UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

TEORIA ATOMICA

ALUMNOS:

RIVERA CONDOR WEBSTER GUSTAVO 16190271

CORDOVA PUELLES LANDER JUNIOR 16190256

SAYAS HUAYNAPOMAS RODY 16190274

GONZALES TAIPE VLADIMIR 16190259

CURSO:

ELECTROTECNIA

HORARIO:

LUNES 2:00-5:00 pm

FECHA:

29/05/17
Laboratorio de electrotecnia FIEE-UNMSM

TEORIA ATOMICA

1. DESCRIBA LA ESTRUCTURA ATOMICA:

La teora atmica constituy tan slo inicialmente una hiptesis de trabajo, muy
fecundada en el desarrollo posterior de la Qumica, pues un fue hasta fines del siglo
XIX en que fue universalmente aceptada al conocerse pruebas fsicas concluyentes
de la existencia real de los tomos. Pero fue entonces cuando se lleg a la
conclusin de que los tomos eran entidades complejas formadas por partculas
ms sencillas y que los tomos de un mismo elemento tenan en muchsimos casos
masa distinta. Estas modificaciones sorprendentes de las ideas de Dalton acerca
de la naturaleza de los tomos no invalidan en el campo de la Qumica los resultados
brillantes de la teora atmica.

Los tomos estn constituidos por protones, neutrones y electrones. Los protones
estn cargados positivamente y se encuentran reunidos con los neutrones (sin
carga) en el ncleo. Los electrones, que tienen una carga negativa igual en
magnitud a la carga positiva del protn, se mueven en el espacio que rodea al
ncleo. Los protones y los neutrones tienen masas semejantes, aproximadamente
1800 veces mayor que la masa de un electrn. Casi toda la masa del tomo reside
en el ncleo, pero son los electrones los que toman parte en los enlaces y en las
reacciones qumicas.

Cada elemento se distingue por el nmero de protones en su ncleo. Por lo general,

el nmero de neutrones es semejante al nmero de protones, aunque puede variar.
Los tomos que tienen el mismo nmero de protones, pero diferente nmero de
neutrones se llaman istopos. Por ejemplo, la especie ms comn de tomo de
carbono tiene en su ncleo seis protones y seis neutrones. Su nmero de masa (la
suma de protones y neutrones) es 12, y representamos su smbolo 12C.
Aproximadamente 1% de los tomos de carbono tienen siete neutrones; el nmero
de masa es 13, y el smbolo es 13C.

ESTRUCTURA ELECTRNICA DEL TOMO.

Las propiedades qumicas de un elemento se determinan por el nmero de protones

en su ncleo y el correspondiente nmero de electrones alrededor del mismo. Los
electrones son los que forman enlaces y determinan la estructura de las molculas
resultantes. Como son pequeos y livianos, muestran propiedades tanto de

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partculas como de ondas; en muchos aspectos, los electrones en los tomos y las
molculas se comportan mas como ondas que como partculas.

Los electrones que estn unidos a los ncleos se encuentran en orbtales. El

principio de incertidumbre de Heisenberg afirma que nunca se puede determinar
con exactitud dnde se encuentra el electrn; pero aun cuando no se conozca su
lugar exacto, podemos hablar de la densidad electrnica, que es la probabilidad de
encontrar al electrn en una parte determinada del orbital. Por tanto, un orbital es
un estado permitido de energa de un electrn, con una funcin asociada de
probabilidad que define la distribucin de la densidad electrnica en el espacio.

COMPONENETES DEL TOMO.

Como toda teora cientfica til, la teora atmica presentaba mas preguntas de las
que resolva. Aun antes de que las ideas de Dalton hubieran sido generalmente
aceptadas, filsofos y cientficos especulaban si los tomos, diminutos como eran,
podran a su vez ser desintegrados en partculas menores. Casi 100 aos hubieron
de pasar antes de que se pudiera responder a esto afirmativamente basndose en
evidencias experimentales. Tres fsicos efectuaron los primeros trabajos en esta
rea: El ingls J.J. Thomson, Ernest Rutherford, natural de nueva Zelandia y Robert
. Millekan.

Las primeras evidencias convincentes de las partculas subatmicas provinieron de

experimentos que requeran la conduccin de la electricidad a travs de gases a
bajas presiones. Cuando se vaca parcialmente un tubo de rayos catdicos y se le
conecta a una fuente de energa de alto voltaje, como una bobina de chispa, fluye
corriente elctrica a travs del tubo.

Acompaando a este flujo elctrico hay rayos de luz de color, que tienen su origen
en el electrodo negativo (ctodo), las propiedades de los rayos catdicos, fueron
estudiadas extensamente durante las tres ltimas dcadas del siglo XIX. En
particular, se encontr que estos rayos sufran una desviacin, tanto por los campos
elctricos como los magnticos. Mediante un estudio cuidadoso de la naturaleza de
esta desviacin, J. J. Tomson demostr en 1897 que los rayos consistan en una
corriente desarticulas negativamente cargadas, que l llam electrones. Thomson
prosigui para medir la proporcin entre masa y carga del electrn, encontrando
que

m / e = 5,69 x 10-9 g / culombio

El hecho de que esta relacin sea ms pequea, en varios rdenes de magnitud,

que la de cualquier otra especie cargada, implica que estamos ante una diminuta
partcula subatmica.

En 1909 Millikan determin la carga del electrn, empleando el experimento con

gotas de aceite. Al medir el ritmo al que cae una gota de aceite entre las placas, es

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posible determinar la carga ejercida sobre la gota. Midi el efecto de un campo

elctrico sobre la frecuencia con la que unas gotas de aceite cargadas caan bajo la
influencia de la gravedad. Pariendo de estos datos, calcul la carga de las gotas,
encontrando que era siempre un mltiplo integral de la carga ms pequea.
Suponiendo que la carga mas pequea sea la del electrn, lleg a determinar un
valor de 1,60 x 10-19 culombios. Combinando este nmero con la razn entre masa
y carga ya citada, obtenemos para la masa del electrn:

m = (1,60 x 10-19 culombios) x (5,69 x 10-9 g/ culombios) = 9,11 x 10-28 g

Esto es solo aproximadamente 1/1837 de la masa del tomo ms ligero, la del

elemento hidrgeno. El electrn es tambin mucho mas pequeo que el tomo de
hidrgeno, con un dimetro de solo 1/10000 del de aquel, o sea aproximadamente
10-12 cm.

La existencia de los electrones ha sido confirmada por muchos experimentos. Los

electrones se encuentran entre las partculas (partculas
) emitidas por los tomos que sufren desintegracin
radiactiva.

NCLEO ATMICO.

En 1911 Ernest Rutherford y sus estudiantes efectuaron una serie de experimentos

que influyeron profundamente en nuestras ideas respecto a la naturaleza de los
tomos. Empleando una fuente radiactiva, bombardearon un trozo de delgado
papelillo de oro, con partculas alfa (tomos de helio despojados de sus electrones).
Con una pantalla fluorescente, observaron la forma en que las partculas
eran diseminadas por el papelillo. La mayora lo
atravesaban casi sin sufrir desviacin.

Algunas pocas, sin embargo, eran reflejadas hacia atrs del papelillo en ngulos
agudos. Los nmeros relativos de partculas reflejadas
en ngulos diferentes fueron determinados contando sobre pantalla las
escintilaciones (centello) causadas por las partculas individuales. Mediante un bello
anlisis matemtico de las fuerzas electrostticas que intervenan, Rutherford pudo
mostrar que esa dispersin era provocada por un centro de carga positiva dentro
del tomo del oro, que tenia una masa casi igual a la del tomo, pero un dimetro
(aproximadamente 10-12 cm) de solo 1/10000 del tomo. Se repiti este
experimento con resultados similares, empleando laminillas de muchos otros
elementos. En esta forma estableci Ruthrford que un tomo contiene un centro
masivo, diminuto y de carga positiva, llamado ncleo atmico.

Desde la poca de Rutherford hemos aprendido mucho respecto a las propiedades

de los ncleos atmicos, aunque todava no tenemos un cuadro fsico claro de las

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fuerzas que mantienen unido al ncleo. Para nuestros fines, podemos considerar al
ncleo:

1. El protn, que tiene una masa casi igual a la del tomo de hidrgeno y lleva una
carga positiva unitaria, igual en magnitud, pero designo opuesto a la del electrn.

2. El neutrn, partcula sin carga, con una masa aproximadamente equivalente a la

del protn.

Todos los ncleos contienen un nmero integral de protones, exactamente igual al

nmero de protones del tomo neutro. En el ncleo de cada tomo de hidrgeno
hay un protn; el ncleo de de cada tomo de lawrencio contiene 103 protones. El
nmero de protones del ncleo de un tomo es una propiedad fundamental del
elemento correspondiente, conocida como su nmero atmico.

nmero atmico = nmero de protones

En esta forma podremos decir que el nmero atmico del elemento hidrgeno es 1,
en tanto que el del elemento lawrencio es 103.

Los tomos del mismo elemento pueden variar en el nmero de neutrones que se
encuentran en su ncleo. El elemento hidrgeno, por ejemplo, encontramos tres
clases diferentes de ncleos atmicos que contienen 0, 1 y 2 neutrones
respectivamente. Estas tres especies de denominan a menudo istopos del
elemento hidrgeno. Difieren en masa; el istopo ms pesado de hidrgeno (tritio)
tiene una masa aproximadamente tres veces mayor que la del istopo ms ligero.
Un tomo de deuterio (un protn, un neutrn) tiene aproximadamente doble peso
que un tomo ligero de hidrgeno (un protn, cero neutrones).

Como otro ejemplo, diremos que dos bien conocidos istopos de uranio, el uranio-
235, contiene ambos el mismo nmero de protones, 92, pero difieren en el nmero
de neutrones, 143 en uno y 146 en el otro.

El nmero de masa de un ncleo se encuentra sumando los nmeros de protones

y neutrones.

nmero de masa = nmero e protones + nmero de neutrones

Los tres istopos de hidrgeno tienen nmeros de masa de 1, 2 y 3,

respectivamente, en tanto que los nmeros de masa de los dos istopos de uranio
son:

istopo ligero: nmero de masa = 92 + 143 = 235 (uranio-235)

istopo pesado: nmero de masa = 92 + 146 = 238 (uranio-238)

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A menudo indicamos la composicin de un ncleo escribiendo el nmero atmico

en la parte inferior izquierda del smbolo del elemento, y el nmero de masa en la
parte izquierda superior. Para las especies de que hemos trabajado, escribiramos:

2. DEFINA EL PRINCIPIO DE PAULI:

El principio de exclusin de Pauli, fue desarrollado por el fsico austriaco Ernst Pauli
en el ao 1925. Este principio de la cuntica dice que dos partculas (concretamente
fermiones) que tiene los nmeros cunticos con los que constan idnticos, no
pueden existir.

Esto significa que dos electrones ( fermiones) que se encuentren en un tomo no

podrn poseer a la vez iguales nmeros cunticos. Este hecho explicara que los
electrones se dispersen en capas o niveles en torno al ncleo del tomo y por lo
cual, los tomos que posean mayor nmero de electrones ocupen mayor espacio,
debido a que aumenta el nmero de capas de las que consta el tomo. El nmero
mximo de electrones que puede tener una capa o nivel es de 2n^2.

Para poder describir de forma completa al electrn dentro del tomo de hidrgeno,
necesitamos introducir obligatoriamente un cuarto nmero cuntico a los ya
conocidos. Dicho cuarto nmero cuntico se representa por las letras ms, y es
conocido como el nmero cuntico de spin, el cual se encuentra relacionado
estrechamente con las propiedades magnticas que presentan los electrones. El
nmero cuntico ms, tan slo puede tener dos valores diferentes, +1/2 o -1/2. A los
electrones cuyos valores de ms son iguales, se dice que cuentan con lo que se
conoce como spines paralelos, sin embargo, si los valores que presenta ms son
distintos se dice que poseen spines opuestos o tambin llamados anti paralelos.

Para poder describir a un orbital, se necesitan tres nmeros cunticos ( los nmeros
n, l y ml), a la vez que un electrn que se encuentra en un tomo viene dado por
una combinacin de cuatro nmeros cunticos, los tres principales ms el nmero
ms. El principio de exclusin de Pauli nos dice que en un tomo es imposible que
coexistan dos electrones con los cuatro nmeros cunticos idnticos. Segn
establece este principio, en un orbital de tipo atmico, que se encuentra
determinado por los nmeros cunticos n, l, y ml, solamente pueden haber dos

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electrones: uno de ellos con un spin positivo +1/2 y otro con su contrario spin
negativo -1/2.

Entonces decimos que cada uno de los tipos de orbitales solamente puede contener
2 electrones como mximos, los cuales debern obligatoriamente tener spines
contrarios. Estos electrones tendrn todos sus nmeros cunticos iguales , y tan
slo se diferenciarn en el nmero cuntico ms ( spin).

Para entenderlo mejor, cuando distribuimos los electrones por capas,

representamos un orbital con una flecha hacia arriba y otra hacia abajo, lo cual nos
indicar que hay dos electrones en dicho orbital, pero que poseen spines diferentes.
Este tipo de representacin se conoce como configuracin electrnica. Para realizar
dicha representacin de llenado de orbitales electrnicos, se comienza llenado el
orbital S,, para seguidamente continuar con el siguiente orbital. Vamos insiriendo
los electrones de uno en uno hasta completar enteramente el espacio del que
cuenta el orbital

El principio de exclusin de Pauli tambin explica la estabilidad de la que constan

los orbitales atmicos, as como la presin que realiza la materia degenerada

3. DESCRIBA LA DIFERENCIA ENTRE UN AISLANTE, UN

SEMICONDUCTOR Y UN CONDUCTOR:

Los conductores tienen la propiedad fsica de conducir los electrones debido a que
un la ultima rbita comnmente pueden tener ms de cuatro y hasta ocho electrones
lo cual les da esta caracterstica, la mayora de los metales son excelentes
conductores porque sus tonos estn muy junto entonces aunado a la caracterstica
anterior funcionan muy bien para conducir electrones. El mejor conductor es el oro.

Los semiconductores tienen la caracterstica de que en su ultima rbita solamente

tienen cuatro electrones, por lo cual mezclados con otros materiales funcionan ya
sea como aislante o conductores, los materiales semiconductores son cristales
como el silicio y germanio de los cuales se pueden dopar con otro material para
forma los materiales llamados P o N (depende el dopaje) comnmente usados en
la electrnica.

Los materiales aislantes reducen la conduccin elctrica debido a a que en su ultima

rbita tienen menos de cuatro electrones por lo cual no son buenos conductores, el
mejor material aislante es la porcelana.

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Es importante saber que no existen materiales ideales (ni conductores ni aislantes),

es decir que no conducen ni aislan al 100%.

4. DEFINA EL PORTADOR LIBRE, MATERIAL INTRINSECO,

MATERIAL EXTRINSECO, BANDA DE VALENCIA, BANDA DE
CONDUCCION Y BANDA PROHIBIDA

Portador de carga denota en fsica una partcula libre (mvil y no enlazada)

portadora de una carga elctrica. Como ejemplo los electrones y los iones. En la
fsica de semiconductores, los huecos producidos por falta de electrones son
tratados como portadores de carga.

En soluciones inicas, los portadores de carga son los cationes y aniones disueltos.
Similarmente, los cationes y aniones de los lquidos disociados sirven como
portadores de carga en lquidos y en slidos inicos derretidos.

En el plasma, as como en el arco elctrico, los electrones y cationes del gas

ionizado y del material vaporitado de los electrodos actan como portadores de
carga.

En vaco, en un arco elctrico o en un tubo de vaco, los electrones libres actan

como portadores de carga.

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrnsecos
2. Extrnsecos

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o

sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura.
En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia
al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conduccin.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor

intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo

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del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y
all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de
un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el

caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
ms estrecho en comparacin con los materiales
aislantes. La energa de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de
silicio (Si), la energa de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en
los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco,

compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que
forman una celosa. Como se puede observar en la
ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro
electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se
unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor.
En esas condiciones el cristal de silicio se comportar
igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce

cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente
elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura
molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio
con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".

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Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos

semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita
[como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima
rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el
germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir
la corriente elctrica.

En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso

de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente
relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales
semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la
naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una
oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un
espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal

semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la
fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece
la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o
chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que
despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn
en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos de
la oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus
correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin

que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).

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Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para

fabricar diodos semiconductores en forma de placas
rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de
eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla
en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se
emplean tambin combinaciones de otros elementos
semiconductores presentes en la Tabla Peridica.

Placa individual de 2 x 2 cm de rea,

correspondiente a un antiguo diodo de
selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As)
utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de
diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra

instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado
para leer datos de texto, presentaciones multimedia o msica
grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido
por un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es
decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse
formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de
cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan
en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea
donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada
tomo en especfico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en
su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes,

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compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia
de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo
slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina,
semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa
estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se
comportan como aislantes.

La teora de bandas est basada en la mecnica cuntica y procede de la

teora de los orbitales moleculares (TOM). En esta teora, se considera el enlace
metlico como un caso extremo del enlace covalente, en el que los electrones de
valencia son compartidos de forma conjunta y simultnea por todos los cationes.
Desaparecen los orbitales atmicos y se forman orbitales moleculares con energas
muy parecidas, tan prximas entre ellas que todos en conjunto ocupan lo que se
franja de denomina una banda de energa.

Aunque los electrones van llenando los orbitales moleculares en orden

creciente de energa, estas son tan prximas que pueden ocupar cualquier posicin
dentro de la banda.

La banda ocupada por los orbitales moleculares con los electrones de

valencia se llama banda de valencia, mientras que la banda formada por los
orbitales moleculares vacos se llama banda de conduccin. A veces, ambas
bandas se solapan energticamente hablando.

Este modelo explica bastante bien el comportamiento elctrico no solo de las

sustancias conductoras sino tambin de las semiconductoras y las aislantes.

En los metales, sustancias conductoras, la banda de valencia se solapa

energticamente con la banda de conduccin que est vaca, disponiendo de
orbitales moleculares vacos que pueden ocupar con un mnimo aporte de energa,
es decir, que los electrones estn casi libres pudiendo conducir la corriente elctrica.

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En los semiconductores
y en los aislantes, la banda de
valencia no se solapa con la de
conduccin. Hay una zona
intermedia llamada banda
prohibida.

En los
semiconductores, como el
Silicio o el Germanio, la
anchura de la banda prohibida
no es muy grande y los
electrones con suficiente energa cintica pueden pasar a la banda de conduccin,
por esa razn, los semiconductores conducen la electricidad mejor en caliente. Sin
embargo, en los aislantes, la banda prohibida es tan ancha que ningn electrn
puede saltarla. La banda de conduccin est siempre vaca.

BIBLIOGRAFIA

http://www.100ciaquimica.net/temas/tema4/punto5c.htm

https://espanol.answers.yahoo.com/question/index?qid=20081116164355AArKmBd

http://html.rincondelvago.com/estructura-atomica_2.html

http://quimica.laguia2000.com/general/principio-de-exclusion-de-pauli

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