TRABAJO DE INVESTIGACIN #3

Silvia Lorena Daz Arias

silvia.diaz-a@mail.escuelaing.edu.co

Cristhian Jahel Robayo Arbelaez

cristhian.robayo@mail.escuelaing.edu.co

Daniel Gmez
Daniel.gomez@mail.escuelaing.edu.co

1)
BJT (transistor de unin bipolar:
Se construye con 3 regiones semiconductoras separadas por 2 uniones pn
dando 2 posibles combinaciones npn o pnp, las 3 regiones anteriormente
mencionadas se conocen como emisor, base y colector, el termino bipolar se
refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura del transistor.

1 Transistores bjt
La regin de la base est ligeramente dopada y es ms delgada que las
regiones de colector moderadamente dopada y emisor excesivamente
dopada.
 2 Caractersticas Bjt
Para entender cmo opera un transistor se mira su estructura interna donde
la regin del emisor de tipo n excesivamente dopado tiene una alta densidad
de electrones libres, estos electrones libres se difunden con facilidad por la
unin BE polarizada en directo hasta la regin de la base de tipo p muy
delgada y levemente dopada, la base tiene una baja densidad de huecos, los
cuales son los portadores mayoritarios. Un pequeo porcentaje de los
electrones libres se va hacia la base donde se recombinan con huecos y se
desplazan como electrones de valencia a travs de la base hacia el emisor
como corriente de huecos.

3 Estructura qumica
 4 Bjt en circuito
Cuando los electrones que se recombinaron abandonan la estructura
cristalina de la base, se transforman en electrones libres sobre la base
metlica y producen la corriente de base externa, a medida que los
electrones libres se desplazan a la unin BC polarizada en inverso son
atrados al colector por el voltaje de alimentacin positivo en el colector, los
electrones libres se desplazan a travs del conductor al circuito externo y
luego regresan al emisor junto con la corriente de base. La corriente de
emisor es levemente ms grande que la corriente de colector debido a la
pequea corriente de base que se desprende de la corriente total inyectada
a la base proveniente del emisor.

Corrientes del transistor:

5 Corrientes transistores

= +
Como IB es muy pequea en comparacin con IC y IE, se establece la
relacin de que IC y IE son aproximadamente iguales.
Cuando se conecta un transistor tipo npn o tipo pnp a voltajes de polarizacin
de cd, vbb polariza en directo la unin base-emisor y vcc polariza en inverso
la unin base-colector.

Beta de cd (CD) y alfa de cd (CD):

La ganancia de corriente cd en un transistor es el cociente de la corriente IC

entre la corriente IB se expresa como beta:

Los valores tpicos para beta van desde 20 hasta 200 o ms, donde beta
normalmente se expresa como un parmetro hibrido equivalente
denominado .

Por otro lado, alfa se obtiene del cociente entre IC e IE = aunque
alfa es un parmetro menos usado que beta.

Modelo en cd de un transistor:
El BJT que no est en saturacin puede considerarse un dispositivo con una
corriente en el circuito de entrada y una fuente de corriente dependiente en
el circuito de salida, el circuito de entrada es un diodo polarizado en directa
a travs del cual pasa corriente de base, el circuito de salida es una fuente
de corriente dependiente cuyo valor depende de beta y de la corriente de
base.
 Curvas caractersticas del colector:

Se muestra la variacin de Ic a medida que se vara VCE.

Corte: como se mencion, cuando IB=0, el transistor se encuentra en la regin de
corte de su operacin con la terminal de la base abierta lo que produce una corriente
de 0 en la base, en este caso existe una corriente muy pequea de fuga en el
colector, debido principalmente a portadores producidos trmicamente, por otro
lado, VCE=VCC, en esta regin ni la unin base-emisor ni base-colector estn
polarizadas en directo.

Saturacin: cuando la unin base-emisor se polariza en directo y la corriente de

base se incrementa la corriente de colector tambin lo hace y VCE disminuye de la
forma = cuando VCE llega a su valor de saturacin la unin base
colector se polariza en directo e IC ya no puede incrementarse ms aun frente a un
incremento de IB.
 Recta de carga de CD:

Variacin de beta:
El valor de beta no es realmente constante varia frente a la temperatura y la corriente
de colector a temperatura constante y un aumento de IC beta alcanza un valor
mximo, pero si IC se incrementa an ms del punto mximo beta disminuye, si IC
se mantiene constante el valor de beta responde a la temperatura es decir si la
temperatura sube beta sube y si la temperatura baja beta tambin baja.
 Amplificacin de voltaje mediante un transistor:
Ya se explic que un transistor amplifica corriente, porque la corriente en el colector
es la corriente que entra por la base multiplicada por un factor de ganancia en
corriente beta y que la corriente en colector es aproximadamente igual a la corriente
de emisor.
El voltaje de entrada de Ca produce una corriente alterna en la base, lo cual produce
una corriente alterna en el colector mucho ms grande esta corriente produce un
voltaje sobre RC, producindose as una reproduccin amplificada, pero invertida
del voltaje de entrada de ca en la regin activa de operacin.

La unin base emisor polarizada en directo presenta una muy baja resistencia a la
seal ca esta resistencia interna de ca en el emisor se expresa como Quedando
en serie con RB. Y el voltaje sobre la base es =
El voltaje de ca en el colector, es igual a = .
Como la ganancia en voltaje se define como el cociente entre el voltaje de salida y

el voltaje de entrada se tiene la siguiente relacin: = reemplazando se puede


llegar a la relacin de =

El BJT como interruptor:

En la figura a el transistor est en la regin de corte porque la unin base-emisor no

est polarizada en directo, en esta condicin existe inicialmente una condicin de
abierto entre colector y emisor, en la parte b el transistor est en la regin de
saturacin porque la unin base-emisor y la unin base-colector estn polarizadas
en directo y la corriente en la base llega a ser suficientemente grande para provocar
que la corriente en el colector alcance un nivel de saturacin, en estas condiciones
existe un corto entre colector y emisor.
Condiciones en corte: si se ignora la corriente de fuga todas las corrientes son
cero y VCE=VCC
Condiciones de saturacin: la frmula para la corriente de saturacin en el

colector es () = puesto que VCE es muy pequeo en comparacin con

VCC casi siempre se puede despreciar y la formula de la corriente mnima en base
()
para producir saturacin es () =

El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de xido

metlico):
 A diferencia de un JFET no tiene una estructura de unin PN, la compuerta
del MOSFET est aislada del canal mediante una capa de bixido de silicio
(SiO2), existen 2 tipos bsicos de MOSFET el de enriquecimiento y el de
empobrecimiento.

MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET):

Opera solo en el modo de enriquecimiento y no posee modo de empobrecimiento, ,

no posee ningn canal estructural donde el sustrato se extiende por completo hasta
la capa de SiO2, para un dispositivo de canal n, un voltaje positivo en la compuerta
por encima de un valor de umbral induce un canal al crear una delgada capa de
cargas negativas en la regin del sustrato adyacente a la capa de SiO2 , la
conductividad de canal se incrementa al incrementarse el voltaje de compuerta a
fuente y por lo tanto atrae ms electrones hacia el rea del canal, con cualquier
valor por debajo del umbral no existe un canal.

Esquemticos E-MOSFET:
 Caractersticas de transferencia:
Solo funciona en modo de enriquecimiento, por consiguiente un dispositivo de
canal n necesita un voltaje positivo de compuerta a fuente y un dispositivo de
canal p necesita un voltaje negativo de compuerta a fuente, a continuacin se
muestran las curvas de transferencias caractersticas de ambos dispositivos,
donde se ve que el E-MOSFET no tiene un parmetro Idas significativo como el
D-MOSFET, idealmente no hay corriente de drenaje hasta que Vgs alcanza un
cierto voltaje de umbral diferente de cero.
 Polarizacin:

Debido a que los E-MOSFET deben tener un Vgs>voltaje de umbral, no se puede

usar la polarizacin en cero, por lo que se usa polarizacin por divisor de voltaje o
realimentacin de drenaje.
Las ecuaciones para polarizacin por divisor de voltaje son:
2
= (1+2) , =

En la polarizacin por realimentacin de drenaje no hay corriente despreciable en

la compuerta y por consiguiente ninguna cada de voltaje a travs de RG esto hace
= .

MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET):

El drenaje y la fuente se difunden en el material del sustrato y luego se conectan

mediante un canal angosto adyacente a la compuerta aislada.
Puede operar en cualquiera de los 2 modos tanto en enriquecimiento o en
empobrecimiento, como la compuerta est aislada del canal se puede aplicar sobre
ella un voltaje tanto positivo como negativo.

Modo de empobrecimiento: al aplicar un voltaje negativo en la compuerta las

cargas negativas en la compuerta repelen los electrones de conduccin
provenientes del canal y dejan a los iones positivos en su lugar, por esto el canal n
se queda sin algunos de sus electrones, por lo que disminuye la conductividad el
canal. Mientras ms grande es el voltaje negativo en la compuerta, ms grande es
el empobrecimiento de electrones en el canal n. con un voltaje de compuerta a
fuente suficientemente negativo el canal se empobrece totalmente y la corriente en
el drenaje es cero, el D-MOSFET de canal n conduce corriente en el drenaje con
voltajes de compuerta a fuente entre VGS (corte) y cero.
Modo de enriquecimiento: con un voltaje positivo en la compuerta, ms electrones
de conduccin son atrados hacia el canal, por lo que la conductividad de este se
enriquece (incrementa).
 Smbolo D-MOSFET:

Caractersticas de transferencia:
Se muestran las curvas caractersticas donde como se mencion antes se muestran
las operaciones tanto con voltajes positivos como negativos, el punto de la curva
donde Vgs=0 corresponde a Ids, el punto donde Id=0 corresponde a Vgs (apagado)
= -Vp.
 Polarizacin:

Por la posibilidad de voltajes positivos o negativos como Vgs un mtodo de

polarizacin simple es Vgs=0 as = , de modo que una seal de ca en la
compuerta haga variar el voltaje de compuerta a fuente por encima o por debajo del
punto de polarizacin, el voltaje de drenaje a fuente se expresa de la siguiente
manera = .
El propsito de RG es aceptar una seal de ca aislndola de tierra, cono no hay
corriente de cd en la compuerta, RG no afecta la polarizacin en cero entre la
compuerta y fuente.
Estructuras de MOSFET de potencia:
Los MOSFET de enriquecimiento convencional disponen de un largo y delgado
canal lateral, esto produce una resistencia relativamente alta del drenaje a puerta y
lo limita a aplicaciones de baja potencia.
MOSFET lateralmente difundido (LDMOSFET):
 tiene una estructura de canal lateral, est diseado para aplicaciones de potencia,
presenta un canal ms corto entre el drenaje y la fuente que el presente en E-
MOFET, el canal ms corto opone menos resistencia, lo que permite un voltaje y
corriente ms alto.
VMOSFET:

Es otro ejemplo del E-MOSFET convencional diseado para alcanzar una

capacidad de potencia ms alta, creando un canal ms corto y ms ancho, con
menos resistencia entre el drenaje y la fuente por medio de una estructura de canal
vertical los canales ms cortos y anchos permiten manejar corrientes ms altas y
por lo tanto una disipacin de potencia ms grande, tambin mejora la respuesta a
la frecuencia.
El V-MOSFET tiene 2 conexiones de fuente, una conexin de compuerta en la parte
superior y una conexin de drenaje en la parte inferior, el canal se induce a lo largo
de ambos lados de la ranura en forma de V entre el drenaje y las conexiones de
fuente. El espesor de las capas establece la longitud del canal, lo cual se controla
mediante las densidades y el tiempo de difusin del dopado en lugar de las
dimensiones del enmascaramiento.
 TMOSFET:

Tiene una estructura de canal vertical, la estructura de la compuerta esta incrustada

en una capa de bixido de silicio y el contacto de fuente es continuo sobre toda la
superficie, permite una mayor densidad de encapsulado que el VMOSFET.
MOSFET de doble compuerta:

Puede ser o de tipo empobrecimiento o de tipo enriquecimiento, la nica diferencia

es que tiene 2 compuertas, la desventaja de un FET es su uso a altas frecuencias
por su alta capacitancia de entrada, pero al presentar 2 compuertas en el dispositivo
la capacitancia se ve reducida , por lo que el dispositivo es til en aplicaciones de
amplificadores de RF de alta frecuencia, la doble compuerta tambin permite una
entrada de control automtico de ganancia en amplificadores de RF, la polarizacin
de la segunda compuerta se utiliza para ajustar la curva de transconductancia.

El IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada):

Combina las caractersticas tanto del MOSFET como del BJT lo cual lo hace til
para aplicaciones de conmutacin de alto voltaje y alta corriente, lo cual lo hace en
muchas ocasiones ms til que los 2 dispositivos anteriormente mencionados.
Posee las caractersticas de conduccin de salida del BJT, pero es controlado por
voltaje como el MOSFET, el IGBT posee 3 terminales: compuerta, emisor y colector.
Los IGBT presentan un voltaje de saturacin ms bajo que los MOSFET y poseen
aproximadamente el mismo voltaje de saturacin que los FET, son superiores que
los MOSFET para ciertas aplicaciones porque pueden manejar voltajes entre
colector y emisor de ms de 200V y presentan menos voltaje de saturacin cuando
estn encendidos y son superiores que los FET en algunas aplicaciones porque
pueden conmutar ms rpido; el orden de velocidad de conmutacin son: MOSFET,
IGBT y BJT, como se muestra en la siguiente tabla de comparacin de
caractersticas.
Operacin: el voltaje de compuerta controla el IGBT exactamente igual que un
MOSFET, en esencia el IGBT se puede considerar como un BJT controlado por
voltaje, pero con velocidades de conmutacin ms rpidas, un circuito equivalente
se muestra a continuacin.

El elemento de entrada es un MOSFET y el elemento de salida es un BJT cuando

el voltaje entre la compuerta y el emisor es menor que el voltaje de umbral el
dispositivo se apaga y se prende con un voltaje superior al voltaje de umbral.
La estructura npnp del IGBT forma un transistor parasito y una resistencia parasita
inherente dentro del dispositivo, estos componentes parsitos no tienen efecto
durante la operacin normal, sin embargo si se excede la corriente mxima de
colector el transistor parasito llamado Qp puede prenderse si se prende este
transistor se puede combinar con Q1 para formar un nuevo elemento parasito,
llegando a un estado llamado enganche donde el dispositivo permanecer
encendido y ya no se podr controlar por voltaje en la compuerta, para evitar llegar
a ese estado, no se debe salir de los lmites de operacin del dispositivo.

5) topologas de inversores
Medio puente (half bridge):

Es la configuracin ms sencilla de inversores, se compone de 2 fuentes de tensin

de igual valor en serie y de 2 interruptores controlados, el modo ms fcil de
funcionamiento consiste en hacer conmutar los interruptores +Q y Q con seales
de control complementarias de modo que cada uno est cerrado la mitad de un
periodo de este modo se obtiene una seal de salida de amplitud VE/2 y sin
componente de continua

Carga RL:
Etapa1: El interruptor S1 se activa y el interruptor s2 permanece bloqueado. La
tensin en los terminales de la carga RL es E/2. Durante esta etapa la fuente de CC
crece de manera exponencial.
Etapa 2: En t=T/2, el interruptor S1 es bloqueado y el interruptor s2 se activa
disparado. La inductancia de carga no permite cambios rpidos en la corriente
A continuacin, la polaridad de la tensin en la inductancia se invierte para mantener
la
corriente en la misma direccin. La inversin de polaridad de la tensin en
inductancia polariza directamente el diodo D2, la transferencia de energa
almacenada en el inductor para la fuente de DC. La tensin en los bornes de la
carga RL, la corriente de salida i0 decrece exponencialmente.
 Puente completo (full bridge):

Se compone de 4 interruptores agrupados en 2 ramas una primera rama formada

por los interruptores Q1, Q2 y una segunda rama formada por Q3, Q4, al disponer
de 4 interruptores el nmero de estados es mayor que en un medio puente,
eliminando aquellas combinaciones donde la rama queda en cortocircuito o donde
la carga queda desconectada quedan 4 estados posibles

Donde la tensin de salida puede tomar 3 posibles valores que son: +VE, -VE y 0,
esta caracterstica permite ms posibilidades de control, las estrategias de control
ms simples para un puente completo son: control sin deslizamiento de fase y
control con deslizamiento de fase.
 Puente completo sin deslizamiento de fase:

Se hace conmutar alternativamente los 2 interruptores de cada diagonal, lo que

genera que durante la mitad de un periodo permanecen cerrados Q1 Y Q4 y durante
la otra mitad permanecen cerrados Q2 y Q3, de esta forma se obtiene una seal
cuadrada de salida de amplitud VE. L a principal diferencia entre el puente completo
y el medio puente es que a igual tensin en los semiconductores se obtiene el doble
de amplitud a la salida por lo que se duplica la capacidad de manejar potencia.

Puente completo con deslizamiento de fase:

Las 2 ramas que componen el puente completo estn desfasadas 180 grados entre
s, si se modifica el ngulo de desfase se crean estados donde Q1 y Q3 o Q2 y
Q4 se encuentran cerrados de este modo se obtiene una salida con intervalos de
valor cero.
Mediante el ngulo de desfase entre las seales de control de ambas ramas, se
puede modificar la amplitud de la componente fundamental de la tensin de salida.
En este tipo de configuracin la tensin de salida tiene menos contenido armnico,
debido a que la forma de onda de la salida es ms prxima a una forma sinodal.

2. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT:

ACOPLE DIRECTO, PUSH-PULL, BOOSTER, BOOTSTRAP

Los drivers o controladores son parte fundamental de los convertidores de potencia,

estos se conforman de dispositivos semiconductores de potencia. La salida de un
convertidor que depende de la forma en que el circuito de disparo excita los
dispositivos de conmutacin es una funcin directa de la conmutacin. De lo cual
se puede decir que las caractersticas del circuito de disparo son elementos
fundamentales para obtener la salida deseada, y los requisitos de control de un
convertidor de potencia.
El diseo de dispositivos como tiristores, tiristores apagados por compuerta (GTO),
transistores bipolares de unin (BJT), transistores de efecto de campo metal oxido
semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
Debido a que la electrnica de potencia ha ido evolucionando se deben desarrollar
circuitos de disparo capaces de controlar la activacin de compuertas de avance,
alta velocidad, alta eficiencia y que adems sean compactos.

Los drivers tienen las siguientes caractersticas

Tienen diferentes niveles de tensin, dependiendo de la aplicacin y el
circuito a controlar.
Los drivers deben garantizar condiciones de conmutacin rpidas al mnimo
de perdidas posible.
Estados de corte seguros, con el fin de evitar entradas en conduccin
espontaneas.
Un sistema de proteccin de los elementos que conforman el circuito.

a) Circuitos de acople:
- MOSFET

Los MOSFET son dispositivos electrnicos controlados por medio de voltaje, a

diferencia de los BJT que se hacen a partir de corriente en base, estos transistores
se caracterizan por tener una impedancia de entrada muy alta, la compuerta
consume una corriente de fuga muy pequea.
El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la
capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducirse
conectando un circuito RC, como se ve en la figura mostrada a continuacin.

6 Acople directo utilizando MOSFET.

Para obtener velocidades de conmutacin del orden de 100 nS o menos, el circuito

requerido debe tener una baja impedancia de salida, y adems la capacitancia debe
suministrar corrientes relativamente grandes. Para lo cual podemos usar la
configuracin de transistores BJT complementarios PNP y NPN que actan como
seguidores emisores y ofrecen baja impedancia de salida, los cuales deben trabajar
en la regin lineal, en lugar de modo de saturacin, para con ello minimizar el tiempo
de retardo, para esto podemos contar con un suministro de seal para el MOSFET
a partir de un amplificador operacional, la retroalimentacin a travs del capacitor C
regula la tasa de subida y bajada del voltaje de compuerta, y as controla la rapidez
de aumento y disminucin de la corriente de drenaje del MOSFET. Un diodo en
paralelo al capacitor C permite que el voltaje de compuerta en una direccin. El
Circuito comentado anteriormente se muestra a continuacin.

7 Acople con amplificador operacional.

- BJT

Para este tipo de transistores lo fundamental es controlar la corriente de base cuya

funcin es determinar la cantidad de corrientes resultantes en medio de todo el
dispositivo, en este caso la velocidad de conmutacin se puede aumentar
reduciendo el tiempo de activacin, encendido, Ton y el tiempo de desactivacin,
apagado Toff. La forma en que Ton se puede reducir es permitiendo un pico de la
corriente de base durante la activacin, dando como resultado un forzada baja (f)
al principio. Despus de la activacin, puede aumentar (f) hasta un valor
suficientemente alto como para mantener al transistor en la regin de casi
saturacin. El Toff se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo
un pico de la corriente de base durante la desactivacin. Al aumentar el valor de la
corriente de base inversa Ib2 disminuye el tiempo de almacenamiento. En la
siguiente figura se muestra una forma de onda tpica de la corriente de base.

8 Forma de onda para la corriente de base del transistor de activacin.

Aparte de controlar de esta manera la Corriente de base como se muestra en la

figura anterior, la forzada se puede controlar en forma continua para que coincida
con las variaciones de corriente de colector. Las tcnicas de uso comn para
optimizar la activacin de la base de un transistor son:

1. Control al encendido
2. Control al apagado
3. Control proporcional en base
4. Control por anti-saturacin

1. Control al encendido
La correccin de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la
siguiente figura:
Cuando se conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita con la
resistencia R1 y el valor inicial de la corriente ser
1
=
1
El valor final ser
1
=
1 + 2
El condensador se cargar hasta un valor
2
= 1
1 + 2
Y su constante de tiempo de carga ser aproximadamente
1 2 1
=
1 + 2
Una vez que el voltaje de entrada se vuelve cero, la unin base emisor se polariza
en inverso, y el condensador se descarga a travs de R2, la constante de tiempo de
descarga ser = 2

2. Control al apagado: Si el voltaje de entrada del circuito anterior se cambia a V2

durante el apagado, el voltaje del condensador descrito anteriormente se suma a V2
como voltaje inverso a travs del transistor, lo que generara un pico de corriente en
la base durante el apagado. A medida que se descargue el condensador, se puede
reducir el voltaje inverso hasta un valor permanente V2.
3. Control anti saturacin: Si el transistor se excita muy rpido, el tiempo de
almacenamiento que es proporcional a la corriente de base, aumenta, y se reduce
la velocidad de conmutacin. Se puede reducir el tiempo de almacenamiento
operando el transistor con una saturacin gradual. Esto se puede hacer sujetando
un voltaje de colector a emisor a un valor predeterminado, y la corriente en el
colector ser

=

Donde es el voltaje sujetador. Un circuito con accin sujetadora se puede ver e
la siguiente figura
La corriente de base sin sujecin, necesaria para la rpida activacin del transistor,
se puede determinar con
1
=

Y la corriente de colector correspondiente seria
=
Una vez se incremente la corriente de colector, el transistor de activa y se presenta
la sujecin, ya que el diodo 2 se polariza en directo y empieza a conducir, entonces
= + 1 2
La corriente de carga ser
1 + 2
= =

Y la corriente de colector en la sujecin

= = (1 + ) = ( + )
1+ 1
Para que haya sujecin, 1 >2 , y eso se logra conectando dos o ms diodos en
lugar de D1.
La accin sujetadora, da como resultado una corriente reducida de colector y la casi
eliminacin de tiempo de almacenamiento. Al mismo tiempo se logra una activacin
rpida. Sin embargo, debido al mayor , la disipacin de potencia en estado activo
en el transistor, aumenta, mientras que disminuye la perdida de potencia por
conmutacin.
Existen otros circuitos de disparo de conexin en paralelo de acoplamiento DC

9 Circuito de control de la corriente de base de un BJT.

Este circuito est regido por las siguientes ecuaciones que definen sus parmetros
de operacin.

Diseo del circuito disparo:

1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima el valor

de la corriente negativa que debe circular por la base durante el tiempo de
almacenamiento.
2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con el BJT en
estado de conduccin, se
Determina I1.
3. Se calcula R1, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. Un valor pequeo de VBB
disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1) en el circuito de base, pero, un valor
excesivamente pequeo de VBB aumenta la influencia de VBE en el circuito de
base.
 10 Circuito.

b. Push pull
Cuando se utilizan un par de transistores similares (PNP o NPN) en modo push pull,
es necesario suministrar sus entradas con dos seales antifase idnticas. Esto se
puede hacer mediante el uso de un transformador de separacin de fase como el
mostrado en la figura siguiente para acoplar un amplificador de audio al push pull

As, se recombinan los dos medios ciclos de salida de modo que el altavoz se
alimenta con la forma de onda completa por el secundario del transformador. El
transformador de salida tambin proporciona adaptacin de impedancia de manera
que la mxima potencia se entrega desde el amplificador al altavoz.

Otro diseo popular de amplificador push pull opera sin entrada de divisor de fase
o un transformador de salida de adaptacin de impedancia, en su lugar, utiliza un
par de transistores, NPN y PNP conectados en colector comn (seguidor de emisor).
El transistor NPN va a tener una polarizacin directa en los semiciclos positivos,
mediante la carga las seales de entrada y salida estarn en fase. Contrariamente,
en los ciclos negativos se pondr en corte y debido a ese descanso no se registrar
ninguna seal en la salida. Los dos transistores estn configurados de tal modo que
las dos salidas, 180 desfasadas una de la otra, se combinan. Un transformador de
salida no es necesario ya que los transistores en el modo seguidor de emisor tienen
una baja impedancia de salida suficiente para que coincida directamente a los
dispositivos de salida que tienen una impedancia tpica de aproximadamente 25 a
75 ohmios, tales como altavoces o motores. Debido a que el par de transistores
trabajan en polaridad opuesta entre s, no se necesita circuito de separacin de fase
tampoco.

c. Booster
Este controlador de rel aumenta la impedancia de entrada con un transistor
2N3904o similar. Se pueden manejar distintos rels. El transistor Q1 es un simple
amplificador de emisor comn que aumenta la sensibilidad efectiva de la bobina en
unas 100 veces. Usando esta configuracin reduce la sensibilidad del rel a unos
pocos voltios. R1 limita la corriente de entrada a Q1 a un limite de seguridad. Los
diodos D1 y D2 son amortiguadores EMF y se filtra cualquier formacin de
electricidad cuando el rel se activa.
 d. Bootstrap
Un circuito de arranque es uno donde se aplica parte de la salida de una etapa
amplificadora a la entrada, a fin de alterar la entrada de la impedancia del
amplificador. Cuando se aplica deliberadamente, la intencin es por lo general para
aumentar en lugar de disminuir la impedancia. En general, cualquier tcnica en la
que se utiliza parte de la salida de un sistema en el arranque se describe como
bootstrapping.
En el mbito de circuitos MOSFET, "bootstrapping" es de uso general en el sentido
de tener que tirar del punto de funcionamiento de un transistor por encima de la
lnea de tensin de alimentacin. El mismo trmino se ha utilizado un poco ms en
general para modificar dinmicamente el punto de funcionamiento de un
amplificador operacional (cambiando tanto en su carril de alimentacin positiva y
negativa) con el fin de aumentar su oscilacin de voltaje de salida (en relacin con
el suelo). Bootstrapping en un amplificador operacional significa "utilizar una seal
para conducir el punto de referencia de fuentes de alimentacin del op-amp ". Un
uso ms sofisticado de esta tcnica bootstrapping ferroviario es alterar la no lineal
C / V caracterstico de las entradas de un JFET op-amp con el fin de disminuir su
distorsin.
Un circuito de arranque es un arreglo de componentes destinados deliberadamente
para alterar la impedancia de entrada de un circuito. Por lo general, se pretende
aumentar la impedancia, mediante el uso de una pequea cantidad de
realimentacin positiva, por lo general en dos etapas. Esto era a menudo necesario
en transistores bipolares, que inherentemente tienen bastante baja impedancia de
entrada. Debido a que la retroalimentacin es positiva, tales circuitos pueden sufrir
de mala estabilidad y rendimiento en comparacin con otros.
La retroalimentacin negativa puede alternativamente ser usada para arrancar una
impedancia de entrada, haciendo que la impedancia aparente se reduzca. Esto se
hace deliberadamente rara vez, y es normalmente un resultado no deseado de un
diseo de circuito particular. Un ejemplo bien conocido de esto es el efecto Miller,
en la que aparece un aumento de la capacitancia de retroalimentacin inevitable (es
decir, su impedancia aparece reducida) por retroalimentacin negativa. Un caso
popular donde esto se hace deliberadamente es la compensacin Miller tcnica para
proporcionar un polo de baja frecuencia en el interior de un circuito integrado. Para
minimizar el tamao del condensador necesario, se coloca entre la entrada y una
salida que se balancea en la direccin opuesta. Este bootstrapping hace actuar
como un condensador de mayor a tierra.

3. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: Drivers

para disparo de transistores BJT, MOSFET, IGBT: transformadores de pulso, drivers
pticos, y drivers integrados (IC), funcionamiento y ejemplos

Con los drivers de disparo de transistores se puede realizar control sobre los
mismos, mediante su activacin en el momento deseado, para esto es importante
tener en cuenta la forma en la que cada tipo de transistor se activa; en el caso de
los BJT se activan mediante la inyeccin de corriente por la base, mientras que los
MOSFET y los IGBT se activan aplicando voltaje en la compuerta y se desactivan
poniendo en la misma 0V.
a. Transformador de pulsos
Asla el circuito de entrada del de salida que normalmente es de alta potencia,
permite variar la magnitud de las corrientes y tensiones de salida; la salida de
transformador acta como el circuito de control o de activacin del transistor bien
sea por inyeccin de corriente o de voltaje, dependiendo del tipo de transistor.
Tienen un embobinado primario y uno o ms secundarios, que en caso de ser varios
permiten la activacin de varios transistores al mismo tiempo; el transformador tiene
una pequea inductancia de fuga y el tiempo de elevacin del pulso que se va a
usar para la activacin debe ser muy corto.
En la figura se observa un transformador de pulsos activando un BJT por medio de
la introduccin de corriente por la base del mismo; en cada caso se debe tener en
cuenta la frecuencia de conmutacin que se quiere para el transistor y a la hora de
elegir un transformador, este debe ser capaz de transferir la mxima energa del
primario al secundario a la frecuencia fundamental de conmutacin.

11 Transformador de pulsos.
En la siguiente figura se utiliza un transformador de pulsos para el disparo de un
IGBT, el cual se hace mediante la aplicacin de voltaje entre gate y source lo cual
produce corriente de gate.

12 Transformador de pulsos para IGBT.

Las seales dentro del circuito son las de siguiente figura, en la cual la parte derecha
corresponde al embobinado primario y la izquierda al secundario y por tanto a lo
utilizado para activar el MOSFET. El amplificador entrega a su salida una onda que
vara entre y Vdd, para prevenir este cambio brusco en el transformador y un posible
mal funcionamiento se pone Cc.

13 Seales en el circuito.
Un transformador de pulsos puede ser usado para activar transistores trabajando
como transformador de pulsos o bien como driver de compuerta, caso en el cual el
voltaje de salida sigue siendo el mismo, pero el cambio se presenta en la corriente
la cual presenta picos, tal como se presenta en la figura, los cuales son utilizados
para activar los dispositivos.

14 Funcionamiento transformador.
Para hacer los pulsos para compuerta se deben agregar varios componentes al
circuito, un ejemplo sencillo es el siguiente (figura), en el cual se activa un
MOSFET.
 15 Driver de compuerta.
En la figura se presenta un ejemplo de MOSFET en conmutacin por medio de los
pulsos entregados por un 555 aislado por medio de un transformador de pulsos de
la parte de potencia (transistor)

16 MOSFET conmutado aislado con transformador de pulsos.

Acopladores pticos
Son dispositivos de interrupcin controlados por emisin de luz; utilizados para
acoplar circuitos de bajo consumo con circuitos de alta potencia para realizar control
sobre estos con aislamiento y sin ninguna conexin elctrica entre ellos, evitando
as influencia del uno sobre el otro. Estn compuestos por un LED emisor infrarojo
y un receptor el cual es un fototransistor, los dos estn encapsulados para evitar la
influencia de luz externa, como el que se presenta en la figura.
La alimentacin para el optoacoplador es independiente de la parte de potencia y
es importante tener en cuenta que en la mayora de los casos este entrega una
baja corriente a la salida del orden de 100mA o un poco ms, aun as esta es
suficiente para realizar el disparo de transistores, se deben realizar los clculos
correspondientes de las resistencias de proteccin teniendo en cuenta las
corrientes mximas aceptadas por cada dispositivo, en la figura se observa un
optoacoplador utilizado para hacer conmutar a un MOSFET canal N.

17 Opto acoplador para conmutacin de MOSFET.

IR2117 o IR2118
Driver para transistores MOSFET o IGBT, entrega entre 10 y 20V a la
compuerta para realizar la activacin, su voltaje de alimentacin puede estar
 entre 7 y 10V, el tiempo de que tarda en emitir la seal es de 125ns, en la
figura se observa este integrado usado para activar un MOSFET.

18 IR2117 para activar MOSFET.

Optoacoplador 4N25
Se utiliza como driver aislado de activacin de transistores o MOSFET tipo
N; funciona pticamente con un led infrarojo y un fototransistor en su interior,
puede aislar hasta 5000Vrms, acepta una corriente mxima de colector de
100mA, en la figura se observa

19 4N25 para activar transistor PNP.

VOW3120
Est formado por un diodo emisor de luz infrarroja acoplada de manera ptica
a un circuito integrado con una etapa de salida de potencia. Este
optoacoplador es ideal para impulsar IGBT y MOSFET de potencia
utilizado en aplicaciones de inversor y control de motor. El voltaje y la
corriente suministrada por este optoacoplador permiten que sean adecuados
para conducir directamente IGBT con rgimenes de hasta 1200 V/100 A, su
voltaje de polarizacin para trabajar puede estar entre 15V y 32V.
 ACPL-H342/ACPL-K342
Es un aislador ptico, ideal para disparo de activacin por compuerta para
IGBT o MOSFET, la velocidad de propagacin es muy buena, el voltaje
necesario para ser polarizado puede variar entre 15V y 30V, puede aislar
entre 3700 y 5000Vrms; en la figura se observa este integrado usado para la
activacin de transistores IGBT.

20 ACPL-H342 para disparar un IGBT.

Fan3227C
Driver para compuerta de MOSFET tipo N, internamente tiene un aislamiento
contra el efecto Miller y a su vez lo reduce en caso de que afecte al circuito
significativamente, se puede alimentar con entre 4,5V a 18V.

Transformador de pulsos encapsulado KMB321

Es un integrado para usar como driver de compuerta de IGBT como
transformador de pulsos o como generador de pulsos de compuerta, algunas
de sus caractersticas son las de la figura.
 Optoacoplador ACPL-P314 o ACPL-W314
Es un integrado para usar como driver de compuerta de IGBT o MOSFET,
tiene corriente mxima de salida de 0,6A y mnima de 0,4A, se alimenta con
un voltaje entre 10 y 30V, tiene un tiempo de propagacin de 0,7s, en la
figura se observa el optoacoplador usado para activar un IGBT que
funciona con red trifsica.
 4. SNUBBERS Y DISEO DE SNUBBERS PARA TRANSISTORES.

Los snubbers tambin conocidos como supresores son una parte esencial en
muchos de los circuitos electrnicos de potencia. Bsicamente podemos
considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se
incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el
estrs elctrico (sobretensin, elevadas prdidas en conmutacin, entre otros.)
durante las conmutaciones y asegurar un rgimen de trabajo seguro.
Son frecuentemente usados en sistemas elctricos con cargas inductivas donde la
interrupcin repentina de flujos de corriente lleva a un aumento pronunciado de
voltaje a travs del dispositivo conmutador de la corriente, de acuerdo con la ley de
Faraday. Este aumento de voltaje, aparte de constituir una fuente de interferencia
electromagntica en otros circuitos, puede ser destructiva para el dispositivo
conmutador si el voltaje generado sobrepasa el voltaje mximo para el cual se
dise. El circuito supresor provee una ruta alternativa de descarga que le permite
al elemento inductivo descargarse de manera controlada. Los supresores tambin
se utilizan para prevenir la formacin de arcos a travs de los contactos de rels o
interruptores y la interferencia o soldado de contactos que puede ocurrir.
Aparecen en aquellos circuitos de potencia donde se incorporan dispositivos
semiconductores trabajando en conmutacin, con la seleccin de un dispositivo
capaz de soportar elevadas magnitudes de tensin y corriente.
La funcin principal de estos es absorber la energa procedente de elementos
reactivos en circuitos durante conmutacin controlando parmetros tales como la
evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores
mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad
de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los
aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin.
 21 . Ejemplo bsico de un snubber.

Gran parte de la prdida de potencia cuando se utilizan transistores se debe a la

conmutacin. Circuitos amortiguadores reducen las prdidas de energa en los
transistores durante la conmutacin y protegerlos de las tensiones de conmutacin
de altas tensiones y corrientes. La conmutacin contribuye a una gran cantidad de
la prdida de potencia cuando se utiliza transistores. Por lo tanto, para conservar la
energa en nuestro circuito es buena idea implementar un circuito de proteccin en
nuestro diseo. La anterior figura muestra una configuracin que se realiz para
proteger el circuito.

Considere la figura anterior sin la adicin del sber. Cuando el transistor est
funcionando en el estado encendido, el diodo D1 est apagado, y el MOSFET est
llevando la corriente de carga. A medida que el transistor se apaga, el diodo
permanece polarizacin inversa hasta que el voltaje Dm transistor, es igual a la
tensin de la fuente Vs y la tensin de carga Val disminuye a 0 V. Cuando la tensin
Vs alcanza transistor, Id aumenta a Ir y el diodo comienza a llevar a cabo mientras
que la corriente MOSFET disminuye a cero. Durante esta operacin hay una regin
donde el MOSFET tiene una corriente que pasa a travs de l y un voltaje a travs
de ella. Por lo tanto, hay un pico de prdida de potencia como se muestra en la
siguiente figura. Un efecto similar se produce cuando el MOSFET se enciende de
nuevo. Hay una acumulacin de tensin y de un flujo de corriente al mismo tiempo.
Estos picos de prdida de poder son indeseables y un circuito de proteccin ayuda
a disminuir sus impactos.
 22 Perdida de la potencia en el circuito anterior.

En cuanto al diseo de snubbers para transistores encontramos las redes de ayuda

a la conmutacin, las cuales sirven para proteger a los transistores mediante la
mejora de su trayectoria de conmutacin. Los tres tipos principales de estas redes
son: redes de bloqueo o apagado, redes de disparo o encendido y redes de sobre
tensin.

RED DE BLOQUEO O APAGADO

Para evitar problemas en el apagado, la meta de una red de bloqueo es proveer un
voltaje cero a travs del transistor mientras la corriente se apaga. Esto se logra
mediante la conexin de una red RCD a travs del transistor, como se muestra en
la figura 1, donde desde un principio se ignoran las inductancias parasitas para as
facilitar la explicacin. Antes del apagado, la corriente del transistor es Io y el voltaje
del transistor es esencialmente cero.
En el apagado en la presencia de esta red, la corriente del transistor ic disminuye
con un di/dt constante e (Io - ic) fluyen en el condensador a travs del diodo de la
red Ds. Por lo tanto, para un tiempo de cada de corriente (tfi) la corriente en el
condensador se escribe como:
RED DE AYUDA A LA CONMUTACIN PARA EL APAGADO DEL TRANSISTOR
Fig. 1. Circuito del snubber de apagado Fig. 2. Su circuito equivalente durante el
transitorio Fig. 3. formas de onda de corriente y voltaje durante el transitorio de
apagado. Las reas sombreadas representan la carga sobre la capacitancia del
snubber durante el apagado que se disipa en el transistor en el siguiente
encendido.

Donde iCs es cero antes del apagado en t = 0. El voltaje del condensador, que es
el mismo que el voltaje a travs del transistor cuando Ds conduce, se describe como:

Que es vlido durante el tiempo de cada de la corriente siempre que el voltaje del
condensador sea menor o igual a Vd. El circuito equivalente se muestra en la figura
2. Las formas de tensin y corriente se muestran en la figura 3 para tres valores de
la capacitancia de la red de ayuda a la conmutacin Cs. Para un Cs pequeo, el
valor voltaje del condensador alcanza a Vd antes de que se termine el tiempo de
cada de corriente.
En ese momento se enciende el diodo de libre circulacin Df y sujeta el condensador
y el transistor a Vd, e iCs cae a cero debido a que dvCs/dt es igual a cero. El
siguiente conjunto de formas de onda en la figura 3 se traza para un valor de
Cs=Cs1, que causa que el voltaje del condensador alcance a Vd exactamente en el
tiempo de cada (tfi); Cs1 se calcula mediante la sustitucin de t = tfi y VCs=Vd en
la ecuacin (3) teniendo lo siguiente:

Para una capacitancia Cs>Cs1, la forma de onda de la figura 3 muestran que el

voltaje en el transistor sube poco a poco y tarda ms que tfi para alcanzar Vd. Ms
all de tfi, la corriente del condensador es exactamente igual a Io y los voltajes del
condensador y del transistor incrementan de forma lineal hasta llegar Vd.

23 Trayectoria de conmutacin durante el apagado con varios valores de la

capacitancia del snubber Cs.

La resistencia Rs se debe seleccionar de manera que la corriente pico a travs de

ella ser menor con la corriente de recuperacin reversa Irr del diodo de circulacin
libre, es decir:

24 Efecto de la capacitancia Cs en el transitorio de apagado con la

resistencia Rs.
El diseador de circuitos suele limitar Irr a 0.2Io o menos de modo que la ecuacin
(5) se vuelve aproximadamente:
Con base a las ecuaciones anteriores se indica que la inclusin de la resistencia Rs
tiene los siguientes efectos benficos durante el encendido del transistor:

Toda la energa del condensador se disipa en la resistencia Rs, la cual

es ms fcil de enfriar que el transistor.
Ninguna disipacin de energa adicional ocurre en el transistor debido al
snubber de apagado.
La corriente pico que el transistor debe conducir no se incrementa debido
al snubber de apagado.
La potencia disipada por Rs es:

Donde fs es la frecuencia de conmutacin; la potencia disipada por el transistor con

el snubber de bloqueo es:

RED DE SOBRETENSIN

En la descripcin del snubber de apagado ignoramos las inductancias parasitas, y

por lo tanto no hubo sobretensin. Las sobretensiones en el apagado debido a
inductancias parsitas, se reducen por medio de un snubber de sobre tensin como
el de la figura 1 suponiendo que se pueden agrupar las inductancias parasitas en
una equivalente L. Al principio, el transistor conduce y el voltaje VCov a travs del
condensador del snubber de sobretensin es igual a Vd. Durante el apagado, si
suponemos que el tiempo de cada de corriente del transistor es breve, la corriente
a travs de L es en esencia Io cuando la corriente del transistor se reduce a cero,
y la corriente de salida se mueve entonces en circulacin libre a travs del diodo de
circulacin libre Df, En esta fase, el circuito equivalente que se muestra en la figura
2, donde la combinacin de Df, Io aparece como cortocircuito y el transistor es un
circuito abierto. Ahora la energa almacenada en las inductancias parasitas se
transfiere al condensador de sobretensin Cov a travs del diodo Dov, y la
sobretensin Vsw a travs del transistor que es la misma tensin en Cov, se
obtiene mediante la sustitucin del condensador precargado por su circuito
equivalente que se muestra en la figura 3.
 RED DE AYUDA A LA CONMUTACIN PARA LA SOBRETENSIN DEL
TRANSISTOR 1) Snubber de sobretensin y 2), 3) su circuito equivalente durante
el apagado del transistor. 4) El voltaje VSW con el snubber y sin l.

A partir de las consideraciones de energa y al notar que VC, ov = Vsw,

obtenemos:

Esta ecuacin demuestra que un valor grande de Cov reduce la sobretensin V

(sw, max). Una vez que la corriente a travs de L disminuye a cero, puede invertir
su sentido debido a la resistencia Rov, y la sobre tensin en el condensador se
reduce a Vd a travs de Rov. La constante de tiempo de descarga del condensador
( = RovCov) debe ser lo bastante pequea para que el voltaje del condensador
disminuya aproximadamente a Vd antes del siguiente apagado del transistor.
Para ayudar a la estimacin del valor correcto de Cov las formas de onda del circuito
con el snubber de sobretensin y sin l se muestran en la figura 4. Con la
sobretensin observada de kVd sin snubber de sobretensin se estima L como:
Si es aceptable una sobretensin por ejemplo de V (sw, max) =0.1Vd, y
reemplazando en las dos ecuaciones anteriores tenemos por resultado:

O en trminos de Cs1:

Lo que demuestra que se necesita de una capacitancia relativamente alta para la

proteccin de sobre tensin en comparacin con los valores que se usan en el
snubber de bloqueo. Tanto los snubber de apagado como el de proteccin de
sobretensiones deben usarse en forma simultnea.

RED DE DISPARO O ENCENDIDO

En mayora de interruptores controlables, como BJT, MOSFET, GTO e IGBT se

usan snubber de encendido solo para reducir las prdidas por conmutacin con
altas frecuencias y para limitar la mxima corriente de recuperacin reversa del
diodo. Los snubber de encendido trabajan mediante la reduccin de voltaje a travs
de interruptor (transistor) conforme se acumula la corriente. Un snubber de
encendido est en serie con el transistor como muestra la figura 1, o en serie con el
diodo de libre circulacin. En ambos circuitos, las formas de ondas de conmutacin
del encendido y apagado a travs de transistor y el diodo de libre circulacin son
idnticas. La reduccin de voltaje del transistor durante el encendido se debe a la
cada de voltaje a travs de Ls. Esta reduccin esta daba por la siguiente ecuacin:

Donde tri es el tiempo de subida de la corriente, como se ve en la figura 2, para

valores pequeos de Ls. Para valores tan pequeos, di/dt se dicta solo por
el transistor y su circuito de accionamiento base. Y suponemos que es el mismo que
sin snubber de encendido. Por lo tanto, la corriente pico de recuperacin reversa
del diodo es tambin la misma que sin el snubber de encendido. Si es importante
reducir la corriente pico de recuperacin reversa del diodo, se logra con un valor
grande de Ls, como se demuestra por las formas de onda en la figura 3.
Para la seleccin de RLs debemos considerar dos factores. Primero durante el
apagado del transistor, este snubber de encendido genera una sobretensin al
travs del transistor dado por:
En segundo trmino, durante el estado inactivo, la corriente del inductor debe
desintegrarse a un valor bajo, por ejemplo, 0.1Io, por lo que el snubber puede ser
efectivo durante el siguiente tiempo de encendido. Por lo tanto, el intervalo mnimo
para el estado inactivo del transistor es:

RED DE AYUDA A LA CONMUTACIN PARA EL ENCENDIDO DEL

TRANSISTOR 1) en serie con el transistor(izq.) y en serie con el diodo de libre
circulacin (der.) 2) Formas de onda de voltaje y corriente del transistor para
valores pequeos Ls y 3) para valores grandes de Ls.

La potencia disipada por la resistencia RLs es:

Y la potencia disipada por el transistor con el snubber de disparo ser:

De este modo, una inductancia grande produce grandes voltajes de encendidos ms
bajos y perdidos por encendido ms bajas. Pero esto causa sobretensiones durante
el apagado, alarga el intervalo mnimo requerido en estado inactivo y provoca
prdidas ms grandes en el snubber. Por lo tanto, Ls y RLs se deben seleccionar
conforme a las soluciones negociadas que acabamos de mencionar, segn el
procedimiento parecido al que describimos con el snubber de apagado.

25 Snubber RC

Snubber RC optimizado: En estos casos donde la disipacin de potencia es crtica,

se debera usar un mtodo de diseo ptimo. Primero, mida la frecuencia de
oscilacin transitoria (Fring) en el nodo del interruptor MOSFET (SW) cuando se
apague. ponga un capacitor con ESR baja, de 100 pf y de tipo pelcula a lo largo del
MOSFET. Aumente la capacitancia hasta que la frecuencia de oscilacin transitoria
sea la mitad del valor original medido. Ahora el total de capacitancia de salida del
interruptor (la capacitancia agregada ms la capacitancia parsita original) es
aumentada por un factor de cuatro, ya que la frecuencia de oscilacin es
inversamente proporcional a la raz cuadrada del producto de capacitancia de
inductancia del circuito. Por lo tanto, la capacitancia parsita Cp es un tercio del valor
del capacitor agregado de manera externa. La inductancia parsita L p ahora se
puede obtener al usar la siguiente ecuacin:

Una vez que se calculen la inductancia parsita Lp y la capacitancia parsita Cp, el

resistor amortiguador Rsnub y el capacitor Csnub se pueden elegir mediante el
siguiente clculo.
6. ANLISIS INVERSOR MONOFSICO DE ONDA CUADRADA Y MUESCAS:
CARGA R
INVERSOR MONOFSICO DE ONDA CUADRADA:
Es el esquema de conmutacin ms sencillo. Este esquema de modulacin utiliza
el inversor de puente completo (full-bridge) para generar una onda cuadrada en la
carga. En este caso los interruptores conectan la carga en +Vd cuando S1 y S4
estn cerrados (con S2 y S3 abiertos) y a -Vd cuando S2 y S3 estn cerrados (con
S1 y S4 abiertos).
La conmutacin peridica de la tensin de la carga entre +Vd y -Vd produce una
tensin con forma de onda cuadrada. Esta onda alterna no es sinusoidal pura, se
puede utilizar en algunas aplicaciones. Se puede utilizar en aplicaciones de baja
potencia como iluminacin o electrodomsticos.
El oscilador de onda cuadrada se puede realizar con un oscilador de relajacin del
tipo aestable, realizado con dos transistores, amplificador operacional o el clsico
circuito integrado 555, en conexin aestable.
Los inversores de onda cuadrada son ms baratos, pero son tambin los menos
eficientes. Estos inversores producen demasiados armnicos que generan ruidos.
Esta seal no sirve si se quiere implementar en aplicaciones de alta potencia.
La forma de onda de la corriente en la carga es la que depende de los componentes
que tenga la carga.

26 Forma de Onda de Voltaje a la salida del Inversor

En la figura se observa el voltaje de salida para un inversor de onda completa con
modulacin por onda cuadrada. El problema con esta modulacin es que no se
puede controlar la amplitud ni el valor eficaz del voltaje de salida. La nica manera
de poder ajustar la amplitud seria tener una tensin de entrada Vd variable. El
espectro de Fourier de la onda cuadrada presenta los armnicos impares y con una
disminucin de la amplitud proporcional a la frecuencia de estos.

27 Anlisis de espectro de frecuencias para un inversor monofsico de onda

cuadrada

Formas de onda de voltaje y corriente a la salida de un inversor con carga R

Es importante resaltar que, debido a que la carga es puramente resistiva la forma
de las seales de corriente y voltaje es la misma.
Parmetros del circuito con carga R
Voltaje RMS

Potencia en la Carga

En inversores es muy til usar la transformada en serie de Fourier para algunos

clculos:

La seal de salida y la composicin armnica de esta se puede observar en la

siguiente imagen
 28 Contenido armnico de la salida de un inversor de onda cuadrada con
carga R

Por Muescas:
Aunque con esta configuracin se duplica el nmero de conmutadores en relacin
al inversor en puente completo, cada uno de estos conmutadores slo debe de
soportar una tensin de bloqueo igual a Vdc/2. La implementacin prctica de esta
disposicin no es muy realista a causa de las dos fuentes de tensin de entrada
aisladas. Por tanto, se podra realizar una conexin a partir de una sola fuente de
tensin, pero aadiendo un transformador en la parte alterna con los secundarios
en serie, tal como se muestra a continuacin:

Se ha visto que en el control del voltaje de salida de los inversores se requiere variar
tanto la cantidad de pulsos por medio ciclo como los anchos de pulso que se
generan con las tcnicas de modulacin. El voltaje de salida contiene armnicas
pares en el espectro de frecuencias. En algunas aplicaciones se requiere un voltaje
fijo o bien uno variable de salida, pero ciertas armnicas son indeseables con la
reduccin de ciertos efectos, como par armnico y calentamiento en motores. As
como interferencias y oscilaciones.
Desplazamiento de fase: indica que la n-sima armnica se puede eliminar con una
eleccin adecuada del ngulo de desplazamiento si:

0 sea

Muescas de voltaje bipolar de salida: Se puede eliminar un par de armnicas no

deseadas en la salida de inversores monofsicos introduciendo un par de muescas
bipolares de voltaje como se ve en la figura

Bibliografa
http://www-app.etsit.upm.es/departamentos/teat/asignaturas/lab-
ingel/modulacion_pwm_pmdc_v4.pdf
http://dspace.ups.edu.ec/bitstream/123456789/3280/1/UPS-CT002536.pdf
http://www.ixys.com/documents/appnotes/ixan0009.pdf
https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-6069.pdf
http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/6295/07Prc07de09.pdf;jsessionid
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 Electrnica de potencia, Rashid.
https://es.wikipedia.org/wiki/Circuitos_de_ayuda_a_la_conmutaci%C3%B3n
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http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema7/Paginas/Pagina
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http://perso.wanadoo.es/luis_ju/edigital/qnpn_pnp.html
http://www.digikey.com/es/articles/techzone/2014/aug/resistor-capacitor-rc-
snubber-design-for-power-switches
http://www.ece.uvic.ca/~elec499/2003a/group14/product.htm
http://www.cenidet.edu.mx/subaca/web-elec/tesis_mc/171MC_jpmp.pdf
http://documents.tips/documents/041-projeto-de-filtros-lc-de-inversores-
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http://www.cenidet.edu.mx/subaca/web-elec/tesis_mc/147MC_cass.pdf