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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

EL AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE SIMETRIA


COMPLEMENTARIA.

20141245D - PAJUELO VILLANUEVA, MIGUEL ANGEL


20144554H - QUISPE SAVERO, DAVID
20144553A - SERRANO RAMOS, FERNANDO DIONISIO
20141370C - CHAVEZ SANCHEZ, ROMARIO EVARISTO
20142649A - ROJAS ROJAS, IVAN LUIS EDUARDO

LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALOGICOS


Amplificador de potencia de simetra Laboratorio de Circuitos Analogicos

1. OBJETIVOS
Disenar, simular, implementar y analizar un amplificador simetrico complementario.

2. EQUIPOS Y MATERIALES
1. Un Osciloscopio
2. Un Multmetro
3. Un Generador de ondas.
4. Dos Fuente DC
5. Transistores : Dos (02) BD135 o similar ; Uno (01) BD136 o similar ; Uno (01)
6. TIP41 o similar ; Uno (01) TIP42 o similar ; Uno (01) 2N2222A o similar ; Uno (01)
7. 2N2907 o similar
8. Resistencias y Condensadores de acuerdo al diseno.

3. FUNDAMENTO TEORICO
En el amplificador push-pull (en el cual se utilizan dos transistores del mismo tipo), se
requiere para su funcionamiento de dos excitaciones desfasadas 180o , una con respecto a la
otra, para aplicarlas a las bases de los transistores y as obtener una salida completa. Este
desfasaje se logra con un transformador cuyo secundario tena dos salidas con punto comun. A
continuacion se vera como se evita usar transformadores en la entrada y en la salida, a requisito
de que se usen dos transistores complementarios (uno NPN y otro PNP). Tal amplificador es
llamado AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA.
Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched pair) a un par de
transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancias, potencias, etc. son iguales
o muy similares.
Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched pair) a un par de
transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancias, potencias, etc. son iguales
o muy similares.
Las ventajas y desventajas de estos amplificadores en comparacion con los amplificadores push-
pull se enumeraran posteriormente.

Figura 1: Circuito basico

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Amplificador de potencia de simetra Laboratorio de Circuitos Analogicos

La condicion que deben cumplir V 1 y V 2 es que polaricen de tal modo a Q1 y Q2 que estos
trabajen simetricamente y en clase B (corrientes en reposo cero).
Se hace V 2 = V CC/2 a fin de que V CEQ1 = V CEQ2 = V CC/2 y los dos transistores esten
al corte simultaneamente (clase B). De lo contrario, si V 1 < V 2, entonces conducira Q1 y se
cortara Q2 (ICQ1 > 0, ICQ2 = 0); y si V 2 < V 1 entonces conducira Q2(ICQ2 > 0, ICQ1 =
0), lo cual nos permite una operacion simetrica de los transistores.
La tension en la union de los emisores sera:

V E = V CC/2

Se puede ver con las condiciones anteriores que:

V BE1 = V BE2 = 0eICQ1 = ICQ2 = 0

Podemos ver ahora que ocurre cuando la tension de senal Vin toma valores positivos y negativos.

Figura 2: Semiciclo positivo y negativo

En el semiciclo positivo de Vin la tension en bases se hace mas positiva que la tension en
los emisores:
VB >VE
Lo cual hace que Q1 conduzca y Q2 permanezca en corte.
El sentido de las corrientes se indican en la fig 2a y 2b, notese que IL1 = Ie1 Para el semiciclo
negativo V E > V B, lo cual abre a Q1 y hace conducir a Q2. La corriente en la carga es:
IL2 = Ie2
De este modo, la carga esta alimentada medio ciclo de V in por Q1 y el otro medio ciclo por Q2
DISTORSION DE CRUCE: Debido a que las caractersticas de entrada base-emisor de los
transistores reales es tal que para tensiones pequenas base-emisor, el transistor practicamente
no conduce. Recien este comienza a hacerlo cuando se supera cierto valor (la tension de codo
o tension umbral, V y), que es aproximadamente 0,2V para transistores de Ge y de 0,6V para
los de Si.
La tension de salida tiene la forma que se observa en el siguiente grafico:

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Figura 3: Tension de salida

Se puede notar en la fig.5 que existe cierta zona alrededor de los puntos V b = 0, para
los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea una distorsion en la forma de
onda en la salida (proporcional a la senal iB1iB2), llamada distorsion por cruce (o de cross
over). Esta distorsion se evita polarizando directamente las junturas base-emisor de Q1 y Q2
de modo que exista entre ellas una tension igual a la tension de codo. Una forma simple de
lograr esto es, colocando una resistencia (de pequeno valor) entre las bases de Q1 y Q2 de modo
que se ocasiona una cada de tension en ella suficiente para tener polarizados ligeramente a los
transistores (ver fig. 4).
RD se escoge de modo que cumpla con la anterior ecuacion con: V BE1 = V BE2 = 0,2 (Ge) o
0,7 (Si) La eleccion de RD para polarizar adecuadamente la juntura base-emisor de Q1 y Q2,
es un poco delicada, debido a que una pequena variacion de la tension VBE provoca grandes
cambios de corriente de colector, por lo cual, con un valor demasiado pequeno de VRD no
se eliminara satisfactoriamente la distorsion de cruce. En cambio, si la tension es demasiado
grande, trae como consecuencia distorsion para niveles grandes de senal, ya que cada transistor
conducira mas de medio ciclo, lo cual hara que las corrientes de conduccion se traslapen con
las corrientes que deja conducir el otro transistor.
Practicamente entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero la corriente de colector,
para evitar la distorsion de cruce, es tan pequena que se puede decir que su forma de trabajo
es clase B. La polarizacion de las junturas base-emisor se hace para que cumpla dos funciones:
a) Evitar la distorsion de cruce o cross-over
b) Estabilizar la polarizacion de Q1 y Q2 contra variaciones de temperatura. La forma mas
simple de polarizar en clase AB es mediante una red resistiva. Este esquema no es satisfactorio
debido a que si la polarizacion es poca, la distorsion de cruce sigue siendo severa y, si es mucha,
la corriente de colector sera alta, los transistores disiparan mas potencia pudiendo destruirse o
acortar drasticamente su tiempo de vida y la eficiencia disminuira. Este tipo de polarizacion
es mas efectivo cuando la fuente de alimentacion es regulada pero no permite la compensacion
por variacion de temperatura en las junturas base-emisor.

4. INFORME PREVIO
1. Obtenga la ecuacion dIc / dT para el amplificador de potencia de la figura;
estime que Q1, Q2, Q3, Q4, tienen temperaturas aproximadamente iguales..
La condicion que deben cumplir V 1 y V 2 es que polaricen de tal modo a Q1 y Q2 que
estos trabajen simetricamente y en clase B (corrientes en reposo cero).
Se hace V 2 = V CC/2 a fin de que V CEQ1 = V CEQ2 = V CC/2 y los dos transistores
esten al corte simultaneamente (clase B). De lo contrario, si V 1 < V 2, entonces conducira
Q1 y se cortara Q2 (ICQ1 > 0, ICQ2 = 0); y si V 2 < V 1 entonces conducira Q2(ICQ2 >
0, ICQ1 = 0), lo cual nos permite una operacion simetrica de los transistores.

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La tension en la union de los emisores sera:

V E = V CC/2

Se puede ver con las condiciones anteriores que:

V BE1 = V BE2 = 0eICQ1 = ICQ2 = 0

Podemos ver ahora que Q1, Q2, Q3 y Q4 poseen temperaturas iguales.

2. Disene el circuito amplificador de la figura bajo las siguientes premisas.

Figura 4: Circuito a implementar

3. Aplique las fuentes DC al circuito y verifique los voltajes de polarizacion


conforme a su diseno; si son proximos prosiga.

Figura 5: Tabla 1

4. Con fuente Vin con una senal de voltaje de 1Vp-p y 1KHz;y anote en AC:

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Figura 6: Tabla 2

5. Efectue un barrido de frecuencia y anote:

Figura 7: Tabla 3

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