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Informe Previo No.

3: Amplificador Simtrico
Complementario
Universidad Nacional de Ingeniera
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Laboratorio de Electrnica II (EE442-M) - 2017-II
Fernandez Hurtado Renzo Raul
renzofernandez92@gmail.com

Resumen- El presente documento es el informe previo de la Usaremos el mismo diseo que se presenta en Fig.1 para
segunda experiencia de laboratorio de electrnica II, se realizar la simulacin del circuito. En la Fig.2. se muestra la
desarrollara la simulacin de un amplificador realimentado para la implementacin del amplificador realimentado en Orcad
posterior comprobacin del funcionamiento real del mismo. Capture CIS.
I. CUESTIONARIO
Se respondern las preguntas hechas en la gua del laboratorio
A. Disee el circuito ARGOS 3 bajo las siguientes premisas
Fuente de Operacin DC +-12v
Carga 8
Elementos Activos Q1,Q7: BD135
Q3: BD136
Q5: 2N2222A
Q2: TIP41
Q3: TIP42
Q4: 2N2907
Seal de Prueba 1Vp a 1Khz
Corrientes ICQ mayores o iguales a 8mA
Frecuencias de Corte fi = 100Hz y fs= 15KHz
Ganancias a frecuencias medias 10(aprox.)
Proteccin a sobrecorrientes 1A en la carga

Fig.2. Schematic en Orcad de ARGOS 3

B. Simule en SPICE el circuito ARGOS 3 e imprimir los


diagramas de los siguientes parmetros:
En DC:
V7; V(2,14); V(4,3); V11;
En AC
V(2,3); V7; V(10,11); V11
Para calcular los voltajes en DC usaremos la simulacin Bias
Point de Orcad. El resultado se visualiza en Fig.3, entonces los
valores pedidos son:
V(DC)

V7 1.165

V(2,14) 1.57
Fig.1. Amplificador Realimentado ARGOS3.
Transistores ICQ (mA)
V(4,3) 9.754
Q1 25.05
V11 31.27mV Q2 21.43mA
Q3 off
Q4 off
Q5 0.38
Q6 10.83mA
Q7 0.34mA

Proseguimos con las simulaciones en AC. En la Fig.5 vemos


como la seal de entrada (azul) es amplificada a la salida del
circuito (rojo), hacemos el clculo de la ganancia y como la
seal de prueba es de 1Khz nos encontramos a frecuencias
medias
8.3
( ) = = 8.3
1
El valor obtenido corresponde a lo solicitado en el diseo.

Fig.3. Simulacin Bias Point

De manera adicional mostramos los valores de la corriente en


el circuito Fig.4.

Fig.5. Comparacin seal amplificada

A continuacin, en la Fig.6 tenemos la respuesta del transistor


Q6, V(2,4), notamos que el transistor est operando en el
rgimen lineal.

Fig.6. Seal base-emisor del transistor Q6

En la Fig.7 vemos la seal de V7


Fig.4. Corriente de punto de operacin

Los valores de operacin de los transistores son los


siguientes:
Fig.7. Seal de V7
En la Fig.7 se visualiza la seal de la resistencia 0.56 ohm superior donde Fig.9. Respuesta de Amplitud en frecuencia
notamos como trabaja para los ciclos superiores de la seal de entrada.

C. Obtenga los mximos voltajes de operacin en la juntura


B-E de Q1, Q2, Q3, Q4 y Q7
Los valores mximos los obtenemos de la siguiente figura

Fig.7. Seal de V10,11


La Fig.8 representa la forma de salida de la carga.

Fig.10. Seales de base-emisor de los transistores

Q1 743mV

Q2 798mV

Q3 548mV

Q4 562mV

Q7 679mV

Fig.8. Seal de V11 II. IMPLEMENTACIN


Ahora mostramos la respuesta del diagrama de bode en amplitud de la salida, Equipo y material bsico
donde se ve que las frecuencias de corte inferior y superior son muy proximas 1 Osciloscopio
a las requeridas en el diseo
1 Generador de seales de baja frecuencia
1 Multmetro Digital
1 Fuente doble DC
Lista de componentes
Transistores:
Q1, Q2, Q3, Q5 2N2222A
Q4 2N2907
Resistencias
R1, R14 4.7 K
R2, R3 1K
R4 330
R5 2.2K
R6 22K
R7, R8, R9, R10 100
R11 220
R12 15K
R13 470
Capacitores
C1, C4 0.1uF
C2 4.7uF
C3 22uF
C5 33nF

III. CONCLUSIONES
La simulacin cumple en su mayora con los pedido en
el diseo se tendr que corroborar en el laboratorio
Se hicieron capturas de todas las respuestas en DC del
circuito para ayudar a la comprobacin de que el
amplificador este bien polarizado en el laboratorio
Para implementar la tarjeta en baquelita se realizaron
las siguientes consideraciones:
1. Se simularon la forma de onda de las
corrientes en las resistencias comprometidas
de la etapa de potencia para saber que
potencia de resistor comprar, se comprob
una potencia de 4 watts en la carga por la cual
se adquiri una resistencia de 5 watts.
2. Se busc informacin sobre qu tamao de
pista usar la informacin encontrada nos daba
un grosor de 0.5plg para una corriente de
2amp, se decidi utilizar una pista de 0.56plg
3. se colocaron disipadores en los TIP41 y 42
para ayudar a disipar la potencia de estos, en
el datasheet se encontr que pueden disipar
hasta 65w con un tamao suficiente de
disipador, y que el tip puede disipar 2 watts a
una temperatura ambiente de 25C, en la
simulacin se encontr que disipara
aproximadamente 5 watts.
4. la tarjeta fue diseada para conectar la carga
afuera de los bornes para poder probar otros
valores de resistencia.