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Instituto Tecnolgico de Durango

Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Ingeniera Electrnica

Fsica de Semiconductores

Trabajo de investigacin

Familia de Tiristores

Nombre del alumno:

Mario Garcia Vega

N control: 12040192

Facilitador:

Juan Antonio Ramos

Fecha de realizacin: 10/06/2014 Fecha de entrega: 12/06/201

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ndice

Objetivo--------------------------------------------------------------------------------- 3

Introduccin-----------------------------------------------------------------------------3

Fundamentos tericos-----------------------------------------------------------------4

Tiristor SCR------------------------------------------------------------------------------5

Tiristor DIAC-----------------------------------------------------------------------------14

Tiristor TRIAC----------------------------------------------------------------------------17

Tiristor UJT-------------------------------------------------------------------------------19

Tiristor PUT----------------------------------------------------------------------------- 23

Mosfet de potencia----------------------------------------------------------------------25

Tiristor IGBT ----------------------------------------------------------------------------26

Tiristor GTO---------------------------------------------------------------------------- 29

Conclusiones----------------------------------------------------------------------------31

Referencias------------------------------------------------------------------------------31

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Objetivo
Identificar los dispositivos que forman a la familia de los tiristores, as como
analizar y comprender el comportamiento de los tiristores

Introduccin

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Fundamentos Tericos
El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrnico constituido por elementos
semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los
materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores.
Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico
sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.

El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN
entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN,
por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as
3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est
conectado a la unin J2 (unin NP).

Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio


(SCR); otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y
TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos 1960.
Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado
por William Shockley (premio Nobel de fsica en 1956) en 1950, el cual fue defendido
y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el desarrollo en
Morgan Stanley para su posterior comercializacin por parte de Frank W. "Bill"
Gutzwiller, de General Electric.

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el
nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una


corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar.
Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo,
revirtiendo en la activacin del dispositivo.

Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares
electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la
diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede
llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una
fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de
activacin, esta fuga tiende a evitarse.

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Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy grandes, tambin
son comnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la
corriente revierte en la conexin o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el
dispositivo opera de forma sncrona cuando, una vez que el dispositivo est abierto,
comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-nodo
sin la necesidad de replicacin de la modulacin de la puerta. En este momento el
dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la
operacin simtrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del ctodo al nodo,
por tanto en s misma es asimtrica.

Tiristor SCR

Operacin del SCR

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Caractersticas del SCR

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Construccin e identificacin de terminales de SCR

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Aplicacin de SCR

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Tiristor DIAC

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Tiristor TRIAC

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Tiristor UJT

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Tiristor PUT

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Mosfet de potencia

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),


compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la
compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de siliciopolicristalino. El
aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando
el silicio policristalinocomenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se
obtiene haciendo crecer una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y
luego depositando una capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el ms
utilizado. Debido a que el dixido de silicio es un materialdielctrico, esta estructura equivale a
uncondensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por
unsemiconductor. Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura
MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el
surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una
regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a
un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal.

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Tiristor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, delingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es
undispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de
puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin
del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como
las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en
particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas
elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin
que seamos particularmente conscientes de
eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor,electrodomstico, televisin, dom
tica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida oSAI (en Ingls UPS), etc.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa
comofuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes
mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden
manejar altas corrientes del orden de cientos deamperios con voltajes de bloqueo de
6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de
manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse
en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser
igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y

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los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar
sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Tiristor GTO

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Conclusiones

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Referencias

boylestad teora de circuitos y dispositivos


http://www.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-aplicaciones-y-
funcionamiento
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm

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