INTRODUO

Como do conhecimento de todos, os recursos naturais no so inesgotveis, o que nos

leva a crer que ao transformarmos estes recursos na mais nobre forma de energia a Energia
Eltrica, devemos utiliz-la da maneira mais proveitosa e racional possvel com base
neste conceito que a engenharia eltrica est fundamentada, de forma a aplicar os
conhecimentos cientficos converso tima dos recursos naturais.

De forma genrica podemos subdividir toda a engenharia eltrica nas seguintes reas:

Eletrnica - Trata os dispositivos e circuitos para o processamento das informaes em

formas de sinais analgicos ou digitais, que d origem a eletrnica analgica e a eletrnica
digital.

Eletrotcnica - Trata dos equipamentos rotativos e estticos (mquinas eltricas,

transformadores, linhas de transmisso) com o propsito de gerar, transmitir e distribuir a
energia eltrica.

Controle Automtico - Trata das tcnicas de anlise da estabilidade de sistemas contnuos

e discretos no tempo, que originam o controle linear e controle discreto.

Podemos imaginar a Eletrnica Industrial como um elo de ligao entre estas reas.
So vastas as aplicaes da Eletrnica Industrial no nosso cotidiano e na indstria, entre
estas aplicaes podemos citar:
Iluminao;
Aparelhos eletrnicos (computadores, televises, videocassetes, etc.);
Aquecedores;
Ventiladores;
No-Breaks;
Elevadores;
Bombas dgua;
Robs;
Mquinas de Soldas;
Locomotivas;
Automveis eltricos;
Reatores eletrnicos;
Carregadores de bateria;
Gerao de energia (elica, fotovoltica, etc.);
Suprimento de energia (aeronaves, navios, trens, satlites, etc.);
Acionamento de motores AC e DC.

1 - CONVERSORES
Os conversores de energia eltrica ou simplesmente conversores so equipamentos
empregados para o controle do fluxo de energia eltrica entre dois ou mais sistemas
eltricos, realizando o tratamento eletrnico da energia eltrica atravs de elementos
passivos (resistores, capacitores e indutores) e de elementos ativos (diodos, transistores e
tiristores) associados segundo uma topologia pr-estabelecida.
Cada aplicao requer um tipo de conversor, pois uma forma de alimentao AC ou DC
necessria.
Os quatro tipos bsicos de converso de energia eltrica so:

Fig. 1- Tipos bsicos de converso de energia eltrica.

2 - O SCR

Tiristor o nome genrico de uma famlia de componentes de estado slido de

quatro camadas PNPN. Face sua grande utilizao, o SCR (Retificador controlado de
silcio), freqentemente chamado de tiristor.
De todos os tiristores, o SCR o que consegui dissipar maiores quantidades de
calor. Por esse motivo utilizado em inmeras aplicaes que envolvem elevadas
correntes e/ou elevadas tenses.

Fig. 2 - Estrutura e smbolo do SCR.

O SCR um retificador que pode ser controlado. Deste modo, a caracterstica de

um SCR deve ser semelhante de um diodo. Esse comportamento pode ser observado nas
curvas a seguir.
Fig. 3 - Grficos da corrente em funo da tenso de um diodo e um SCR.

Se fizermos uma anlise idealizado do diodo podemos dizer que para VAK < 0, o
diodo no conduz, sua corrente nula e o dispositivo comporta-se como uma chave
aberta. Quando a tenso VAK tende a tornar-se positiva, o diodo conduz, mantendo
VAK = 0. Nesta situao, que corresponde a uma chave fechada, a corrente do diodo
somente ser limitada atravs de alguma resistncia que o conecte fonte de alimentao.
Fazendo a mesma anlise idealizada para o SCR nota-se que para um VAK < 0, o
seu comportamento semelhante ao de um diodo, impedindo a passagem de corrente. Em
VAK = 0, diferente do diodo, o SCR no comea a conduzir, mantendo ainda uma
impedncia elevada nos seus terminais. Somente a partir do instante em que aplicado um
pulso de corrente no terminal de disparo chamado gatilho, que o SCR passar
conduo, exibindo uma resistncia virtualmente nula nos seus terminais. Nesta condio,
a corrente ser, como no caso de um diodo, limitada por uma resistncia que estiver em
srie com o SCR.

Analogia com dois transistores

Fig. 4 - Estrutura simplificada do SCR e analogia com dois transistores.

A Figura 4 mostra a estrutura simplificada de um SCR e a maneira como esta

estrutura pode ser alterada de modo a transform-lo em uma associao de dois
transistores complementares, um PNP e outro NPN.
Esta configurao pode nos ajudar a analisar algumas possibilidades de disparo do
SCR.
Mtodos de disparo de um SCR

Disparo por pulso de gatilho

Esta a forma usual de disparo. A seguir estudaremos outros mtodos de disparo

que na maioria das aplicao so indesejveis. Se no circuito da figura abaixo mantivermos
fixo VS em um dado valor, determinamos uma reta do carga par ao mesmo. Se aplicarmos
em sinal no gate, de tal modo que o gate seja positivo em relao ao catodo, iremos
disparar o SCR.

Fig. 5 - Circuito simplificado de disparo de um SCR.

Ao fecharmos a chave S, mesmo por um breve perodo de tempo, injetaremos uma

corrente de base em T2 fazendo com que IB2 aumente. Em conseqncia, IC2 aumentar,
acontecendo o mesmo com IB1 e IC1, acarretando em novo aumento de IB2. Esse processo
continua, com as correntes aumentando de valor at que ambos os transistores saturem. A
partir desse instante, podemos retirar a excitao de gate, abrindo a chave S, que o
processo se mantm com um transistor alimentando o outro. O SCR passa ento ao estado
de conduo.
A influncia do sinal de gate est mostrada na Figura 6.
Fig. 6 - Caracterstica tenso-corrente do SCR com reta de carga.

Vemos que existem diferentes curvas VAK x IA para diferentes valores da corrente
injetada no gate. Vemos tambm que se aumentarmos o nvel da corrente de gate I g, a
tenso VBO cada vez mais decresce.
O SCR permanecer no estado de bloqueio direto, determinado pelo ponto
sobre a reta de carga assinalada na figura, se a corrente de gate I g0 for mantida.
Se aplicarmos ao gate a corrente Ig2, o ponto de operao sobre a reta de carga
ser o . Nesse ponto a tenso de disparo VBO2 atingida. A transio ser feita do ponto
para o ponto sobre a reta de carga.
Devemos manter o sinal de gate durante todo o perodo de tempo da transio.
Ao final da transio a corrente IA deve atingir um valor igual ou superior a IL -
corrente de Latching (partida). Que seria a corrente mnima de anodo, no momento da
partida, para garantir a conduo do tiristor.
Se uma dessas condies anteriores no for obedecida o SCR no permanece em
conduo e volta ao estado de bloqueio (ponto ).

Disparo por sobretenso

medida que se aumenta a tenso VAK, entre anodo e catodo, este aumento
reflete-se totalmente na juno J2 uma vez que as junes J1 e J3 esto polarizadas
diretamente.
Haver um ponto em que o campo eltrico da juno reversamente polarizada,
acelera os portadores minoritrios que a cruzam, a tal ponto que um fenmeno de
avalanche se estabelece, provocando um aumento da corrente de anodo. Esta corrente ser
limitada apenas pela resistncia de carga, entrando o mesmo em conduo.
Este procedimento, nem sempre destrutivo, raramente utilizado na prtica. Para o
gatilho em aberto, ou seja, Ig = 0, a tenso na qual o SCR passa ao estado de conduo
chamado tenso de breakover VBO.
Este disparo pode ser observado a partir da curva caracterstica VAK x IA do SCR.
Se a tenso fornecida pela fonte de alimentao for VS2 a tenso sobre o SCR ser
VBO, resultando uma operao no ponto . A corrente no SCR comea a crescer. Ao
aumentar a corrente estaremos indo em direo ao ponto , sob a reta de carga. Se
mantivermos VS fixo em VS2, o ponto de operao final ser o ponto . Esse
procedimento, nem sempre destrutivo, mas raramente utilizado na prtica.
Fig. 7 - Disparo por sobretenso num SCR.

Disparo por dV/dt

Quando o SCR est polarizado diretamente, sem aplicaes de pulso de disparo no

gate, verificamos que a juno J2 est reversamente polarizada, havendo portanto uma
distribuio de cargas nas proximidades da juno, a qual se associa um efeito capacitivo.
Logo ao haver um dV/dt entre anodo e catodo, aparece uma corrente capacitiva
pela juno J2 igual a:

dV
iC (1.1)
dt

que pode provocar a ao regenerativa do SCR, tal como quando o SCR excitado com
uma corrente de gate.
Esse disparo normalmente no desejado, e evitado pela ao de um circuito de
proteo conhecido como Snubber. Este circuito utilizado individualmente em cada SCR
e utilizando um elemento que se ope as variaes de tenso.

Mtodos de comutao de um Tiristor

Comutar um Tiristor, significa lev-lo do estado de conduo ao estado de

bloqueio. A comutao se completa quando, cessada a conduo no sentido direto, a
reaplicao de tenso direta entre anodo e catodo no faz com que o Tiristor volte a
conduzir. Naturalmente, como no disparo, leva um certo tempo para que o Tiristor possa
assumir esta condio de bloqueio.

Comutao Natural em um SCR

Quando se reduz a corrente de anodo IA abaixo de um valor mnimo IH, chamado

de corrente de manuteno (holding current) o SCR comuta, normalmente esta corrente
cerca de mil vezes menor que a corrente nominal do SCR.
Em um circuito AC, a corrente normalmente passa pelo zero em algum ponto,
levando o SCR ao bloqueio. Entretanto, em circuitos DC, uma vez que a tenso entre
anodo e catodo permanece positiva, a corrente de anodo s pode ser reduzida pela
abertura de uma chave, pelo aumento da impedncia de carga ou desviando parte da
corrente de carga atravs de um circuito em paralelo com o tiristor, ou seja, curto-
circuitando o SCR.

Comutao por polarizao reversa em um SCR

Em um circuito AC, quando a fonte passa pelo semiciclo negativo, possvel que
uma tenso reversa seja aplicada a um SCR. Este tipo de comutao chamada
comutao por fase ou comutao pela rede.
Em um circuito DC, deve-se aplicar uma tenso reversa entre os terminais do
tiristor, de modo a lev-lo ao bloqueio. Normalmente o que se faz, colocar um capacitor,
carregado previamente com uma tenso reversa, em relao aos terminais do dispositivo, e
faz-lo descarregar pelo mesmo. Este mtodo chamado de comutao forada.
Comutao por pulso de corrente em um GTO

No caso dos GTOs, a aplicao de um pulso negativo de corrente no gate faz com
que o valor da corrente de manuteno IH aumente a ponto de superar a corrente de
anodo. Assim o GTO comuta.

3 - PROTEES

O efeito di/dt

Quando um SCR disparado, atravs da injeo de corrente no gate, inicialmente

o fluxo da corrente de anodo IA se concentra em uma rea prxima ao gate. A rea de
concentrao da corrente se espalha por toda a rea do catodo a uma taxa aproximada de
0,1 mm/s.
Se a corrente de anodo aumentar muito rapidamente, haver um aquecimento
localizado nessa rea preferencial, face elevada densidade de corrente resultando em um
aquecimento localizado (hot spot) capaz de destruir o SCR.
Em alguns casos, embora no necessariamente, um di/dt elevado ocorre no instante
do chaveamento. Nesses casos, a simples aplicao de um indutor em srie no circuito de
anodo, limita o crescimento da corrente.

O efeito dV/dt

Uma maneira de prevenir o disparo por dV/dt consiste na colocao de um

capacitor em paralelo com o SCR (uma vez que o capacitor no permite que a tenso
varie instantaneamente entre seus terminais). Mas esse arranjo no satisfatrio, pois no
disparo do SCR se o capacitor se carregou durante algum transitrio, haver uma descarga
rpida do capacitor pelo SCR, eventualmente ultrapassando a taxa crtica di/dt, causando
dano ao SCR.
Para resolver esse problema, coloca-se um resistor em srie com o capacitor, que
limita a corrente de descarga do capacitor.
O clculo do snubber algo complicado, pois depende muito das caractersticas da
carga e do SCR nem sempre acessveis. Os valores tpicos so:

0,01 F C 1 F
10 R 1 k

Surtos de corrente

Os SCRs, como os diodos retificadores, tm baixa capacidade trmica, ou seja, a

temperatura dos mesmos cresce rapidamente a medida que a corrente aumenta. Para que
os mesmos no sejam danificados, a corrente deve ser interrompida.
Se a corrente do SCR atingir valores intolerveis em menos de meio ciclo,
devemos interromp-la atravs de fusveis especiais, ultra-rpidos que evitam a destruio
do SCR.
 Em termos de uma corrente de curto a capacidade I2t (dado fornecido pelo
fabricante) do SCR nunca dever ser atingida, sob pena do SCR ser danificado.
O valor de I2t usado para definir a capacidade trmica de fusveis. Na proteo
dos tiristores interessante fazer com que a especificao de I2t dos mesmos, seja superior
a especificao de I2t do fusvel. Esta especificao presume que o fusvel ir eliminar uma
falha em menos do que meio ciclo.
Agora, podemos mostrar na figura abaixo um SCR com suas protees de I 2t, di/dt
e dV/dt.

Fig. 8 - SCR com protees de I2t, di/dt e dV/dt.

4 - TIPOS DE DISPARO

Disparo por corrente contnua

Este tipo de disparo gerado por circuitos de gatilhamento simples, alm de

assegurar o gatilhamento para cargas indutivas. Porm deve-se observar os limites de
tenso, corrente e potncia no gate. Este disparo no permite o desacoplamento entre o
circuito de disparo e o circuito de potncia, atravs de transformador de pulso. Entretanto
pode-se utilizar um acoplador tico para que haja isolamento.

Disparo por pulso de corrente

Disparo por pulso de corrente o meio mais eficiente de se conseguir o disparo de

um SCR, particularmente porque poder proporcionar uma pequena dissipao na juno
gate-catodo, embora se utilize de uma potncia de pico elevada.
As principais vantagens na utilizao do disparo por pulsos de corrente, em lugar
do disparo com corrente contnua so:
Reduo da potncia dissipada na juno gate-catodo;
Possibilidade de se obter isolao eltrica entre o circuito de disparo e o dispositivo,
atravs do uso de transformadores de pulso.

Aqui tambm poder ser utilizado o acoplador tico no isolamento.

Fig. 9 - Acoplamento com transformador de pulso e acoplador tico.

Disparo por trem de pulsos

Dependendo da natureza da carga, por vezes se faz necessria a aplicao de um

trem de pulsos de corrente, ao invs de um nico pulso de corrente de curta durao, afim
de garantir o disparo e diminuir a potncia mdia dissipada no gate.

5 - ASSOCIAO DE SCRs

Associao em srie

aplicada na utilizao de altas tenses. Como as caractersticas no so em geral

idnticas, h necessidade de circuitos externos que imponham uma diviso equitativa da
tenso total aplicada.

Fig. 10 - Associao de SCRs em srie.

Associao em paralelo

Em aplicaes que requerem corrente elevada, pode ser necessria a associao de

dois um mais tiristores semelhantes, que dividem entre si a corrente de carga. O principal
problema associado com este arranjo que diferentes nas capacidades de conduo dos
dispositivos, fazem com que as correntes sejam diferentes. Esta configurao pode ser
vista na Figura 11.
Fig. 11 - Associao de SCRs em paralelo.

6 - O TRIAC

TRIAC um tiristor bidirecional. Sua caracterstica esttica e seu smbolo so

mostrados abaixo.

IA

A1
IL
Ig = 0
-V B0 IH

V V B0 V A1A G
H 2

A 2

Fig. 12 - Curva caracterstica e smbolo do TRIAC.

Como pode ser visto, o TRIAC conduz nos dois sentidos de polarizao,
entretanto em conduo de modo anlogo ao SCR, seja pela ultrapassagem da tenso de
breakover, seja por aplicao de pulso de gatilho. O interessante no TRIAC que, alm de
conduzir nos dois sentidos, o mesmo pode ser disparado tanto por pulso positivo como
por pulso negativo.
Uma viso simplista do TRIAC, a de uma associao de dois SCRs em anti-
paralelo, como mostra a figura abaixo.
Fig. 13 - Representao do TRIAC atravs de dois SCRs.

Existem duas falhas neste circuito equivalente. A primeira que, desta maneira, no
conseguimos explicar o disparo do TRIAC com tenso negativa no gatilho. A segunda
que, em um SCR, precisamos referenciar os sinais de gatilho ao catodo do mesmo. Assim,
se os gatilhos dos SCRs fossem unidos para formar um nico terminal de gatilho do
TRIAC, para fixarmos uma referncia nica para este gatilho, teramos que curto-circuitar
os catodos dos SCRs, eliminando o TRIAC.

7 - O GTO

O GTO um tiristor de funcionamento anlogo ao do SCR, com a vantagem de

poder ser disparado e bloqueado atravs de pulsos adequados, aplicados a um nico
terminal de gatilho. Sua estrutura interna semelhante do SCR. Seus smbolos mais
usuais so apresentados na figura abaixo.

Fig. 14 - Smbolos mais usuais para o GTO.

8 - O DIAC

O DIAC um dispositivo semicondutor de cinco camadas e dois terminais. um

dispositivo bidirecional. O valor da tenso de disparo deste dispositivos esta na faixa de 20
a 40 V. Sua caracterstica VA2A1 x IA e seu smbolo mais usual so mostrados na Figura 15.
Fig. 15 - Caracterstica e smbolo do DIAC.

9 - O UJT

O UJT um dispositivo semicondutor de trs terminais com apenas uma juno

PN. Um destes terminais chamado de emissor e os outros dois terminais so chamados
de base 1 (B1) e base 2 (B2). O esquema abaixo ilustra suas camadas e seu smbolo mais
usual.

Fig. 16 - Estrutura simplificada e smbolo do UJT.

Em relao aos terminais B1 e B2, a barra nada mais que um simples resistor cuja
resistncia depende de valores construtivos, ou seja, das dimenses e da dopagem. Essa
resistncia denominada de resistncia interbases rbb, que varia entre 4 k a 10 k. A
figura abaixo mostra a curva caracterstica VE x IE do UJT.
Fig. 17 - Caracterstica tenso-corrente do UJT.

A operao normal do UJT consiste em aumentar VE at que seja atingido o valor

da tenso de pico VP. Nesse valor da tenso de emissor, o diodo de emissor passa a ficar
diretamente polarizado, e dito que o UJT foi disparado.
O UJT um dispositivo com diferentes propriedades em relao aos demais
dispositivos semicondutores, entre as quais podemos destacar:
sua tenso de disparo aproximadamente uma frao fixa da tenso de alimentao;
possui uma regio de resistncia negativa bastante estvel;
sua resistncia interna interbases na condio desativado relativamente elevada
(4 k a 10 k);
necessita de baixos valores de corrente de disparo (2 A a 10 A);
apresentam elevada capacidade de corrente de pulso (2 A);
so disponveis a sada (B1), tenses de pico relativamente elevadas (2 V a 5 V), que
podem ser usadas no disparo de tiristores.

10 - O PUT

O PUT um dispositivo de quatro camadas e trs terminais, com o gate colocado

na camada N central.
A figura abaixo mostra a estrutura fsica simplificada e o smbolo do PUT.

Fig. 18 - Estrutura simplificada e smbolo do PUT.

Fig. 19 - Caracterstica tenso-corrente do PUT.

Apesar de sua semelhana com o SCR, o PUT chamado de transistor de

unijuno, uma vez que o mesmo usado em circuitos onde poderiam ser usados UJTs
convencionais. As caractersticas de ambos os dispositivos so semelhantes. Veja Figura
19.
A tenso de disparo do PUT programvel, podendo ser fixada atravs da escolha
de um divisor resistivo adequado.

Fig. 20 - Divisor resistivo para determinar a tenso de disparo do PUT.

Pode-se utilizar um divisor de tenso para calcular a tenso de disparo uma vez que
a corrente de gate muito pequena.

Vp VG VD
R B1
VBB VD (1.2)
RB1 RB 2
.VBB V D .VBB

Onde VD a queda de tenso no diodo intrnseco ao componente. Este valor

( 0,7 V) pode ser desprezado na maioria dos casos.
Alm disso o PUT mais rpido e mais sensvel que o UJT e, embora encontre
aplicaes limitadas como elemento de controle de fase, em circuitos de tempo de longa
durao, seu desempenho superior face a sua menor corrente de pico no disparo.
11 - CIRCUITOS DE DISPARO

O fato de um tiristor de potncia permitir o fluxo de alguns milhares de Watts em

resposta aplicao sobre o seu gate de um sinal de fraes de Watts e poucos micro
segundos de durao, o tornam um amplificador de potncia de extraordinrio ganho.
No entanto, embora relativamente simples, a realizao de um circuito de comando
para gerar um pulso adequado ao disparo de um tiristor dever observar as seguintes
condies bsicas:
as caractersticas de gate do tiristor, de modo a gerar um pulso capaz de provocar o
seu disparo, porm sem coloc-lo em risco de dano;
a organizao da seqncia de aplicao de pulsos sobre os tiristores da topologia, de
modo a observar as funes desejadas relativas ao tipo de converso e aos critrios de
regulao do sistema.

Alm dessas funes bsicas - disparo e organizao - existem outras funes que
devem ser cumpridas pelo circuito de comando, como por exemplo, a supresso dos
pulsos, a limitao do deslocamento de fase, etc.
A correta operao de disparo de um tiristor depende no somente do envio ao
gate de um pulso adequado no momento exato, mas tambm depende da ausncia de
qualquer sinal esprio que provoque o seu disparo indesejado. Desse modo, como
consideraes prticas, prudente, e mesmo recomendvel, tomar-se algumas precaues
com relao ao posicionamento do circuito de comando na montagem do armrio do
conversor. Os fios que alimentam o gate-catodo do tiristor devem ser tranados;
apresentarem um menor comprimento possvel; um bom distanciamento dos cabos de
potncia, de chaves mecnicas de comutao, de controladores de potncia, etc.
Afim de produzir uma isolao eltrica entre o circuito de comando e o de potncia
recomendvel a utilizao de transformadores de pulsos ou acopladores ticos nos
circuitos de comando mesmo para conversores de baixa potncia, sendo indispensvel nos
de elevada potncia.
Circuitos especiais devem ainda ser tomados na captao dos sinais para os
circuitos de regulao que iro acionar os de comando de gate, de modo a manter uma
isolao eltrica entre esses circuitos e os de potncia.

Modos de comando

O ponto de interseo entre um sinal de comando Vc e um sinal de referncia Vr

define o instante de disparo dos tiristores.
O sinal Vr normalmente uma tenso de referncia tomada em relao
alimentao do conversor.
O sinal Vc um sinal de comando resultante da comparao entre uma grandeza
tomada como referncia pr ajustada no sistema de controle e o seu valor real.
Existem dois modos de se fazer a comparao entre Vc e Vr, que originam os
seguintes tipos de comando:
Comando horizontal;
Comando vertical.
Comando horizontal

O sinal Vc, uma tenso alternada senoidal, progressivamente defasada em relao

ao sinal Vr, tambm uma tenso alternada senoidal. O instante de disparo dado pela
passagem por zero de Vc em relao origem de Vr. O defasamento conseguido por
meio de circuitos RC ou RL.
Geralmente esse tipo de comando s utilizado em circuitos de baixa potncia,
como o controle de intensidade luminosa de pequenas potncias e de velocidade de
pequenos motores.

Fig. 21 - Formas de onda para comando horizontal.

Comando vertical

O sinal Vc uma tenso contnua, enquanto Vr uma tenso dente de serra ou

uma tenso cossenoidal. O instante do disparo determinado pela comparao entre Vr e
Vc, originando um pulso que enviado ao gate do tiristor.

Comando vertical linear

A tenso Vr uma onda dente de serra e Vc uma tenso contnua. O disparo do

tiristor gerado no instante em que Vr = Vc.
Fig. 22 - Formas de onda para comando vertical linear.

Variando-se a tenso de comando Vc de 0 a Vm, o ngulo de disparo ir variar de

0a.
Da figura acima podemos obter a relao:

Vc

Vm

ou

.Vc (1.3)
Vm

onde o ngulo de disparo uma funo linear da tenso de comando Vc.

Comando vertical cossenoidal

O pulso de disparo ser gerado no ponto de cruzamento de uma tenso cossenoidal

Vr, obtida da tenso da rede (ou tenso de sincronizao), com uma tenso contnua Vc,
isto , quando Vr = Vc.

Variando-se a tenso de comando Vc de Vm a -Vm, o ngulo de disparo ir

variar de 0 a .
O ngulo de disparo em funo da tenso de comando Vc dado pela relao:

Vc
cos1 (1.4)
Vm
Fig. 23 - Formas de onda para comando vertical cossenoidal.

12 - CIRCUITOS BSICOS DE COMANDO

Circuitos de disparo com UJT

A figura abaixo mostra um circuito de disparo com UJT, onde a fonte de

alimentao do UJT obtida da prpria fonte que alimenta o circuito de potncia,
facilitando o sincronismo entre os dois circuitos.

Fig. 24 - Circuito de disparo de um SCR utilizando UJT.

 A tenso Vac inicialmente retificada em onda completa. A tenso retificada
limitada pelo diodo zener em seu valor Vz, responsvel pela alimentao do UJT,
sincronizada com Vac.
Aps o zener vem o oscilador de relaxao a UJT responsvel pelos pulsos de
gatilhamento do SCR, e o transformador de pulsos, responsvel pela isolao entre o
circuito de disparo e o de potncia. O diodo evita o aparecimento de pulsos negativos no
gate do SCR.
O funcionamento do circuito pode ser observado a partir das formas de onda das
tenses de interesse dadas na figura abaixo.

Fig. 25 - Formas de onda do circuito de disparo utilizando UJT.

Como podemos observar da figura anterior, ao final de cada semiciclo, a tenso de

alimentao do UJT (Vz) cai a zero e o mesmo dispara, ficando o capacitor descarregado
para o prximo semiciclo.
O intervalo entre o incio do semiciclo e o aparecimento do primeiro pulso
constante.
Tambm podemos concluir que apenas o primeiro pulso ser til, j que os demais
encontraro o SCR j disparado pelo primeiro pulso. Ao variarmos P, variamos e o
nmero de pulsos por semiciclo.
Para um correto funcionamento do circuito, o ngulo de disparo deve estar
entre os limites:
 Vz Vz
sen 1 sen 1 (1.5)
2V 2V

Circuito de disparo com DIAC

O circuito da figura abaixo mostra um circuito de disparo com DIAC.

Fig. 26 - Circuito de disparo de um TRIAC utilizando DIAC.

O capacitor se carrega com uma tenso atrasada em relao a tenso Vac. Ao

atingir a tenso de disparo do DIAC, este conduz aplicando um pulso de corrente no gate
do TRIAC que tambm conduz. Mediante o controle da defasagem da rede RC controla-
se o ponto em que o disparo do DIAC ocorrer e, portanto, controla-se a tenso aplicada
carga.
Um problema que surge quando o TRIAC disparado inicialmente em baixos
valores de ngulo de disparo, o chamado efeito de histerese. Esse efeito caracterizado
por uma diferena no ajuste do potencimetro P de controle quando se est aumentando
ou diminuindo a potncia entregue carga.

Circuito de disparo com o circuito integrado TCA 780

O circuito integrado monoltico analgico TCA 780 com 16 pinos disponveis.

Entre vrias aplicaes gerais dedicado aplicao de controle de ngulo de disparo de
tiristores (TRIACs e SCRs) continuamente de 0 a 180. Sua configurao interna
possibilita uma simplificada seleo de componentes externos para chaveamento (veja
Figura 27), sem tornar muito volumoso o circuito final. Devido a sua versatilidade,
permite inmeras aplicaes dentro da eletrnica, apesar de se tratar de um componente
dedicado construo de circuitos de disparos para tiristores em geral.

Principais caractersticas:
Compatvel com LSI (lgica digital altamente imune a rudo);
Consumo interno de corrente, apenas 5 miliamperes;
Possibilidades de inibio simultnea de todas as sadas;
 Operao em circuitos polifsicos, utilizando mais de um TCA 780 ligados em paralelo,
ligao esta j prevista pelo fabricante;
Duas sadas principais (corrente at 55 miliamperes) e duas em coletor aberto (corrente
at 1,5 miliamperes);
Uma sada para controle de TRIACs;
Durao dos pulsos de sada determinada pela colocao de um capacitor externo;
Sada de tenso regulada em 3,1 V.

Fig. 27 - Diagrama de blocos interno do TCA 780.

BLOCO 1 - Detetor de zero.

BLOCO 2 - Memria de sincronismo.
BLOCO 3 - Unidade lgica.
BLOCO 4 - Monitor de descarga de C10.
BLOCO 5 - Regulador de tenso (3,1 V).
BLOCO 6 - Comparador de controle.

Funes resumidas pino a pino:

PINO 1 - Terra.
PINO 2 - Sada complementar do pino 15, em coletor aberto.
PINO 3 - Sada do pulso positivo, em coletor aberto.
PINO 4 - Sada complementar do pino 14, em coletor aberto.
PINO 5 - Entrada de sincronismo (diodos em antiparalelo).
PINO 6 - Inibe todas as sadas (quando aterrado).
PINO 7 - Sada em coletor aberto para acionar TRIACs.
PINO 8 - Fornece 3,1 V estabilizado.
PINO 9 - Potencimetro de ajuste de rampa (20 < R9 < 500K).
PINO 10 - Capacitor de formao de rampa (C10 0,5 F).
PINO 11 - Entrada da tenso de controle (nvel DC).
PINO 12 - Controla a largura dos pulsos das sadas 14 e 15.
PINO 13 - Controla a largura dos pulsos das sadas 2 e 4.
PINO 14 - Sada de pulso positivo no semiciclo positivo.
PINO 15 - Sada de pulso positivo no semiciclo negativo.
PINO 16 - Alimentao DC, no necessariamente estabilizada.

Aplicaes:

Veja nos diagramas abaixo duas aplicaes com o TCA 780 no controle de
potncia de uma ponte semicontrolada e uma ponte totalmente controlada.

Fig. 28 - Circuito completo para controle de potncia em uma ponte semicontrolada.

Fig. 29 - Circuito completo para controle de potncia em uma ponte totalmente
controlada.