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, Colombia
Laboratorio # 3: Implementacin
Transistor BJT y Foto Resistencia LDR
Cruz Solano Ricardo, Hurtado Lpez Juan Manuel, Daza Leguizamn Edwin Alejandro.
Departamento de Ingenieras
Facultad Ingeniera Mecnica
Universidad Santo Toms
Electrnica
ricardo.cruz@usantotomas.edu.co, juanhurtado@usantomas.edu.co, Edwin.daza@usantotomas.edu.co.
I. OBJETIVOS:
a) Obtener por medio de calculos el valor de
las resistencias y diferentes componentes
que integran el circuito electronico, para
que este pueda estar en la regin de
saturacin.
b) Identificar correctamente las partes de un
transistor y medir correctamente su Beta. Fig 1. Circuito de Diseo.
c) Implementar adecuadamente la Foto
Resistencia LDR. Realizar el diseo total del circuito para lograr la
saturacin del transistor.
II. MATERIALES:
() = 400
1 Transistor 2N2222A. = 12V
Rel 12V.
Pulsador para protoboard. = 234
1 Portalampara.
1 Bombillo de 120V y 50W. + = VCC (1)
1 LDR(Foto Resistencia)
1 Fuente D.C. + (2)
1 Multimetro.
Resistencias.
=
Universidad Santo Toms, Bogot D.C., Colombia
= 0,03 30
30
=
234
= 128,6
= 12 0,7
Fig 4. Terminales del Transistor.
= 11,3
Determinacin del HFE(Beta) del
= Transistor:
() = 234