El SILICIO POLIMORFO NANOESTRCTURADO

COMO NUEVO MATERIAL PARA SER UTILIZADO EN

CELDAS SOLARES DE SILICIO.

Guillermo Santana Rodrguez, Betsabe Marel Monroy Pelez, Mario Fidel Garca
Snchez, Armando Ortiz Rebollo y Juan Carlos Alonso Huitron, Aduljay Remolina
Millan, Luis Andrs Gmez Gonzlez, Len Hamui Balas, Carlos lvarez Macas,
Adriana Bentez Rico, Carlos David Ramos Vilchis.

Laboratorio de pelculas delgadas

Instituto de Investigaciones en Materiales

Universidad Nacional Autnoma de Mxico, Coyoacn, Mxico D.F., CP 05410

gsantana@iim.unam.mx
Procesos de perdidas en una celda solar
 Espectro solar que muestra la fraccin aprovechable por una celda
solar convencional de silicio cristalino y las fracciones que podran se
utilizables por las llamadas Down Conversion y Up conversion
Las principales propuestas de celdas de alta eficiencia bsicamente son:

3. Celdas solares de mltiples junturas (tandems).

2. Celdas solares de mltiple espectro, donde el espectro solar es

transformado en un espectro de radiacin diferente con la misma
energa.

3. Celdas solares con mltiples caminos de absorcin, en la que el

proceso de absorcin es alterado de manera que puedan crearse
mltiples pares electrn-hueco a partir de un fotn, o alternativamente,
donde varios fotones creen un solo par electrn-hueco.

4. Celdas solares de portadores calientes, que implica la extraccin de

portadores con energas diferentes a la del gap de la celda.

5. Celdas solares de mltiples niveles, en las que exista mas de una

separacin entre los cuasi niveles de Fermi. (Celdas Solares a Pozos
Qunticos)
 Caso particular de celdas solares de silicio cristalino
Celdas Solares de Contacto Enterrado.

Las celdas solares de contacto enterrado estn basadas en una tecnologa comercial de
alta eficiencia, la cual consiste en surcos formados por lser rellenos de metal. La
tecnologa del contacto enterrado supera muchas de las desventajas asociadas con los
contactos serigrficos lo cual permite obtener celdas de altas eficiencias.

Figura V11a.-Esquema de una celda de

contactos enterrados Figura V.11b.-Seccin transversal de un surco por
lser parcialmente metalizado.
Celdas Solares de alta eficiencia
Celda Solar PERL
Celdas Solares de alta eficiencia
Celdas Solares de alta eficiencia

Estructura de la celda Solar tipo HIT.

Procesos Up conversion y Down Conversion
Modelo de estructura fotovoltaica DC con emisor de pnc-Si
Sistema de Crecimiento
Y/O N2
 Crecimientos iniciales
30 s 60 s

120 s 600 s
Qumica de la
superficie

(100) n-Si

Afinidad Qumica

Mobilidad Sperficial

Defectos Superficiales
Vidrio corning
(100) n-Si Vidrio corning

Cuarzo SiNx
 350 mTorr 500 mTorr
1E12
Dimetro altura y 1E11

(particles / cm )
Number density
2
densidad de las 1E10

nanoparticulas 1E9

1E8
20
Dimetros pequeos sobre 15

Height (nm)
substratos amorfos 10

5
Incremento de la densidad 0
sobre substratos amorfos 200

150

Diameter (nm)
Un decrecimiento en la 100

densidad y un incremento en 50

el tamao con el aumento de 0

quartz
n-Si

n-Si

SiNx
glass

glass
la presin
Espectros de fotoluminiscencia de las pelculas de silicio
polimorfo nanoestructurados
Modulacin del gap con la potencia de RF y la razn Diclosilano-Hidrgeno
Variaciones de dos ordenes de magnitud en la
fotoconductividad fueron medidas.
Caracterizacin por HRTEM de pelculas crecidas bajo
diferentes condiciones
MEDICIONES DE SEAL RAMAN EN FUNCIN DE LA
REALCIN DICLOROSILANO-HIDRGENO
150 RF power and 250 mT of pressure
R=[SiH2Cl2/H2]
480 520
800 R=0.2

400

0
RAMAN Intensity (a. u.)

800 R=0.1

400

0
300

200 R=0.067

100

0
2000
R=0.05

1000

0
300 325 350 375 400 425 450 475 500 525 550 575 600
-1
Wavenumber (cm )
 COLABORACIONES
Dr. Arturo Morales Acevedo CINVESTAV DF
Dr. Yasuhiro Matsumoto CINVESTAV DF
Dr. Isaac Hernndez Caldern- CINVESTAV DF
Dr. Juan Luis Pea Chiapas- CINVESTAV-Mrida DF
Dr. Mauricio Ortega CINVESTAV DF
Dr. Arturo Ponce Pedraza-CIQA-Saltillo
Dr. Michel Picquart- UAM Iztapalapa
Dra. Alicia Oliver- Instituto de Fsica-UNAM
Dra. Alejandra Lpez Surez-Instituto de Fsica-UNAM
Dr. Abdelah Benami-Instituto de Fsica-UNAM
Dr. Osvaldo Vigil Galn- ESFM-IPN
Dr. Gerardo Contreras Puentes-ESFM-IPN
Dr. Jorge Aguilar Hernndez-ESFM-IPN
Dr. Francisco Cruz Gandarilla ESFM-IPN