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Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son
muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est
aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este
tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 M, lo que les convierte en
componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.
MODELO ESTTICO
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de
polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en
enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o
enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la
tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.
CURVAS CARACTERSTICAS.
Fig. Caracterstica VDS - ID del transistor MOSFET de empobrecimiento
Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms
elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGS y el corte se consigue con tensin
negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la
relacin que existe entre VGS e ID.
Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto
es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por
esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la interseccin de la curva con el eje ID, ya no es
la de saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la
define es tambin:
El smbolo que representa al MOSFET de empobrecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras:
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
Idea Bsica
Por esta razn, el MOSFET de enriquecimiento est normalmente en corte cuando la tensin
de puesta es cero. La nica forma de obtener corriente es mediante una tensin de puerta
positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la regin p, y stos se
recombinan con los huecos cercanos al dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo
suficientemente positiva, todos los huecos prximos al dixido de silicio desaparecen y los
electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador.
Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando existe, los electrones
libres pueden circular fcilmente desde la fuente hacia el drenador. La VGS mnima que crea la
capa de inversin de tipo n se llama tensin umbral, simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es
menor que VGS(th) la corriente de drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th),
una capa de inversin tipo n conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es
grande. Los valores tpicos de VGS(th) para dispositivos de pequea seal puede variar entre 1
y 3 V. El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad mejora cuando la
tensin de puerta es mayor que la tensin umbral. Los dispositivos de enriquecimiento estn
normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero.
CURVAS CARACTERSTICAS.
La parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi horizontal corresponde a la
zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras
palabras, puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal
es en la zona hmica
SIMBOLOGA
El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras.
FORMULAS
1. Regin de corte
o Condicin VGS<VTH
o Intensidad ID=0
2. Regin lineal.
o Condiciones: VGS>VTH
Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del
transistor
W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geomtricos que dependen del
C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de
la puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del xido de puerta.
3. Regin de saturacin
Para el caso en el que el transistor soporte seales alternas de pequea amplitud y baja
file:///C:/Users/khghkf/Downloads/Principios-de-Electronica.pdf
http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-7-
teoria.pdf
https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/apuntes/PDF/02_modelos_ps_dispositivos.pdf