Facultad de ingeniera, programa de ingeniera mecnica

CURVA CARACTERSTICA DE UN TRANSISTOR

TRANSISTOR S CHARACTERISTIC CURVE

Oscar Javier Pizarro Prieto, Juan Diaz Gutierres, Elkin Castillo Urueta, Laura Quiroz Blanco,
Bengal Jhensy

Resumen
Esta experiencia realizada en el laboratorio de electrnica de la Universidad del Atlntico, tuvo como objetivo final trazar
la curva caracterstica del tipo de transistor utilizado y adems analizar el comportamiento del mismo para diferentes
montajes. En el diseo experimental del circuito se destacan la utilizacin de resistencias hmicas, una como base de
circuito y otra como resistencia de carga, para que de esta forma el transistor pueda producir una seal de salida en
respuesta a otra seal de entrada propuesta en funcin de las fuentes de voltajes implicadas. Por ltimo considere tam-
bin que se pretende identificar con la ayuda del multmetro los terminales del transistor usado, ya que de esta manera
se conoce el tipo de elemento utilizado en el montaje y bajo esta consideracin debe realizarse la conexin adecuada para
la prctica; en la experiencia fue utilizado un transistor del tipo NPN con una referencia de fbrica 2N3904.
Palabras claves: Transistor, Colector, Emisor, Base, Ganancia.

Abstract
This experience developed in the electronics lab at the Universidad Del Atlntico, had as the main objective graph the characteristic
curve of the type of transistor used in the practice and also analyze the behavior of the same component for different assemblies. In
the experimental design of the circuit were highlighted the use of ohmic resistors, one to create the base of the circuit and another
such as a load resistor, with the purpose to produce an output signal in response to another input signal given in terms of sources of
voltages involved. Finally, take into account to identify the terminals of the transistor with the correct function of the multimeter
used, all this in order to recognize the element type used in the assembly and under this consideration make the appropriate connec-
tion for the practice performed; in the experience was used an NPN transistor with a 2N3904 factory reference.
Keywords: Transistor, Collector, Emitter, Base, Gain.

1. Introduccin tivo de estado slido que reemplaz al tubo de vaco.

Un transistor es conocido tambin como BJT (bipolar jun-
ction transistor) que quiere decir transistor de unin bi-
polar, dando alusin a las regiones semiconductoras
presentes en ese componente y as determinar su aplica-
cin en especfico. Se considera el transistor como una
invencin muy significativa a lo largo del siglo XX, este
inventado en 1947 por un equipo de cientficos de Bell
Laboratorios. William Schochley, Walter Brattain y John
Bardeen desarrollaron el dispsi
Cada uno de ellos recibi el premio Nobel en 1956.
El BJT se utiliza en dos reas extensas: como amplifica-
dor lineal para reforzar o amplificar una seal elctrica
y como un interruptor electrnico; para cualquier apli-
cacin debe tenerse claro el fundamento de las uniones
semiconductoras pues debe aclarase el tipo de transistor,
siendo PNP o NPN.
2. Marco terico

Una vez estudiado el diodo de unin, que es el disposi-

tivo semiconductor de dos terminales ms elemental,

Correo electrnico: guardiandaniel_20@hotmail.com

 Curvas caractersticas de los transistores

ahora dirigimos nuestra atencin a dispositivos semi-

conductores de 3 terminales, que son mucho ms tiles
que los de dos terminales porque se puede utilizar en un
multitud de aplicaciones que varan desde una amplifi-
cacin de seales hasta el diseo de circuitos digitales
lgicos y de memoria. Los principios fundamentales que
intervienen aqu son el uso del voltaje entre dos termi-
nales para controlar la corriente que circula en el tercer
terminal. En esta forma, un dispositivo de 3 terminales
se puede usar para realizar una fuente controlada, que
es la base para el diseo de amplificadores. Tambin, en
el extremos la seal de control se puede emplear para
hacer que la corriente del tercer terminal cambie de cero
a un valor grane, permitiendo as que el dispositivo ac-
te como interruptor.

Un transistor se define como un dispositivo semicon-

ductor para aplicaciones de amplificacin y conmuta-
cin.

El transistor se utiliza ampliamente en circuitos discre-

tos y en el diseo de circuitos integrados tanto analgi- Figura 1. Construccin bsica de un BTJ. a) Estructura plana
cos como digitales. Las curvas caractersticas del dispo- epitaxial bsica. b) npn. c) pnp. Tomado de [2]
sitivo estn tan bien entendidas que se pueden disear
circuitos transistorizados cuya operacin es sorprenden- La unin pn que une la regin de la base y la regin del
temente predecible y bastante insensible a variaciones emisor se llama unin base-emisor. La unin pn que une
de los parmetros del dispositivo. [1] la regin de la base y la regin del colector se llama
unin base-colector, como la figura 1(b) lo muestra: un
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres conductor conecta a cada una de estas tres regiones. Es-
regiones semiconductoras separadas por dos uniones tos conductores se designan E, B y C por emisor, base y
pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la colector, respectivamente.
figura 1(a). Las tres regiones se llaman emisor, base y co-
lector. En las figuras 1(b) y (c) se muestran representa-
ciones fsicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone
de dos regiones n separadas por una regin p (npn) y el
otro tipo consta de dos regiones p separadas por una re-
gin n (pnp). El trmino bipolar se refiere al uso tanto de
huecos como de electrones como portadores de corriente
en la estructura de transistor.

Figura 2. Simbolos de un BTJ estndar. a) npn. b) pnp. To-

mado de [2]

2

La regin de la base est ligeramente dopada y es muy
delgada en comparacin con las regiones del emisor, ex-
cesiva me te dopada, y la del colector, moderadamente
dopada (la siguiente seccin explica la razn de esto). La
figura 2 muestra los smbolos esquemticos para los
transistores npn y pnp.
La figura 3 muestra los arreglos para polarizacin tanto
de BJT npn como pnp para que operen como amplifica-
dor. Observe que en ambos casos la unin base-emisor
(BE) est polarizada en directa y la unin base-colector
(BC) polarizada en inversa. Esta condicin se llama po-
larizacin en directa-inversa.
Figura 3. Polarizacin en directa e inversa de un BTJ. a) npn.
b) pnp. Tomado de [2]
Para entender cmo opera un transistor de manera deta-
llada y analizada desde el punto de vista microscpico
considere ver la figura A-1 que se encuentra disponible
en el anexo de este informe.
Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y
su smbolo esquemtico se muestran en la figura 4(a); las
3
Curvas caractersticas de los transistores
correspondientes a un transistor pnp se muestran en la
figura 4(b). Observe que la flecha en el emisor en el inte-
rior de los smbolos de transistor apunta en la de reac-
cin de la corriente convencional. Estos diagramas
muestran que la corriente de emisor (IE) es la suma de la
corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB), ex-
presada de la siguiente manera:
= +
Figura 4. Corrientes en el transistor. a) npn. b) pnp. Tomado
de [2]
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el co-
ciente de la corriente de cd del colector (IC) entre la co-
rriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de
cd:
=
Los valores tpicos de cd van desde 20 hasta 200 o ms,
cd normalmente se expresa como un parmetro h-
brido (h) equivalente, hfe en hojas de datos de los tran-
sistores. El cociente de la corriente de cd del cole toro
(IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de
cd (cd). La alfa es un parmetro menos utilizado que la
beta en circuitos con transistores:
=
En general, los valores de cd van desde 0.95 hasta 0.99
o ms, aunque cd siempre es menor que 1. La razn es
que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad
de IB.
Considere la configuracin del circuito de polarizacin
de transistor bsico que aparece en la figura 5. Es posible
identificar tres corrientes de cd y tres voltajes de cd.

Figura 5. Corrientes y voltajes en el transistor. Tomado de [2]
Siendo: IB: corriente de cd de base, IE: corriente de cd de
emisor, IC: corriente de cd de colector, VBE: voltaje de
cd en la base con respecto al emisor, VCB: voltaje de cd
en el colector con respecto a la base, VCE: voltaje de cd
en el colector con respecto al emisor.
La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unin
base-emisor y la fuente de voltaje, VCC polariza en in-
versa la unin base-colector. Cuando la unin base emi-
sor se polariza en directa, opera como un diodo polari-
zado en directa y la cada de voltaje con polarizacin en
directa nominal es: 0,7
Aunque en un transistor VBE puede ser tan alto como
0.9 V y ste depende de la corriente, se utilizar 0.7 V en
todo este texto para simplificar el anlisis de los concep-
tos bsicos. Tenga en cuenta que la caracterstica de la
unin base-emisor es la misma que la curva de diodo
normal.
Como el emisor est conectado a tierra (0 V), de acuerdo
con la ley del voltaje de Kirchhoff, el voltaje a travs de
RB es: =
Asimismo, de acuerdo con la ley de Ohm, =
para tener: = y de esta forma:
=
El voltaje en el colector con respecto al emisor conectado
a tierra es: =
Curvas caractersticas de los transistores
Como la cada a traves de Rc est dada por: =
el voltaje en el colector con respecto al emisor es: =
donde Ic = Ib.
El voltaje a travs de la unin colector-base polarizada
en inversa es: =
Con un circuito como el mostrado en la figura 5 se puede
generar un conjunto de curvas caractersticas del colec-
tor que muestren cmo vara la corriente en el colector,
IC, con el voltaje en el colector con respecto al emisor,
VCE, con valores especificados de corriente de base, IB.
Observe en el diagrama del circuito que tanto VBB como
VCC pueden ser fuentes de voltaje variable. Suponga
que VBB se ajusta para que produzca un cierto valor de
IB y que VCC es cero. En esta condicin, tanto la unin
base-emisor como la unin base-colector estn polariza-
das en directa porque la base est a aproximadamente
0.7 V, en tanto que el emisor y el colector estn a 0 V. La
corriente de base circula a travs de la unin base-emisor
debido a la trayectoria de baja impedancia hacia tierra y,
por consiguiente, IC es cero. Cuando ambas uniones es-
tn polarizadas en directa, el transistor se encuentra en
la regin de saturacin de su operacin. Saturacin es el
estado de un BJT en el cual la corriente en el colector al-
canza un mximo independientemente de la corriente en
la base.
Figura 6. Curva de IC contra VCE para un valor de IB. To-
mado de [2]
4

A medida que VCC se incrementa, VCE lo hace a me-
dida que la corriente de colector se incrementa. Esto es
indicado por la parte de la curva caracterstica entre los
puntos A y B de la figura 6. IC se incrementa a medida
que VCC lo hace, porque VCE permanece a menos de 0.7
V debido a la unin base-colector polarizada en directa.
Idealmente, cuando VCE excede de 0.7 V, la unin base-
colector se polariza en inversa y el transistor entra a la
regin lineal o activa de su operacin. Una vez que la
unin base-colector se polariza en inversa, IC se nivela y
permanece esencialmente constante para un valor dado
de IB a medida que VCE contina incrementndose. En
realidad, IC se incrementa muy poco a medida de VCE
se incrementa debido al ensanchamiento de la regin de
empobrecimiento base-colector. Esto produce pocos
huecos para recombinacin en la base lo que efectiva-
mente provoca un incremento leve de CD. Esto es mos-
trado por la parte de la curva caracterstica entre los pun-
tos B y C en la figura 6. Para esta parte de la curva carac-
terstica, la relacin expresada como IC = IB determina
el valor de IC. Cuando VCE alcanza un voltaje suficien-
temente alto, la unin base-colector polarizada en in-
versa entra en la condicin de ruptura, y la corriente de
colector se incrementa con rapidez como lo indica la
parte de la curva a la derecha del punto C en la figura 6.
Un transistor nunca debe ser operado en esta regin de
ruptura.
Figura 7. Familias de curvas IC contra VCE para varios valo-
res de IB (IB1< IB2< IB3, etc.). Tomado de [2]
5
Curvas caractersticas de los transistores
Se produce una familia de curvas caractersticas cuando
IC contra VCE se traza para varios valores de IB, como
lo ilustra la figura 7. Cuando IB = 0, el transistor se en-
cuentra en la regin de corte, aunque existe un corriente
de fuga muy pequea en el colector, como se indica.
Corte es el estado de no conduccin de un transistor. La
cantidad de corriente de fuga en el colector con IB = 0
est exagerada en la grfica en aras de la claridad.
Como se mencion, cuando IB=0, el transistor se encuen-
tra en la regin de corte de su operacin. Esto se muestra
en la figura 8 con la terminal de la base abierta, lo que
produce una corriente de cero en la base. En esta condi-
cin, existe una cantidad muy pequea de corriente de
fuga en el colector, ICEO, debido principalmente a por-
tadores producidos trmicamente. Como ICEO es extre-
madamente pequea, normalmente se omite en el anli-
sis de circuitos, de tal forma que VCE= VCC. En la regin
de corte, ni la unin base-emisor ni la unin base-colec-
tor estn polarizadas en directa. El subndice CEO repre-
senta colector con respecto a emisor con la base abierto.
Figura 8. Transistor en modo corte Tomado de [2]
Cuando la unin base-emisor se polariza en directa y la
corriente en la base se incrementa, la corriente en el co-
lector tambin lo hace (IC= IB) y VCE se reduce a con-
secuencia de ms cada a travs del resistor del colector
(VCE =VCC -ICRC) (figura 9). Cuando VCE llega a su
valor de saturacin, VCE (sat), la unin base-colector se
polariza en directa e IC ya no puede incrementarse ms,
incluso con un incremento continuo de IB. En el punto
de saturacin, la relacin IC= IB ya no es vlida. VCE
(sat) para un transistor ocurre en alguna parte debajo de
la inflexin de las curvas de colector y normalmente es
de slo unos cuantos dcimos de un volt.

Figura 9. Transistor en modo saturacin Tomado de [2]
Las condiciones de corte y saturacin pueden ser ilustra-
das en relacin con las curvas caractersticas de colector
con el uso de una recta de carga. La figura 10 muestra
una recta de carga de cd trazada sobre una familia de
curvas que conecta el punto de corte y el punto de satu-
racin. La parte inferior de la recta de carga se encuentra
en el punto de corte ideal donde IC=0 y VCE = VCC. La
parte superior de la recta de carga se encuentra en el
punto de saturacin donde IC=IC (sat) y VCE= VCE
(sat). Entre el punto de saturacin y el punto de corte a
lo largo de la recta de carga se encuentra la regin activa
de la operacin del transistor.
Figura 10. Recta de carga. Tomado de [2].
3. Mtodos experimentales
Para el primer anlisis ajustamos la corriente base en
40A y variamos el voltaje de colector de forma lineal de
0,5V hasta 12V.
6
Curvas caractersticas de los transistores
En el segundo anlisis tomamos un voltaje de colector
constante de 10V y variamos la corriente de base en pa-
sos de 40A.
4. Anlisis de resultados y discusiones
Antes de comenzar con los resultados es bueno empezar
con el siguiente tema, Posiciones de prueba en un diodo
con el multmetro digital, ya que teniendo claro esto se
puede saber el tipo de transistor utilizado. La mayora
de los multmetros digitales (DMM) disponen de la fun-
cin diode test (prueba de diodo) que permite probar de
forma conveniente un transistor. Un multmetro digital,
como muestra la figura 13, tiene un pequeo smbolo de
diodo para sealar la posicin del selector de funciones.
Cuando se coloca para probar un diodo, el medidor pro-
porciona un voltaje interno suficiente para polarizar en
directa y en inversa una unin de transistor.
Figura 13. Identificacin de transistor con el multmetro. a)
Prueba de polarizacin en directa de la unin BE, b) Prueba
de polarizacin en inversa de la unin BE, c) Prueba de pola-
rizacin en directa de la unin BC, d) Prueba de polarizacin
en inversa de la unin BC. Tomado de [2].
 Curvas caractersticas de los transistores

Con base a los montajes realizados se tienen los siguien-

tes resultados para cada ocasin:

Vcc (V) Vbe (V) Vce (V) Ic (A) Ib (A)

Vcc (V) Vbe (V) Vce (V) Ic (A) Ib (A)
0,5 0,046 0,549 -0,049 80
0,5 0,05 0,553 -0,053 40
1 0,028 0,558 0,442 80
1 0,055 0,555 0,445 40
1,5 0,036 0,567 0,933 80
1,5 0,06 0,546 0,954 40
2 0,049 0,572 1,428 80
2 0,071 0,569 1,431 40
2,5 0,051 0,577 1,923 80
2,5 0,082 0,574 1,926 40
3 0,059 0,582 2,418 80
3 0,094 0,579 2,421 40
3,5 0,063 0,585 2,915 80
3,5 0,103 0,582 2,918 40
4 0,068 0,588 3,412 80
4 0,117 0,586 3,414 40
4,5 0,073 0,591 3,909 80
4,5 0,135 0,589 3,911 40
5 0,079 0,593 4,407 80
5 0,166 0,59 4,41 40
5,5 0,083 0,595 4,905 80
5,5 0,449 0,592 4,908 40
6 0,089 0,977 5,023 80
6 0,9 0,592 5,408 40
6,5 0,094 0,6 5,9 80
6,5 1,44 0,592 5,908 40
7 0,099 0,602 6,398 80
7 1,86 0,592 6,408 40
7,5 0,105 0,604 6,896 80
7,5 2,39 0,59 6,91 40
8 0,112 0,605 7,395 80
8 2,84 0,59 7,41 40
8,5 0,12 0,606 7,894 80
8,5 3,28 0,59 7,91 40
9 0,127 0,608 8,392 80
9 3,76 0,59 8,41 40
9,5 0,137 0,609 8,891 80
9,5 4,24 0,59 8,91 40
10 0,153 0,61 9,39 80
10 4,79 0,59 9,41 40
10,5 0,18 0,61 9,89 80
10,5 5,23 0,59 9,91 40
11 0,27 0,612 10,388 80
11 5,77 0,59 10,41 40
11,5 0,738 0,612 10,888 80
11,5 6,25 0,59 10,91 40
12 1,28 0,611 11,389 80
12 6,72 0,59 11,41 40
Tabla 2. Datos para la configuracin con Ib = 80A.
Tabla 1. Datos para la configuracin con Ib = 40A.

7
 Curvas caractersticas de los transistores

Vcc (V) Vbe (V) Vce (V) Ic (A) Ib (A) Vcc (V) Vbe (V) Vce (V) Ic (A) Ib (A)
0,5 0,01 0,56 -0,06 120 0,5 0,007 0,575 -0,075 180
1 0,019 0,564 0,436 120 1 0,012 0,577 0,423 180
1,5 0,026 0,572 0,928 120 1,5 0,018 0,581 0,919 180
2 0,032 0,578 1,422 120 2 0,022 0,585 1,415 180
2,5 0,037 0,581 1,919 120 2,5 0,026 0,587 1,913 180
3 0,041 0,585 2,415 120 3 0,03 0,592 2,408 180
3,5 0,046 0,588 2,912 120 3,5 0,033 0,594 2,906 180
4 0,05 0,591 3,409 120 4 0,036 0,596 3,404 180
4,5 0,054 0,594 3,906 120 4,5 0,039 0,598 3,902 180
5 0,057 0,596 4,404 120 5 0,042 0,6 4,4 180
5,5 0,062 0,599 4,901 120 5,5 0,044 0,602 4,898 180
6 0,065 0,6 5,4 120 6 0,047 0,604 5,396 180
6,5 0,068 0,602 5,898 120 6,5 0,05 0,605 5,895 180
7 0,072 0,604 6,396 120 7 0,052 0,607 6,393 180
7,5 0,075 0,606 6,894 120 7,5 0,055 0,608 6,892 180
8 0,079 0,607 7,393 120 8 0,058 0,609 7,391 180
8,5 0,082 0,609 7,891 120 8,5 0,06 0,611 7,889 180
9 0,085 0,609 8,391 120 9 0,062 0,612 8,388 180
9,5 0,089 0,611 8,889 120 9,5 0,064 0,613 8,887 180
10 0,093 0,612 9,388 120 10 0,066 0,614 9,386 180
10,5 0,097 0,612 9,888 120 10,5 0,069 0,615 9,885 180
11 0,1 0,614 10,386 120 11 0,072 0,616 10,384 180
11,5 0,104 0,615 10,885 120 11,5 0,074 0,617 10,883 180
12 0,109 0,616 11,384 120 12 0,076 0,618 11,382 180
Tabla 3. Datos para la configuracin con Ib = 120A Tabla 4. Datos para la configuracin con Ib = 180A

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 Curvas caractersticas de los transistores

Como primicia considere la realizacin de la grfica de

corriente del colector Ic Vs Vce, con el fin de hallar la Ic Vs Vce
familia de curvas de colector para el circuito en cuestin.
0.015
Para hallar las corrientes segn los valores de las tablas
1, 2, 3 y 4 pues al tener el valor de resistencia en ese 0.01
punto, fcilmente por ley de ohm se obtiene su valor, te-
0.005
niendo entonces:

0
0.57 0.58 0.59 0.6 0.61 0.62 0.63
Ic Vs Vce
Grfica 4. Grafico para Datos para la configuracin con Ib =
0.015
180A.

0.01
Luego se grafica Ic Vs Ib para cada una de las variables
0.005 obteniendo:

0
0.54 0.56 0.58 0.6 Ic Vs Ib
Grfica 1. Grafico para Datos para la configuracin con Ib = 50
40A. 40
30
20
Ic Vs Vce 10
0.015 0
0 0.005 0.01 0.015
0.01
Grfica 5. Grafico para Datos para la configuracin con Ib =
0.005 180A.

0
0.54 0.56 0.58 0.6 0.62 Ic Vs Ib
Grfica 2. Grafico para Datos para la configuracin con Ib = 100
80A. 80
60
40
Ic Vs Vce 20
0.015 0
0 0.005 0.01 0.015
0.01
Grfica 6. Grafico para Datos para la configuracin con Ib =
0.005 180A.

0
0.54 0.56 0.58 0.6 0.62

Grfica 3. Grafico para Datos para la configuracin con Ib =

120A.

9
 Curvas caractersticas de los transistores

Ic Vs Ib 60
150 50
40

Ic (mA)
100 30
20 y = 147,51x + 9,1702
50 R = 0,9436
10
0 0
0 0.005 0.01 0.015 0 0.1 0.2 0.3 0.4
Ib (mA)
Grfica 7. Grafico para Datos para la configuracin con Ib =
180A.
Grfica 3. Curva caracterstica del transistor, para 10 V.

De lo anterior se tiene: y = 147,51x + 9,1702, de donde se

Ic Vs Ib
obtiene que m = = 147,51x.
200
150 80
100
60
50 Ic (mA)
40
0
0 0.005 0.01 0.015 y = 171,24x + 9,0608
20
R = 0,9456
Grfica 8. Grafico para Datos para la configuracin con Ib = 0
180A. 0 0.1 0.2 0.3 0.4
Ib (mA)
Se procede a buscar la ganancia del transistor en cada
ocasin realizada, para esto por medio del mtodo de los
Grfica 4. Curva caracterstica del transistor, para 15 V.
mnimos cuadrados se obtendr la pendiente de la re-
presentacin en especfico, partiendo de la ecuacin Ic =
De lo anterior se tiene: y = 171,24x + 9,0608, de donde se
Ib, siendo de la forma y = mx + b, donde Y = Ic, X
obtiene que m = = 171,24.
= Ib, m = y b = 0; tenemos entonces:

50 Con respecto a todos los resultados obtenidos anterior-

40 mente considere que para todas las grficas se obtienen
la representacin de los valores de Ib antes que de 0,4
Ic (mA)

30
pues se pretende tener una relacin de referencia para
20 y = 115,71x + 7,8447 cada grfica, ese nmero puede variar y pues se hizo con
10 R = 0,9134 el fin de tener un punto de referencia en comn para ha-
0 llar las ganancias. En el laboratorio para el transistor
0 0.1 0.2 0.3 0.4 2N3904 con ayuda del multmetro y se determin el va-
Ib (mA) lor de la ganancia para el NPN utilizado, de tal forma
que de esa forma se obtuvo un valor de 200. Se tiene en-
Grfica 2. Curva caracterstica del transistor, para 5 V. tonces los siguientes errores porcentuales, relativos a di-
cha medicin:
De lo anterior se tiene: y = 115,71x + 7,8447, de donde se
obtiene que m = = 115,71.
10

V= 5 V V = 10 V V = 15 V
Experimental 115,71 147,51 171,24
Simulacin 200 200 200
Error relativo
42,145 26,245 14,38
(%)
Tabla 5. Errores porcentuales para el montaje realizado.
Considere los errores anteriormente calculados muy al-
tos debido a que como no se recolectaron los datos debi-
damente la dispersin para la pequea muestra recopi-
lada puede que no muestre en certeza la variacin real
del fenmeno, entonces en caso de que se haga una re-
copilacin ms rigurosa y extensa a lo que se hizo puede
darse con fidelidad una medicin mucho mejor, y mu-
cho ms aproximada a la medida real.
Para tener una visin amplia de la familia de curvas se
investig por el software MULTISIM 12 donde en se en-
contr una funcin muy apropiada para lo que se pide.
Figura 14. Montaje del sistema en Multisim 12.
En la interfaz del programa se dibuj el esquema en
cuestin como lo muestra la figura 14, de tal forma que
se utiliz la funcin BJT analyzer, el cual al colocarlo tal
y como se muestra este componente puede simular la fa-
milia de curvas para un intervalo y paso determinado,
los resultados fueron los siguientes para el transistor uti-
lizado es decir de referencia 2N3904:
11
Curvas caractersticas de los transistores
Figura 15. Familia de curvas para el transistor 2N3904, si-
mulacin propuesta por MULTISIM 12.
Considere otra representacin comn para los transisto-
res es una grfica de corriente de la base Ib Vs el voltaje
de la base y el emisor Vbe, se tiene para el caso de 5 V:
0.35
0.3
y = 4E-11e30,004x
0.25
Ib (mA) R = 0,9805
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.66 0.68 0.7 0.72 0.74 0.76 0.78
Vbe (V)
Grfica 5. Curva caracterstica del transistor, para 5 V.
Mediante la curva anterior se puede determinar los efec-
tos que producen las variaciones de la tensin de polari-
zacin VBE sobre la corriente de base IB. Conocidas
como curvas caractersticas de transferencia. Las curvas
que se obtienen son muy similares a la de un diodo
cuando se polariza directamente, pues se aprecia el com-
portamiento asistontico propuesto por la funcin Euler
que domina este fenmeno en particular.
La o hFE es un parmetro de BJT importante que debe
ser examinado ms a fondo. El no es verdaderamente
constante: vara tanto con la corriente de colector como
con la temperatura. Si se mantiene constante la tempera-
tura de la unin y se incrementa IC, se incrementa a un
mximo. Un incremento ms de IC ms all de este
punto mximo hace que se reduzca. Si IC se mantiene
constante y la temperatura vara, cambia directamente
con la temperatura. Si se eleva la temperatura, se eleva
 Curvas caractersticas de los transistores

y viceversa. La figura 15 muestra la variacin de con

IC y la temperatura de la unin (TJ) de un BJT tpico.

Figura 15. Variacin de con la Ic para varias temperaturas,

tomada de [2].

Por ltimo, cabe destacar que en est practica no se pudo

calcular la curva real VCE-IC puesto que para trazarla se Figura 16. Montaje del circuito realizado en proteus.
haca necesario el empleo de dos fuentes, en se pueda
variar los valores de VCC manteniendo una IB constante 1.4
(VBB constante). Tericamente se conoce la forma de
1.2
esta curva, tal como se muestra en el marco terico, pero
habra sido ms ilustrativo realizar una comparacin 1
terica-experimental de esta curva. 0.8

Entonces con fines acadmicos se simul en el programa 0.6

proteus los montajes realizados, todo bajo el esquema de 0.4

la figura 16, en el cual se tomaron 10 medidas referentes
0.2
a la apertura del potencimetro utilizado, es decir, se
efectuaba una apertura progresiva de 10 % en cada co- 0
rrida. Se hicieron las 10 corridas, para 5V, 10 V y 15 V y 0 0.5 1
los resultados se muestran en la grfica 6.
5V 10 V 15 V
Adems se evidencian en el anexo las tablas correspon-
dientes a los datos recolectados de la simulacin los cua- Grfica 6. Obtencin de la familia de curvas en el circuito con
les fueron utilizados para tener los siguientes resultados: base a la simulacin, en el eje X esta la corriente de la base y
en el eje Y esta la corriente del colector.

Comparando los resultados obtenidos se muestra una

gran relacin existente entre lo s que tuvo grficamente,
dando a entender el mismo funcionamiento experimen-
tal se tiene de manera simulada. Cabe aclarar que el pro-
grama proteus no acepta una corriente que se escapa del
colector, de tal forma que al simular para una fuente de
voltaje 0 V no hay corriente en ninguna parte del cir-
cuito. Para terminar se muestran a continuacin las apli-
caciones ms usuales del emisor comn con su respec-
tiva explicacin.

12

Transistor como amplificador
Un transistor amplifica corriente porque la corriente al
colector es igual a la corriente en la base multiplicada
por la ganancia de corriente, . La corriente en la base en
un transistor es muy pequea comparada con las co-
rrientes en el colector y emisor. Por eso, la corriente en
el colector es aproximadamente igual a la corriente en el
emisor. Con esto presente, examine el circuito de la fi-
gura . Se superpone un voltaje de ca, Vs, sobre el voltaje
de polarizacin de cd VBB mediante acoplamiento capa-
citivo, como se muestra. El voltaje de polarizacin de cd
VCC se conecta al colector mediante el resistor RC.
Figura 17. Circuito amplificador. Tomado de [2].
El voltaje de entrada de ca produce una corriente alterna
en la base, lo cual produce una corriente alterna en el co-
lector mucho ms grande. La corriente alterna en el co-
lector produce un voltaje de ca a travs de RC, produ-
cindose as una reproduccin amplificada, pero inver-
tida, del voltaje de entrada de ca en la rEn regin activa
de operacin, como ilustra la figura 6.
Transistor como interruptor
La figura ilustra la operacin bsica de un BJT como dis-
positivo de conmutacin. En la parte a), el transistor est
en la regin de corte porque la unin base-emisor no est
polarizada en directa. En esta condicin, existe, ideal-
mente, una abertura entre el colector y el emisor, como
lo indica el equivalente de interruptor. En la parte b), el
13
Curvas caractersticas de los transistores
transistor est en la regin de saturacin porque la unin
base-emisor y la unin base-colector estn polarizadas
en directa y la corriente en la base llega a ser suficiente-
mente grande para provocar que la corriente en el colec-
tor alcance su valor de saturacin. En esta condicin,
existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor,
como lo indica el equivalente de interruptor. En reali-
dad, normalmente ocurre una pequea cada de voltaje
a travs del transistor de unos cuantos dcimos de volt,
la cual es el voltaje de saturacin, VCE (sat).
Figura 18. Circuito interruptor. a) Interruptor abierto. b) In-
terruptor cerrado. Tomado de [2].
Fototransistor
Se utilizan fototransistores en una amplia variedad de
aplicaciones. En la figura (a) se muestra un circuito de
un relevador operado por luz. El fototransistor Q1 excita
el BJT Q2. Cuando existe suficiente luz incidente sobre
Q1, el transistor Q2 es llevado a la saturacin y la co-
rriente en el colector que circula a travs de la bobina del
relevador energiza a ste. El diodo en paralelo con la bo-
bina del relevador impide, por su accin limitante, que
ocurra un gran transitorio de voltaje en el colector de Q2
cuando el transistor se apaga.
La figura (b) muestra un circuito en el cual un relevador
es desactivado por la luz incidente sobre el fototransis-
tor.

Figura 19. Fototransistor. a) Activado con luz. b) Desactivado
con luz. Tomado de [2].
Cuando la luz es insuficiente, el transistor Q2 se polariza
y mantiene el relevador energizado. Cuando la luz es su-
ficiente, el fototransistor Q1 se prende; esto lleva a la
base de Q2 a un nivel bajo y Q2 se apaga y des energiza
el relevador. [2]
5. Conclusiones
Como parte fundamental de este informe cabe mencio-
nar que se cumpli con los objetivos principales de esta
experiencia, siendo obtener las curvas caractersticas del
transistor utilizado, como tambin identificar con la
ayuda del multmetro los terminales de transistor, todo
lo anterior con una base sencilla y precisa de lo que dice
la teora sobre transistores para poder fundamentar cla-
ramente todo lo desarrollado a largo de este informe.
Entonces para todos los montajes desarrollados debe
aclararse que se tuvo en cuenta explicar detalladamente
Anexo
14
Curvas caractersticas de los transistores
la teora necesaria para entender los conceptos ya que
con base a esto es que se pudo obtener sin problemas las
grficas realizadas, y hablando de esto pues se obtuvo
las grficas ms comunes para los transistores en base a
todos los datos recolectados experimentalmente; gracias
a que se hicieron corridas para diferentes valores de vol-
taje se obtiene entonces una familia de curva que facilita
el entendimiento del comportamiento de este fenmeno
en especfico y pues los resultados son gratificantes pues
se asemejan mucho con lo que dice la teora.
Ahora, con base a los datos obtenidos tambin fue posi-
ble calcular la ganancia del transistor utilizado por me-
dio del mtodo de los mnimos cuadrados, entonces con
base a la medicin arrojada por el multmetro sobre ga-
nancia se tuvo la referencia de ganancia, y pues los erro-
res obtenidos son debido a que cuando se realiz la prc-
tica no se hizo de manera correcta la forma en la cual se
hall la ganancia, pues no asegura un valor cercano a lo
que realmente tenga dicho transistor.
Fuera de eso las grficas propuestas por la simulacin
por parte de los programas MULTISIM 12 y PROTEUS
8 arrojan medidas muy precisas del funcionamiento de
un transistor como tal, entonces son una base muy usual
para futuras experiencias, pues los resultados obtenidos
son muy cercanos a lo que se pretende y muy relacio-
nado con lo desarrollado experimentalmente.
6. Referencias bibligrficas
[1] A. S. Sedra, K. C. Smith. Circuitos microelectrnicas.
Volumen I, Cuarta edicin. Una publicacin de la Uni-
versidad de OXFORD. Capitulo 4, Transistores de unin
bipolar (BJT).
[2] T. L. Floyd. Dispositivos Electrnicos, Octava edi-
cin. Una publicacin de editorial PEARSON. Captulo
4, Transistores de unin bipolar.
 Curvas caractersticas de los transistores

La regin del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones de banda de
conduccin (libres), como muestra la figura A-1. Estos electrones libres se difunden con facilidad a travs de la unin
BE polarizada en directa hacia la regin de la base de tipo p muy delgada y levemente dopada (flecha ancha). La base
tiene una baja densidad de huecos, los cuales son los portadores mayoritarios, representados por los puntos blancos.
Un pequeo porcentaje del nmero total de electrones libres se va hacia la base, donde se recombinan con huecos y se
desplazan como electrones de valencia a travs de la base hacia el emisor como corriente de huecos, como lo indican
las flechas negras.

Figura A-1. Operacin de un BJT que muestra el flujo de electrones. Tomado de [2].
Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de valencia abandonan las estructura cristalina
de la base, se transforman en electrones libres en el conductor de la base metlica y producen la corriente de base
externa. La mayora de los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy delgada.
A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unin BC polarizada en inversa, son arrastrados a travs del
2
 Curvas caractersticas de los transistores

colector por la atraccin del voltaje de alimentacin positivo del colector. Los electrones libres se desplazan a travs
del colector hacia el circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente de base, como se indica. La co-
rriente de emisor es un poco ms grande que la corriente de colector debido a la pequea corriente de base que se
desprende de la corriente total inyectada a la base proveniente del emisor.

5V 10 V 15 V
Porcentaje
Ib Ic Ib Ic Ib Ic
abertura
(mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)
(%)
0 0,0541 0,214 0,116 0,459 0,117 0,703
10 0,0569 0,225 0,122 0,482 0,187 0,739
20 0,0599 0,238 0,138 0,508 0,292 0,773
30 0,0636 0,251 0,231 0,531 0,431 0,809
40 0,0883 0,265 0,309 0,558 0,537 0,852
50 0,125 0,279 0,375 0,59 0,628 0,901
60 0,159 0,295 0,435 0,626 0,714 0,958
70 0,192 0,315 0,495 0,669 0,801 1,02
80 0,225 0,338 0,558 0,718 0,892 1,1
90 0,259 0,364 0,625 0,776 0,992 1,19
100 0,295 0,396 0,7 0,844 1,1 1,29
Tabla A-1. Datos recolectados de la simulacin para la grfica 6.

3
 Curvas caractersticas de los transistores

AQU COMIENZA LA SEGUNDA PARTE

1- Aqu se mantiene fijo Vcc= 10.08V, pero Ib= 20 A =19.429A

4
 Curvas caractersticas de los transistores

2 1- Aqu se mantiene fijo Vcc= 10.08V, pero Ib= 40 A =40.19A

5
 Curvas caractersticas de los transistores

3 1- Aqu se mantiene fijo Vcc= 10.08V, pero Ib= 60 A =60.063A

6
 Curvas caractersticas de los transistores

4 1- Aqu se mantiene fijo Vcc= 10.08V, pero Ib= 80 A =80.047A

7
 Curvas caractersticas de los transistores

5 1- Aqu se mantiene fijo Vcc= 10.08V, pero Ib= 100 A =101.363A

8
 Curvas caractersticas de los transistores

6 1- Aqu se mantiene fijo Vcc= 10.08V, pero Ib= 120 A =120.903A

9
 Curvas caractersticas de los transistores

AQUI COMIENZA LA PRIMERA PARTE , ESTAS

SON LAS IMGENES DE LA ULTIMA SIMULACION
DE CADA CASO .. OSEA TODAS LAS IMGENES
ESTAN CON Vcc=4.56=4.5V PERO Ib DIFERENTES

Ib =40.19

10
 Curvas caractersticas de los transistores

80

11
 Curvas caractersticas de los transistores

120

12
 Curvas caractersticas de los transistores

180

13