Teora de bandas

La teora de bandas permite explicar la conduccin de electricidad en los metales.

En estos materiales las bandas de valencia (la ltima completamente ocupada por
electrones a baja temperatura) y de conduccin (la primera completamente vaca a
baja temperatura) se cruzan, permitiendo que los electrones en estados de
valencia se muevan como si fueran libres saltando a estados de conduccin. Para
explicar el por qu se requieren ciertos conocimientos de fsica cuntica.

Los niveles energticos de un electrn en un tomo se duplican en una molcula

binaria, se triplican en una ternaria, y as sucesivamente se van multiplicando de
forma sucesiva conforme se aaden tomos en un slido. El resultado es que para
trillones de tomos tenemos trillones de estados energticos disponibles para los
electrones.

Para simplificar se supondr un sistema en una sola dimesin. Imagina un electrn

entre dos tomos cuyos centros se encuentran en las posiciones (arbitrarias) +2 y
2. Su funcin de onda cuntica puede ser de dos tipos: simtrica,
estado bonding-bonding (figura izquierda, curva en negro), o antisimtrica,
estado bonding-antibonding (figura izquierda, curva en rojo discontinua). La
probabilidad de localizar el electrn es el cuadrado de su funcin de onda.

Como muestra la figura de la derecha, en apariencia ambos estados tienen la

misma distribucin de probabilidad, con una regin prohbida en la parte central
(en la que la probabilidad es muy pequea). Ampliando la zona central se observa
una pequea diferencia entre ambos (ver inciso en la figura de la derecha
comparando la curva negra y la roja discontinua). Esta pequesima diferencia
impide que la energa de ambos estados sea degenerada, es decir, ambos estados
deben tener una energa similar, pero diferente.

De hecho, si hay dos electrones en lugar de uno, ocuparn estos dos estados
diferentes sin problemas con el principio de exclusin de Pauli gracias a su
diferencia de energa.

En el caso de un electrn y tres tomos

tenemos tres posibles estados no
degenerados: bonding-bonding-bonding
(curva en negro), bonding-antibonding-
bonding (curva en verde) y bonding-
bonding-antibonding (curva en rojo);
otras combinaciones son degeneradas
con respecto a stas. Adems,
aparecen dos puntos (o zonas)
prohbidas entre ellos, en los que la
probabilidad de localizar el electrn es
muy pequea.

Las probabilidades de los tres estados posibles son parecidas, pero muestran
pequeas diferencias en los nodos (zonas prohibidas) entre los tomos. Conforme
tenemos ms tomos el nmero de posibles estados crece proporcionalmente al
nmero de tomos y tambin crecen el nmero de puntos prohibidos. Como sus
energas deben ser diferentes por el principio de exclusin de Pauli aparecer una
estructura de bandas casi continuas con regiones prohibidas entre ellas. Dentro de
una banda las diferencias entre las distribuciones de probabilidad son muy
pequeas entre todos los estados posibles, luego las diferencias entre las energas
de dichos estados son muy pequeas. En la prctica las bandas son continuas. Lo
ms interesante es que aparecen bandas prohibidas prohibidas que corresponden
a las regiones donde la probabilidad de localizar a los electrones entre tomos es
muy pequea.

PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRON Y EL HUECO

En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la

existencia de electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones
los responsables de la corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen
de un enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es ms complejo,
y para su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco.
1 GENERACION TERMICA DE PORTADORES. EL ELECTRON Y EL HUECO

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la

energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:

a. Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia

de un campo elctrico.
b. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga
negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco.

Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni

perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor
nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales,
porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un
semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se
denomina intrnseco.

Recapitulando, los semiconductores se diferencian:

de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el

semiconductor que en el aislante. As a temperatura ambiente el primero
dispone ya de portadores libres.
de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores
de carga: el electrn y el hueco.

En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a

temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta
resistividad.

2 RECOMBINACION DE PARES ELECTRON-HUECO

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho".

Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar
atrapado en l. A este fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la
desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior,
el material mantiene su neutralidad elctrica.

3 IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES

En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones

pueden alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos
llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina.

La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0

K consideramos la presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que
sustituimos un tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo
(grupo V), pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces
covalentes con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre.
Teniendo en cuenta esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un
tomo de silicio por otro de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por
ejemplo: evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres
electrones de valencia. Las dos situaciones se clarifican en la Figura 2.
 Figura 2: Introduccin de impurezas en el silicio

Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden

modificarse las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se
habla de dopado tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan
huecos o electrones respectivamente.

Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que

cero este material estar formado por:

Huecos procedentes del dopado.

Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.

Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos

procedentes de l superan en varios rdenes de magnitud al resto de portadores.
Ello confiere el carcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta
que existen electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y
los electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores
mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla
siguiente se pretende rematar estos conceptos.

Material Portadores mayoritarios Portadores minoritarios

Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global
del material.
SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son elementos materiales cuya conductividad elctrica varia

entre ser un aislante y un conductor.

Variacin de la Conductividad

Conductor

Cuando posee una gran cantidad de electrones, los cuales permiten el flujo de
electrones entre sus tomos.

Aislante

En este caso, su cantidad de electrones es mnima, impidiendo el flujo de

electrones.

Tipos de Semiconductores

S. INTRINSECOS

Cristal de silicio o germanio en estado puro.

Todos sus tomos poseen una misma estructura.
tomo que no posee impurezas

S. EXTRINSECOS

Sus tomos poseen impurezas.

Posee tomos de diferentes materiales (aleaciones).
Dependiendo de la impureza, se divide en dos clases:
S. Tipo P.
S. Tipo N.

Dopaje en semiconductores

se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un

semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (tambin referido
como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas
utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.

La adicin de un pequeo porcentaje de tomos extraos en la red cristalina regular

de silicio o germanio, produce unos cambios espectaculares en sus propiedades
elctricas, dando lugar a los semiconductores de tipo n y tipo p.

Impurezas pentavalentes

Los tomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen semiconductores de

tipo n, por la contribucin de electrones extras.

Impurezas trivalentes
Los tomos de impurezas con 3 electrones de valencia, producen semiconductores de
tipo p, por la produccin de un "hueco" o deficiencia de electrn.

Semiconductor Tipo N

Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin
de electrones sin huecos
asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o
entregan electrones y sern de valencia cinco como el Arsnico y el Fsforo
La adicin de impurezas pentavalentes como el antimonio, arsnico, o fsforo, aportan
electrones libres, aumentando considerablemente la conductividad del semiconductor
intrnseco. El fsforo se puede aadir por difusin del gas fosfina (PH3).

Semiconductor Tipo P
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de
huecos sin que aparezcan, como ocurre al romperse una ligadura, electrones asociado
s a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman
aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn, y sern de valencia tres como el Alu
minio, el Indio o el Galio.
La adicin de impurezas trivalentes tales como boro, aluminio, o galio a
un semiconductor intrnseco, crean unas deficiencias de electrones de valencia,
llamadas "huecos". Lo normal es usar el gas diborano B2H6, para difundir el boro en el
material de silicio.
Bandas en Semiconductores Dopados
La aplicacin de la teora de bandas a los semiconductores de tipo n y tipo p muestra
que los niveles adicionales se han aadido por las impurezas. En el material de tipo n
hay electrones con niveles de energa cerca de la parte superior de la banda prohibida,
de modo que pueden ser fcilmente excitados hacia la banda de conduccin. En el
material de tipo p, los huecos adicionales en la banda prohibida, permiten la excitacin
de los electrones de la banda de valencia, dejando huecos mviles en la banda de
valencia.
La siguiente tabla resume las propiedades de los tipos de semiconductores en silicio.