P2= p Relao P3= p Relao P4= p Relao P5= p
P3'= 4p
Topologia usando transformadores independentes:

P4'= 8p
Terminologia:
Enrolamento Primrio: Px
Enrolamento Secundrio: Px
P5'= 16p
Figura 2.4: Topologia operando com 63 nveis.
O resultado de simulao da topologia mostrada na figura 2.4 visto na figura 2.5.

42
10V
0V
-10V (4.1699m,10.987)
V(R9:2,Las:2)
20V
0V
(4.1699m,21.971)
-20V
V(Las:2,R3:2)
50V
0V
(4.1699m,43.916)
-50V
V(R3:2,R4:2)
100V
0V
(4.1699m,87.726)
-100V
V(R4:2,R12:2)
200V
0V
(4.1699m,175.028)
-200V
V(R12:2,0)
400V
0V
(4.1699m,339.628)
SEL>>
-400V
V(R9:2,0)
Time
Figura 2.5: Configurao das sadas dos transformadores independentes na formao da tenso de sada com 63
nveis. Do primeiro grfico ao penltimo, grficos em ordem crescente de tenso na configurao binria para os
respectivos secundrios (primeiro, segundo... quinto) ligados em srie, ultimo grfico, tenso na carga.
Agora sero mostradas na figura 2.6 as correntes no primrio de todos os

transformadores independentes.
43
Figura 2.6: Correntes do primeiro ao penltimo grfico, respectivamente em ordem crescente de potncia em
cada primrio dos transformadores. Ultimo grfico, corrente no barramento cc.
Contribuio ao Funcionamento da Topologia Usando a Configurao Binria
Segundo anlises realizadas para topologias de inversores multinveis usando a

configurao binria como lgica para formao da tenso de sada em escada conforme
mostrado o princpio na tabela 1-7, as freqncias das formas de onda nas sadas das clulas
podem ser generalizas por:
Fcel p = 2( xt +1 p ) 1 . f und (2.1)
Onde:
Fcelp: representa a freqncia da clula de sada (Hz);
xt o nmero total de clulas;
p o nmero da clula com a freqncia desejada;
fund a freqncia fundamental da tenso de sada (60 Hz).
44
Anlise Para Topologia Operando com a Configurao Ternria em 81 Nveis na Tenso

de Sada
Para essa topologia foi conseguido o estado da arte (81 nveis) no que diz respeito ao
funcionamento da lgica ternria para os inversores CHCA [35],[36],[37] e uma nova
aplicao no estudo dessa topologia para obteno de nveis na tenso de sada.
O objetivo de montar essa simulao foi a possibilidade de poder visualizar o
comportamento da forma de onda que opera em maior freqncia e assim poder tirar
concluses em relao aspectos previamente estabelecidos no que diz respeito lgica de
operao em freqncia das formas de ondas da tenso de sada das clulas. Possibilitando
obter a partir de vrias operaes de lgebra e simplificaes de equaes uma frmula para o
clculo da freqncia da tenso de sada de cada clula dos inversores multinveis que operam
com a lgica ternria na formao da tenso de carga usando a modulao staircase.
Assim a operao em 27 nveis na tenso de sada pode ser conseguida com o inversor
operando com trs clulas e trs transformadores.
Os pulsos nas chaves para gerao dos 27 nveis esto apresentados na figura 2.7.
Figura 2.7: Pulsos nas chaves usadas na simulao do inversor com 27 nveis.
45
As formas de ondas nas sadas das clulas so mostradas na figura 2.8.
Figura 2.8: Do primeiro ao terceiro grfico em ordem crescente na escala de tenso (pesos, 1:3:27), mostram as
tenses nas sadas das clulas, respectivamente da primeira terceira, usando a lgica ternria. Ultimo grfico,
forma de onda da tenso de sada, programada para operar com 220V de sada e 1kVA de potncia.
Como pode ser observado na figura 2.8 o princpio usado para calcular a freqncia da
tenso de sada de cada clula foi baseado em duas consideraes:
1- A tenso de sada de cada clula possui uma freqncia dominante que opera
concomitante a fundamental da tenso de sada. Elas esto representadas ao centro
das linhas de referncia tracejadas.
2- Cada clula superior a de maior tenso possui freqncias mltiplas da freqncia
fundamental Hz.
Assim a freqncia da tenso na sada de cada clula pode ser expressa por:
Fcel p = 2.3( xt p ) 1 . fund (2.2)
Dessa forma, para o inversor operando com trs clulas a freqncia de operao na
tenso de sada dada pela tabela 2-1.
46
Tabela 2-1: Valores de freqncia para operao com trs clulas.
Freqncia de Vohx
Clula P Tenso [V] Freqncia [Hz]
Cel1 25 1020
Cel2 75 300
Cel3 225 60
O espectro harmnico para o inversor operando com 27 nveis na tenso de sada

mostrado na figura 2.9.
400V
200V
0V
0Hz 100Hz 200Hz 300Hz 400Hz
V(R37:2,R37:1)
Frequency
Figura 2.9: Espectro harmnico da tenso de sada, evidenciando a harmnica funadamental . A THD das 60
primeiras harmnicas foi 3,41%, sem o filtro passa baixa.
Na figura 2.10 mostrada a simulao do inversor para operao com 81 nveis na

tenso de sada.
Figura 2.10: Topologia do inversor operando com 81 nveis.

47
10V
-10V
V(R9:2,R2:2)
20V
-40V
V(R2:2,Lbs:2)
50V
-100V
V(Lbs:2,Lcs:2)
200V
-200V
V(Lcs:2,0)
410V
SEL>>
-410V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(R9:2,0)
Time
Figura 2.11: Tenso de sada das clulas do primeiro ao penltimo grfico, respectivamente para operao da
clula de menor tenso a de maior tenso. Ultimo grfico tenso de sada.
A freqncia de operao de cada clula para o inversor trabalhando em 81 nveis na

tenso de sada apresentado na tabela 2-2.
Tabela 2-2: Freqncia para operao das clulas com 81 nveis.

Freqncia de Vohx
Cel1 9 3180
Cel2 27 1020
Cel3 81 300
Cel4 243 60
O espetro harmnico para o inversor operando com 81 nveis na tenso de sada

48
375V
250V
125V
0V
0Hz 100Hz 200Hz 300Hz 400Hz
V(R9:2,0)
Frequency
Figura 2.12: Espectro harmnico da tenso de sada, evidenciando a harmnica fundamental. A THD das 60
primeiras harmnicas da tenso de sada sem filtro 1,1%.
Assim a implementao do inversor em 81 nveis diminuiu a THD na tenso de sada de

3,41% para o mesmo inversor operando com 3 clulas resultando em 27 nveis na tenso de
sada para uma THD de 1,1% com 81 nveis na tenso de sada com o adicional apenas de
uma clula. A operao com modulao staircase de alta resoluo desejvel por permitir
maior preciso no controle da tenso de sada, permitindo que o inversor opere com menos
nveis sem alterar consideravelmente a THD, figura 1.10, ver modulao staircase, figura
1.12, ainda com benefcio da operao de suas clulas em baixa freqncia o que reduz as
perdas por comutao.
A implementao real de um inversor em cascata operando em 81 nveis, tambm foi
conseguida por [36]. Nesse a THD do prottipo implementado foi menor do que 1%.
Como era esperado o funcionamento em ternrio promoveu diminuio do nmero de
componentes se comparado configurao simtrica para gerar a mesma quantidade de nveis
na tenso de sada.
49
Problema da Operao em Ternria Para Topologia com Transformadores

Independentes
A topologia mostrada na figura 2.10 apresenta formas de onda nos enrolamentos

primrios com freqncia varivel.
Essa topologia exige dificuldade no controle de saturao do transformador tendo em
vista que ela precisa de no mnimo trs transformadores para manter a tenso de sada com
boa resoluo.
Pensando nisso foi estudada a configurao ternria para aplicao nesse inversor sendo
verificado o comportamento do fluxo mdio em cada primrio do transformador mostrados
nas figuras 2.13 a 2.16 para operao em 81 nveis (4 clulas). O objetivo dessa anlise
determinar a menor freqncia admissvel do transformador que pode ser considerada para
implementao do mesmo.
50
Vpr1
md
-50

V(R5:2,S4:3) AVGX(V(R5:2,S4:3),0.000166019)
Time
Figura 2.13: Vpr1 representa a tenso no primrio do transformador da clula de menor potncia. md a variao
do fluxo mdio no primrio do transformador.

50
50
Vpr2
md
-50

V(R6:2,S8:3) AVGX(V(R6:2,S8:3),0.000506285)
Time
Figura 2.14: Vpr2 representa a tenso no primrio do transformador da segunda clula de menor potncia. md
variao do fluxo mdio no primrio do transformador.
50
md
Vpr3
-50

V(R7:2,D12:2) AVGX(V(Lc:1,S11:4),0.0015847)
Time
Figura 2.15: Vpr3 representa a tenso no primrio do transformador da penltima clula. md a variao do
fluxo mdio no primrio do transformador.

51
50
md
Vpr4
-50
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
V(Ld:1,S15:4) AVGX(V(R10:2,Ld:2),0.01666667)
Time
Figura 2.16: Vpr4 representa a tenso no primrio da clula de maior potncia. md o incio da variao do
fluxo mdio.
Como observado nas figuras anteriores, a freqncia do fluxo dominante para cada
forma de onda gerada no transformador est em torno da freqncia fundamental, portanto os
transformadores das clulas devem ser projetados para a freqncia fundamental, pois
qualquer freqncia superior a fundamental surtir da reduo proporcional da densidade de
fluxo eletromagntico. Se o transformador for projetado para uma freqncia maior e uma
densidade de fluxo menor, quando o transformador chegar freqncia dominante de 60 Hz o
valor da densidade de fluxo ser aumentado e conduzir a saturao dos ncleos escolhidos.
Logo, para configurao ternria todos os transformadores devem ser projetados para
operar na freqncia fundamental.
Contribuies no Projeto do Transformador
Os fatores de forma de onda kfo, importantes para o dimensionamento do transformador,

sero fornecidos para operao do inversor em 81 nveis na tenso de sada, os quais se
encontram apresentados na tabela 2-3. Eles foram concebidos pelo qudruplo do valor obtido
na equao (3.5). Esses valores representam mais uma contribuio do trabalho na
implementao dos inversores multinveis isolados.
52
Tabela 2-3: Fatores de forma de onda necessrios a implementao do transformador em ternrio.
Fatores de forma de onda para operao

em 81 nveis.
Clula Fator kfo
Clula 1 38,96
Clula 2 16,09
Clula 3 8,38
Clula 4 4,53
.
2.2.2 Topologia B
Clula L
Sada da clula L
Figura 2.17: Simulao da topologia com 63 nveis.
Os resultados de simulao do inversor operando com lgica binria so mostrados na

figura 2.18.
53
Figura 2.18: Do primeiro ao penltimo grfico, formas de onda respectivamente, na sada da clula L, de menor
potncia a clula de maior potncia. ltima forma de onda senoidal, tenso na carga linear.
Como observado na figura 2.18, pode-se perceber que pelo motivo do inversor operar
com a modulao staircase usando lgica binria para gerao dos nveis na tenso de sada,
o aspecto das formas de ondas na sada das clulas bem como os valores das freqncias
apresentadas por essas so iguais aos exibidos na figura 2.5, ou, de forma generalista, so as
mesmas formas de onda para os inversores CHCA operando com lgica binria (com mesma
quantidade de clulas).
Outros grficos que demonstram mais informaes para operao da topologia so
apresentados nas figuras 2.19 e 2.20.
54
5.0A
(4.1698m,-6.9691)
0A
-5.0A
-I(R1)
50A
(4.1698m,-50.003)
0A
SEL>>
-50A
I(L1)
50A
(4.1731m,50.008)
25A
0A
-I(E)
Time
Figura 2.19: Primeiro grfico, onda senoidal, corrente na carga, segundo grfico, corrente no primrio, ultimo
grfico da corrente no barramento cc.
Na figura 2.20 mostrado o espectro harmnico da tenso na carga.

380V
300V
200V
100V
0V
0Hz 100Hz 200Hz 300Hz 400Hz
V(R1:2,R1:1)
Frequency
Figura 2.20: Espectro harmnico da tenso de sada do inversor da fig. 2.17, evidenciando a
harmnica fundamental. (Anlise das 60 primeiras harmnicas, THD=1,37%, sem o filtro de sada).
2.2.3 Topologia C
Na figura 2.21 mostrada a topologia do inversor CHCA com transformador de

mltiplos secundrios operando com cinco secundrios e cinco clulas H-bridge em cascata.
55
Operao em Binrio
Se3 S11 S13

Se1
Se2 S12 S14

Se4
S21 S23
CONFIGURAO (1:2:4:8:16) 63
NVEIS
5 SECUNDRIOS
S22 S24
S51 S53
S52 S54
Figura 2.21: Simulao do inversor operando com a lgica binria em 63 nveis na tenso de sada.
Na figura 2.22 apresentado as formas de onda dos pulsos nas chaves para operao do
inversor com 63 nveis na tenso de sada.
56
Figura 2.22: Pulsos na chave para gerao dos 63 nveis.
Na figura 2.23 mostrada a contribuio de cada clula H-bridge de sada na formao

da tenso de carga.
57
10V
saida celula 1
0V
SEL>>
V(D52:2,U24:1)
40V
saida celula 2
0V
-40V
V(U24:1,U26:1)
50V
saida celula 3
0V
-50V
V(U26:1,U30:1)
100V
saida celula 4
0V
-100V
V(U30:1,R40:2)
200V
saida celula 5
0V
-200V
V(R40:2,D43:2)
400V
tensao na carga
0V
-400V
35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
V(R42:2,D43:2)
Time
Figura 2.23: Contribuio de cada clula na gerao dos 63 nveis.
O espectro harmnico na tenso de sada desse inversor operando com uma potncia de
1kVA-220V com freqncia de operao da clula H-bridge de entrada em 300 Hz
58
369V
300V
200V
100V
0V
55Hz 100Hz 200Hz 300Hz
V(R42:2,D43:2)
Frequency
Figura 2.24: Espectro harmnico da tenso de sada do inversor mostrado na figura 2.21. (Anlise das 60
primeiras harmnicas, THD=1,61%, sem o filtro de sada).
Com base na adequao aos parmetros previamente estabelecidos frente aos objetivos
gerais e nos resultados de simulao obtidos, foi escolhida essa topologia para os estudos
desenvolvidos neste trabalho. Os motivos da escolha frente ao potencial apresentado pelas
outras neste captulo esto descritos a seguir.
Em [25] foi mostrado que a maior parte das perdas no inversor mostrado na topologia B
se deve ao uso do transformador. Logo o estudo sobre o assunto contribui com a
implementao dos inversores multinveis isolados.
O inversor apresentado na topologia C pode ser atraente quando se deseja reduzir o
tamanho do inversor multinvel, podendo a clula H-bridge de entrada assumir diversas faixas
de freqncia de chaveamento o que pode resultar na escolha de ncleos com materiais
diferentes, permitindo uma anlise maior das perdas no transformador.
O controle de saturao do transformador pode ser feito pelo monitoramento da
componente cc no primrio. Essa topologia evita o uso de um controle complexo para
suprimir o efeito da componente cc, em comparao com o inversor que usa transformadores
independentes, figura 2.1.
Apesar desse inversor possuir uma ponte adicional de diodos para cada clula em
comparao com as topologias anteriores, as perdas nos diodos dependem fortemente da
tecnologia do semicondutor utilizado.
Outro impulso a escolha dessa topologia se deve ao fascnio dessa estrutura para injetar
corrente na rede, tendo em vista o motivo de ser unidirecional.
59
Mais um motivo da escolha dessa topologia consiste na necessidade de pesquisas

envolvendo projeto de transformadores aplicados a inversores, bem como a contribuio
dessa estrutura no enriquecimento dos estudos.
Sendo assim, das topologias apresentadas, esse inversor atendeu aos parmetros
previamente estabelecidos e os objetivos da pesquisa apontam essa topologia como vencedora
para as anlises dos estudos que se seguem.
Segundo os resultados de simulao, a variao da THD na tenso de sada desse
inversor ficou dentro dos limites aceitveis por norma, o que permite essa topologia fazer uso
dos benefcios oferecidos pela modulao staircase de alta resoluo operando com lgica
binria.
Nesse captulo foi escolhida a topologia multinvel isolada que ser utilizada no
desenvolvimento desta dissertao e evidenciada a contribuio desse inversor no
enriquecimento dos estudos e nas anlises promovidas por este trabalho.
Nesse captulo foram apresentadas as principais topologias de inversores multinveis
isolados, mostrando o princpio de funcionamento e explanando as principais vantagens e
limitaes.
Foi exposto que o principal motivo do uso dos inversores multinveis isoladas se deve
possibilidade de operar com topologias CHCA com alta resoluo na tenso de sada. Alm
dos benefcios da modulao staircase, seu uso diminui o enorme custo das diversas fontes de
alimentao associadas para compor os barramentos cc das clulas H-bridge, o que permite
tambm o uso dessa topologia em sistemas autnomos de energia eltrica.
A motivao desse captulo se deve, como ser visto no captulo 3, ao desenvolvimento
tecnolgico do processo de fabricao dos transformadores, os quais possibilitam operar com
rendimento na faixa de 98% para transformadores com potncia de 1kVA e de 95% para 300
VA exibidos em grficos comparativos dos fabricantes.
Esse captulo tambm apresentou frmulas desenvolvidas para o clculo da freqncia
de operao das clulas que usam a modulao staircase de alta resoluo (binria ou
ternria) contribuindo, como ser exposto no captulo 4, com o clculo das perdas por
comutao e conseqentemente com a elaborao do clculo trmico desses inversores.
60
CAPTULO 3
ESTUDO DO TRANSFORMADOR
H anos, a indstria que fabrica ncleos usados em transformadores tem designado

cdigos para esses que mencionam a capacidade de potncia disponvel.
Esse mtodo utilizado para expressar e simplificar dados em catlogos dos fabricantes.
Ele determina, para cada ncleo, um cdigo que representa o produto da rea da janela (Wja)
pela rea efetiva da seo transversal (Aef) sendo essa operao chamada de Aps (produto das
reas).
Essas relaes so usadas para padronizar e simplificar a elaborao de projetos de
transformadores. Com esses dados possvel projetar transformadores com menos peso e
volume sem a possibilidade de fazer cortes e tentativas exaustivas de procedimentos de
projeto.
Para realizar projetos de transformadores o projetista deve estar ciente de uma srie de
restries como:
a) A potncia de sada que o secundrio deve entregar carga com limites de
regulao.
b) Menor eficincia de operao, a qual depende das mximas perdas de potncia que
podem ser permitidas no transformador.
c) Mxima temperatura do transformador acima da temperatura ambiente.
d) Pequeno volume e baixo peso, que uma importante meta na fabricao de produtos
eletrnicos.
e) Custo efetivo.
Em aplicaes de projetos de inversores o tamanho do transformador e seu custo so
dependentes principalmente da potncia de sada exigida dos secundrios bem como a
capacidade da topologia de operar em diversas faixas de potncia.
Como visto em anlises anteriores, a topologia escolhida e usada neste trabalho, figura
2.3, tem a possibilidade de operar com diversas faixas de freqncias, desde a operao na
freqncia fundamental operao com dezenas de quilohertz.
Sendo assim, um dos focos definidos a priori foi o uso do transformador operando com
uma freqncia em torno dos 420 Hz, usando ncleo em ao silcio de gros orientados (GO)
os quais possuem baixas perdas e alta eficincia operando na freqncia fundamental.
Para um transformador trabalhando em 420 Hz esperado um menor volume e maior
eficincia se comparado a operao do mesmo na freqncia fundamental. Sendo assim o
61
presente texto apresenta uma metodologia generalizada de projeto de transformadores tanto

para operao em altas quanto em baixas freqncias.
Se a clula H-bridge de entrada do inversor em estudo operar com uma freqncia de
30 kHz, o material utilizado ser o ferrite pois possui melhores caractersticas magnticas para
essa faixa de operao. Ao final deste captulo ser apresentada uma comparao da
performance de operao do transformador trabalhando com diversas faixas de freqncias
at 420 Hz. O fechamento deste captulo se dar pela comparao das perdas do
transformador projetado para baixas freqncias.
3.1 METODOLOGIA GENERALIZADA DE PROJETO PARA APLICAES EM

BAIXAS E ALTAS FREQNCIAS
Na literatura existem diversas fontes que mostram o princpio bsico de funcionamento

e operao de um transformador [59],[60],[61],[62]. Eles demonstram que a funo bsica do
transformador adequar a magnitude da tenso de entrada (enrolamento primrio) a um valor
de menor ou maior magnitude disponvel na sada (enrolamento secundrio). Isso
conseguido graas ao princpio da induo eletromagntica abordado pela lei de Faraday e
quantificada por Neumann a qual expressa a tenso e induzida num enrolamento com N
espiras:
Ndm 8
e(t ) = .10 [V ] (3.1)
dt
A densidade de fluxo magntico dada por:

m
B= (3.2)
Aef
Da frmula (3.1) o valor do fluxo mximo, m, est relacionado com a mxima tenso
induzida em uma espira. Sendo assim reescrevendo a equao (3.1) para o valor de pico
temos:
N
emed = . pm .108 V (3.3)
t
Onde t o tempo que o fluxo mximo pm leva para ir de zero ao valor de pico sendo o
fluxo expresso em Maxwell. Se for considerada a anlise para uma forma de onda senoidal
(ou qualquer alternada simtrica), operando em f ciclos por segundo, o fluxo mximo
atingido em um quarto de ciclo (t=1/4f), assim a equao (3.3) resulta em:
62
N pm
emed = .108 = 4 fNm .108 V (3.4)
1/ 4 f
A razo do valor eficaz da forma de onda pelo seu valor mdio em meio perodo :
eef (1 per )
= kt (3.5)
emed (1/2 per )
Para uma onda senoidal o resultado da equao (3.5) (0.707/0.636=1.11) e para uma
onda quadrada o resultado igual a 1. Sendo assim reescrevendo a equao (3.5) em funo
eef para uma onda senoidal tem-se:
eef = emed 1.11 (3.6)
Substituindo as equaes (3.6) e (3.2) em (3.4), com (3.2) adaptada em funo do fluxo
mximo pm, tem-se:
eef = 4, 44 fNBmax Aef 108 = k fo fNBmax Aef 108 (3.7)
Onde o kfo o fator de forma de onda e vale 4,44 para uma onda senoidal e 4 para uma
onda quadrada. Para uma onda alternada simtrica kfo sempre 4 vezes kt que expressada
pela equao (3.5).
O significado da equao (3.7) no pode ser desprezado, pois ela representa o mximo
fluxo mtuo permissvel ou a mxima densidade de fluxo (Bmax) permissvel para uma dada
freqncia e uma dada tenso.
sabido que a rea da janela do transformador Waj (do ingls window) deve acomodar
os enrolamentos primrios (Ppr) e secundrios (Psc), ver figura 3.1. Sendo assim a rea bruta
do fio dos enrolamentos do transformador completada quando:
K uj .Waj = N pr A fiopr + N sc A fiosc (3.8)
Onde Kuj o fator de utilizao da janela referente rea efetiva total de cobre (sem
isolamento), Atotcu, usado nos enrolamentos do transformador dispostos na janela Waj (3.9),
Afiopr e Afiosc so as reas do cobre nu, respectivamente das espiras dos enrolamentos primrio,
Npr, e secundrio, Nsc.
Atotcu
K uj = (3.9)
Waj
A figura 3.1 mostra que o cobre no totalmente utilizado na janela, pois existem: os
isolantes dos enrolamentos, a fita de isolao entre os enrolamentos, o fator de acomodao
dos enrolamentos (tendncia em assumir a forma ovide)... O fator Kuj, usado para maioria
dos projetos e que apresenta bons resultados, Kuj = 0,4 [60].
63
Figura 3.1: Transformador com ncleo C.
Colocando a equao (3.7) em funo da tenso, do nmero de espiras Npr e fazendo

eef=Vpr, tem-se:
Vpr .(104 )
N pr = (3.10)
Aef Bac fK fo
O nmero 104 o resultado da transformao da densidade de fluxo em Gaus (G) para

Tesla (T).
Considerando que os enrolamentos primrio e secundrio esto operando com mesma
densidade de corrente J, ento por definio a rea do fio :
I ef
Afio = (3.11)
J
Substituindo as equaes (3.10) e (3.11) na equao (3.8) tem-se:
V pr .(104 ) I efpr Vsc .(104 ) I efsc
KujWaj = .( )+ .( ) (3.12)
Aef Bac fK fo J Aef Bac fK fo J
Simplificando a equao (3.12) e colocando em funo de Waj.Aef (Aps, produto das

reas):
[(Vpr I pr ) + (Vsc I sc )](104 )
Waj . Aef = , [cm 4 ] (3.13)
Bmax fJK fo Kuj
Onde VprIpr a potncia aparente do enrolamento primrio, Ppr, e VscIsc a potncia

aparente do enrolamento secundrio, Psc.
Sendo assim a potncia aparente do transformador operando com um enrolamento
primrio e um enrolamento secundrio, Pa dada por:
64
Pa = Ppr + Psc (3.14)
Substituindo o produto WajAef por Aps e (3.14) em (3.13) tem-se:

Pa (104 )
Aps = , cm 4 (3.15)
Bmax fJK fo K uj
O projetista deve estar preocupado com a potncia aparente ou capacidade de potncia

suportada pelo ncleo Pa, pois ela pode variar de 2 a 2,828 vezes a potncia de entrada Ppr
dependendo do tipo de circuito no qual o transformador seja usado. Um exemplo simples
consiste num retificador acoplado ao enrolamento secundrio, pois se a corrente no retificador
muda (interrompendo-se) o valor eficaz dela tambm muda. Logo o tamanho do
transformador no determinado apenas pela demanda de carga mas tambm pela aplicao,
porque diferentes perdas no cobre se devem a forma de onda da corrente [71].
Um exemplo simples consiste em se forem desconsideradas as perdas num
transformador, mostrado na figura 3.2 a) (retificador em ponte completa), e adotado o nmero
de espiras Npr igual ao nmero de espiras Nsc com potncia aparente de sada igual a 1pu, a
potncia aparente do transformador fica: Pa= Ppr+ Psc, a qual Pa=2Ppr.
A figura 3.2 mostra o fator multiplicador da potncia Ppr para cada tipo de aplicao.
Quando o transformador trabalha com vrias sadas, a quantizao das potncias
aparentes nos enrolamentos consiste no somatrio de todas as potncias secundrias Psc,
multiplicadas pelo respectivo fator de correo, fcx, da corrente no enrolamento secundrio o
qual 1 quando usado retificador em ponte completa e 1,41 para retificador com tap central.
O somatrio das potncias secundrias fica:
x
P scx = P
1,2... x
scx . fcx = Psc1. fc1 + Psc 2 . fc2 + L Pscx . fcx (3.16)
Na figura 3.2 so mostrados os diversos casos em que fcx influencia na potncia

aparente do transformador.
65
Figura 3.2: Aplicaes: variao da potncia aparente em funo da corrente nos enrolamentos.
Depois das potncias secundrias terem sido totalizadas, calcula-se a potncia de

entrada considerando o rendimento do inversor t:
P sx
Ppr = (3.17)
t
Portanto, a potncia aparente do transformador o somatrio das equaes (3.16) e
(3.17), logo:
P scx
Pa = Ppr + P scx = + P scx (3.18)
t
Com base nas frmulas mostradas, o prximo passo a escolha da geometria e do
material que esto relacionados com as menores perdas por histereses ou facilidade de
fabricao do transformador.
Figura 3.3: Tipos comuns de geometria dos ncleos.
O clculo do Aps de cada ncleo muito simples, bastando efetivar os seguintes

equacionamentos para cada um e obt-lo de acordo com ncleo desejado:
Para ncleo em C mostrado na figura 3.3 a):
W ja = F .G e Ast = D.E Ast Aef
(3.19)
Aps = W ja . Aef
Para o ncleo EI mostrado figura 3.3 b):

66
Waj = F .G e Ast = D.E Ast Aef

(3.20)
Aps = W ja . Aef
Para o ncleo toroidal mostrado figura 3.3 c):

.ID 2 .(OD ID ) 2
W ja = e Ast = Ast Aef
4 16 (3.21)
Aps = W ja . Aef
Quando utilizado ncleo com seo transversal Ast homognea (ferrite, p de ferro...),
o clculo do Aps para cada geometria o mesmo apresentado pelas equaes (3.19) para o
ncleo C, (3.20) para o ncleo EI e (3.21) para ncleo toroidal com seo circular. Porm
quando se usa ncleo laminado, o procedimento para o clculo do Aps semelhante ao
apresentado pelas equaes usadas em cada geometria, salvo que a seo Ast deve ser
multiplicada por um fator fe (fator de empilhamento ou stacking factor ) referente cada tipo
de espessura de lmina utilizada, tabela 3-1, para encontrar a rea efetiva do ncleo, Aef.
Assim a equao para o clculo do Aps usando ncleo laminado fica:
Aps = W ja .( Ast . f e ) = W ja . Aef (3.22)
A multiplicao de Ast por fe imprescindvel para o clculo correto da capacidade de

potncia suportada pelo ncleo, pois fe representa o fator que corrige a rea da seo
transversal para rea efetiva do ferro, desconsiderando o isolamento de cada lmina que
compe o ncleo. Ele deve ser observado com cuidado no catlogo do fabricante da lmina.
Os catlogos dos fornecedores de lminas apresentam um valor tpico (valor mximo) para o
fator de empilhamento e um garantido (menor fator). A tabela 3-1 mostra os fatores de
empilhamento garantidos para cada tipo de lmina vendida pelo fornecedor usado neste
projeto.
Tabela 3-1: Fator de empilhamento garantido usado para lminas padronizadas [72].
Fator de empilhamento
Lmina Espessura
garantido
equivalente Tipo Inches.10-3 em mm
fe
AISI
M6 GO 14mil= 0,3556 mm 0,95
M5 GO 12mil= 0,3048 mm 0,95
M4 GO 11mil= 0,2794 mm 0,945
M3 GO 9mil= 0,2286 mm 0,945
67
3.1.1 Regulao de Tenso
Geralmente o menor tamanho do transformador pode ser determinado por dois fatores:
I) Maior temperatura admissvel.
II) Tenso de regulao admissvel, assumindo que o tamanho e o peso sero
minimizados.
A figura 3.4 mostra o diagrama de circuito simplificado do transformador com um
secundrio. Nesse circuito a capacitncia distribuda do secundrio foi desprezada por causa
da freqncia e pela tenso do secundrio no ser excessivamente alta, bem como a indutncia
de disperso tambm foi desprezada.
Ipr A
Primrio Secundrio BB
Figura 3.4: Circuito simplificado do transformador.
Assim a regulao de tenso no transformador dada por:

Vosc Vocn
= (100) [%] (3.23)
Vocn
Onde Vosc representa a tenso de sada nos terminais AB sem carga e Vocn a tenso de
sada com carga nominal.
Para o transformador da figura 3.4, se for considerada a impedncia do ncleo infinita e
a relao entre os enrolamentos de 1:1, temos a resistncia do primrio Rpr igual a resistncia
do secundrio Rsc e a corrente de entrada Ipr igual a corrente do secundrio Isc. Tambm se for
usado a mesma densidade de corrente, tem-se a variao de tenso nos enrolamentos expressa
por:
V pr = sc = I pr R pr = I sc Rsc [volts ] (3.24)
A regulao de tenso pode ento ser expressa:

V pr Vsc
= (100%) + (100%) (3.25)
V pr Vsc
68
Multiplicando a equao (3.25) pelas correntes nos enrolamentos, tem-se a regulao

em funo da potncia:
V pr .I pr Vsc .I sc
= (100%) + (100%) (3.26)
V pr .I pr Vsc .I sc
Dos numeradores da equao (3.26), tem-se a perda no cobre dos enrolamentos primrio
Pprcu e secundrio Psccu, respectivamente:
Pprcu = V pr .I pr e Psccu = Vsc .I sc (3.27)
Sendo assim as perdas totais no cobre so:

Ptotcu = Pprcu + Psccu (3.28)
Logo a regulao pode ser expressa em funo das perdas no cobre por substituio de
(3.28) em (3.26), assim:
Ptotcu
= (3.29)
Psc
A equao (3.29) representa uma boa aproximao para o clculo da regulao de
tenso em funo da potncia de carga.
3.1.2 Seleo do Ncleo
Um dos primeiros passos em projetos de transformadores a seleo da geometria do

ncleo. Existem diversos fatores que influenciam nessa seleo, dentre eles pode-se relatar:
1- Perdas magnticas no ncleo a qual determinada pelo tipo de material e o menor
caminho percorrido pelo fluxo magntico (MLP), dentre as configuraes bsicas de
ncleos O, C, EE e EI o ncleo O ou toroidal, o que permite obter menor caminho
magntico, ver figura 3.3.
2- Facilidade de montagem do transformador e menor custo de fabricao. Nesse
quesito os ncleos EE e EI saem na frente dos demais.
Todavia, quando os parmetros de projeto so maior eficincia e menor volume, o
ncleo toroidal o que permite obter melhor desempenho. Portanto esse ser o ncleo usado
para operao do inversor.
Um material que apresenta boa performance para aplicaes em baixa freqncia o
ncleo em ao silcio em gro orientado GO. A norma ASTM A876 fornece as especificaes
padronizadas para esse tipo de material.
A tabela 3.2 mostra as principais caractersticas dos diversos tipos de materiais e suas
freqncias de operao.
69
Tabela 3-2: Principais materiais usados em projetos de transformadores.

Caractersticas dos materiais magnticos
Propriedade dos materiais em liga de ao
Nome do material Permeb. Densid. Temp. de Fora Densid. Fator Freq.
3
(composio) Inicial de Fluxo, Curie coerciva, [g/cm ] do peso: de opera.
ui Bmax em [Tesla] [ C] Hc [Oersteds] dmat [fcp] fra
Silicon/magnesil:
(3% Si; 97% Fe) 1.5K 1.5-1.18 750 0.4-0.6 7.63 1.0 < 2kHz
Supermendur*
(49% Co; 49%Fe 0.8K 1.9-2.2 940 0.15-0.35 8.15 1.068 < 1kHz
e 2% V)
Orthonol:
2K 1.42-1.58 500 0.1-0.2 8.24 1.08 < 2Khz
(50%Ni; 50%Fe)
Permalloy:
(79%Ni; 17%Fe; 12K-100K 0.66-0.82 460 0.02-0.04 8.73 1.144 < 25kHz
5% Mo)
Supermalloy:
(78%Ni; 10K-50K 0.65-0.82 460 0.0033-0.008 8.76 1.148 < 25kHz
17%Fe; 5%;)
Amorphous
2606-SC 3K 1.5-1.6 370 0.03-0.08 ** ** <250kHz
2714 20K 0.5-0.58 >200 0.008-0.02 ** ** <250kHz
Vitro perm 500 30K 1.0-1.2 >200 <0.05 ** ** <250kHz
Ferrite
MnZn 0.75-15K 0.3-0.5 100-300 0.04-0.25 ** ** <2MHz
NiZn 15-1500 0.3-0.5 150-450 0.3-0.5 ** ** <100MHz
*Silicon/magnesil possui fator de peso unitrio (unidade base, clculo do peso)

** No apresenta esse valores por possurem baixo peso e baixa densidade.
Um grfico que deve ser levado em conta em projetos de transformadores o ciclo de

histerese do material, comumente conhecida como curva B-H.
A caracterstica ideal do ciclo de histerese apresentada na figura 3.5, onde a densidade
de fluxo eletromagntico mostrada no eixo das ordenadas e a fora magnetomotriz, H,
dada no eixo das abscissas. O comportamento real do ciclo de histerese em funo da
corrente de magnetizao e variao da tenso mostrado na figura 3.6.
70
+ Saturao
- Saturao
Figura 3.5: Ciclo de histerese ideal.
A figura 3.6 mostra as principais variveis envolvidas na induo de tenso.
Figura 3.6: Ciclo de histerese e principais variveis envolvidas na induo de tenso.
A curva de magnetizao para os diversos tipos de materiais mostrada na figura 3.7.

71
ferromagntico
paramagntico
ar livre
diamagntico
Figura 3.7: Comportamento da curva B-H para os diversos tipos de material.
A malha de histerese generalista que compara os diversos parmetros dos materiais

mostrada na figura 3.8.
Figura 3.8: Comparao dos laos de histerese dos materiais magnticos.

72
Segundo as informaes apresentadas na tabela 3.2 e na figura 3.8, o material que

apresenta potencial para aplicaes em mdias potncias e baixas freqncias a liga de ao
silcio (magnesil ou silicon).
Logo em virtude do inversor poder operar em diversas faixas de freqncia e potncia, a
direo dos estudos se far para aplicaes do inversor em mdias potncias. Dessa forma
com o compromisso de manter baixas as perdas do conversor, as maiores partes dos estudos
se atm operao do transformador em baixas freqncias.
Portanto, o material do ncleo selecionado para o projeto do transformador a liga de
ao silcio/magnesil, a qual possui grande permeabilidade e deve operar com freqncias
inferiores a 2 kHz.
Transformadores com Ncleo EI e Ncleo Toroidal
O ncleo toroidal oferece uma excelente eficincia para um dado tamanho e peso. Ele
possui um perfeito circuito magntico o qual elimina inerentes gap de ar usados em
transformadores convencionais de bobina com ncleo laminado. Segundo demonstra os dados
do fabricante [64], para esse tipo de ncleo relatado que a alta densidade de fluxo utilizada
no projeto, aliada completa utilizao da rea Waj do ncleo resulta em menor tamanho do
transformador, tipicamente de 50% do tamanho e peso se comparado com outros
componentes laminados. A eficincia tpica em torno de 90 a 95% e esse valor ainda pode
ser aumentado com o incremento do custo, figura 3.9. As perdas no ncleo de ao silcio em
gros orientados so muito baixas e a corrente de magnetizao pode ser considerada nula a
plena carga adicionando uma melhor eficincia do transformador.
Segundo dados da Howard [65], a eficincia e o custo de transformadores com ncleo
laminado possuem o comportamento segundo o grfico da figura 3.9.
Custo
Eficincia
Figura 3.9: Custo em funo da eficincia para transformadores com ncleo laminado.
73
Isso evidente quando se usam ncleos laminados, pois a eficincia aumenta com
diminuio da espessura das lminas, em virtude da reduo das perdas no ncleo. A tabela
3-3 mostra a relao da diminuio da espessura das lminas de ao padronizadas em funo
do custo.
Tabela 3-3: Lminas de ao silcio.

Tipo de ncleo Espessura em mils (10-3 pol) Eficincia Custo
Amorfo 1,0 Maior eficiencia Maior custo
M2 7,0
M3 9,0
M4 11,0
M5 12,0
M6 14,0 Menor eficincia Menor custo
A comparao dos ncleos toroidal e EI para uma determinada faixa de potncia

apresentada na figura 3.10:
Kg
45,36
36,29
27.22
18,14
9,07
1k 2k 3k 4k 5k 6k
Figura 3.10: Comparao do peso: ncleo toroidal e EI [66].
Como j mencionado, o aumento da temperatura no transformador est relacionado com

o aumento das perdas, logo eles devem ser projetados para uma dada elevao (rise) de
temperatura. A figura 3.11 exemplifica o caso do ncleo toroidal GO projetado para uma
elevao de temperatura em torno de 60 C a 65 C.
74
Figura 3.11: Comportamento da temperatura em funo da variao de potncia.
A eficincia do transformador tambm pode ser melhorada atravs do aumento da seo

do fio (o que reduz as perdas nos enrolamentos), com o impacto de aumento no tamanho do
transformador resultando na seleo de ncleos maiores.
A figura 3.12 exemplifica o caso do aumento da capacidade de potncia do ncleo em
funo da diminuio da regulao de tenso (3.23) (a qual dependente das perdas nos
enrolamentos).
Figura 3.12: Diminuio da regulao de tenso em funo do aumento do ncleo selecionado.
Como visto no grfico da figura 3.9, o aumento da eficincia est relacionado ao

aumento do custo do transformador.
A figura 3.13 mostra o efeito do aumento de carga em funo da eficincia para diversas
faixas de potncias.
75
Figura 3.13: Eficincia versus aumento de potncia para o ncleo toroidal [66].
Observaes devem ser feitas no caso de comparao das potncias em funo do

rendimento (para o caso de se considerar uma mesma regulao de tenso e o mesmo limite
superior de temperatura). Todavia o rendimento do transformador ainda pode ser aumentado
sob pena de aumento do custo do transformador.
3.1.3 Clculo das Perdas no Transformador (perdas no ncleo e perdas no cobre)
Perdas no Ncleo
As perdas no ncleo so divididas em perdas por correntes parasitas, Pce, e perdas por
histerese, Ph, as quais so descritas abaixo:
Pce = K1 f 2t 2 Brms 2 (3.30)
Ph = K 2 fBmax
ns
(3.31)
Onde:
K1 e K2 so constantes que dependem do tipo de material usado.
t a espessura individual das lminas usadas na fabricao do ncleo.
Brms o valor do fluxo correspondente ao valor eficaz da onda gerada.
Bmax o valor de pico da densidade de fluxo.
ns a constante de Steinmetz que possui um valor de 1,6 a 2,0.
Na prtica, os valores das equaes (3.30) e (3.31) so pouco usados por projetistas,
pois elas so apenas uma boa aproximao. Geralmente se usa uma equao que relaciona as
perdas no ncleo em funo do peso e do fator de construo (geometria do ncleo) que so
baseados em testes de laboratrio [60],[63]. A equao (3.32) baseada no peso do ncleo e na
76
espessura das lminas foi apresentada por [60], juntamente com a tabela 3-4 que mostra os
coeficientes usados no clculo da perda para cada tipo de espessura de lmina.
Wpor .kg = K . ftra com .Bmax con [W / kg ] (3.32)
Onde:
Wpor.kg representa a perda em Watts por quilograma do ncleo.
K uma constante do material caracterstico da espessura da lmina.
com e con so os respectivos coeficientes da freqncia do transformador, ftra, e da
mxima densidade de fluxo usada no projeto, Bmax (tesla) para uma dada lmina.
A tabela 3-4 mostra os principais coeficientes usados no projeto para o material do
ncleo em ao silcio com diversas espessuras padronizadas.
Tabela 3-4: Coeficientes usados no clculo da perda no ncleo.
Coeficiente de perdas no ncleo (Material liga de ao silcio)

Espessura em mil Faixa de Coeficiente Coeficiente Coeficiente
Material
(10-3pol) freqncia K (com) (con)
1,00 0,0593000 0,993 1,740
2,00 50-60Hz 0,0059700 1,260 1,730
Liga de ao 4,00 0,0035700 1,320 1,710
Silcio 12,00 0,0014900 1,550 1,870
14,00 0,0005570 1,680 1,860
24 M27 GNO 0,0386000 1,000 2,092
Para o clculo da perda total do ncleo basta multiplicar o peso do ncleo, Pncl, pelo
valor da perda em Watts por quilogramas, Wpor.kg, obtido da equao (3.32). Assim as perdas
totais no ncleo so:
Ptottra = Pncl .W por .kg [W ] (3.33)
Outra forma de calcular as perdas no ncleo consiste em consultar o fornecedor das

lminas (catlogos) e obter a perda em W/kg, para um dado B e ftra , e em seguida multiplicar
esse valor pelo peso do ncleo.
Perdas no Cobre
O clculo da perda no cobre dado pelo produto da corrente eficaz ao quadrado no

enrolamento vezes a resistncia do fio.
Pdmcob = Ief m 2 .Rm (3.34)
Onde:
m o ndice do enrolamento considerado, pr, primrio, e secundrios: sc1, sc2,
sc3, sc4 e sc5.
77
Pdmcob potncia dissipada no enrolamento m.

Iefm a corrente eficaz no enrolamento m.
Rm a resistncia do enrolamento m.
O clculo da resistncia do enrolamento dado pelo produto do valor tabelado
uOhm/cm (micro Ohms por centmetro) referente cada fio usado pelo comprimento mdio
do enrolamento, MLTm, vezes o nmero de espiras, N. Dessa forma para um enrolamento
presente no carretel da figura 3.14, o clculo da resistncia do enrolamento completo :
C
A
B
F Espessura do carretel
E
(MLT)1 -primeira espira (MLT)1 = 2(D+2F) + 2(E+2F)
(MLT) -enrolamento completo (MLT) = 2(D+2F) + 2(E+2F)
(MLT)2 -segunda espira (MLT)2 = 2(D+2F) + 2(E+2F) (2B+C)
Figura 3.14: Comprimento mdio de uma espira.
uOhm 6
Rm = MLTm .N m . .(10 ), [Ohms ] (3.35)
cm
Onde: Nm o nmero de espiras do enrolamento considerado.

Para o caso do ncleo toroidal, o MLTm mostrado na figura 3.15.
Enrolamento
Comprimento mdio do
enrolamento (MLT)
Ncleo laminado
Ht Altura do ncleo
Dimetro externo do nucleo OD

MLT = 0,8(OD + 2(Ht)), MLT aproximado
Figura 3.15: MLTm: para enrolamento em ncleo toroidal.
3.1.4 Transformador Aplicado em Inversores
Atualmente o uso de transformadores em inversores muito comum,

[50],[51],[52],[53]. Em eletrnica de potncia, a ponte H-bridge, push-pull e outros
78
conversores utilizam o transformador para fazer o condicionamento da potncia disponvel de

entrada no estgio de transferncia de energia para a sada ou para outro estgio.
Como visto na anlise dos inversores no captulo anterior, o transformador possui a
funo de diminuir o custo operacional do inversor, para o caso em que se usam inversores
multinveis em cascata operando com fontes de tenso independentes na entrada.
Para aplicao em sistemas autnomos de energia, o custo de implantao da gerao
fotovoltaica seria muito oneroso em virtude do excessivo nmero de baterias ou painis
conectados em srie para suprir o barramento cc de cada clula H-bridge do inversor, visto na
figura 1.19. Assim uma alternativa usar apenas um barramento cc, com adicional de uma
clula H-bride e um transformador para diminuir o custo de implantao, figura 2.3. Esse
inversor torna-se interessante para aplicao que envolve a gerao de vrios nveis na tenso
de sada, o que permite a regulao da tenso de sada (por tabela o controle da tenso de
sada do inversor) atravs da adio e subtrao de nveis, eliminando o custo adicional de um
conversor para controlar o barramento cc de entrada.
Projeto do Transformador com Ncleo em Liga de Ao Silcio
Um dos objetivos deste trabalho verificar o desempenho do transformador operando

com uma freqncia em torno de 400 Hz, com intuito de obter um transformador com menor
volume e maior eficincia.
Sendo assim foi elaborada uma planilha no Mathcad para o projeto geral do
transformador com ncleo toroidal GO, a qual contem algoritmos que usam funes de
programao: if, while, for... E permitem o rpido dimensionamento do transformador com
poucas informaes: tenso de entrada, potncia de sada, tenso nos secundrios...
O fluxograma da figura 3.16 exemplifica o projeto do transformador.
79
Figura 3.16: Algoritmo do projeto do transformador.
Para projetar um transformador em baixa freqncia, geralmente se utiliza o valor de

Bmax na faixa de 1,6T a 1,7T para aplicaes em ncleos de ao silcio, todavia
recomendvel observar o ciclo de histerese do material para assumir o valor correto de Bmax.
A tabela 3.2 demonstra os valores de Bmax para os diversos tipos de materiais.
No entanto quando se deseja trabalhar com freqncias maiores que 60 Hz, o valor de
Bmax usado no calculo do Aps deve diminuir em proporo do aumento da freqncia para se
conservar as mesmas perdas no ncleo. Com a diminuio proporcional de Bmax, em funo
do aumento de ftra, o tamanho do ncleo diminui pouco com o aumento da freqncia que
compensado pela diminuio do Bmax.
Logo como as perdas no transformador dependem do tamanho (peso) do ncleo, bem
como as perdas por efeito Joule nos enrolamentos, e tendo em vista a equao (3.32), a qual
apresenta os coeficientes, com e con, respectivamente de ftra e Bmax. Na tabela 3-4, se forem
comparados os coeficientes com e con, observado que os valores de com so sempre menores
que con. Logo, o aumento da freqncia de chaveamento produz menos perdas no ncleo do
que o aumento da densidade de fluxo magntico. Isso importante porque na anlise das
perdas do transformador pode-se fixar Bmax e variar ftra, o que pode resultar na diminuio do
transformador (3.10) e (3.15). Todavia esse procedimento muito oneroso de ser realizado,
80
pelo mtodo de tentativas, pois a cada valor de ftra tem-se um novo projeto do transformador
com o uso de um novo ncleo padronizado, o qual deve ser procurado ou calculado, a partir
dos catlogos dos fabricantes, um ncleo com Aps correto que suporte todos os enrolamentos,
produzindo um Kuj menor que o adotado, alm da necessidade de selecionar os valores
corretos dos fios AWG tabelados. Isso realmente oneroso, todavia foi elaborado uma
planilha especificamente para este projeto, ela realiza todos esses procedimentos de forma
automtica.
Um dos objetivos deste trabalho encontrar um ncleo que produza perdas prximas da
freqncia de 60 Hz, porm com uma freqncia de chaveamento maior, provocando uma
reduo do volume do transformador.
Para fazer essa anlise necessrio saber o comportamento dos parmetros de entrada
de projeto, que so Bopt, Jopt e Pa, em funo da variao de ftra. Assim em [67] demonstra-se
o exposto:
Freqncia ftra
Figura 3.17: Variao de Pa em funo da ftra.
A figura 3.17 mostra a variao da capacidade de potncia aparente (Pa=Pimax) no

ncleo EI usando lminas M6, em funo do aumento da freqncia fra. Para que o leitor
81
tenha idia do tamanho de cada transformador foi calculado seu respectivo Aps e apresentado
no grfico da figura 3.17.
A figura 3.18 mostra a variao da densidade de fluxo tima, Bopt, em funo do
aumento da freqncia.
Densidade de fluxo tima Bopt (Gauss)
Figura 3.18: tima densidade de fluxo em funo do aumento da freqncia.
A figura 3.19 mostra o valor timo da densidade de corrente em funo do aumento da

freqncia.
82
Figura 3.19: tima densidade de corrente em funo do aumento da freqncia.
Os grficos anteriores fornecem uma idia das faixas de variao de J, B e Pa. Logo se
pode definir uma faixa de valores para operao.
Com base na figura 3.19 e segundo [68] pode ser determinado um intervalo para a
densidade de corrente em baixa freqncia (60 Hz) na faixa entre 200 A/cm e 250A/cm.
Segundo a magnetic metal corp [69], para o transformador com potncia acima de 500 VA
usando ncleo com gap, a densidade de corrente deve ficar entre 232,5 A/cm2 a 263,5 A/cm2,
enquanto para potncias menores que 500VA recomendvel usar entre 279 A/cm2 e 310
A/cm2.
Com o objetivo de obter um menor transformador com perdas prximas da operao em
60 Hz, foi realizada a anlise mostrada na tabela 3-5 para evidenciar as perdas no ncleo
(3.32), com diversos valores de freqncias.
83
Tabela 3-5: Perdas no ncleo toroidal em funo da variao de freqncia.
Comparao de ncleos toroidal em gros orientados para a suportar uma potncia de 1kW
Perda total (W)
Barramento Ftra Bmax Waj Aef OD Ftexe
Aps (cm4) M2 M6
cc (Hz) (tesla) (cm2) (cm2) (cm) <0.3
(2mil) (12mil)
Cal. =
Calc= 26.17339
96V 302.2361
420 0.95 6.89515 18.32 (Peso=1.66kg)
J=250A/cm2 MG201*= 45.603673 11.43 0.275
Fe*=0.95
302.9332
Cal. =1.2562 Calc= 11.58095
48V J=250
60 1.6 MG504= 102.60826 15.32255 17.78 0.224 13.25231 (Peso= 5.66kg)
A/cm2
1539.39
Cal.=
48V p/ 302.23607 6.89515 Calc=26.17339
420 0.95 45.603673 11.43 18.324
J=250A/cm2 MG201= (Fe=0.95) 0.270 (Peso=1.661kg)
302.93323
Cal.=
328.5175
48 V J=230 7.661275
420 MG501= 10.795 0.276 Calc=28.11226
A/cm2 0.95 45.603673 (Fe=0.95) 19.6816
499= (Peso=1.784kg)
336.6064
*MG a referncia do ncleo da magnetic metal corp; Fe o fator de empilhamento.
Na tabela 3-5 o valor usado de 0,950 T foi um dado recomendado por [71] para essa
faixa de freqncia. Como observado, a diminuio da densidade de corrente acarretou no
aumento imediato do Aps, sendo necessrio recorrer a um ncleo imediatamente superior. Isso
ocorreu em virtude do aumento da seo transversal do condutor (3.11) cujo valor de Atotcu
aumentou o Ftexe= Ku alm de 0,3, o qual representa o valor mximo exigido por fabricantes
de ncleo toroidal em virtude do espao, dsx 7, figura 3.20. Como visto a perda no ncleo
aumentou com a diminuio da densidade de corrente.
Figura 3.20: Espao central, dsx deixado para passagem da ferramenta.
Portanto, para manter o compromisso entre tamanho e perda foi adotado Jmax= 250
A/cm2, para encontrar o ncleo desejado. A tabela 3.5 mostra que, mesmo com um baixo
valor de Bmax (Bmax=0,950T), o aumento da freqncia provocou perdas muito maiores que no
transformador operando a uma freqncia de 60 Hz. Assim fez-se necessrio plotar um
grfico em trs dimenses (3D), figura 3.21, para verificar o comportamento das perdas no
7Deveserconsideradoparapassagemdaferramentanomomentodaconfecodosenrolamentos.
84
transformador (eixo Z) em funo do aumento da freqncia (eixo X) e da variao da

densidade de fluxo eletromagntico (eixo Y). A partir de ento, pode-se assumir os valores
corretos de densidade de fluxo eletromagntico (Bmax) e da freqncia (ftra) tendo em vista o
comprometimento da reduo do volume, mantendo as perdas no ncleo prximas do
transformador operando na freqncia fundamental.
Figura 3.21: Variao das perdas no ncleo para lmina 0,30mm, em funo Bmax e ftra, equao (3.32).
Para freqncias na faixa de 60 Hz a 220 Hz, as perdas no ncleo possuem uma

variao mnima em relao aos 60 Hz e a densidade de fluxo para essa faixa pode ser
considerada um valor prximo de 1,6 T. Todavia, para freqncia na faixa de 220 Hz a 400
Hz as perdas no ncleo GO cresceram exponencialmente ultrapassando o limite mximo
exigido por normas internacionais, devendo reduzir significativamente Bmax para se ter o
compromisso com baixas perdas no ncleo. Para freqncias acima de 400 Hz as perdas no
ncleo crescem exponencialmente para quaisquer valores baixos de Bmax.
As perdas estabelecidas por normas internacionais so mostradas na tabela 3-6 para um
Bmax= 1,7 T e ftra= 50 Hz so de 1,4 (W/kg) em sua maioria para lminas de ao GO 0,30
mm.
Tabela 3-6: Principais normas para perda em ncleo GO para lmina de 0,30 mm.
NORMAS: ABNT NBR-9119 ASTM A876 M JIS 25.53-2000 DIN EN 10107
Referncia da Lmina 0.30 mm GO128-30 30H083 M140-30s M140-30s

Perda em W/kg 1,4 1,39 1,4 1,4
85
Uma comparao das perdas em W/kg mostradas pelo fornecedor de ao GO, usado no
projeto [72] (valores dentro da norma internacional), e os valores apresentados pela equao
(3.32) mostrado na tabela 3-7.
Tabela 3-7: Comparao das perdas no ncleo para os valores calculados e os valores fornecidos pelo fabricante.
Perdas fornecidas pela equao (3.32) e os valores apresentados por [72]
Perdas em W/kg
Faixa B-f (Tesla - Hz)
Apresentado por [72] Calculado por (3.32)
B=1,5T/60Hz 1,28 1,8139
B=1,7T/60Hz 1,83 2,29224
Com base nas informaes apresentadas pelo grfico da figura 3.21, foi realizado novas
anlises e elaborado a tabela 3.7 com intuito de encontrar um ncleo com menor tamanho e
com perdas prximas da operao em 60 Hz.
Tabela 3-8: Elaborada com base no grfico mostrando na figura 3.21.
Comparao de ncleos toroidal* em gros orientados para a suportar uma potncia de 1kW
Ftra Bmax Waj OD Perda total (W)
Aps (cm4) Aef (cm2)
Barramento (Hz) (tesl) (cm2) (cm) Ftexe M2 (2mil) (12mil)
Cal. = 302,23607 Calc= 26,17339;

96 V 6,8952 18,324
420 0,95 MG201= 302,933 45,6038 11,43 0,2755 (Pso=1,661kg);
J=250A/cm2 Fe=0,95 -
Calc= 11,58095;
48V Cal. =1256,17 (Pso= 5,6587kg) ;
60 1,6 102,6083 15,3226 17,78 0,2237 13,25231
J=250A/cm2 MG504= 1539,39 Fb*= 8,79;
Pcu*=34,79566;
Calc= 10,57392;
Cal.= 1256,17 (Pso= 5,167kg) ;
81,073 15,3226 16,51 0,2831
MG503= 1205 Fb= 8,0;
Pcu=34,79566;
48V Cal.= 302,2361
Calc= 26,17339;
p/ MG201= 6,8952 11,43
420 0,95 45,6038 0,2705 18,324 (Pso= 1,661kg);
J=250A/cm2 302,9332 (Fe=0,95)
Cal.= 328,51746
Calc= 28,11226;
48 V MG501= 499 = 7,6613
420 0,95 45,6038 10,795 0,2762 19,6816 (Pso=1,784kg);
J=230A /cm2 336,6063 (Fe=0,95)
Calc= 6,61191 ;
48V; Cal.=902,90649
420 0,318 102,608 9,1935 16,51 0,2672 (Pso= 3,247624kg) ;
J=250A/cm2 MG26= 912
Fb= 5 w; Pcu=35.84584;
Cal.= 638,05392 Calc= 8,86876 ;
48V;
420 0,45 MG 25= 81,073 7,6613 13,335 0,2867 (Pso= 2,275794 kg);
J=250A/cm2
594,128 Pcu=29,59892 W;
Calc= 9,06052;
48V; Cal.= 638,0539
420 0,45 102,608 6,89 15,24 0,26041 (Peso= 2,325 kg);
J=250A/cm2 MG211= 702,307
Pcu= 32,26963;
Cal.= 591,1382 Calc= 11,34675;
48V;
300 0,68 MG 25= 81,073 7,6613 13,335 0,266 (Pso= 2,2665 kg);
J=250A/cm2
594,128 Pcu= 27,44586;
Calc= 11,34675 ;
48V; Cal.= 560,3278
300 0,68 81,073 9,1935 13,335 0,2157 (Pso= 2,2665 kg) ;
J=250A/cm2 MG 25=594,128
Pcu= 21,60604;
Fb a perda estimada pelo fabricante; Pcu a perda calculada no cobre.
86
Como pde ser visto, as linhas sombreadas da tabela 3.8 mostram respectivamente o
ncleo operando em 60 Hz com suas perdas e o valor de 300 Hz escolhido com base no
grfico mostrado na figura 3.21, exibindo a densidade de fluxo eletromagntico de 0,680 T.
Esses valores resultaram na seleo de um ncleo com perdas menores que 60 Hz (60 Hz,
Pfe=11,581 W e 300 Hz, Pfe= 11,348 W) com diferena de 7,35 W nos enrolamentos. O
transformador operando em 300 Hz tambm possibilitou uma reduo de 4,45 cm no dimetro
externo do ncleo se comparado operao em 60 Hz.
Problema da Saturao do Ncleo
O uso do transformador em aplicaes que envolvem inversores possui o inconveniente

da saturao que ocorre quando a fora de magnetizao ultrapassa o valor especificado pelo
fabricante do ncleo. Para esse fenmeno, depois que atingido Bmax, qualquer aumento de H
acarreta numa rpida queda da tenso induzida no secundrio, aumentando as perdas no
ncleo sem gerar tenso induzida.
A saturao do ncleo ocorre quando houver componente cc de corrente no primrio do
transformador. O efeito da componente cc acarreta um alto valor da corrente de magnetizao,
Im (devido essa tambm possuir componente cc), forando com que o transformador
apresente um desbalanceamento em um dos ciclos. A figura 3.22 mostra o circuito bsico de
um transformador.
modelo simplificado do transformador
I 1 = .I 2+ I m .I 2 I2
L1 R1 Im L2 R2
RBAT 1:
Vp
Vpr CARGA
Lm Rm
Figura 3.22: Circuito simplificado do transformador.
A origem da componente cc no primrio do transformador possui diversas causas, entre elas:

Pela alimentao instantnea de uma carga, Vpr, pode assumir assimetria. Essa
situao pode provocar temporariamente altos picos de corrente.
Por alimentar uma carga de meia onda. Nesse caso a queda de tenso na
resistncia interna da bateria e nas impedncias do transformador L1 e R1
ocorre somente em um ciclo, provocando assimetria de Vpr.
Por assimetria de Vbat. Nesse casso Vpr afetado diretamente.
87
A figura 3.23 mostra os diversos casos que podem ocorrer.
Vbat Vbat
t t
Im Im
t t
operao normal operao em
sobretenso
a) b)
Vbat Vbat
t t
Im Im
t t
transformador saturado transformador saturado
no semiciclo positivo no semiciclo negativo
c) d)
Figura 3.23: Casos para a operao do transformador.
Como visto na figura 3.23. a), para operao normal do transformador a corrente de
magnetizao simtrica e apresenta baixos valores.
Para operao mostrada figura 3.23 b), em sobretenso a corrente de magnetizao
ainda simtrica, essa condio evitada pelo projeto adequado do transformador.
Os casos mostrados na figura 3.23 c) e figura 3.23 d) apresentam uma das situaes
previamente expostas.
A soluo para os casos mostrados na figura 3.23 dependem fortemente da aplicao.
Basicamente o mtodo de correo do desbalanceamento apresenta duas etapas:
1- Identificar a condio do desbalanceamento.
2- Providenciar mecanismos para corrigir a componente cc no primrio.
Em [25] apresenta-se um circuito que mede a componente cc no primrio do
transformador e mostra mecanismos que promovem o balanceamento da corrente de
magnetizao.
Contribuio da Pesquisa Para Amenizar o Efeito da Saturao do Transformador
Na reviso bibliogrfica tambm foi procurado deixar a contribuio com o problema da

saturao do transformador aplicado a inversores. Dessa forma, foram pesquisadas solues
envolvendo circuitos magnticos para suprimir os efeitos danosos a esse. Como resultado
dessa pesquisa, foi encontrada uma medida apresentada por [60] para amenizar o efeito, a
qual ser descrita na figura 3.24.
88
Figura 3.24: Correntes de inrush: a) Ncleo sem gap; b) Ncleo com gap.
O efeito do gap diminui o magnetismo residual por provocar o efeito de um corte na

malha de histerese o que elimina o problema do ncleo tender a permanecer saturado,
permitindo que ele tolere alguns desequilbrios de componentes cc [60].
A curva B-H, para o ncleo sem gap e com gap, apresentada na figura 3.25 para o
ncleo de ao silcio em gros orientados.
Figura 3.25: Curva B-H dos ncleos GO: a) Sem gap; b) Com o menor gap.
Como visto a curva B-H possui um aspecto quase quadrado para o ncleo toroidal GO o
que configura baixas perdas. Ela tambm apresenta um alto valor de fluxo remanescente o que
contribui com a tendncia do ncleo permanecer saturado. Todavia para o ncleo com gap, o
valor do fluxo remanescente baixo o que contribui para eliminar o problema da saturao.
No mesmo livro o autor demonstra, a partir de testes, que a perda no ncleo
desprezvel para o uso de um gap menor que 25 um. Todavia os benefcios do uso do gap em
89
relao a saturao so atrativos e permitem que o transformador opere com certo nvel de
desbalanceamento e de componente cc.
Outra maneira de suprimir os efeitos da saturao inserir um capacitor de
polipropileno no circuito do enrolamento primrio, bloqueando dessa forma a componente cc.
Para essa justificativa ainda h controvrsias na comunidade cientfica, por causa da alta
capacitncia do capacitor que apresenta custo elevado e volume.
Esforos a Implementao
Na tentativa de suprimir o problema da saturao foi realizado o projeto completo do

transformador operando com ncleo toroidal.
Para montagem foram contatados os principais fabricantes de ncleo toroidal, onde
esses somente exerceriam o processo de montagem.
Tambm houve esforos para implementar o prottipo com ncleo toroidal em corte. A
priori, a empresa prestadora do servio mencionou que no exercia esse tipo de servio.
Mediante esforos contnuos e idias elaboradas para execuo do servio foi feito um acordo
com setor de engenharia da empresa fornecedora do ncleo laminado.
A empresa informou a falta de material necessrio para o corte e sugestes foram
levantadas, como o corte por eletroeroso, a qual produz grande preciso. No entanto esse tipo
de corte rejeitado por colocar o material imerso na gua, o que provoca oxidao com efeito
da diminuio das caractersticas magnticas do ncleo.
Por fim para efeito de teste de performance do inversor, foi acordada a produo do
ncleo com maior preciso que a empresa dispunha a oferecer.
O procedimento de projeto usado para o ncleo com gap consiste nas mesmas etapas
apresentadas neste captulo. Salvo que os valores de densidade de fluxo magntico e de
corrente so ligeiramente diferentes.
Assim, foi realizada pesquisa sobre o assunto envolvendo o ncleo GO com gap. Um
bom material encontrado trata-se dos estudos realizados pela magnetic metal corp e
apresentados em seus catlogos [69]. Segundo informaes dos catlogos, a operao com
gap em 400 Hz pode ser feita com alta densidade de fluxo eletromagntico e Bmax= 1,8T,
enquanto que a densidade de corrente para potncias superiores a 500 VA pode-se usar entre
232,5 A/cm2 e 263,5 A/cm2 e para potncias inferiores a 500 VA a empresa recomenda
trabalhar na faixa de 279 A/cm2 a 310 A/cm2 para ncleos GO com gap.
90
Uma metodologia generalizada de projeto para aplicao em baixa e alta freqncia foi
apresentada nesse captulo, bem como as diversas consideraes que devem ser usadas para
um bom projeto do transformador.
As principais caractersticas dos diversos tipos de materiais empregados no projeto de
transformadores foram resumidas atravs de tabelas, permitindo o rpido encontro de
informaes necessrias.
Tambm foi definida uma faixa de freqncia admissvel para o projeto de
transformadores usando ncleo laminado de ao silcio com o comprometimento de baixas
perdas no ncleo e um menor volume.
Foram enumerados os diversos tipos de casos para ocorrncia do desbalanceamento do
transformador, bem como foi mostrado o mtodo de correo.
Por fim foi deixada a contribuio no estudo dos inversores multinveis em cascata usando
transformadores independentes com clulas H-bridge operando em ternrio. Por fornecer
embasamento terico no clculo dos fatores de forma de onda kfo, tabela 2-3, para cada
clula, necessrios ao projeto dos transformadores, os quais so difceis de serem obtidos por
mtodos de clculos comuns.
91
CAPTULO 4
ESTUDO DA TOPOLOGIA ESCOLHIDA
Este captulo estuda o inversor escolhido no captulo 2, o qual preserva a estrutura

convencional do CHCA reunida a um transformador com mltiplos secundrios ligados a
pontes retificadoras, figura 4.17. Esse inversor, como j foi abordado, alia as vantagens da
modulao staircase em alta resoluo 8 com o baixo custo proporcionado a estrutura CHCA,
por usar um transformador em substituio as diversas fontes que compunham o barramento
das clulas H-bridge.
Nesta seo so deduzidas equaes para mensurar as perdas nos mosfets, as quais
representam o primeiro passo para obter o clculo trmico do inversor CHCA isolado.
Tambm so deduzidas equaes para o clculo das correntes relacionas a x clulas do
inversor.
Neste captulo so apresentados grficos com informaes das potencias normalizadas
em cada secundrio do transformador em funo da potncia de carga. Esses grficos
permitem o rpido encontro das potncias disponveis nos enrolamentos.
Na seqncia so mostradas as caractersticas de projeto do transformador com ncleo
toroidal exibindo informaes organizadas em tabelas.
Tambm apresentada a metodologia utilizada no clculo dos capacitores que
compem o barramento cc das clulas H-bridge.
Este captulo trar os dados usados no projeto fsico do ncleo toroidal bem como
apresentada a disposio fsica dos enrolamentos no ncleo toroidal.
Para validao das equaes desenvolvidas foi escolhido o software Orcad Pspice e
optado o uso de componentes com modelos reais fornecidos pelos fabricantes dos
semicondutores. Esse programa permite a simulao dos componentes com caractersticas
reais de funcionamento, inseridas as no linearidades que ocorrem na implementao prtica
[76].
Por fim sero realizadas as consideraes finais sobre o projeto do inversor.
Inversoroperandocom63nveisnatensodesada.
8
92
4.1 ASPECTOS RELEVANTES E CRITRIOS ADOTADOS
4.1.1 Definio da Estratgia de Modulao
Foi adotada a modulao staircase para o inversor CHCA isolado, por essa permitir alta
resoluo na tenso de sada resultando numa THD <5% sem filtro. Outra vantagem dessa
modulao consiste na operao em baixa freqncia de suas clulas resultando em baixas
perdas por comutao operando com lgica binria. Para operao do inversor com cinco
mdulos, a quinta clula (maior potncia) opera na freqncia fundamental, 60 Hz, enquanto
a clula de menor potncia (primeira clula) opera com a maior freqncia de 1860 Hz. Em
virtude dessas caractersticas de operao a estratgia de modulao reduz as perdas por
comutao bem como EMI (Interferncia Eletromagntica).
A operao da tenso de sada em alta resoluo permite o controle do valor eficaz da
tenso de sada por seleo de tabelas armazenadas num microcontrolador, possibilitando a
soma ou subtrao de nveis para controlar o valor eficaz da tenso de sada em 220 V,
eliminando o custo adicional de um conversor para controlar o barramento cc.
4.1.2 Definio do Nmero de Nveis de Operao
O nmero de nveis foi escolhido atravs da modulao em staircase e da configurao

binria para 5 clulas H-brige, resultando em 63 nveis na tenso de sada, permitindo obter
alta resoluo sem precisar de filtro para manter a THD dentro dos limites aceitveis por
norma THD<5%.
4.1.3 Escolha da Freqncia de Operao
A freqncia de operao da clula H-bridge de entrada depende da escolha do ncleo

compatvel com a potncia de sada.
A definio da freqncia de operao bem como o ncleo do transformador est
descrita no captulo 3. Para essa escolha foi levado em considerao o critrio do tamanho do
ncleo aliado a uma boa eficincia, se comparado com o padro de 60 Hz usando ncleo GO.
93
4.1.4 Escolha dos Semicondutores
Em virtude da configurao binria permitir que o inversor opere com diferentes nveis
de tenso, as clulas H-bridge so compostas somente de mosfets, visto que as tecnologias
para essa chave dispem de resistncias de conduo, Rdson em torno de 1,2m para as
clulas de menor tenso e para maior tenso (192 V) Rdson 8m, resultando em baixas perdas
por conduo.
O nico componente preocupante nessa topologia o uso de diodos, onde as perdas so
elevadas se comparadas a dos mosfets.
4.1.5 Definio das Caractersticas de Carga
O inversor foi projetado para as caractersticas de carga apresentadas na tabela 4-1:
Tabela 4-1: Parmetros gerais.
Especificaes gerais para CHCA isolado

Parmetros de entrada Parmetros de sada
Potncia de entrada Ppr 1020 W Potncia de sada

1000 W
Tenso Nominal Ven 48 V Tenso nominal Vcarg

220 V
Ven +15% a 8,33% Regulao Vcarg 5%
esperado 98% Fator de potncia 0,75 indutivo
4.2 Dimensionamento dos Componentes
Para dimensionar os componentes necessrio conhecer o funcionamento da topologia

para poder determinar o mtodo de clculo com base nos critrios de projeto, os quais
dependem da escolha de componentes da topologia.
4.2.1 Simulao do Inversor
As caractersticas das formas de ondas nas sadas das clulas usadas na formao da
tenso de sada so mostradas na figura 4.1.
94
20V
SEL>> primeira celula

-20V
V(D52:2,U24:1)
40V
0V
segunda celula
-40V
V(U24:1,U26:1)
50V
terceira celula
0V
-50V
V(U26:1,U30:1)
100V
0V quarta celula
-100V
V(U30:1,R40:2)
200V
quinta celula
0V
-200V
V(R40:2,D43:2)
400V
0V
tensao na saida
-400V
V(R42:2,D43:2)
Time
Figura 4.1: Contribuio das clulas na formao da tenso de sada.
Uma contribuio do trabalho no projeto do clculo trmico tem princpio no

desenvolvimento de uma frmula para computar a freqncia de operao de cada clula (2.1)
:
Fcel p = 2( xt +1 p ) 1 . f und
Assim as tenses nas clulas de sada possuem freqncias iguais a tabela 4-2.
95
Tabela 4-2: Freqncia da tenso Vohx operando em binrio.
Freqncia das clulas H-bridge de sada

Cel1 12 1860
Cel2 24 900
Cel3 48 420
Cel4 96 180
Cel5 192 60
Uma observao importante a respeito dos inversores em cascata operando com a lgica
binria que todas as chaves operam na mesma freqncia de sua clula.
A figura 4.2 mostra o caso para o pulso nas chaves S11 e S13:
20V
10V
PULSO EM S11
0V
V(V5:+,0)
20V
0V
PULSO EM S13
-20V
V(E10:3,U24:1)
20V
TENSAO NA SAIDA DA CEL 1
0V
-20V
V(D52:2,U24:1)
400V
TENSAO NA CARGA
0V
SEL>>
-400V
V(R42:2,D43:2)
Time
Figura 4.2: Relao dos pulsos nas chaves com a tenso de sada da clula.
A forma de onda da corrente nas chaves superiores de cada brao mostrada na figura
4.3. Como visto, ela composta por diferentes valores de comprimento de pulso e apresenta
um formato de uma senide pulsada em meio ciclo. A dificuldade de se mensurar o valor de
96
cada comprimento de pulso para o clculo dos esforos de corrente nas chaves porque ela
no segue um padro de chaveamento como os pulsos oriundos da modulao PWM, a qual
determinada pela comparao da moduladora com a portadora gerando pulsos com
magnitudes fixas. Uma possvel maneira de obter essa funo seria pelo uso das sries de
Fourier, a qual resultaria num trabalho oneroso por no possuir magnitudes fixas alm de
conter pulsos com valores diferentes de freqncias.
9.7A
(20.694m,7.6752)
(12.311m,7.6755)
0A
corrente na chave S11 corrente na chave S13
-10.0A
I(U22:1) I(U23:1)
(20.864m,7.6752)
10.0A
corrente de carga
0A
-10.0A
SEL>>
-18.3A
8.4ms 12.0ms 16.0ms 20.0ms 24.0ms
-I(R37)
Time
Figura 4.3: Primeiro grfico: corrente de carga na chave S11 e sua complementar chave S13, segundo grfico
corrente na carga.
Logo a idia para encontrar as perdas nos semicondutores de uma mesma clula pode
parecer difcil pelo uso eminente da srie de Fourier para mensurar a corrente aproximada que
circula na chave.
Nesse caso tambm foi pensado em um mtodo que pudesse simplificar a anlise do
clculo das perdas nos semicondutores e assim possibilitar a padronizao da metodologia de
clculo usada para mensurar as perdas nos componentes.
Um incentivo ao estudo foi a tendncia tecnolgica e a exigncia de mercado para o
desenvolvimento de produtos eletrnicos cada vez mais compactos, o que tambm surtiu
efeito no setor da eletrnica, onde um encapsulamento contm diversos sub-circuitos e essa
interligao de circuitos em um mesmo componente comumente chamado de circuito
97
integrado. Todavia em eletrnica de potncia, pelo fato de se trabalhar com grandes valores
de potncia, os circuitos integrados produzem aquecimento, o que preocupante, pois se os
valores mximos de temperatura exigidos pelos fabricantes forem ultrapassados o circuito
ser destrudo.
Assim, foi realizada uma reviso bibliogrfica com o intuito de encontrar projetos de
referncia ao clculo trmico do inversor multinvel em cascata operando com a modulao
staircase com lgica binria. A pesquisa permitiu observar que at a presente data ainda no
foi encontrado um embasamento terico que contribusse para a implementao de trabalhos
futuros. Sendo assim, o escrito deixa a contribuio no estudo, desenvolvendo dois mtodos
para o clculo das perdas nos semicondutores da clula.
4.2.2 Mtodos Para Mensurar as Perdas nas Chaves de Cada Clula H-bridge
A fidelidade das equaes descritas nesta seo foi realizada com base nos datasheets
dos fabricantes, os quais conduziram a um compromisso com a realidade prtica do
semicondutor.
Os equacionamentos das perdas nos semicondutores envolvem dois processos:
1- Perdas por comutao
2- Perdas por conduo
Perdas por Comutao
Para esse caso ser feita uma anlise generalista considerando a energia dissipada no
instante em que o dispositivo acionado, Eon, e no instante do bloqueio, Eoff. Logo para
obter as perdas por comutao basta somar Eon com Eoff e multiplicar pela freqncia de
chaveamento do semicondutor a partir da equao desenvolvida (2.1).
Assim no estado de comutao e operao contnua dos semicondutores ocorrem os
fenmenos descritos na figura 4.4.
98
Figura 4.4: Fenmeno da comutao e conduo.
Como observado os tempos tr ( do ingls, rise, subida) e tf (do ingls, fall, descida)
fornecidos nos datasheets dos fabricantes so dados para um intervalo de 10% a 90%. Mas
para o clculo das perdas, a base do clculo deve considerar o intervalo de 0 a 100%, portanto
os tempos calculados, tcr e tcf , correspondem respectivamente aos valores dos datasheets tr e
tf multiplicados pelo fator 1,2.
Assim na figura 4.4 a) tem-se os intervalos dados pelos seguintes valores
t1-t2= tdon
t2-t3= tcr=1,2 tr
t4-t5=tl= tdoff+tcf
com tcf=1,2tf .
Clculo da energia para entrada em conduo, Eon:
Do grfico da figura 4.4 a) foi deslocado o eixo dos tempos para tdon=0, com o intuito
de facilitar o clculo da energia para entrada em conduo. Posteriormente dividindo Eon em
duas reas, Eon= Eon1+Eon2, expressando a situao com base nos dados fornecidos pelos
fabricantes chegou-se nas seguintes equaes para entrada em conduo:
99
Id
i (t ) = .t + Id e Vds (t ) = Vds, ( Eon1 ) (4.1)
tdon
Vds
Vds(t ) = .t + Vds e i (t ) = Id , ( Eon 2 ) (4.2)
tcr
Assim, calculando Eon1 e Eon2, obtm-se:
Vds.Id .tdon
0
Id
Eon1 = tdon
Vds .t + Id

.dt E on1 =
2

tdon

(4.3)
tcr
Vds Vds.Id .tcr
Eon 2 = .t + Vds .Id .dt Eon 2 =
0
tcr 2
Somando Eon1 e Eon2, bem como arranjando a expresso em funo dos tempos
fornecidos pelos datasheets (tdon e tr), tem-se:
Vds.Id (tdon + 1, 2.tr )
Eon = (4.4)
2
Clculo da energia para o bloqueio, Eoff:
Considerando tl=tdoff+tcf, vem:

tl = tdoff + 1, 2tf (4.5)
Vds Id
Vds (t ) = .t e id (t ) = .t + Id (4.6)
tl tl
Calculando Eoff:
Vds Id
tl

Eoff = .t . .t + Id .dt (4.7)
0
tl tl
Vds.Id .tl
Eoff = (4.8)
6
Substituindo (4.5) em (4.8) e expressando com valores dos datasheets:
Vds.Id .(tdoff + 1, 2tf )
Eoff = (4.9)
6
Assim para obter o clculo da potncia dissipada nos mosfets basta multiplicar as
equaes da energia pela freqncia de chaveamento expressa na tabela 4-2, resultando em:
100
Pcomsxy = ( Eonsxy + Eoff sxy ). fcomsxy (4.10)
Perdas por Conduo
A perda na conduo do mosfet pode ser dada por:

Pcond sxy = Rdsonsxy .I sxy 2 (4.11)
A perda total no mosfet a soma da perda por conduo mais a perda por comutao
,sendo assim:
Ptot sxy = Pcomsxy + Pcond sxy (4.12)
Assim, observando as equaes (4.10) e (4.11), essenciais no clculo das perdas dos
semicondutores, verifica-se que elas so dependentes da corrente eficaz na chave.
Perdas nos Diodos
dada pela perda por conduo e por recuperao reversa:

Ptot Dxy = Pcond Dxy + PcomDxy (4.13)
Como foram usados diodos Schottky para compor cada ponte retificadora, a perda por
comutao pode ser desprezvel. A equao (4.13) inclui somente a perda por conduo que
contm uma parcela dada pelo produto da corrente mdia, IDxymd, pela tenso de barreira, Vfo,
do dispositivo, assim a equao (4.13) resulta em:
V fn V fo
Ptot Dxy = IDxymd .V fo + IDnef
2
(4.14)
IDn
Onde:
Vfn: tenso sobre o diodo no estado de conduo para corrente nominal.
IDn: corrente nominal do diodo.
IDnef: corrente eficaz no diodo.
Dessa forma, para projetar o dissipador fez-se necessrio desenvolver expresses para
calcular a corrente eficaz nas chaves e a corrente mdia nos diodos. A seguir sero
apresentadas as metodologias empregadas.
Mtodos Para Obter as Correntes nas Chaves
O objetivo de obter as expresses das correntes nas chaves tem a finalidade de mensurar
os esforos nos semicondutores.
101
Os esforos dos semicondutores so usados no clculo trmico do dispositivo, pois

esses iro determinar o tamanho necessrio do dissipador a ser utilizado para manter a
temperatura na juno abaixo do valor mximo especificado pelo fabricante.
Para realizar o clculo trmico das chaves deve ser levada em considerao a disposio
dos componentes na clula envolvida, ou seja, se a clula H-bridge encontra-se num nico
encapsulamento ou se a clula composta de chaves com encapsulamentos separados entre si
[46]. Para efeito de simplificar a anlise, so descritos os dois mtodos de obter as perdas nas
clulas H-bridge considerando uma nica clula.
Mtodo 1: Para as chaves dispostas em encapsulamentos diferentes o projeto do
dissipador depende do clculo das perdas em cada componente separadamente. Assim deve-se
obter o valor da corrente eficaz para cada semicondutor.
Mtodo 2: Para as chaves da ponte dispostas num nico encapsulamento o projeto do
dissipador depende do somatrio das perdas nas chaves que compem o mdulo (4.17).
Segundo a expresso desenvolvida especificamente para essa aplicao, (4.26), necessrio
determinar somente a corrente total circulante na clula no perodo de 60 Hz.
Assim o trabalho mostra os passos que podem ser utilizados para obter a corrente na
chave usando os dois mtodos descritos.
Mtodo 1
Esse mtodo foi desenvolvido para o obter rapidamente a corrente na chave em funo
da corrente de carga eficaz em meio perodo da tenso de sada.
Em virtude da corrente nas chaves depender fortemente da modulao staircase usando
lgica binria, a corrente nos mosfets possuem formatos um tanto parecidos com os
observados na figura 4.7. Logo existe um trabalho oneroso em mensurar essa corrente por
mtodos de clculos comuns visto que algumas formas de onda so senoidais pulsadas com
diferentes valores de pulso para os diversos nveis. Assim na tentativa de simplificar e
padronizar um mtodo rpido de obteno das correntes eficazes nos mosfets, foi feita a
normalizao das correntes eficazes nas chaves em funo da corrente eficaz de carga em
meio perodo, Iefcarg(1/2)T (Iefcarg(1/2)T=Ip/2), visto que parte da corrente de carga sempre
passar por uma das chaves, tabela 1-7.
Como observado, as configuraes de chaveamento apresentadas na tabela 1-7 para sete
nveis e uma observao da figura 4.7, demonstram que a modulao staircase com lgica
binria foi programada para o critrio mnimo de comutao. Tendo em vista que essa
estratgia no apresenta nveis redundantes, pode-se generalizar:
102
As chaves superiores de um mesmo brao, Sx1 e Sx3, apresentam as mesmas formas de

onda da corrente defasadas em 180.
As chaves inferiores de um mesmo brao, Sx2 e Sx4, apresentam as mesmas formas de
onda tambm defasadas de 180.
Assim, para anlise da clula x, basta normalizar as correntes eficazes nas chaves em
um nico brao (Sx1 e Sx2) para obter os valores de correntes eficazes reais tambm
parametrizados no brao consecutivo, tabela 4-3.
Tabela 4-3: Correntes eficazes na chave parametrizadas em funo da corrente eficaz de carga em meio perodo.
Correntes nas chaves parametrizadas
S11= IefS11/ Iefcag(1/2)T = 0,76184
Clula 1 S12= Ief S12/ Iefcag(1/2)T = 1,2106
S21= IefS21/ Iefcag(1/2)T = 0,8119
Clula 2
S22= IefS22/ Iefcag(1/2)T = 1,1789
S31= IefS31/ Iefcag(1/2)T = 0,8552
Clula 3
S31= IefS32/ Iefcag(1/2)T = 1,1789
S41= IefS41/ Iefcag(1/2)T= 0,90203
Clula 4
S41= IefS42/ Iefcag(1/2)T = 1,0972
S51= IefS51/ Iefcag(1/2)T= 0,9851
Clula 5
S51= IefS52/ Iefcag(1/2)T = 1,0372
Portanto para obter a corrente em Sxy basta multiplicar a corrente eficaz de carga em
meio perodo pelo respectivo fator Sxy apresentado na tabela 4-3. Assim, a corrente eficaz na
chave fica:
2
1 Vp

Ief sxy = sen(t ) d t . xy (4.15)
2 0 Z ca rg

Fazendo Vp/Zcarg=Ip e substituindo em (4.15), tem-se a corrente na chave simplificada
expressa por:
Ip
Ief sxy = xy (4.16)
2
Onde Vp e Ip so valores de pico.
Na figura 4.5 ser visto as formas de ondas da corrente nas chaves.

103
Figura 4.5: Todas as formas de onda das correntes nas chaves.
A figura 4.5 mostra de forma simplificada o aspecto das formas de onda nas chaves de
cada clula do inversor em estudo. O formato de onda da corrente na chave superior do
segundo brao (Sx3) e inferior (Sx4) apresenta o mesmo aspecto das respectivas correntes em
Sx1 e Sx2 defasadas de 180.
104
Na figura 4.6 mostrada a corrente na fonte de alimentao. Ela o somatrio das

correntes nos enrolamentos secundrios multiplicadas pela relao de transformao entre o
enrolamento primrio e cada secundrio. O aspecto da forma de onda senoidal retificada o
resultado da combinao das chaves da ponte H-bridge de entrada, usadas para gerar uma
onda quadrada (alternada e simtrica) no enrolamento primrio na freqncia de 300 Hz.
Para quantificar a corrente em cada chave, novamente foi considerado o perodo de
60Hz. Logo o somatrio de todas as formas de onda da corrente na chave num perodo de
60Hz resulta uma meia onda senoidal para cada chave.
s1 s2
s2
s2 s1 s1
s1 Ippr s1 s2 s2
Figura 4.6: Corrente na fonte de alimentao.
Dessa forma o valor eficaz da corrente na chave pode ser aproximado por:
Ief Se1 = Ief Se 2 = Ip pr / 2
A forma de onda da figura apresenta alguns picos (desprezveis) prximos ao valor

mximo da corrente na fonte em virtude da corrente drenada por cada capacitor.
4.2.3 Clculo do Dissipador
O clculo do dissipador foi realizado com base na metodologia exposta por [46], a partir
do qual todos os componentes esto sobre um mesmo dissipador. Assim, a resistncia trmica
do dissipador dada por:
Td min Ta Td min Ta
Rthda = = (4.17)
Pd semicondutores Pdcelen + Pdcel1 + Pdcel2 K Pdcel5
Onde: Tdmin a menor temperatura calculada para todos os dispositivos sobre um
mesmo dissipador.
Rthda a resistncia trmica do dissipador expressa em C/W.
105
Pdcelen, Pdcel1, Pdcel2...Pdcel5, so respectivamente as potncias dissipadas nos

semicondutores das clulas H-bridge: de entrada, na primeira clula H-bridge de sada, na
segunda clula H-bridge de sada at a quinta clula H-bridge de sada.
Para escolha do dissipador foi adotada uma temperatura ambiente Ta=50C. Os dados
do dissipador escolhido so:
Tabela 4-4: Dados do dissipador.

Cdigo (HS Dissipadores) HS 15560 L (liso)
Quantidade 1 unidade
Dimenses (mm) 155 x 60
Permetro (mm) 1525
Resistncia Trmica (C/W/4) 1,01
Comprimento (mm) 300
Rthda (C/W) para o comprimento de 300 (mm) 0,693
Mtodo 2- Componentes Inseridos em um Mesmo Encapsulamento
Este mtodo trata de mensurar as perdas nas clulas do inversor contendo um nico
encapsulamento para as quatro chaves. Dessa forma, de acordo com a equao (4.24), para
mensurar a temperatura de cpsula faz-se necessrio obter todas as perdas nos dispositivos
presentes num mesmo encapsulamento.
Logo, a seguir mostrada a metodologia desenvolvida para o clculo da perda em cada
mdulo do inversor.
Como foi observada na anlise simplificada mostrada na tabela 1-7 para a conduo das
chaves de um mesmo brao de apenas um mdulo, pde-se perceber que sempre em um semi-
ciclo a chave de um brao fica ativa e o outro comuta na freqncia caracterstica da clula,
ver chaves S11 e S13, tabela 1-7, figura 4.7. Como observado, as correntes para um mesmo
brao so diferentes o que dificulta a anlise das perdas por conduo na chave.
Uma soluo usada para encontrar a corrente de carga real que circula em qualquer
clula num perodo de chaveamento 1/fund consta da observao dos estados da tabela 1-7 e
da visualizao desses na figura 4.7.
106
10A
5A
chave S11
0A
(20.514m,7.6752)
-5A
I(U22:1)
10A
0A
chave S12 (29.055m,7.6755)
-10A
I(U21:1)
chave S13
5.0A
(29.076m,7.6755)
0A
I(U23:1)
10A
0A chave S14
(20.705m,7.6752)
I(U24:1)
5.0A
(20.784m,7.6752)
0A
SEL>> corrente carga = S11- S12 = -(S13-S14)
16.51ms 20.00ms 25.00ms 30.00ms 33.23ms

-I(R37)
Time
Figura 4.7: Formas de onda das correntes nas chaves na clula 1.
Os aspectos usados na quantizao da corrente circulante na clula envolvem dois

referenciais:
I- Para chaves de um mesmo brao da clula Sx1 e Sx2 ou Sx3 e Sx4.
Como observado nas afirmaes descritas anteriormente, tem-se a seguinte
relao generalista para x clulas num mesmo brao: a soma da corrente na
chave superior com o oposto da corrente na chave inferior sempre igual a
corrente de carga (4.18).
II- Considerando que a senide de sada seja composta por infinitos nveis, tem-se o
resultado do arranjo entre as correntes que passam pelas chaves complementares
de um mesmo brao no perodo de 60 Hz:
Vp.sin t
Ioc arg (t ) = I Sx1 (t ) I Sx 2 (t ) = [ I Sx 3 (t ) I Sx 4 (t )] = (4.18)
144 42444 3 144424443 Z c arg
Ibx1 (t ) Ibx 2 (t )
Assim, da equao (4.18), Ibx1(wt) a relao entre as correntes no primeiro brao e

Ibx2(wt) relaciona as correntes do segundo brao. A quantizao da corrente eficaz no
primeiro brao Ibefx1(wt) :
107
T
1
Ibef x1 = Ioef c arg =
T 0
[ I Sx1 (t ) I Sx 2 (t )]2 dt =
(4.19)
T T T
1 1 1

T 0
I Sx1 (t ) 2 d t [2.I Sx1 (t ).I Sx 2 (t )]d t + I Sx 2 (t ) 2
T 0 T 0
d t
Ief sx12 0 Ief sx 2 2
Da equao acima o termo intermedirio transforma-se no clculo do valor mdio e

possui valor nulo em virtude das correntes serem complementares. Logo o valor do radicando
se transforma na soma dos quadrados dos valores eficazes das respectivas correntes, Isx1 e Isx2:
Vp
Ibef x1 = Ioef c arg = Ief sx12 + Ief sx 2 2 = (4.20)
2 * Z c arg
A validao por software apresentada na figura 4.8.
5.74
4.00
Continuo: corrente eficaz na celula 1 Ibef11
Pontilhado: corrente eficaz na carga, Ioefcarg
2.00
0.02
25.0ms 50.0ms 75.0ms 99.5ms
SQRT(RMS(I(U22:1))*RMS(I(U22:1))+RMS(I(U21:1))*RMS(I(U21:1)))
RMS(-I(R37))
Time
Figura 4.8: Validao da equao (4.20).
A quantizao das correntes eficazes no segundo brao dada pelas etapas de

simplificaes semelhante as equaes (4.19) e (4.20).
De forma geral a quantizao das correntes eficazes em cada brao das x clulas H-
bridge em cascata pode ser estabelecida pela equao a seguir:
Vp
Ioef c arg = Ibef x1 = Ibef x 2 = (4.21)
2 * Z c arg
108
Onde:
Ibefx1 a soma das correntes eficazes que passam pelas chaves Sx1 e Sx2 do primeiro
brao no perodo de 60 Hz.
Ibefx2 a soma das correntes eficazes que passam pelas chaves Sx3 e Sx4 do segundo
brao no perodo de 60 Hz.
Assim, o somatrio dos mdulos das correntes em cada um dos interruptores
pertencentes a x clulas em cascata no perodo de 60 Hz ser sempre:
4
Isxy celx = ( I s x1 (t ) + I s x 2 (t ) K I s x 4 (t ) ) = 2. Ioc arg (t ) (4.22)
y =1
Figura 4.9: Validao da equao (4.22).
A corrente eficaz circulante em x clulas, Icelxef operando com a lgica binria pode ser
dada em funo das correntes quantizadas em cada brao:
Icelxef = Ibef x12 + Ibef x 2 2 = Ioef c arg 2 + Ioef c arg 2 = 2 Ioef c arg = Ip (4.23)

109
10
Corrente de pico na carga

Continuo Ief na celula 1 Icelef (x=1)
Pontilhado: corrente de pico na carga
-10
0s 50ms 100ms
SQRT(RMS(I(U22:1))*RMS(I(U22:1))+RMS(I(U21:1))*RMS(I(U21:1))+RMS(I(U23
:1))*RMS(I(U23:1))+RMS(I(U24:1))*RMS(I(U24:1)))
RMS(-I(R37))* SQRT(2) -I(R37)
Time
Figura 4.10: Validao da equao (4.23) por software.
Assim Icelxef a corrente total que circula em x clulas no perodo de 60 Hz para um

inversor com clulas H-bridge em cascata operando com a modulao staircase usando a
lgica binria.
A importncia de se obter a equao (4.23) diz respeito a rpida quantizao da maior
parte das perdas nos mosfets (por conduo), j que esses semicondutores podem ser
modelados como uma resistncia. As perdas nos semicondutores so fundamentais para um
bom projeto do dissipador, o qual confere maior confiabilidade do prottipo implementado.
Metodologia de Clculo Trmico
O modelo do clculo trmico para os componentes da clula H-bridge inseridos num

mesmo encapsulamento mostrado na figura 4.11.
110
Ptotsx1 Rjcsx1
Tjsx1
Ptotsx2 Rjcsx2 Rcd

Tjsx2 Tc Td
Ptotsx4 Rjcsx4
Tjsx4
Rthda
Ta
Figura 4.11: Modelo simplificado para os mosfet da ponte H-bridge, sobre o mesmo encapsulamento.
A perda por conduo e o mtodo de clculo para temperatura do dissipador envolvendo

x clulas H-bridge sero descritas a seguir.
Dessa forma, de uma anlise detalhada da figura 4.11, fazendo uma analogia ao circuito
eltrico bem como gerando uma equivalncia entre as grandezas envolvendo o circuito
trmico e o circuito eltrico, obtm-se os efeitos semelhantes entre:
Potncia total dissipada no semicondutor, Ptotsxy possui efeito para anlise das malhas tal
qual o da corrente num circuito eltrico.
As temperaturas nos pontos descritos tal quais as tenses de n.
A partir das consideraes descritas, chega-se na seguinte equao:
4
Tdcelx = Tc Ptotsxy .Rcd (4.24)
y =1
Perdas por Conduo
A perda por comutao nos interruptores operando com a modulao staircase em

binrio reduzida para aplicaes em baixas e mdias potncias, enquanto que o maior
contedo se deve as perdas por conduo.
Como os mosfets de uma nica clula H-bridge possuem semicondutores idnticos, o
somatrio das perdas nos quatro interruptores de x clulas num perodo 1/ffund pode ser
expresso por:
Pcond x = ( Ief sx12 + Ief sx 2 2 + Ief sx 32 + Ief sx 4 2 ) Rdsonx (4.25)
144244 3 144244 3
Ibef x1 Ibef x 2
111
Substituindo o somatrio das correntes Ibefx1 e Ibefx2 nos braos bx1 e bx2 para x clulas
H-bridge pelo o valor da equao (4.21), obtm-se a potncia dissipada em funo apenas da
corrente de carga:
Pcond x = ( Ioef c arg 2 + Ioef c arg 2 ) Rdsonx = 2.Ioef c arg 2 Rdsonx = Ip 2 Rdsonx (4.26)
Onde Rdsonx a resistncia de conduo de uma nica chave da clula x.
Perdas por Comutao
Como pode ser observado na figura 4.5, as correntes nas chaves complementares de um
mesmo brao Ibefxy so diferentes, logo os valores Id para cada chave tambm so diferentes e
devem ser substitudas por Isxy no clculo das perdas por comutao apresentados pela clula.
Para anlise das perdas sero consideradas somente correntes eficazes, Isx1 e Isx2 do
primeiro brao bx1. Assim as perdas por comutao na chave Sx1 pode ser obtida a partir da
equao (4.10):
3(td on + 1, 2tr ) + ( td off + 1, 2t f )
Pcomsx1 = Ief sx1.Vx . fcomx (4.27)
6
14444444244444443
D
Da mesma forma a perda na chave inferior Isx2 tambm pode ser expressa:
3(td on + 1, 2tr ) + ( td off + 1, 2t f )

Pcomsx 2 = Ief sx 2 .Vx . fcomx (4.28)
6
14444444244444443
D
A soma das perdas por comutao nas chaves Sx1 e Sx2 do primeiro brao (Ibx1) pode ser
expressa em funo das correntes eficazes Iefsx1 e Iefsx2 com os outros valores da expresso
substitudos por D, logo:
PcomIbx1 = ( Ief sx1 + Ief sx 2 ).D (4.29)
144244 3
Ibef x1
A corrente no brao Ibx2 tambm pode ser obtida com os mesmos procedimentos
apresentados em (4.27), (4.28) e (4.29), resultando:
PcomIbx 2 = ( Ief sx 3 + Ief sx 4 ).D (4.30)
144244 3
Ibef x 2
A perda total por comutao em x clulas dada pela soma das equaes (4.29) e
(4.30), substituindo a adio das correntes por Ibefx1 e Ibefx2:
Pcomtotx = Ibef x1.D + Ibef x 2 D = ( Ibef x1 + Ibef x 2 ) D (4.31)
112
Da equao (4.21) foi demonstrado que as correntes Ibefx1 e Ibefx2 so iguais a corrente
de carga. Ento substituindo D e a soma vetorial de Ibefx1 e Ibefx2 demonstrada em (4.23) na
expresso equivalente (4.31), tem-se a perda total por comutao em x clulas H-bridge:

Pcomtotx = Ip.Vx . fcomx . (td on + 1, 2tr ) +
( tdoff + 1, 2t f ) (4.32)
3
A perda total em x clulas H-bridge pode ser dada pela soma das equaes (4.26) e
(4.32):

Pdcelx = Ip IpRdson + Vx . fcomx . (td on + 1, 2tr ) +
( tdoff + 1, 2t f ) (4.33)

3
Para o projeto do dissipador em que todos os componentes esto sobre o mesmo, faz-se:
Aps o clculo das perdas em cada mdulo, determina-se a menor temperatura do
dissipador a partir da equao (4.24) e posteriormente faz-se o mesmo para os outros
componentes.
De posse do resultado da menor temperatura do dissipador, substitui esse valor na

equao (4.17) e determina o dissipador com resistncia trmica imediatamente
inferior ao valor encontrado.
Validao dos Resultados
Supondo o inversor operando com uma corrente de carga de Ip =7,39 A e as clulas

operando na configurao (12, 24...192), as caractersticas das chaves usadas no projeto para
validao por software so apresentadas na tabela 4-5.
113
Tabela 4-5: Caracterstica das chaves usadas para validao das equaes.
Chaves usadas para validao das equaes

Rdson Rdson Rdson
Clulas Mosfets:
Typ.[m] max [m] md[m]:
IRFP 2804:
Cel.1: Vn= 40V; Id= 75A; RJc= 0,45C/W 1,5 2 1,75
tdon= 13ns; tr= 120ns; tdoff= 130ns; tf= 130ns
IRFP 2804:
Cel.2: Vn= 40V; Id=75A; RJc= 0,45C/W 1,5 2 1,75
IRF2907Z_S_L:
Cel3: Vn= 75V; Id=75A; RJc= 0,45C/W 3,5 4,5 4
IRFP 4668:
Cel4: Vn= 200V; Id= 130A; RJc= 0,29 C/W 8 9,7 8,85
IRFP 4768:
Cel5: Vn= 250V; Id= 93A; RJc= 0,29 C/W 14,5 17,5 16
Validao Para Primeira Clula HB de Sada

Pdcel1 = Ip{IpRdsonmd 1 + V1. fcom1. (td on1 + 1, 2tr1 ) +
( tdoff 1 + 1, 2t f 1 ) } = 137,92mW (4.34)
3
O resultado simulado apresentado na figura 4.12.
Figura 4.12: Potncia dissipada na primeira clula.

114
Como visto o valor calculado e generalizado das perdas foi de 137,92mW e o valor
simulado foi de 134,38mW, um valor bem prximo e dentro da margem de variao do Rdson.
Validao Para Segunda Clula HB de Sada

Pdcel2 = Ip{IpRdsonmd 2 + V2 . fcom2 . (td on 2 + 1, 2tr 2 ) +
( tdoff 2 + 1, 2t f 2 ) } = 135,5mW (4.35)
3
200mW
(133.530m,156.293m)
100mW
0W
26ms 50ms 100ms 150ms 200ms
AVG(W(U28))+AVG(W(U27))+AVG(W(U25))+AVG(W(U26)) AVG(W(U27)) AVG(W(U25))
AVG(W(U26))
Time
Figura 4.13: Potncia dissipada na segunda clula.
Como visto a potncia dissipada de 135,5mW nessa clula, foi prxima do valor
simulado de 156,293 mW.
No entanto, se fosse considerado o valor de resistncia mxima de conduo do mosfet
o resultado seria de 149,503mW, um valor praticamente igual ao simulado.
Validao Para Terceira Clula HB de Sada

Pdcel3 = Ip{IpRdsonmd 3 + V3 . fcom3 . (td on 3 + 1, 2tr 3 ) +
( tdoff 3 + 1, 2t f 3 ) } = 257, 085mW (4.36)
3

115
247mW
(174.875m,204.413m)
200mW
100mW
0W
31ms 50ms 100ms 150ms 200ms
AVG(W(U30))
Time
Figura 4.14: Potncia dissipada na terceira clula.
Dessa forma o valor calculado ainda ficou prximo do valor simulado. Nesse caso, isso
ocorreu porque a Rds tambm foi calculado para seu valor mdio, caso fosse usado o valor
Rdstyp, a perda seria de 229,778mW, um valor ainda mais prximo do simulado 204,413mW.
Validao Para a Quarta Clula HB de Sada

Pdcel4 = Ip{IpRdsonmd 5 + V4 . fcom4 . (tdon 4 + 1, 2tr 4 ) +
( tdoff 4 +1, 2t f 4 ) } = 511,147mW (4.37)
3

116
600mW
(183.595m,497.390m)
400mW
200mW
0W
50.0ms 100.0ms 150.0ms 198.6ms

AVG(W(U36))
Time
Figura 4.15: Potncia dissipada na quarta clula.
Nesse caso a perda calculada 511,147mW assumiu praticamente o mesmo valor que o
simulado 497,39mW.
Validao Para Quinta Clula HB de Sada

Pdcel5 = Ip{IpRdsonmd5 +V5. fcom5. (tdon5 +1,2tr5 ) +
(tdoff 5 +1,2t f 5 ) }= 816,649mW (4.38)
3

117
1.0W
(166.366m,822.928m)
0.5W
0W
-0.5W
0s 50ms 100ms 150ms 200ms
AVG(W(U12))
Time
Figura 4.16: Potncia dissipada na quinta clula.
Esse valor de perda 816,649mW na clula de maior potncia foi praticamente igual ao
valor simulado de 822,928mW, o que mostra a veracidade dos equacionamentos
desenvolvidos.
4.2.4 Clculo dos Capacitores do Barramento cc
Uma grande dificuldade para o clculo dos capacitores do barramento cc foi encontrada,
justamente por falta de bibliografia que trate a respeito da modulao staircase usando a
lgica binria. Logo se fez necessrio tambm desenvolver tcnicas para o dimensionamento
desses componentes.
Anlise dos Capacitores Usados no Barramento cc
Para anlise dos capacitores usados no barramento cc, deve-se verificar o

funcionamento da estrutura no caso ideal para depois dimensionar os componentes. Um bom
estudo pode ser realizado substituindo o conjunto retificador e capacitor por uma fonte cc,
figura 4.17 c).
Na figura 4.18 a) (caso ideal, ou desejado) mostra a corrente na entrada da clula 1, para
o inversor operando com a fonte V1=12V produzindo 63 nveis na corrente de sada. Como
visto a corrente na entrada da clula (Resistor R1, figura 4.17 a)) possui formato que depende
de Voh1 e da corrente de carga. A freqncia dessa corrente a mesma freqncia da tenso
118
Voh1. O formato de uma senide retificada resultado da combinao dos estados de

chaveamento da clula para gerar a tenso de sada Voh1.
Sensor usado para obter a

corrente de entrada da clula
R1
R1
Voh1 Se1 Se3 S11 S13
S11 S13
V1=1Vcc c1
S12 S14 S12 S14
Se2 Se4
R2
R2
Vo S21 S23
S21 S23 Voh2 Equivalncia
V2=2Vcc c2
S22 S24 S22 S24
R5 R5
S51 S53
Sx1 Sx3 Vohx
Vx=16Vcc c5
Sx2 Sx4 S52 S54
a) b)
Vcc5 Equivalncia
Vs5
Fonte CC
Conjunto: retificador +
c) capacitor
Figura 4.17: a) Inversor multinvel CHCA operando em binrio com 5 clulas (caso ideal); b) Inversor isolado
CHCA operando em binrio equivalente ao inversor mostrado em a); c) Circuito do inversor isolado CHCA
equivalente a uma fonte cc apresentada na topologia a).
A figura 4.18 mostra a forma de onda da corrente na entrada da primeira clula.

119
10A
a) 5A (20.684m,7.6752)
0A
corrente na entrada da cel1
-5A
-I(V26)
20V
(21.014m,11.970)
b)
0V
tensao na saida da celula 1
-20V
V(U21:1,D54:2)
5.0A
c) (20.874m,7.6752)
0A
corrente de carga
SEL>>
-9.1A
16.55ms 20.00ms 25.00ms 30.00ms 33.62ms
-I(R37)
Time
Figura 4.18: Formas de onda do inversor ideal figura 4.17: a) Corrente na entrada da clula cel1; b) Tenso ideal
na sada da clula e c) Onda multinvel de sada.
Tenses nas Sadas das Clulas Para o Clculo dos Capacitores
Foi estudado o comportamento do conversor para operao com a modulao staircase

usando a lgica binria. A partir desse foi realizada a reviso bibliogrfica para o clculo dos
capacitores do barramento cc. Algumas formas para o clculo dos capacitores acoplados ao
barramento cc foram encontradas, [73],[74],[75]. Elas foram testadas e simuladas, todavia os
valores das capacitncias dos capacitores do barramento cc ficaram muito grandes, pois eles
apresentam outros critrios para o dimensionamento. Se fosse adotado um desses critrios o
custo para implementao do prottipo seria oneroso em virtude do preo dos capacitores.
Logo, surgiu a necessidade de realizar um estudo detalhado do comportamento da topologia
para propor um mtodo de clculo dos capacitores do barramento cc com baixo custo.
sabido que nessa aplicao o funcionamento dos capacitores depende fortemente da
frequncia da clula H-bridge de entrada e da frequcia de operao da ponte H acoplada a
120
esse. Assim, foram adquiridas as formas de ondas (figura 4.19, figura 4.20, figura 4.21, figura
4.22 e figura 4.23) que melhor representam o exposto.
Para a anlise dos capacitores sero verificados os principais esforos no barramento cc
em que esse est submetido. Logo, foi considerado na simulao o caso em que esses
apresentam capacitncia tendendo a zero.
O grfico da figura 4.19 representa o exposto para anlise em de ciclo da tenso de
sada, onde a primeira forma de onda representa a tenso de sada da clula e a segunda a
tenso de carga.
Figura 4.19: Formas de onda para o projeto do capacitor 1: a) Tenso de sada da clula para o barramento com
capacitncia mnima; b) Interrupes na tenso de sada em virtude da freqncia da ponte H-bridge de entrada.
Do princpio de operao do inversor isolado, pode-se afirmar os seguintes casos:

1- A forma de onda da tenso na sada de cada clula dever apresentar um formato
caracterstico para n nveis do inversor funcionando no estado normal, ver figura
4.18b) (tenso de sada da clula desejada). O efeito da freqncia da ponte H-
bridge de entrada pode produzir pequenas interrupes na tenso de sada das
clulas, conseqentemente na tenso de carga Vocarg(t), figura 4.19.
2- As interrupes mostradas na senide de sada dependem da freqncia da clula H-
bridge de entrada (passagem pelo zero) e devem ser filtradas pelos capacitores.
Para o projeto do capacitor deve-se considerar o capacitor equivalente aps o resultado
obtido pela expresso abaixo:
121
ioc arg (t )t x
Cx = (4.39)
Vx
Para essa aplicao, a equao (4.39) demonstra que o tamanho do capacitor depende:
da corrente de carga, iocarg(t), do intervalo do tempo de descarga do capacitor tx e da
variao de tenso requerida sobre esse Vx
O intervalo de tempo tx, depende do tempo de passagem pelo zero da clula H-bridge
de entrada o qual programado na ordem de alguns microssegundos usados no controle de
saturao do transformador.
As formas de nas figuras 4.20 a 4.23 mostram a tenso de sada para o caso ideal sem
considerar os capacitores do barramento cc. A linha tracejada representa o caso onde a tenso
deveria ser contnua se fossem usados capacitores adequados no barramento cc da clula
estudada. Essa linha tambm representa esforo mximo (maior corrente) sobre o capacitor no
perodo de tempo.
Figura 4.20: Formas de onda para o projeto do capacitor c2: a) Tenso de sada da clula em de ciclo para o
barramento com capacitncia mnima; b) Tenso Vocarg(t) em de ciclo.
Nas figuras 4.21-4.23 mostrado o efeito respectivamente para os capacitores c3-c5.

122
100V
a)
0V
capacitor c4
SEL>>
V(D33:1,R40:2)
384V
b)
200V
Esforo mximo
sobre o capacitor
0V
15.96ms 17.50ms 20.00ms 22.46ms
V(D22:2,R37:1)
Time

123
Os capacitores usados para compor o barramento de cada retificador apresentam a

mesma capacitncia descrita abaixo:
Capacitor: Epcos 470uF, com 250V, Vx= 4V e tx= 470us.
Resultado de Simulao com os Capacitores de 470 uF
O resultado de simulao para uma freqncia de operao da ponte H-bridge de

entrada em 420 Hz usando os capacitores especificados apresentado na figura 4.24 usando a
configurao binria em 63 nveis na tenso de sada.
124
36.5V
tensao de saida
20.0V
tensao no secundario
0V
-20.0V
-36.5V
V(D21:1,D41:1)/10 V(R53:1,L2:2)
10.0V
tensao na saida do cap cell1
0V
tensao de saida na cell
SEL>>
-13.6V
49.86ms 52.00ms 56.00ms 60.00ms 64.00ms 68.00ms
V(R59:2,terra) V(D21:1,D23:1)
Time
Figura 4.24: Comportamento da tenso no capacitor em funo dos parmetros descritos.
Como se pode perceber existem duas ondulaes na tenso de sada do capacitor: uma
em alta freqncia a qual depende da freqncia da tenso de sada da clula H-bridge
acoplada e outra em baixa freqncia a qual funo da freqncia fundamental de sada .
perceptvel que a ondulao em mdia freqncia no capacitor possui o seguinte
comportamento:
1. Quando a tenso na clula acoplada ao barramento do retificador nula, o capacitor
carregado pelo respectivo enrolamento secundrio e sua tenso cresce (menor
ondulao).
2. Quando a tenso na clula acoplada ao barramento do retificador positiva, o
capacitor descarregado e fornece energia para a clula com efeito da diminuio de
sua tenso.
3. medida que a tenso da senide de sada se aproxima da tenso de pico, a corrente
cresce senoidalmente e o seu efeito um aumento na queda de tenso nos dispositivos
de chaveamento, a largura dos pulsos de tenso da clula de sada, Voh1(t) tambm
125
aumenta resultando em maior descarga dos capacitores que compem as clulas. Isso
resulta numa ondulao (queda de tenso) no barramento do capacitor em baixa
freqncia que tambm influenciada pela associao aditiva das clulas para formar
a tenso de sada, por provocar uma diminuio gradual da capacitncia equivalente a
qual possui valor mnimo para uma dada tenso de pico de sada.
4.2.5 Resumo do Projeto do Transformador Operando em 300 Hz
O projeto do transformador foi realizado com base na metodologia de projeto

apresentada no captulo 3.
De acordo com a topologia vista na figura 4.17, o transformador possui mltiplos
secundrios. Logo, segundo a metodologia apresentada na seo 3, o ncleo deve possuir uma
potncia aparente imediatamente superior ao somatrio das potncias aparentes de todos os
enrolamentos (primrio, Vefpr. Iefpr com secundrios Vefx) alm de apresentar uma rea da
janela disponvel para comportar todos os enrolamentos.
Dessa forma deve-se adquirir todos os produtos Vef e Ief, nos enrolamentos do
transformador (3.16).
Como as clulas da topologia foram projetadas para operar com cinco secundrios,
arranjados na configurao 12V:24V...192V, a cada semi-perodo da freqncia do primrio
existem sempre dois diodos conduzindo nas 5 pontes retificadoras. Os valores da
configurao 12V:24V ... 192V devem ser acrescidos de 1,4V para compensar a queda nos
diodos. O valor da regulao de tenso que considera as perdas no cobre dos enrolamentos
tambm deve ser includo, todavia eles s sero considerados no acrscimo do nmero de
espiras do enrolamento secundrio.
A corrente eficaz nos enrolamentos do transformador no fcil de ser mensurada por
mtodos de clculos comuns, pois ela depende da corrente drenada pelos capacitores 9 do
barramento cc, alm da caracterstica de operao da clula H-bridge acoplada a esse.
Com intuito de simplificar a anlise das correntes eficazes nos enrolamentos, foram
normalizados seus valores eficazes em funo do valor eficaz da corrente de carga. Assim
possvel obter os valores de correntes eficazes nos enrolamentos secundrios pelos fatores
apresentados na tabela 4-6 nas faixas de potncias descritas no grfico da figura 4.25 para
modulao staircase operando com lgica binria em 63 nveis.
9Obtidospelocritriodamenorcapacitncia.
126
Figura 4.25: Variao das potncias nos cinco secundrios em funo da potncia de carga.
Como visto na figura 4.25 as potncias nos secundrios podem ser calculadas
considerando os ndices das correntes vistos na tabela 4-6.
Tabela 4-6: Fator de correo das correntes nos secundrios em funo da corrente de carga.
Correntes eficazes parametrizadas para o inversor operando com 63
nveis na tenso de sada
Secundrios Correntes parametrizadas (A)
x, (Scx)
Sc1 sc1=Isc1ef/ Icargef= 0,636510
Sc2 sc2=Isc2ef/ Icargef=
0,745343
Logo, as correntes nos secundrios para o inversor operando com 63 nveis na tenso de
sada podem ser facilmente mensuradas a partir dos fatores apresentados na tabela 4-6.
Dados do Projeto do Inversor
As especifiicaes do inversor foram mostradas na tabela 4-1. Alguns dados so

descritos:
127
A potncia nominal de sada do prottipo de 1000 W.

A potncia mxima +15% do valor nominal.
A tenso nominal 220 V.
A tabela 4-7 apresenta os parmetros de sada do projeto do transformador.
Tabela 4-7: Clculo da potncia aparente nos enrolamentos secundrios.

Tabela de aquisio dos valores eficazes das correntes nos enrolamentos
Secundrios Valor de tenso Correntes eficazes Vsx . Iscxef
x, (Scx) [V] (sx . Iefcarg) [A] [VA]
Sc1 Vs1= 13,4 Isc1ef = 2,89323 Psc1= 38,76924
Sc2 Vs2= 25,4 Isc2ef = 3,38792 Psc2= 86,05323
Sc3 Vs3= 49,4 Isc3ef = 3,77817 Psc3= 186,64149
Sc4 Vs4=97,4 Isc4ef = 4,13596 Psc4= 402,84237
Sc5 Vs5= 193,4 Isc5ef = 4,47718 Psc5= 865,88598
Novamente seguindo a metodologia de projeto do transformador, determina-se o

somatrio das mximas potncias secundrias que so dadas por:
5
P sn = P
1,2...5
sn = 1,58 [kVA] (4.40)
A potncia do enrolamento primrio dada pela relao entre a potncia do

secundrio e o rendimento do inversor, para esse caso foi considerado um rendimento de =
95%. Dessa forma a potncia aparente do transformador pode ser dada por:
P sn
Pa = + P sn = 3,24 [kVA] (4.41)

Com esses valores e com os dados obtidos a partir da anlise do transformador descrita
no captulo 3, foi montada a tabela com as informaes necessrias ao dimensionamento do
transformador:
128
Tabela 4-8: Resumo das variveis envolvidas no clculo do ncleo.

Resumo das variveis envolvidas no clculo do ncleo
Variveis: Medidas:
Densidade de fluxo, Bmax Bmax= 0,68 [T]
Densidade de corrente, J J= 250 A/cm2
Fator de utilizao da janela, Kuj Kuj= 0,26
Fator de forma de onda (onda quadrada), Kfo Kfo= 4
Potncia aparente que o ncleo deve suportar, Pa Pa= 3,24 kVA
Valor do Aps (Waj . Aef ) calculado com os parmetros acima: Aps= 530 cm4
Com o valor do Aps corrigido para pol4, encontra-se a tabela VII, apresentada por [70],
e determina-se um ncleo com Aps maior que o calculado e verifica se o fator de execuo da
janela menor que 0,26. Caso no seja deve ser procurado um novo ncleo at o fator de
execuo ser menor que 0,26.
Nesse projeto foi usado um transformador com ncleo toroidal selecionado a partir da
tabela vista em [70]. Os dados da magnetic metal corp a qual fornece as dimenses dos
ncleos padronizados que so usados pelos principais fornecedores internacionais de lminas
GO.
Dessa forma as dimenses do ncleo com os dados corrigidos para milmetro, bem
como algumas variveis envolvidas no projeto do transformador, so mostradas na tabela 4-9.
Tabela 4-9: Dados do projeto do transformador.
Ncleos toroidal em ao silcio gros orientados GO

Dados do Fator
Ncleo de Lmina
(mm) Emp. Waj Aef Np Ns1 Ns2 Ns3 Ns4 Ns5 Ftexe 0,27(mm)
(cm2) (cm2) Peso(Kg):
ID OD HT FT
102 134 51 0,95 81,713 7,752 76 22 42 82 162 322 0,26 2,276
Descrio das terminologias

Esta descrio compe-se dos dados referentes ao ncleo e aos fios.
Dados referentes ao ncleo
FT 10= Fator de empilhamento.
Usadoparaencontrarareabrutadoferrodevidoaoisolamentodaslminas.
10
129
Ftexe= Fator de execuo do transformador (relao entre o somatrio das rea dos fios
nus de todos os enrolamentos pela rea da janela).
ID= Dimetro interno em (mm).
OD= Dimetro externo em (mm).
HT= Altura do transformador (mm).
Waj= rea da janela em (cm2).
Aef= rea efetiva do ferro (cm2). [(OD-ID)/2*HT]*FT (sem o isolamento).
Dados referentes aos fios
Np = Nmero de espiras do enrolamento primrio.
Ns1= Nmero de espiras do primeiro enrolamento secundrio
Ns2= Nmero de espiras do segundo enrolamento secundrio.
Ns3= Nmero de espiras do terceiro enrolamento secundrio.
Ns4= Nmero de espiras do quarto enrolamento secundrio.
Ns5= Nmero de espiras do quinto enrolamento secundrio.
Os valores da seo mnima dos condutores foram obtidos atravs da equao (3.11) e
esto apresentados na tabela 4-10. Com os valores de bitolas, foi escolhido o padro AWG
superior ao calculado por (3.11).
As informaes dos fios usados no projeto do transformador esto apresentadas na
tabela 4-10.
Tabela 4-10: Fios usados no projeto do transformador.
Bitola dos condutores do transformador

Menor seo admissvel Corrente eficaz Padro AWG
Um fio do enrolamento:
(cobre, nu) em (mm2) em (A):
Np 13,86134 34,65334 3 fios AWG 10
Ns1 1,15729 2,89323 1 fio AWG 15
Ns2 1,35517 3,38792 1 fio AWG 15
Ns3 1,51127 3,77817 1 fio AWG 15
Ns4 1,65438 4,13596 1 fio AWG 15
Ns5 1,79087 4,47718 1 fio AWG 14
O projeto dos enrolamentos de um ncleo toroidal diferente do padro de

enrolamentos dos ncleos comuns, como, EI, EE, C, e outros. A figura 4.26 exemplifica o
exposto.
130
Figura 4.26: Grupo de fios externo ao ncleo toroidal apresentam espaos maiores em relao os internos.
Como visto na figura 4.26, enquanto a rea da janela interna completamente

preenchida pelo enrolamento, a distribuio dos fios no dimetro externo ainda apresenta
espaos a serem preenchidos. Esse caso exemplifica a diferena dos enrolamentos utilizando
ncleo toroidal e ncleos com geometria comuns.
Em [71], apresenta-se um mtodo que exemplifica o exposto. O sistema de medidas
usado no livro o sistema ingls. Ele demonstra que para efeito ilustrativo de um enrolamento
composto por 250 espiras, com um ncleo de dimetro interno ID, ele pode ser calculado
usando os seguintes passos:
1- Calcular o fio necessrio e escolher o valor tabelado referente quantidade de
espiras por uma unidade de medida do dimetro interno.
2- Computar o comprimento do dimetro interno e multiplicar esse valor pela
quantidade de espiras determinada no item anterior. Assim determina-se a
quantidade de fios, , necessrias para preencher o permetro interno da
circunfernciadoncleo.
3- Os enrolamentos consecutivos apresentam sempre a quantidade de fios do
enrolamento anterior subtrado de seis unidades.
A figura 4.27 apresenta a quantidade de espiras para o preenchimento do permetro das
circunferncias adjacentes entre si em relao ao afastamento do dimetro interno. Ela mostra
o preenchimento de todos os enrolamentos descritos no projeto.
131
Npr= 3 fios (AWG10) equivalendo a

um nico fio
1 linha; Npr: 34 voltas com os trs fios (AWG10)
2 linha; continuao, Npr: 28 voltas com os trs fios
3 linha; Npr: 14 voltas com os trs fios

+
Ns5 composto de um 1 fio (AWG 14): 88 voltas
4 linha; continuao Ns5: 140 voltas
5 linha; Ns5: 94 voltas

+
Ns4 composto de um 1 fio AWG 15: 61 voltas
6 linha; continuao Ns4: 101

voltas
+
7 linha; continuao Ns3: 34 voltas

+
+
Observaes: Uma linha representa o preenchimento do permetro da circunferncia interna por fios dos enrolamentos:
O enrolamento primrio O quinto enrolamento secundrio O quarto enrolamento secundrio

composto Npr 76 espiras. composto Ns5 322 espiras. Cada composto Ns4 162 espiras. Cada
Cada uma com 3 fios AWG 10: uma com 1 fios AWG 14: uma com 1 fios AWG 15:
1 linha= 34 voltas 3 linha= 88 voltas 5 linha= 61 voltas

2 linha= 28 voltas 4 linha= 140 voltas
Total= 76 espiras Total= 322 espiras Total= 162 espiras
O terceiro enrolamento secundrio O segundo enrolamento secundrio O primeiro enrolamento secundrio

composto Ns3 82 espiras. Cada composto Ns2 42 espiras. Cada uma composto Ns1 22 espiras. Cada uma
uma com 1 fios AWG 15: com 1 fios AWG 15: com 1 fios AWG 15:
7 linha= 34 voltas Total= 42 espiras Total= 22 espiras
Total= 82 espiras
Figura 4.27: Distribuio dos enrolamentos na janela do ncleo toroidal selecionado para o projeto.
Um resumo das principais caractersticas do projeto do transformador est apresentado

na tabela 4-11.
132
Tabela 4-11: Perdas calculadas no transformador.
Resumo das principais caractersticas do projeto do transformador com ncleo toroidal GO operando com
uma freqncia de 300 Hz.
Perdas totais no
Perdas Enrolamentos Ncleo
transformador
Toroidal
Componentes: Npr Ns1 Ns2 Ns3 Ns4 Ns5 Enrolamentos + Ncleo
GO 11
Valores em
21,11 0,48 0,28 0,62 1,33 2,88 11,39 38,09
[W]

Na tabela 4-12 so apresentadas outras caractersticas que complementam o resumo do
projeto do transformador.

Tabela 4-12: Caractersticas complementares no resumo do projeto do transformador.

Caractersticas complementares do projeto do transformador
Grandezas Valores
Limite de temperatura superior: 24,67 C
Fator de execuo da janela: 0,2605
MLT: 18,786 cm
4.2.6 Resultados dos Ensaios no Transformador Toroidal
A figura 4.28 mostra o transformador implementado para uma freqncia de 300 Hz.
11 Perdacalculadaparalmina0,30mm,vistoqueaTabela34,noapresentaoscoeficientesparalmina
escolhidanoprojetode0,27mm.
133
Figura 4.28: Transformador toroidal implementado para uma freqncia de 300Hz.
Para os ensaios de perdas a vazio no transformador toroidal, foram realizadas anlises

para as freqncias de 60 Hz, 300 Hz e 400 Hz com onda quadrada e senoidal no primrio do
transformador, sendo plotados os grficos B x Ph (densidade de fluxo x perda no ncleo).
curva BxPh: em 60Hz onda senoidal

6
curva BxPh: em 60Hz onda quadrada
10
Perdas no ncleo (W)
Perda no ncleo (W)
8
4
6
4
2
2
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
0
0 0.5 1 1.5 2
Densidade de fluxo (T)
Figura 4.29: a) Curva B x Ph em 60 Hz com onda quadrada; b) Curva B x Ph em 60Hz onda senoidal.
Como visto no grfico da figura 4.29 a saturao ficou em torno de 1,7 T (tesla).
No grfico da grfico da figura 4.30 mostrada a perda a vazio em 300 Hz.
134
Curva Ph x B: em 300Hz onda quadrada

40
Perda no ncleo (W)
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2
Figura 4.30: a) Curva Ph x B em 300 Hz com onda quadrada; b) Curva Ph x B em 300 Hz com onda senoidal.
Nesse caso para freqncia de 300 Hz com onda quadrada a saturao do ncleo
ocorreu para uma densidade de fluxo de 1,4 T. Na figura 4.30 b) em pontilhado vista a curva
da corrente de magnetizao e a curva em linha contnua Ph(W) x B(T) para uma onda
senoidal. Pode-se concluir que a curva Ph(W) x B(T) para onda senoidal apresenta
praticamente a mesma caracterstica que a curva com onda quadrada.
Na figura 4.31 mostrado o comportamento da curva envolvendo a perda no ncleo em
funo da tenso aplicada no primrio do transformador.
Curva Ph x V em 300 Hz com onda quadrada

40
Perda no ncleo (W)
30
t2 5 , k220
10
0
0 50 100 150
t2 3 , k2
Tenso (V)
Figura 4.31: Curva da perda no ncleo a vazio em funo do aumento de tenso.
A perda no ncleo toroidal para freqncia de projeto de 300 Hz operando com onda
quadrada no primrio do transformador para uma densidade de fluxo de projeto de 0,680 T
foi de 5,4 W.
135
No grfico da figura 4.32 so apresentadas as curvas da perda no ncleo versus a

densidade de fluxo magntico para uma freqncia de 400 Hz.
Curva BxPh: em 400Hz onda quadrada Curva BxPh: em 400Hz onda senoidal
30 8
Perda no ncleo (W)
Perda no ncleo (W)

6
20
4
10
2
0 0
0 0.5 1 1.5 0 0.2 0.4 0.6
Densidade de fluxo (T) Densidade de fluxo (T)
Figura 4.32: a) Curva Ph x B em 400 Hz com onda quadrada; b) Curva Ph x B em 400 Hz com onda senoidal.
Como pode ser observado na figura 4.32 a curva para uma freqncia de 400 Hz com
onda quadrada exibe uma perda de 3,32 W para uma densidade de 0,4 T e para mesma
densidade de fluxo a perda com onda senoidal foi de 3,74W, logo os grficos a) e b) da figura
4.32 apresentam praticamente as mesmas caractersticas com valores muito prximos.
4.2.7 Resumo das Perdas no Inversor
O grfico da figura 4.33 mostra o rendimento do inversor CHCA em funo da potncia

de sada obtido por simulao usando modelos dos componentes reais com o programa Orcad
Pspice.
98
Rendimento (%)
96
t0 , k
94
92
3 3
0 500 110 1.510
t1 , k
Potncia de sada (W)

Figura 4.33: Rendimento versus potncia de sada.
136
Pde ser visto que para uma potncia de sada de 1 kW o rendimento ficou em 93,5%.
A tabela 4-13 apresenta o resumo dos esforos nos componentes dos semicondutores
usados para o projeto do CHCA isolado.
Tabela 4-13: Perdas nas clulas H-bridge do CHCA isolado.
Resumo do clculo das perdas nos semicondutores do CHCA isolado operando com a modulao staircase com lgica
binria gerando 63 nveis em Vo
Pontes H-bridge do CHCA isolado
Perdas
entrada Sada
nas
chaves
Pdcelen Pdcelsa1 Pdcelsa2 Pdcelsa3 Pdcelsa4 Pdcelsa5 Totais
Comp.
Comp.
Se1 Se2 S11 S12 S22 S22 S31 S32 S41 S42 S51 S52 todas
clulas
Cond.
3364 3364 16,25 41,02 18,45 38,90 39,94 75,91 98,314 145,45 208,68 231,35 15280
[mW]
Com.
78,09 78,09 7,93 12,60 8,176 11,87 8,26 11,39 6,276 7,633 6,10 6,424 242,83
[mW]
Ptotcelx=
Com.+Cond. 13,768 0,15557 0,15480 0,27099 0,515344 0,905111 15,77
[W]
Perdas nos diodos da ponte retificadora

Perdas nos
Diodos (----) Ponte 1 Ponte 2 Ponte 3 Ponte 4 Ponte 5 Totais
Todos
Comp.
(-----) D11 D12 D21 D22 D31 D32 D41 D42 D51 D52 os
diodos
Perdas Dxy
(-----) 1,81 1,847 1,97 1,97 1,9 1,924 1,92 1,918 2,007 2,158
[W] (-----)
Ptotpontx
(-----) 7,314 7,89 7,314 7,675 8,331
[W] 38,853
Perdas totais nos diodos e mosfets [W] 54,62

137
As anlises e os maiores detalhes do inversor CHCA so apresentados nas consideraes

finais.
Nesse captulo foi discutido e apresentado o funcionamento do inversor CHCA com

transformador de mltiplos secundrios.
Como contribuies foram deduzidas expresses para o clculo das perdas nas chaves,
que so essenciais no clculo trmico dos inversores em cascata. As expresses foram obtidas
com base nas informaes fornecidas pelos fabricantes, permitindo uma fidelidade com o
funcionamento real do semicondutor.
Tambm foi apresentada uma alternativa para obter as correntes nos semicondutores a
partir de dados normalizado mostrados em tabelas.
Foram desenvolvidas expresses para computar a corrente circulante nas clulas. Com
essas tornou-se possvel determinar o clculo trmico do inversor bem como parte
imprescindvel para mensurar o rendimento global da topologia escolhida.
Tambm foi discutida a anlise dos capacitores do barramento cc que compe cada
clula, bem como apresentada a expresso para o clculo do mesmo.
Foi realizado os ensaios no transformador o qual resultou numa perda a vazio 5,4 W
para a freqncia de 300 Hz com onda quadrada no primrio do transformador. Essa perda
como j era esperado foi menor que a calculada de 11,39 W exibida na tabela 4-11, visto que
a lmina usada no clculo era de 0,30 mm.
O fechamento do captulo se fez pela anlise comparativa das perdas nos componentes
do inversor devidamente organizadas em tabelas, as quais permitem um fcil acesso as
informaes apresentadas em todos os componentes. A veracidade das expresses
desenvolvidas foi realizada atravs da anlise por simulao com o programa Orcad Pspice, o
qual possui um baixo erro comparado com implementao real, principalmente quando se
trata do clculo de potncia ativa gerando uma baixa impreciso [77],[78].
138
CONCLUSES GERAIS
No Captulo 1, foram mostradas as diversas tcnicas de modulao usadas para obter a

onda multinvel relatando as mais aplicadas atualmente. Nesse captulo tambm foi
apresentado o princpio de funcionamento dos inversores multinveis convencionais
mencionando suas principais vantagens, limitaes e aplicaes.
Como contribuio foi generalizado as formas de ondas oriundas da modulao
staircase com alta resoluo para x clulas do inversor CHCA, operando com as lgicas
binria e ternria e mostrado a vantagem desse estudo.
No Captulo 2, foram apresentadas as principais topologias de inversores multinveis
isolados, que permitem gerar uma tenso na sada do inversor com alta resoluo e possuem
potencial para aplicao em sistemas autnomos de energia. Nessas topologias foi mostrado o
princpio de funcionamento e relatado as principais vantagens e aplicaes de todas as
estruturas. Tambm foi apresentada as equaes para o clculo da freqncia de operao de
cada clula H-bridge. Essas equaes foram importantes no clculo das perdas gerais do
inversor selecionado nesse captulo.
O Captulo 3 foi idealizado com intuito de auxiliar projetos de transformadores para
altas e baixas freqncias. Ele abordou o projeto de transformadores usando ncleo toroidal.
Esse auxlio vem a contribuir com a pouca bibliografia nacional a respeito de projeto fsico de
transformadores com ncleo toroidal usando lminas de ao silcio com gros orientados. O
maior resultado dessa lacuna a ser preenchida que s foram encontrados dois fabricantes no
Brasil que fazem esse tipo de servio, todavia quando se trata do projeto aplicado a inversores
a necessidade ainda maior, pois os fabricantes contatados no realizam esse tipo de servio.
Logo, no captulo 3, foi realizado o desenvolvimento terico necessrio para o projeto do
transformador com ncleo toroidal e apresentado os fatores necessrios para o
desenvolvimento de um bom projeto com alta eficincia. Tambm foi mostrado atravs de
curvas dos fabricantes que atualmente possvel obter projetos de transformadores com alto
rendimento desde 98% para 1kVA a 95% para 300 kVA. Tambm foi plotado uma curva (3D
no matlab) de operao do ncleo laminado usada para definir a freqncia do transformador
que produz menores perdas. Nessa curva tambm foi definida as faixas de freqncia de
operao em que as baixas perdas so atingidas para qualquer valor de Bmax assumido, bem
como mostrado a faixa de freqncia para o ncleo laminado que alia os benefcios de um
transformador reduzido com baixas perdas, evidenciando que qualquer freqncia superior a
que produz a reduo do ncleo com baixas perdas, o projeto do transformador fica invivel
139
em virtude do aumento das perdas crescerem exponencialmente mesmo para quais quer
baixos valores de Bmax assumidos. Nesse mesmo captulo foi apresentado uma soluo usando
circuito magnticos para suprimir o efeito da saturao do ncleo aplicado a inversores
permitindo que ele opere com baixo nvel cc.
No captulo 4, foram desenvolvidas equaes para o clculo das perdas no inversor
estudado. Estas equaes no haviam ainda sido implentadas em outros trabalhos. Tambm
foram deduzidas expresses para o clculo da corrente circulante na clula e apresentado dois
mtodos para o clculo trmico do inversor os quais foram validados por simulao.
Tambm foi realizada a anlise do projeto dos capacitores do barramento de cada clula
que produzem o menor custo aplicado a esse inversor com modulao staircase usando lgica
binria, at momento ainda no encontrada em literatura.
Foram realizados ensaios a vazio no transformador implementado nas freqncias de 60
Hz, 300 Hz e 400Hz com ondas quadrada e senoidal aplicadas no primrio do transformador
toroidal. Para freqncia de 300Hz com onda quadrada aplicada no primrio, foi obtido uma
perda a vazio de 5,4 W. As curvas plotadas com a perda a vazio e a densidade de fluxo para
um dada freqncia, revelam uma proximidade de valores menor que 1 W em todos os
pontos, isso configura grficos com caractersticas prximas tanto para onda senoidal como
para onda quadrada aplicadas ao primrio do transformador toroidal.
Por fim foram apresentados os resultados das perdas em todos os componentes em
tabelas, bem como as principais informaes de projeto.
O rendimento terico do inversor ficou de 93,5%, sendo as pontes de diodos juntamente
com o transformador os maiores responsveis pelas perdas.
O trabalhou gerou uma fonte de auxlio no projeto do inversor estudado, apresentando
as principais ferramentas necessrias ao dimensionamento para implementao do prottipo
em bancada.
SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS
1) Implementao do prottipo CHCA usando transformador de mltiplos secundrios.

2) Implementar o prottipo CHCA usando transformador de mltiplos secundrios
para injetar corrente na rede.
3) Fazer uma comparao entre o Inversor CHCA usando transformador de mltiplos
secundrios com um dos inversores apresentados captulo 2.
140
PUBLICAES
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Computational Tool for Simulation an Design of Multilevel Inverters, ICREPQ10,
International Conference on Renewable Energies and Power Quality, Granada(Spain), 2010.
MESQUITA, S. J.; ANTUNES, F.L.M.; DAHER, S.; MARINS, D.S. An Aiding
Tool to the Design and Simulation of Multilevel Inverters ICIT , International Conference on
Industrial Technology, Valparaso (Chile), 2010.
141
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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR

UMA PROPOSTA DE PROJETO PARA INVERSOR

UMA PROPOSTA DE PROJETO PARA INVERSOR

Dissertao submetida Coordenao do

rea de concentrao: Eletrnica de Potncia e

Orientador: Prof. Dr. Fernando Luiz Marcelo

UMA PROPOSTA DE PROJETO PARA INVERSOR

Fortaleza, Fevereiro de 2011

O temor do senhor o princpio da sabedoria,

A todas as pessoas que por motivo de esquecimento no foram citadas anteriormente,

H-bridge na configurao assimtrica usando transformador de mltiplos secundrios. Ele

Palavras-Chave: Inversores Multinveis Isolados, Modulao Staircase,

Transformadores com Mltiplos Secundrios, Sistemas Autnomos de Energia.

Mesquita, S. J., "Design Proposition For a 63 Levels Output Voltage Asymmetric

This dissertation proposes a design of a cascaded multilevel inverter using H-bridge

cells in asymmetric configuration and a multiple secondary transformer. Equations for

Keywords: Multilevel Inverters Isolated, Modulation Staircase, Transformers With

Multiple Secondary, Autonomous System of Energy.

LISTA DE FIGURAS XII

LISTA DE TABELAS XVII

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS XIX

1.1 OBJETIVOS GERAIS E CONTRIBUIO DO TRABALHO.............................................2

CAPTULO 1 INVERSORES MULTINVEIS: PRINCIPAIS TOPOLOGIAS PARA

1.1 APLICAES DOS INVERSORES MULTINVEIS.......................................................... 2

CAPTULO 2 INVERSORES MULTINVEIS ISOLADOS USANDO CLULAS H-BRIDGE

2.1 TOPOLOGIAS, SIMULAES E ESTUDO........................................................................ 36

2.2 ANLISE E SIMULAO DAS TOPOLOGIAS SELECIONADAS................................ 40

CAPTULO 3 ESTUDO DO TRANSFORMADOR 60

3.1 METODOLOGIA GENERALIZADA DE PROJETO PARA APLICAES EM

3.1.4 TRANSFORMADOR APLICADO EM INVERSORES ................................................................77

CAPTULO 4 ESTUDO DA TOPOLOGIA ESCOLHIDA 91

4.1 ASPECTOS RELEVANTES E CRITRIOS ADOTADOS 92

4.2.4 CLCULO DOS CAPACITORES DO BARRAMENTO CC .......................................................117

CONCLUSES GERAIS 138

SUGESTES PARA TRABALHOS FUTUROS............................................................................. 139

Figura 1.1: Tenso de sada com nveis igualmente espaados. ................................................. 3

Figura 2.15: Vpr3 representa a tenso no primrio do transformador da penltima clula. md

Figura 3.15: MLTm: para enrolamento em ncleo toroidal. .................................................... 77

Tabela 4-4: Dados do dissipador ............................................................................................ 105

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas

THDvo THD na sada do inversor

Valor de tenso correspondente a um degrau ou nvel da senide,

Afio rea do fio sem isolamento em cm2

Aps Produto das reas (Waj) x rea (Aef) , expresso em cm4

Con Expoente de Bmax usado para o clculo da perda no ncleo

fcomsxy Freqncia de comutao da chave Sxy, equivale a Fcelx , Hz

fund Freqncia fundamental, 60 Hz

Ip Corrente de pico na carga

I C1 max Corrente Mxima Atravs do Capacitor da Ponte de Graetz

IDxymd Corrente mdia nos diodos Dxy

Iefm Corrente eficaz no enrolamento m

Ief sxy Corrente eficaz na chave Sxy

I celx Corrente que circula na clula x no perodo de 60 Hz

ic1ef , ic2 ef , ic3 ef Corrente Eficaz dos Capacitores

J Densidade de corrente em A/cm2

PcomDxy Potncia dissipada na comutao do Diodo Dxy, W

Pcond Dxy Potncia dissipada na conduo do Diodo Dxy, W

Pcomsxy Potncia dissipada na comutao da chave Sxy, W

Pcond sxy Potncia dissipada na conduo da chave Sxy, W

Pdmcob Potncia dissipada no cobre para o enrolamento m, dado em Watts

Perda total no Diodo Dxy, equivalente a soma da PcomDxy com

Perda total na chave Sxy, equivalente a soma da Pcomsxy com

Pfb Perda mostrada pelo fabricante