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INTRODUO

Este documento apresenta um relatrio sobre prticas realizadas na disciplina de

Laboratrio de Circuitos Eletrnicos I na Universidade de Santa Cruz do Sul UNISC. Est
feito de modo a apresentar primeiramente toda a fundamentao terica que tem por meio
confronta-las com os resultados obtidos durante as prticas de laboratrio.

Temos tambm a apresentao de caratersticas e diferenas entre diferentes circuitos

de um mesmo assunto, ressaltando vantagens e desvantagens de cada uma delas em relao as
outras.

O objetivo deste relatrio demonstrar todo o conhecimento que foi adquirido durante
as disciplinas de Fundamentos de Eletrnica, Circuitos Eletrnicos I e aperfeioamento para
Circuitos Eletrnicos II, com isso coloc-lo em prtica com a utilizao da bancada didtica
COM3LAB atravs de experincias propostas pela mesma.
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REFERENCIAL TERICO

Diodos

O dodo um componente eletrnico semicondutor fundamental que tem como

caracterstica mais importante, permitir que a corrente circule apenas num sentido.

Quando o dodo est polarizado diretamente, conduz e permite circular a corrente. Na

prtica ainda existe um fator intrnseco do semicondutor que chamada de barreira de potencial,
onde o diodo (polarizado diretamente) s passa a conduzir quando a tenso ultrapassa esta
barreira.

Quando polarizado reversamente, os portadores majoritrios se afastam da juno,

no permitindo que haja um fluxo de corrente dentro do semicondutor, impedindo a
passagem de corrente.

Polarizao inversa Polarizao direta

A lmpada no acende A lmpada acende

Diodo de Silcio e Germnio

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Diodos retificadores so dispositivos eletrnicos utilizados para controlar o fluxo de
corrente em uma direo dentro de um circuito eltrico. Dois materiais comumente utilizados na
fabricao desses componentes so o silcio e o germnio. Embora realizem funes semelhantes,
existem algumas diferenas entre os dois que devem ser levadas em considerao antes de instalar
um ou o outro em um circuito.

Diodos de silcio

A fabricao de um diodo de silcio comea com o elemento purificado. Cada lado do

componente recebe impurezas (boro no nodo e arsnico ou fsforo no ctodo) e a juno em que
elas se encontram chamada de "juno P-N". Os diodos de silcio apresentam uma tenso de
polarizao de 0,7 volts. Assim que a tenso diferencial entre o nodo e o ctodo atinge 0,7 volts,
o diodo comea a conduzir corrente atravs da juno P-N. Quando a tenso cai abaixo desse
valor, a juno para de conduzir e o componente no funcionar como um caminho para a
eletricidade. Pelo silcio ser relativamente fcil de se obter e barato de processar, os diodos desse
tipo so mais predominantes que os de germnio.

Diodos de germnio

Os diodos de germnio so fabricados de maneira similar aos de silcio. Tambm utilizam

uma juno P-N e so aplicadas as mesmas impurezas utilizadas nos diodos de silcio. No entanto,
os diodos de germnio possuem uma tenso de polarizao de 0,3 volts. O germnio um material
raro, normalmente encontrado com depsitos de cobre, chumbo ou prata. Por causa de sua
raridade, ele mais caro, o que torna os diodos fabricados a partir desse material mais difceis de
se encontrar (e, s vezes, mais caros) do que os diodos de silcio

Qual diodo deve-se usar?

Os diodos de germnio so melhor usados em circuitos de baixa potncia. A baixa tenso

de polarizao resulta em uma perda menor de energia e permite que o circuito seja eletricamente
mais eficaz. Esses diodos tambm so apropriados para circuitos de preciso, nos quais as
variaes de tenso devem ser mantidas em um nvel mnimo. No entanto, eles so danificados
mais facilmente do que os diodos de silcio. Os diodos de silcio so excelentes para uso geral e
podem ser usados em praticamente todos circuitos eltricos em que um diodo necessrio. Eles
so mais durveis que os diodos de germnio e muito mais fceis de se obter. Embora o germnio
seja mais adequado para circuitos de preciso, normalmente prefervel o uso de um diodo de
silcio durante a criao de um circuito, a menos que haja uma necessidade especfica para o uso
do diodo de germnio.
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O grfico abaixo um resumo geral do funcionamento do diodo, onde por exemplo,
quando o diodo est polarizado diretamente, no h uma corrente significante enquanto a tenso
no diodo no for maior do que a barreira de potencial. Por outro lado, quando o diodo est
polarizado reversamente no h corrente inversa no diodo enquanto a tenso no diodo no atingir
a tenso de ruptura. Depois, a avalanche produz uma corrente inversa alta destruindo o diodo.

Fgura 2: Grfico caracterstico do diodo.

A anlise de circuitos com diodo geralmente se resume em determinar se a tenso no

diodo maior ou menor do que a tenso de joelho, caso seja maior ele conduz intensamente e
se for menor conduz fracamente. A tenso de joelho no diodo de silcio definida em
aproximadamente 0.7V. Considerando que as caractersticas de funcionamento do diodo de
germnio e silcio so muito similares, o diodo de germnio difere principalmente da tenso
de joelho, sendo uma tenso menor que a do diodo de silcio, definida em aproximadamente
0.3V.

Quando aplicado nos diodo uma tenso maior que a tenso de joelho, a corrente
aumenta rapidamente. Onde pequenos aumentos na tenso do diodo causam grandes
aumentos na corrente do diodo. Aps a tenso ultrapassar a barreira de potencial o que
impede a passagem da corrente a resistncia hmica das regies p e n. essa resistncia hmica
chamada de resistncia de corpo do diodo, essa resistncia depende do tamanho das
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regies p e n, e de quo dopadas quimicamente elas so. Em geral a resistncia de corpo
menor que 1 ohm.

A corrente mxima que pode circular em um diodo quando polarizado diretamente

determinada pelo fabricante, pois se a corrente for muito alta, o calor excessivo pode destruir
ou danificar o componente. desnecessrio dizer que a principal aplicao dos diodos de juno
a retificao de tenses alternadas. H outros tipos para finalidades especficas, alguns dos
quais so vistos nos prximos tpicos apresentados.
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Diodo Zener

Os diodos de pequeno sinal e retificadores nunca so operados intencionalmente na

regio de ruptura, pelo fato de este tipo de operao danificar o componente. O diodo zener, por
sua vez, apresenta uma dopagem especfica que o torna apto a trabalhar na regio de ruptura
sem danifica-lo. Quando na polarizao direta, se apresenta como um diodo de silcio normal.

O diodo zener pode ser fabricado para trabalhar com nveis de tenso de ruptura de
aproximadamente 2V a valores acima de 1000V. O que faz com que a faixa de tenso de ruptura
do diodo varie o nvel de dopagem do diodo. O diodo zener pode operar em qualquer
uma das trs regies: direta, de fuga e de ruptura.

No grfico da figura 3 podemos observar o funcionamento do diodo Zener nas trs

regies de operao com destaque na rea de polarizao inversa. Na regio direta, ele comea
a conduzir prximo de 0.7V, exatamente como um diodo de silcio comum. Na regio de fuga
(entre zero e a ruptura), a corrente nele baixa e reversa. No diodo zener, a ruptura apresenta a
curva do joelho muito acentuada, seguida de uma linha quase vertical na corrente. possvel
observar que a tenso quase constante aproximadamente igual a V sobre a maior parte da
regio de ruptura.

Na prtica este efeito, chamado efeito Zener amplamente utilizado para regular
nveis de tenso, pois atingido a tenso de ruptura, ela estabilizada e se mantem com o aumento
da corrente.
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Figura 3: Caracterstica do diodo Zener.

Diodos zener comerciais so produzidos com tenses desde cerca de 4 volts at algumas
centenas de volts. So amplamente utilizados para fornecer tenses de referncia (constantes) em
fontes estabilizadas e outros circuitos.

Figura 4: configurao bsica de um diodo de juno

O circuito da Figura 4 uma configurao bsica com o smbolo um pouco diferente do

diodo de juno, onde o diodo zener deve operar sempre na polarizao inversa. Afirmando que
a tenso zener do diodo seja por exemplo 5,6 V (um valor comercialmente disponvel). Se a tenso
varivel da fonte (V) se mantm acima de 5,6 V, a tenso Vz do circuito ser sempre 5,6 V para
qualquer valor da tenso da fonte. evidente que o valor de V no pode subir indefinidamente.
Fica limitado pela corrente mxima (Iz max na Figura 3) que o diodo zener pode suportar.
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Diodo Emissor de Luz (LED)

Ao passar por uma juno PN, eltrons sofrem transies de nveis de energia e, de
acordo com princpios da fsica quntica, devem emitir alguma radiao. Semicondutores de
germnio, de silcio e outros comuns no emitem radiao visvel. Mas ela emitida por alguns
semicondutores de compostos qumicos, como arsenieto de glio, fosfeto de glio e ndio, etc
sendo assim o fabricante pode produzir LEDs que irradiam as luzes vermelha, verde,
amarelo, azul, laranja ou infravermelho.
Leds so simplesmente diodos de semicondutores desses tipos envolvidos por embalagem
translcida
O diodo led deve ser diretamente polarizado para emitir luz, com isso os eltrons livre
cruzam a juno e caem nas lacunas. Como esses eltrons passam de um nvel de energia
mais alto para um nvel de energia mais baixo, eles irradiam energia. J nos diodos comuns
tambm h uma liberao de energia, s que em forma de calor.
A Figura 5 d um circuito bsico referente ao Diodo Emissor de Luz.

Figura 5:circuito bsico Diodo Emissor de Luz

Para a determinao de R uma vez conhecido V, pode-se supor corrente mxima de 20
mA e tenso no diodo de 2 a 2,5 volts.
A tenso inversa mxima da maioria dos leds pequena, de forma que uma inverso de polaridade
com alguns volts pode ser suficiente para danificar.

Para a maioria dos LEDs encontrados no mercado a tenso tpica de 1.5V a 2.5V e
corrente entre 10mA e 50mA. A queda de tenso exata depende da corrente no LED, da cor,
da tolerncia etc.

Os LEDs tm tenses de ruptura muito baixas, variando entre 3V e 5V, por esse
motivo eles so facilmente danificados se polarizados reversamente.
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Diodo Schottky

Os diodos de barreira Schottky ou de barreira de superfcie so construdos de uma maneira

diferente da juno p-n convencional. O semicondutor normalmente de silcio tipo n (embora
em algumas ocasies se utilize silcio tipo p), e vrios metais so utilizados, como molibdnio,
platina, cromo ou tungstnio. Em ambos os materiais, o eltron o portador majoritrio. No metal,
o nvel de portadores minoritrios (vacncias ou buracos) insignificante.

Com a juno dos materiais, os eltrons do semicondutor de silcio tipo n migram

imediatamente para o metal agregado, estabelecendo, assim, um fluxo intenso de portadores
majoritrios. Como os portadores injetados tem um nvel de energia cintica muito alto comparado
aos eltrons do metal, eles so chamados de portadores quentes. Os diodos Schottky so nicos,
j que a conduo realizada apenas por portadores majoritrios, pois os eltrons so injetados
em uma regio com a mesma pluralidade de eltrons. O fluxo intenso de eltrons para o metal cria
uma regio prxima superfcie de juno com depleo de portadores, no material de silcio. Os
adicionais no metal estabelecem neste uma parede negativa, na fronteira entre os dois materiais.
O resultado disso uma criao de uma barreira na superfcie, impedindo qualquer fluxo de
corrente. Ou seja, os eltrons no material de silcio enfrentam uma regio de portadores livres a
uma parede negativa do metal.

Na polarizao direta a diferena entre os nveis de energia do metal e do semicondutor

provoca o aparecimento de uma corrente no sentido do semicondutor para o metal, e na
polarizao reversa o aumento da barreira de potencial impede a conduo de corrente.

A aplicao de uma polarizao direta reduz a fora da barreira negativa, atraindo os

eltrons dessa regio pelo potencial positivo aplicado. O resultado a reduo do fluxo intenso
de eltrons atravs da juno, controlado agora pelo nvel de potencial aplicado. A barreira na
juno de um diodo Schottky menor do que a encontrada em dispositivos de juno p-n, tanto
na regio diretamente polarizada como na inversamente polarizada. Um diodo Schottky, quando
diretamente polarizado, apresenta uma barreira de potencial de apenas 0,25 V.

Porm, o dispositivo fica limitado quando se aplica alta corrente reversa, pois acaba
resultando em baixos valores da tenso reversa de ruptura.

Os diodos Schottky possuem caractersticas distintas como, a altura da barreira de

potencial (depleo), corrente de conduo reversa e a possibilidade de operar em altas
frequncias (a figura 1 mostra a diferena do Diodo Schottky e um diodo de juno p-n para essa
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funo), j que a corrente neste dispositivo principalmente resultante do fluxo de portadores
majoritrios.

Figura 6: Diferena do Diodo Schottky e um diodo de juno p-n

O diodo Schottky atua da mesma forma que um diodo de silcio normal, entretanto sua
caracterstica que o faz se diferenciar do diodo normal uma maior acentuao na curva de
conduo aps ultrapassar a barreira de potencial.

Sendo assim so utilizados em circuitos que trabalham com altas frequncias e de alta
velocidade de comutao, uma vez que apresentam uma taxa de transio entre conduo e
bloqueio muito maior.

Diodos de metal e semicondutor atuais, chamados diodos schottky, so obtidos pela

deposio, por evaporao ou por meios qumicos de uma camada metlica sobre a superfcie de
um semicondutor. Normalmente h uma camada de xido na borda para evitar alguns efeitos
indesejveis do campo eltrico mais intenso nessa parte.

A Figura 7 (b) d uma ideia do dispositivo e o smbolo eltrico usual.

Figura7: Dispositivo Schottky smbolo eltrico

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O principal destaque do diodo schottky o menor tempo de recuperao, pois no h
recombinao de cargas do diodo de juno. Outra vantagem a maior densidade de corrente, o
que significa uma queda de tenso direta menor que a do diodo comum de juno. A contrapartida
uma corrente inversa maior, o que pode impedir o uso em alguns circuitos.
Segue as vantagens e desvantagens de um Diodo Schottky.

Vantagens
Velocidade de comutao muito rpida
Queda de tenso no sentido direto praticamente nula (alguns microvolts)
Desvantagens
No suportam temperaturas elevadas (125 a 175, bem menos que os 200 dos diodos
comuns de silcio).
No podem ser fabricados com altas tenses inversas
Tem elevadas correntes de fuga no sentido inverso

Os diodos Schottky so dispositivos eletrnicos criados a partir da juno de um metal a

um semicondutor, onde ambos possuem portadores majoritrios de cargas negativas (eltrons).
Este fato nos ajuda a entender a razo do uso do dispositivo em faixas de alta frequncia, pois,
no havendo cargas armazenadas o diodo pode entrar em corte mais rpido que um diodo comum.
So aplicados e produzidos de acordo com a finalidade desejada, podendo ser utilizados diversos
tipos de metais, e, para melhor rendimento algumas estruturas podem auxiliar no funcionamento
do dispositivo eletrnico.
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ANLISE PRTICA

Diodos

No item que apresenta circuitos prticos com diodos na bancada didtica COM3LAB,
nos foram apresentados inicialmente circuitos com trs tipos de diodos. Sendo eles: Diodo de
silcio, Diodo de Germnio e Diodo Schottky.

A figura mostra a aplicao utilizada para os experimentos das caractersticas do

conduo e bloqueio dos diodos.

Figura : Circuito com diodos.

Onde nos era proposto que fizssemos as ligaes como cada um dos diodos da seguinte
forma:

Diodo de Silcio:

Figura 21: Ligao de instrumentos no circuito com diodo de silcio.

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Neste caso foi aplicada uma tenso Vcc=10V aumentada gradativamente a partir de
0V (conforme sentido de polarizao direta) e obtivemos uma curva de polarizao do diodo
conforme mostra a figura.

Figura : Medida prtica da resposta do diodo de silcio.

Podemos notar que o incio da conduo do diodo se d em aproximadamente 0,7V,

comprovando a teoria analisada anteriormente. E que para tenses negativas, h-se o bloqueio
da corrente.
Analisando o circuito a baixo podemos ver que foi fechado o circuito eltrico inserindo
uma ponte entre a fonte de tenso e o diodo de silcio.

Figura : Ponte entre fonte de tenso e diodo de silcio

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Diodo de Germnio:

Figura: Ligao de instrumentos no circuito com diodo de germnio.

Da mesma forma que o diodo de silcio, o diodo de germnio foi testado, onde a tenso
triangular provida pelo gerador de funes simula a elevao e a diminuio de um sinal de
tenso e apresentando as seguintes caractersticas de conduo/bloqueio:

Figura : Curva caracterstica do diodo de Germnio.

Podemos perceber que a polarizao neste caso acontece um pouco antes se

comparada ao diodo de silcio. Onde neste caso necessita apenas de 0,3V para iniciar sua
conduo.

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Diodo Schottky:

Figura : Ligao de instrumentos no circuito com diodo Schottky.

O diodo Schottky apresentou uma barreira de potencial intermediria entre o diodo de

Silcio e o de Germnio (conforme figura seguinte), porm a bancada didtica COM3LAB no
nos proporcionou a experincia de comprovar a efetiva funcionalidade da capacidade de
trabalhar em altas frequncias que o Schottky possui.

Figura : Curva caracterstica do diodo Schottky.

A comparao das caractersticas dos diodos de silcio e Schottky revela que o diodo
Schottky tem uma baixa tenso de limiar, e quando a mesma excedida, as elevaes das
correntes so quase to ntidas quanto no caso do diodo de silcio.
Devido a essas propriedades, os diodos de Schottky geram baixas perdas de potncia
quando polarizados diretamente, e so consequentemente satisfatrios para uso como vlvulas
de corrente em conversores estticos.
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Na anlise do diodo Zener o mais importante descobrirmos o comportamento do

semicondutor na regio de ruptura. Neste caso foi aplicado uma tenso alternada de modo que
fosse possvel analisar o comportamento proposto.
A figura a seguir faz um exame dos itens mais importantes tratados pelo capitulo at o
momento e traz uma forma de reviso sobre tudo o que foi proposto.

Chega-se a uma concluso que a partir de uma certa tenso inversa, todos os diodos
exibem um ponto de ruptura. Considerando que no caso de um diodo Standard a ruptura
acontece a uma tenso inversa alta e destri o diodo no processo, um diodo Z permite uma
ruptura controlada a baixas tenses inversas. Devido a esta caracterstica especial, diodos Z so
extremamente satisfatrios para uso em circuitos com tenses estabilizando.

A figura a seguir mostra o circuito prtico montado para que se fosse feito o
experimento para obter a caracterstica de um diodo Zener.
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Figura: Circuito prtico para testar comportamento do diodo Zener.

Na figura podemos observar o comportamento completo deste tipo de diodo, onde vemos
o ponto de ruptura e aps ele a livre conduo de corrente.
Na anlise da prxima figura proposta podemos ver uma tenso triangular provida
pelo gerador de funes onde simula a elevao e o decaimento do sinal de tenso, permitindo
assim provar a caracterstica proposta.

Figura: Curva caracterstica do diodo Zener.

Para este diodo obtivemos uma tenso de ruptura de aproximadamente 5,1V, que trata-
se de uma tenso bastante utilizada e disponvel comercialmente. Um ponto de ruptura na tenso
evidente, e a tenso a qual est ruptura acontece chamado tenso de ruptura. Uma aplicao
importante de diodos Zener a estabilizao da tenso.
A figura a seguir traz um exame dos itens mais importantes propostos pela bancada at
o momento com uma forma de reviso
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Figura: caractersticas de um diodo Zener

A figura a seguir mostra o ponto de operao de um diodo Zener que se caracteriza pelo
ponto onde a curva do multiplicador intercepta as caractersticas do mesmo. O ponto
operacional deve ser localizado mais a diante dentro da variao de tenses negativas contra a
tenso de ruptura, por que a corrente pelo diodo Zener igual a corrente que flui pelo resistor.

Figura: Ponto de Operao de um diodo zener

Outro tipo de diodo testado na prtica atravs do COM3LAB foi o diodo emissor de
luz (LED). Este por sua vez apresenta diferentes valores para a tenso de conduo para suas
diferentes cores.

A figura a seguir mostra o circuito montado e testado na prtica. Onde temos um LED
vermelho e outro verde. Cada um destes leds foi testado separadamente utilizando o instrumento
conforme mostrado na figura a seguir.

Figura : Circuito para testar caractersticas dos LEDs.

Na figura a seguir vemos a caracterstica de conduo de cada um dos Leds. Onde

podemos perceber que h uma pequena diferena, sendo aproximadamente 0,2V
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Para a barreira potencial dos dois. Este fato se deve ao diferente nvel de dopagem que
feito para se obter cada cor, onde algumas cores so favorecidas e possuem menor barreira de
potencial.

Figura: Diferenas de tenso de conduo entre LEDs vermelhos e verdes.

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REFERNCIAS

BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e teoria de

circuitos. 8. Ed.

MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrnica v1. 7. ed.

MALVINO, A. P. e LEACH, D. P. Eletrnica Digital - Princpios e Aplicaes, Vol. 1, So Paulo:

Editora McGraw-Hill, 1987.

Material da Internet:

http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_210.shtml Acesso em 11 de maro de 2016.

http://www.ehow.com.br/caracteristicas-diodos-silicio-germanio-lista_66314/ Acesso em 11 de
maro de 2016.
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