Ing. Ma.

Susana Beltrn
 Terminologa
Direccin
Operacin de lectura
Operacin de escritura
Tiempo de acceso
Memoria voltil
Memoria de acceso aleatorio (RAM)
Memoria de acceso secuencial (SAM)
Memoria de lectura y escritura (RWM)
Memoria de solo lectura (ROM)
Dispositivos de memoria esttica
Dispositivos de memoria dinmica
Ing. Ma. Susana Beltrn
 Terminologa
Memoria interna
Memoria secundaria

Ing. Ma. Susana Beltrn

Operacin general

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 Operacin general
Todo sistema de memoria requiere varios tipos diferentes
de lneas de entrada y salida para desempear las
siguientes funciones:
Seleccionar la direccin de la memoria.
Seleccionar una operacin de lectura o escritura.
Proporcionar los datos de entrada que sern
almacenados en una operacin de escritura.
Retener los datos de salida que vienen de la
memoria durante una operacin de lectura.
Habilitar (o deshabilitar) la memoria de manera
que responda o no a las entradas de direccin y al
comando de lectura/escritura.
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Operacin general

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 Operacin general
Ejemplo: describa las condiciones en que se encuentran
en cada entrada y salida cuando se lee el contenido de la
localidad de memoria cuya direccin es 00100.
No utilizadas

0
0 1
1
1
0
0

0 0 0 1
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 Operacin general
Ejemplo: una memoria tiene una capacidad de 4K 8.
Cuntas lneas de datos de entrada y salida tiene?.
Cuntas lneas de direccin tiene?.Cul es la capacidad
en bytes?
Lneas de datos: 8
Lneas de direccin: 12
Capacidad: 4K bytes = 4096 bytes

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 Conexiones CPU-memoria
Interfaz

CPU

ENTRADA SALIDA

Del Hacia el
mundo mundo
exterior exterior

Direcciones
Control MEMORIA
Datos Interfaz
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 Conexiones CPU-memoria
Operacin de lectura:
La CPU proporciona el cdigo de direccin.
La CPU genera la seal de control.
La memoria decodifica direccin.
Los datos se transfieren a la CPU.
Operacin de escritura:
La CPU proporciona el cdigo de direccin.
La CPU coloca los datos.
La CPU genera la seal de control.
Memoria decodifica la direccin.
Los datos se transfieren a la memoria.

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 Memoria de solo lectura ROM
Almacena datos que son permanentes o no cambian con
mucha frecuencia.
Durante la operacin normal, no pueden escribirse datos
en una ROM, pero s puede leerse informacin de ella.
Programacin de la ROM: proceso de grabar datos sen
una ROM.
Algunas ROM pueden borrarse y reprogramarse cuantas
veces se desee.
Las ROM son no voltiles, por tanto se usan para el
almacenamiento de programas.

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Memoria de solo lectura ROM

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Arquitectura de la ROM
1
0

1
1

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Arquitectura de la ROM
1
1

1
0

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 Arquitectura de la ROM
Ejemplo: describa la arquitectura interna de una ROM
que almacena 4K bytes y utiliza un arreglo de registro
cuadrado.
4K = 4 1024 = 4096 palabras de ocho bits.
4096 registros conectados a un canal comn.
4096 = 64.
Arreglo de 64 64.
Decodificador de 1 a 64.
Decodificador de 6 entradas.

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 Tipos de ROM
ROM programable - PROM
Conexin fusible.
Se programan por el usuario, no durante el proceso de
fabricacin.
Una vez programada, no puede borrarse ni
reprogramarse.
Existen programadores comerciales de PROM.

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 Tipos de ROM
ROM programable - PROM

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 Tipos de ROM
ROM programable - PROM

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 Tipos de ROM
ROM programable y borrable - EPROM
Se programan por el usuario, y pueden borrarse y
reprogramarse cuantas veces se desee.
Para programar se aplican niveles de voltaje
especiales (10V 25V) por cierta cantidad de tiempo (50
mseg por localidad). Puede tardar varios minutos.
Circuito especial de programacin que est separado
de la EPROM.
Transistores MOSFET.
Se puede borrar a travs de luz ultravioleta (UV). Tarda
de 15 a 30 minutos y borra toda las localidades.

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 Tipos de ROM
ROM programable y borrable - EPROM

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 Tipos de ROM
ROM programable y borrable EPROM

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 Tipos de ROM
ROM elctricamente borrable - EEPROM
Capacidad de borrar y reprogramar elctricamente
palabras individuales.
Puede borrarse y reprogramarse en menos tiempo que
una EPROM (10 mseg para borrar, y 10 mseg por
palabra para programar).
Memoria flash es un tipo de memoria EEPROM.

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 Tipos de ROM
ROM elctricamente borrable - EEPROM

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 Aplicaciones de las ROM
Almacenamiento de programas en microcontroladores
(firmware).
Memoria de arranque.
Tablas de datos.
Convertidor de datos.

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 Tipos de ROM
Ejemplo: muestre la forma en la que puede emplearse
una ROM para guardar la funcin y = x + 3, donde las
entradas de direcciones proporcionan el valor de x mientras
que las salidas de datos corresponden al valor de y.

x y = x + 3
A1 A0 D3 D2 D1 D0
0 0 0 0 1 1
0 1 0 1 0 0
1 0 0 1 1 1
1 1 1 1 0 0
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 Aplicaciones de las ROM
Generadores de funciones

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 RAM
Memoria de acceso aleatorio.
Memoria de lectura y escritura (RWM).
Almacenamiento temporal de datos e instrucciones
(programas).
Ciclos de lectura y escritura rpidos para que no reduzca
la velocidad de operacin de la computadora.
Puede ser voltil y no voltil.

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Arquitectura de la RAM

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 Arquitectura de la RAM
Ejemplo: la 2147 es una RAM que se organiza como una
memoria 4K 1 con entrada y salida de datos separadas, y
con una sola entrada de seleccin de CI activa en BAJO.
Trace el smbolo lgico.

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 Arquitectura de la RAM
Ejemplo: la 2168 es una RAM que se organiza como una
memoria 4K 4 con terminales de entrada/salida comunes
y una habilitacin de CI activa en BAJO. Trace el smbolo
lgico.

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 RAM Esttica
RAM esttica SRAM.
Puede almacenar datos mientras se aplica energa al
circuito. Celdas: flip-flops.
Disponibles en tecnologa bipolar y MOS (NMOS y
CMOS).

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 RAM Esttica
Temporizacin Ciclo de lectura

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 RAM Esttica
Temporizacin Ciclo de escritura

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RAM Esttica

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 RAM Dinmica
RAM Dinmica DRAM.
Gran capacidad, bajos requerimientos de potencia y
velocidad de operacin media.
Se fabrican con tecnologa MOS.
Guardan unos y ceros como cargas en capacitores.
Refresco de la memoria RAM dinmica: recarga
peridica de las celdas. Cada 2 a 10 mseg.
Diseo ms complejo: incluir circuitera adicional para
implantar la operacin de refresco.
Soluciones: iRAM (< 64K palabras)
Controladores de memoria dinmica (> 64K)

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 RAM Dinmica
Para aplicaciones donde los factores de velocidad y
reduccin en la complejidad son ms importantes que las
consideraciones de espacio y consumo de potencia, las
RAM estticas siguen siendo la mejor opcin.
DRAM permiten una mayor densidad de integracin.
DRAM tienen un menor costo por bit de almacenamiento.

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RAM Dinmica

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 RAM no voltil
RAM no voltil - NVRAM
Contiene una matriz de RAM esttica y una matriz
EEPROM sobre el mismo CI.
Operacin normal: los datos se escriben y leen en las
celdas de la RAM esttica.
Falla en el sumistro de energa:
Se genera una seal indicando la falla.
Se transfiere en paralelo el contenido de todas las
celdas de la RAM esttica hacia la EEPROM.
Cuando regresa la energa, los datos se transfieren
desde la EEPROM hacia la RAM esttica.

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