Laboratorio #1 Tiristores

LABORATORIO ELECTRNICA INDUSTRIAL
PROGRAMA DE FORMACIN REGULAR
LABORATORIO DE
ELECTRNICA INDUSTRIAL
5 ciclo
C10
INTEGRANTES: Einer Menor Altamirano
Adrin Jurez Jurez
Jos Santos Jurez Seminario
GRUPO: 2 SECCIN: L
FECHA DE REALIZACIN: 28/04/2017

FECHA DE PRESENTACIN: 12/05/2017
LABORATORIO N 1
TIRISTORES
1. INTRODUCCIN
Semiconductores de varias capas que presentan una accin de conmutacin

biestable, debido a su inherente realimentacin regenerativa. Puede controlar
grandes potencias, con una potencia de control mnima.
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores

de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que
los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores
prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
2. OBJETIVOS
Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de semiconductores de

potencia.
Probar su funcionamiento y establecer diferencia de comportamiento.
3. MARCO TERICO
3.1 DEFINICIN DE UN TIRISTOR
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico

de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar
plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel
intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas
de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo
Shockley.
3.2 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN TIRISTOR

El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al
recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control,
denominada puerta (o en ingls, GATE) cuando hay una tensin positiva
entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el
ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje,
abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso
por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil
corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa
mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la
unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe
generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe
haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una
ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo
conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir
desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de
enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de

disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo
para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la
tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de
puerta, pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente
suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor
ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe

intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de
bloqueo.
3.3 TIPOS DE TIRISTORES
a. Diodo rectificador tipo tornillo.

Concepto:
Tipo de diodo utilizado en electrnica que constituye un elemento
imprescindible para convertir corriente alterna en continua.
Caractersticas generales.
Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los
medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera,
permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos
negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el
paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos
rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en
que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que
pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa
mximas que soportarn.
Aplicacin de los diodos rectificadores.

Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las
fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente
alterna en otra de corriente directa. Los diodos rectificadores se usan
principalmente en: circuitos rectificadores, circuitos fijadores, circuitos
recortadores, diodos volantes. El diodo Zener se usan en circuitos
recortadores, reguladores de voltaje, referencias de voltaje.
b. Tiristor SCR.
Concepto.
Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiristor, es decir, se constituye
por tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G).
Caractersticas generales:
Tiene la caracterstica de conducir la corriente elctrica en un solo
sentido tal como lo hace un diodo, pero para que comience a conducir
el tiristor SCR necesita ser activado, mientras el tiristor SCR no sea
activado este no conducir. Cuando el tiristor SCR no conduce se le
puede considerar como un interruptor abierto y mientras conduce
como un interruptor cerrado.
La activacin del tiristor SCR se puede dar de 2 maneras diferentes,
una de ellas ser cuando entre el nodo y el ctodo se presente una
tensin llamada voltaje de ruptura o voltaje de cebado y simbolizado
mediante VDRM, ocurrir que mientras la tensin entre el nodo y el
ctodo sea menor al voltaje de ruptura este no conducir, pero cuando
la tensin entre el nodo y el ctodo del tiristor SCR alcance
o sea, mayor a la tensin de ruptura, este se activar y Tiristor SCR
smbolo conducir; en el momento que el tiristor SCR comienza a
conducir, la tensin entre el nodo y el ctodo baja de una forma casi
instantnea hasta un mnimo valor, haciendo que el SCR se comporte
como si fuera un cortocircuito, pero no lo es del todo ya que entre el
nodo y el ctodo habr esa mnima tensin a la cual se le llama
tensin de encendido simbolizado como VTM.
Aplicacin de un tiristor SCR

Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificacin de
corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la
realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en
circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que
transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que
presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es
que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta.
De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace
variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos
de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada.
Adems, el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la
alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar
a recibir tensin inversa.
c. Transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin
de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe
una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los
bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de
transistor son los siguientes:
d. MOSFET.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura
MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. La
prctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn
basados en transistores MOSFET.
Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material
semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de
dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea
sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una
capa de conductor.
e. Transistor IGBT.
Componente electrnico diseado para controlar principalmente altas
potencias, en su diseo est compuesto por un transistor bipolar de
unin BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.
Funcionamiento.
Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensin. Para el
encendido se da una tensin positiva en puerta respecto al emisor, los
portadores n son atrados a la regin p de la puerta; as se polariza en
directa la base del transistor NPN permitiendo la circulacin de
corriente colector-emisor. Para el apagado basta con quitar la tensin
de la puerta. Esto requiere de un circuito de control simple para el
transistor IGBT.
4. EQUIPOS Y MATERIALES
CANTIDAD DESCRIPCIN MARCA MODELO
Multmetro
digital
01
Meterm 38XR
an
Computadora
01 Lenovo ..
01 Software .
MultiSin
Protoboard
01 ..
5. PROCEDIMIENTO
A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO

1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Cdigo elctrico de investigacin: SKN 26/08
Smbolo:
2. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):
Fabricante: Semikron
Parmetro Abreviacin Valor
Voltaje Pico inverso repetitivo VRrm 800 V
Voltaje pico inverso no repetitivo Vrsm 800 V
Corriente directa media IFAV 25 A
Corriente directa eficaz IFRMS 40 A
Corriente instantnea no repetitiva IFSM 375 A
3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.
TERMINAL
4. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.
Lectura del multmetro: OL
Lectura del multmetro: 0.429 A1/SKN
Marque el estado del dispositivo:

Operativo: X
Inoperativo:
OBSERVACIONES:
Fue un poco complicado en encontrar su Ficha Tcnica del diodo SKN

26/08, ya que el cdigo electrnico de identificacin se encontraba
borroso en la mayor parte.
CONCLUSIONES:
Al realizar este laboratorio se hizo referencia a como revisar si un

diodo rectificador tipo perno SKN 26/08 est en buen estado; en este
caso se aprendi a identificar si un diodo rectificador est en mal

estado o no funciona del todo revisndolo con un multmetro digital.
El diodo se encontraba operativo, esto fue fcil de identificar utilizando

un multmetro y midiendo voltaje lo cual cuando medimos de nodo
a ctodo el voltaje fue 0.429 V lo cual mostraba que el diodo si estaba
operativo.
B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR

Cdigo elctrico de identificacin: SKT
Smbolo:

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: Semikron
Voltaje Pico inverso repetitivo VRRM 1600 V
Voltaje pico inverso no repetitivo VRSM 1700 V
Corriente directa media ITAV 28 A
Corriente directa eficaz ITRMS 36 A
Corriente instantnea no repetitiva 700

ITSM


Digital.
Cable Rojo del Cable Negro del Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro
A K OL
K A OL
A G OL
G A OL
K G 0.029
G K 0.029
Operativo: X
Inoperativo:
OBSERVACIONES:
No se pudo identificar a la brevedad posible el cdigo electrnico de
identificacin de dicho diodo ya que este se nos hizo muy difcil de
buscarlo en la ficha tcnica.
CONCLUSIONES:
Se concluy que el transistor SCR funciona como un interruptor

automtico ya que este se activa solo.
Se concluy que es retardante ya que con este se puede ajustar el

tiempo de encendido que se requiera. El nodo y ctodo funcionan
como un diodo permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido
y mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta Gate del SCR
no se inicia la conduccin.
C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES
TRANSISTOR N 1
Tipo de transistor: NPN tipo chapa

Cdigo elctrico de identificacin:2N3055
Smbolo:

Fabricante: STMICROELECTRONICS
Voltaje Mximo C-E VCEO 70 V
Voltaje Mximo C-B VCB 100 V
Ic Mximo IC 15 A
Potencia de Disipacin PD 115 W
Beta o hfe 70
HFE
Frecuencia de operacin 3 MHz
FT


Digital.
Cable Rojo del Cable Negro del

Valor Medido (V)
Multmetro Multmetro
C E OL
E C OL
C B OL
E B OL
B E 0.556
B C 0.553
Operativo: X
Inoperativo:
OBSERVACIONES:
Se observ que tenamos dificultad para hallar el cdigo electrnico
de identificacin.
CONCLUSIONES:
Se concluy que, si el transistor registra continuidad en ambos

sentidos, sea al cambiar las puntas, el transistor est en corto o
averiado.
Si existe continuidad entre la base y las otras dos patas, en un
sentido, mas no en el otro, y no existe continuidad entre conector
y emisor, el transistor est en perfecto estado.
TRANSISTOR N 2
Tipo de transistor: IGBT

Cdigo elctrico de identificacin: G4PC40W
Smbolo:

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):
Fabricante: International rectifer
Voltaje Mximo D-S VDS 600 V
Voltaje G-S VGS 20 V
ID Mximo a 25 C ID 40 A
Resistencia D-S (On) 0.24

RDS


Digital.

Valor Medido (V)
Multmetro Multmetro
D S OL
S D 0.121
D G OL
G D 0.122
G S OL
S G OL
Operativo: X
Inoperativo:
OBSERVACIONES:
Se observ que para analizar el estado del transistor IGBT tenemos

que hacer otro tipo de anlisis.
Tambin se observ que uno de sus terminales del IGBT estaba roto,
la cual nos dificulto demora al momento de realizar el laboratorio.
CONCLUSIONES:
Se concluy que el IGBT es un dispositivo para la conmutacin en

sistemas de alta tensin, ya que la tensin de control en la puerta es
de 15 V, esto permite tener la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la
puerta.
El transistor IGBT tiene caractersticas de los MOSFET, que

generalmente se usan para sistemas de potencia con capacidad de
conmutacin o switcheo de 20KHz.
TRANSISTOR N 3
Tipo de Transistor: MOSFET
Cdigo Elctrico de identificacin: IRF3205
Smbolo:

Fabricante:
Voltaje Mximo C-E VCE 55 V
Voltaje G-E VGE 20 V
IC Mximo IC 110 A
Voltaje CE (On) VCE


Digital.

Valor Medido (V)
Multmetro Multmetro
C E OL
E C 0.114
C G OL
G C OL
G E OL
E G OL
Operativo: X
Inoperativo:
OBSERVACIONES:
Se observ que el diodo que nos dieron para realizar el laboratorio

tena un diodo en paralelo.
CONCLUSIONES:
Se concluy que haciendo una comparacin con los dems

transistores el MOSFET, es que el terminal de puerta G est
formado por una estructura de tipo metal/oxido/semiconductor. El
xido es aislante, por lo que se sabe que la corriente en la puerta es
prcticamente nula, mucho menor que el JFET.
Se concluy que tambin los diodos tipo MOSFET se emplean para

tatar seales de muy baja potencia.
D. PRUEBA DE TRANSISTORES
21. Implemente el siguiente circuito usando para ello:

El software multisin
TRANSISTOR BIPOLAR
22. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:
T1 Colector
T2 Base
T3 Emisor
23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y
para cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo
en el punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
Voltaje en B Voltaje en A
15 V 637.224 mV
12 V 649.216 mV SATURACIN
10 V 665.859 mV
8V 717.538 mV
6V 1.195 V
AMPLIFICACIN
4V 2.631 V
2V 5.116 V
1V 8.434 V
0.5 V 8.434 V CORTE
0V 0V
Circuito implementado
24. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren
los siguientes estados:
Corte, Amplificacin y Saturacin
OBSERVACIONES:
Tenamos dificultad al momento de disearlo el circuito en el multisin.
CONCLUSIONES:
Se lleg a conclusin que es importante llegar a comprender el uso del

transistor en corte y saturacin ya que se utilizar muchas veces. En corte la
intensidad intenta pasar del colector al emisor, pero no puede ya que est
interrumpido.
TRANSISTOR MOSFET
T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
15 V 6.54 mV Saturacin
12 V 6.875 mV
10 V 7.225 mV
8V 7.998 mV
6V 9.448 mV Amplificacin
4V 41.05 mV
2V 15 V
1V 15 V Corte
0.5 V 15 V
0V 0V
27. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren

los siguientes estados:
OBSERVACIONES:
Se observ mucha dificultad al momento de realizarlo el circuito en el

multisin.
CONCLUSIONES:
Se lleg a conclusin que las prdidas de potencia del MOSFET son un factor
tomado en cuenta para la seleccin de un dispositivo de conmutacin. La
eleccin no es sencilla pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores
o mayores prdidas que un BJT en un valor especifico de corriente.
Por otra parte, se concluy que los MOSFET se emplean para tratar seales
de muy baja potencia, esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados
en una gran gama de aplicaciones.
TRANSISTOR IGBT
T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
15 V 872.475 mV Saturacin
12 V 875.404 mV
10 V 878.394 mV
8V 905.019 mV
Amplificacin
6V 15 V
4V 15 V
2V 15 V
1V 15 V Corte
0.5 V 15 V
0V 15 V
30. En el cuadro anterior encierre en un recuadro y anote las mediciones que

muestren los siguientes estados:
31. Cul de los dispositivos posee un cambio ms rpido de corte a saturacin?
T. Bipolar :
T. Mosfet : Posee un cambio ms rpido de corte a saturacin.
T. IGBT :
OBSERVACIONES:
Se observ que al hacer la simulacin en el multisin haba

dificultades.
CONCLUSIONES:
Se concluy que el IGBT es adecuado para velocidades de

conmutacin de hasta 100 KHz y va sustituido al IGBT en muchas
aplicaciones.
Tambin se concluy que el hacer la simulacin en el multisin nos
lleva a tener un mejor entendimiento sobre como son las
conexiones de los diodos.
6. FICHAS BIBLIOGRFICAS
Tiristores
http://infmk5angelicarmzsauce7513.blogspot.pe/2014/10/tiristores.html
Caractersticas, aplicaciones, funcionamiento de los tiristores.

https://es.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-aplicaciones-
y-funcionamiento
Diodo rectificador
https://www.ecured.cu/Diodo_rectificador
Funcionamiento de un tiristor SCR

http://mrelbernitutoriales.com/tiristor-scr/

Laboratorio #1 Tiristores

Caricato da

Informazioni sul documento

Titolo originale

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

Laboratorio #1 Tiristores

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

LABORATORIO ELECTRNICA INDUSTRIAL

PROGRAMA DE FORMACIN REGULAR

FECHA DE REALIZACIN: 28/04/2017

Semiconductores de varias capas que presentan una accin de conmutacin

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores

Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de semiconductores de

Probar su funcionamiento y establecer diferencia de comportamiento.

3.1 DEFINICIN DE UN TIRISTOR

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico

3.2 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN TIRISTOR

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de

Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe

3.3 TIPOS DE TIRISTORES

a. Diodo rectificador tipo tornillo.

Aplicacin de los diodos rectificadores.

Aplicacin de un tiristor SCR

CANTIDAD DESCRIPCIN MARCA MODELO

A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO

2. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

Parmetro Abreviacin Valor

Voltaje Pico inverso repetitivo VRrm 800 V

Voltaje pico inverso no repetitivo Vrsm 800 V

Corriente directa media IFAV 25 A

Corriente directa eficaz IFRMS 40 A

Corriente instantnea no repetitiva IFSM 375 A

3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

4. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Lectura del multmetro: OL

Lectura del multmetro: 0.429 A1/SKN

Marque el estado del dispositivo:

Fue un poco complicado en encontrar su Ficha Tcnica del diodo SKN

Al realizar este laboratorio se hizo referencia a como revisar si un

caso se aprendi a identificar si un diodo rectificador est en mal

El diodo se encontraba operativo, esto fue fcil de identificar utilizando

B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR

5. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

6. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

Parmetro Abreviacin Valor

Voltaje Pico inverso repetitivo VRRM 1600 V

Voltaje pico inverso no repetitivo VRSM 1700 V

Corriente directa media ITAV 28 A

Corriente directa eficaz ITRMS 36 A

Corriente instantnea no repetitiva 700

7. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

8. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Cable Rojo del Cable Negro del Valor Medido (V)

Marque el estado del dispositivo:

Se concluy que el transistor SCR funciona como un interruptor

Se concluy que es retardante ya que con este se puede ajustar el

9. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Tipo de transistor: NPN tipo chapa

10. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

Parmetro Abreviacin Valor

Voltaje Mximo C-E VCEO 70 V

Voltaje Mximo C-B VCB 100 V

Potencia de Disipacin PD 115 W

11. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

12. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Cable Rojo del Cable Negro del

Marque el estado del dispositivo:

Se concluy que, si el transistor registra continuidad en ambos

13. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Tipo de transistor: IGBT