>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT
Informe N1
Polarizaciones del Transistor BJT
Luisa Fernanda Aristizabal Velasquez
20142129963
Samuel Mauricio Brand Alarcon
20142130211
ResumenEn este laboratorio se analiz las diversas
polarizaciones del transistor BJT; su respuesta ante la
variacin de algunos parametros, se plantean y analizan
diversas soluciones a estos problemas incluido el
incremento de la temperatura adems, se brindan
diferentes estrategias de diseo.
I. INTRODUCCIN
Es bien sabido que los transistores BJT son
dispositivos bastente verstiles gracias a sus
distintas configuraciones cada una con
ventajas y desvantajas, existen muchas reglas
a la hora de disear un circuito por ejemplo
la regla 10:1, pero hasta que punto es
recomendable usar estas reglas?
Como la mayora de instrumentos
electrnicos, los transistores BJT tambin
son suceptibles a diferentes factores
ambientales por ejemplo la temperatura, que
pueden afectar el beta del transistor y como
se vera en el transcurso del trabajo, tambin
otros parmetros importantes. Es interesante
ver como una pequea variacin en un
resisitor o la fuente de voltaje, puede hacer
que el transistor entre a operar en zonas no
deseadas, pero en este documento no solo se
hablan de las consecuencias de estas
variaciones sino que se crean y debaten
estrategias para tratar de minizar el efecto de
las mismas, es fundamental para los
estudiantes encontrar solucin a este tipo de
problemas que son un pequeo bosquejo de
lo que se puede encontrar en la vida laboral.
1
II. MARCO REFERENCIAL
Punto de trabajo o punto Q: Se concoce
como punto de trabajo o punto Q a los valores
de voltaje y corriente en los terminales de un
transistor.
Estabilidad: La estabilidad de un sistema es
la medida de la sensibilidad de un circuito
hacia la variacin de sus parmetros.
Recta de carga: Representacion grafica del
punto de operacin de un transistor para este
caso se emplea la recta de carga estatica 1.
Transistor BJT: Dispositivo electrnico de
estado solido formado por dos uniones PN,
que permienten controlar el paso de corriente.
Retroalimentacion: Se produce cuando un
circuito se configura de tal manera que la
entrada es afectada por la salida.
III. PROCEDIMIENTO
Para una mejor visualizacin de los resultados de la
prctica se dividio la misma en tres etapas que
fueron:
1. Implementar los circuitos diseados, tomar
datos de inters y calcular los respectivos
puntos de operacin.
2. Mediante un simulador de circuitos calcular
la variacin de los puntos de operacin,
cuando Vcc, Rc y Re varan un 10%.
3. Con la ayuda de un cautin suministrar calor
directamente al transistor y documentar lo
que ocurre con el Beta de este.
1
Se usa la recta de carga estatica ya que esta representa la variacin del
punto de operacin en corriente directa.
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT 2

IV. METODOLOGIA
A continuacin se presentan los valores establecidos Polarizacion de Tension de Base Constante
para los diseos:

TRANSISTOR 2N3904
BETA PROMEDIO 200
Ic 2 10 mA
Vcc 12v
Vce 3 6v
Rc 517
Tabla 1. Valores empleados para realizer los clculos

Figura 2. Esquema tipico polarizacion de tension de base constante

= Ecuacin 14
1+
Polarizacin de Corriente de Base = + -Ecuacin 4.

= ( )/( + ( + 1))-Ecuacin 5
Aplicando las ecuaciones 1,4 y 5 los resultados
fueron:
RE 100
IB 50 A
RB 49K
VBB 4v
Tabla 3. Valores aproximados obtenidos

Figura 1.Esquema tipico de polarizacion de corriente de base Autopolarizacin

= ( + ) Ecuacin 2

= ( )/( + ) Ecuacin 3
A continuaion se presentan los resultados obtenidos
al utilizar las ecuaciones 1,2 y 3:
RE 100
IB 50 A
RB 100K
Tabla 2. Valores aproximados obtenidos

Figura 3. Esquema tipico de autopolarizacin

= 495

= ( + ) Ecuacin 6

2 4
El valor de la Ic es suministrado por el datasheet del dispositivo 2N3904. A diferencia de las otras ecuaciones, esta se aplica a todas las
3
Para mxima excursin simtrica se ubica el punto Q en la mitad de la recta configuraciones BJT estudiadas.
5
por lo tanto Vce=Vcc/2. Ya que la configuracin de autopolarizacin es equivalente a la de tension
de base constante se utiliza el valor de RB calculado anteriormente
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT 3

2 = 0.1 Ecuacin 13
1 = Ecuacin 7

2 = Ecuacin 8 2
1

= Ecuacin 14
1+2

RE 100
IB 50 A
R1 150K RE 120
R2 75 K R1 4.8
Tabla 4. Valores aproximados obtenidos despues de operar las
ecuacione 1,6,7 y 8
R2 2.4
RB 1.6
Polarizacin de Colector-Base Tabla 6. Resultados obtenidos para la configuracion de
autopolarizacin aplicando otras consideraciones para el diseo.

Para obtener un analisis ms exacto de los resultados

debemos tener en cuenta el margen de error que
tienen algunos elementos que usaremos en el
desarrollo experimental, tales como:

Los Resistores:
Se usaron resistores comerciales los cuales tienen
una tolerancia del 10%.

Aplicando las ecuaciones descritas anteriormente se

Figura 4. Esquema tipico de polarizacion de colector-base obtuvieron los siguientes resultados:
= + -Ecuacin 9
Polarizacion de corriente de base

= -Ecuacin 10
+(+1)+(+) Re=100 Vce
+10%=110 4.73v
RE 10 -10%=90 5.93v
Tabla 7. Valores de Vce ante la tolerancia del resistor en emisor
IB 50 A
RB 120K Rb=100k Ib
Tabla 5. Valores aproximados obtenidos despues de aplicar las
ecuaciones 1, 9 y 10 +10%=110k 46.1538A
-10%=90k 54.5454A
Tabla 8. Valores de Vce ante lo tolerancia del resistor RB
Para efectos de comparacin y anlisis ms
riguroso se decidi hacer el diseo de una de las Polarizacion de tension de base constante
configuraciones usando otro parmetro de diseo, la
configuracin escogida fue la de autopolarizacion, Re=100 Vce
las ecuaciones y los resultados obtenidos se +10%=110 4.73v
presentan a continuacin: -10%=90 5.93v
Tabla 9. Valores de Vce ante la tolerancia de RE
= 0.1 -Ecuacin 11

Rb=49k Ib

= ~ -Ecuacin 12 +10%=53.9k 44.6A

-10%=44.1k 51.40A
Tabla 10. Valores de Vce ante la tolerancia de RB
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT 4

Polarizacion de Colector-Base

Re=10 Vce
+10%=11 4.73v
-10%=9 5.93v
Tabla 11. Valores de Vce ante la tolerancia de Re

Rb=120k Vce
+10%=132k 7.3v
-10%=108k 6.1v
Tabla 12.Valores de Vce ante la tolerancia de Rb Figura 6. Movimiento del punto Q ante variaciones de Vcc

V. DESARROLLO PRCTICO Y ANLISIS Donde se puede observar que ante un aumento de

Las ilustraciones presentadas a continuacin
representan los datos obtenidos en la primera y
segunda etapa del laboratorio que consisitio en
implementar los circuitos diseados bajo
condiciones de parmetros normales y
posteriormente implementar los mismos en un
simulador de circuitos 6 y realizar variaciones en Vcc,
Re y Rc respectivamente.
Los resultados obtenidos al realizar una variacin de
10% en Vcc se consagran en la figura 5, donde a
pesar de las alteraciones que sufre el circuito, este
sigue operando con total normalidad en la zona
deseada (zona lineal).
Vcc, el punto Q tiende a desplazarse hacia el rea de
mxima potencia, mientras que si el valor de Vcc
disminuye el punto Q se acerca a la zona de
saturacin.
Posteriormente se realiz la variacin del 10% del
resistor en emisor (Re) y el resistor en el colector
(Rc), los resultados obtenidos se ilustran en la figura
7, figura 8, y figura 9, donde se observa que ante los
cambios realizados la variacin se presenta en la
corriente (Ic), sin embargo esta variacin no impidi
que el transistor siguiera operando de forma optima.

Figura 7.Variacin del 10% de Rc, aplicado a todas las

Figura 5. Variacion del 10% de Vcc, aplicado a todas las
configuraciones.
configuraciones.

Para un anlisis general del comportamiento del

punto de operacin frente a variaciones de Vcc, se
presenta la figura 6.
6
El simulador de circuitos escogido para realizar la segunda etapa del
laboratorio fue Multisim 13.0
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT 5

En la ilustracin anterior se observa que ante un

aumento de Rc o Re, la correinte Ic disminuye su
valor haciendo que el punto Q se acerque a la zona
de saturacin, mientras que si los valores de Rc y Re
se hacen ms pequeos se aumenta la corriente Ic, y
el punto Q se desplaza a la zona de mxima potencia,
como se puede observar mientras mas cerca esta
ubicado el punto Q de la Ic (eje X), el movimiento
del mismo ser mucho mayor, mientras que si el
circuito se disea para operar cerca de la zona de
corte, el punto Q se vuelve casi invulnerable a
variaciones de Rc y Re.

Figura 8.Variacin de Re, en las tres primeras configuraciones. A continuacin se presentan los porcentajes de error
encontrados en los circuitos diseados.

..
% = 100 Ecuacin 15
.

Para realizar los porcentajes de error se tuvieron en

cuenta los valores obtenidos de manera experimental
en la laboratorio y los valores calculados priviamente
de forma analitica; empleando la ecuacion 15 se
obtuvo:

Parametro Porcentaje de Error

Vce 0.33%
Ic 9%
Ib 5.4%
Tabla 13. Porcentajes de error obtenidos en la polarizacion de
Figura 9.Variacion del 10% de Re en la ltima configuracin. corriente de base.

Un anlisis general es presentado a continuacin Parametro Porcentaje de Error

apoyado en la figura 10. Vce 0.5%
Ic 7%
Ib 1.6%
Tabla 14. Porcentajes de error obtenidos para la configuracion de
tension de base constante.

Parametro Porcentaje de Error

Vce 1.33%
Ic 6%
Ib 1%
Tabla 15. Porectajes de error obtenidos para la configuracion de
autopolarizacion.

Parametro Porcentaje de Error

Vce 1.16%
Figura 10. Movimiento del punto Q ante variaciones de Rc y Re Ic 6%
Ib 1.2%
Tabla 16.Porcentajes de error obtenidos para la configuracion de
colector-base.
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT
Al revisar los diferentes porcentajes de error
encontrados se observa que en todas las
configuraciones las medidas que presentaron un
porcetaje de error bajo fueron las medidas de Vce,
mientras que las medidas mas suceptibles al error
fueron las de Ic, estos errores se deben a errores
sistemticos es decir, a errores producidos en los
circuitos, en la seccin VI. TECNICAS DE
ESTABILIDAD, se proponen alternativas para
combatir estas fuentes de error.
Como tercera y ltima etapa de la practica se
suministr calor al transistor por medio de un cautin,
paralelo a esto se midio valor del beta, los resultados
obtenidos se plasman en la figura 11.
Beta vs Temperatura (C)
250
240
230
220
210
200
190
0 20 40 60 80
Figura 11. Variacin del beta ante el aumento de la temperatura.
Se puede apreciar que el valor del beta aumenta
conforme aumenta la temperatura, si se fija en las
ecuaciones descritas anteriormente, la mayora de
estas dependen del valor del beta, por ende cuando
este sufre un cambio, otros parmetros se pueden ver
afectados.
Figura 12.[2]Efecto de la temperatura en una curva IC-VBE
7
Puede tener varios valores dentro del margen que imponga el circuito.
6
En la figura 12 se puede observar como afecta el beta
a parmetros como Ic y Vbe, mas exactamente
[1] Vbe: se reduce aproximadamente 2.5 mV por
grado Celsius (C) de incremento de la temperatura.
ICO (corriente de saturacin inversa): duplica su
valor por cada 10C de incremento de la
temperatura. en la siguiente seccin se plantean
estrategias para corregir estas dependencias a la
temperatura.
VI. SOLUCIN Y TECNICAS DE
ESTABILIDAD
En esta seccin se plantean alternativas a las
principales fuentes de errores en dispositivos BJT,
debe tener en cuenta que algunas soluciones pueden
llevar a operar al transistor cerca de zonas no
deseadas o algunas de ellas pueden presentar
incopatibilidad.
Re debe ser de un valor alto o bajo?
Si bien es cierto el valor de la resistencia de emisor
(Re), puede tener varios valores 7 y todos pueden
satisfacer la necesidad del diseo, para efectos de
estabilidad es preferible un valor de Re alto.
100
[1]()el factor de estabilidad se aproximar a su
nivel ms bajo conforme Re llega a ser
suficientemente grande, de hecho una estabilidad
casi perfecta implica que la relacin entre Rb y Re
sea de 1, lo que supondra un valor de Rb demasiado
bajo y uno de Re demasiado alto, lo que llevara al
transisitor en zonas no deseadas, por eso en la
mayora de los casos es recomendable que que la
relacin entre Rb y Re, tienda a ser lo mas pequea
posible; se dice que la mayora de los casos, ya que
como observara mas adelante, en la configuracin
por retroalimentacin es prefereible que Re tome un
valor de 0.
Cul es la mejor configuracin para disear
circuitos BJT?
Cuando se solicita un diseo la configuracin mas
utilizada es la de autopolarizacion ya que es la ms
estable, pero es importante saber de donde proviene
esta estabilidad, es comn relacionar esta
configuracin con la expresin RB<0.1*B*RE ya
que [3]() se desea tener el 10% de la corriente de
entrada hacia la base y alrededor del 90% a travs
del resistor externo, pero esta expresin va de la
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT 7

mano con B*RE>>10R2 [1] () el voltaje VB se

mantendr bastante constante a todos los niveles
variables de IC. El voltaje de la base al emisor de la
configuracin lo determina la ecuacin VBE=VB-
VE. Si IC se incrementa, VE tambin lo har como
antes se describi, y para una VB constante el voltaje
VBE se reducir. Una reduccin de VBE reducir el
nivel de IB, lo cual tratar de contrarrestar el nivel
incrementado de IC. Como lo especifican
anteriormente Savant y Boylestad, es preferible que Figura 13. Compensacion de Vbe mediante un diodo
la configuracin de autopolarizacion cumpla con
asi que la tensin Vbe ser igual a la tensin del
estas condiciones, y asi sacar mayor provecho de su
diodo, haciendo que se cree una compensacin,
punto fuerte, la estabilidad.
logrando que la corriente de colector no varie con el
cambio de la temperatura.
Pero no solo la configuracin de autopolarizacion
tiene grandes ventajas, por ejemplo la configuracin
Aplicando esta solucin surge un inconveniente y es
de corriente de base posee una estabilidad respetable
que la corriente del diodo no es la misma corriente
ya que se crea una retroalimentacin negtiva de
de unin del transistor, por ello se plantea la
tensin, sin embargo esta es suceptible a cambios de
utilizacin de dos diodos, asi se elimina el problema
beta.
y se logra una mejor compensacin. Esta tcnica se
conoce como compensacin por doble diodo, como
En el caso de retroalimentacin por tensin ocurre
lo establece Savant.
que cuando Re toma el valor de 0, se elimina la
retroalimentacin de corriente y asi se establece un
Para evitar un posible desplazamiento del punto de
mejor desempeo para esta configuracin, a pesar de
trabajo causado por la tolerancia de los resisitores, se
esto, la polarizacin es inestable ante variaciones de
plantea la utilizacin de resistores de precisin, estos
beta.
tienen una tolerancia de 1% frente a los resistores
convencionales que cuentan con una tolerancia de
Cmo evitar un margen de error alto en el valor de
10% o ms.
la corriente Ic?
Anteriormente se recalc el alto porcentaje de error
Qu condiciones son mejores a la hora de disear?
en la medicines de Ic, cabe recordar que esta
Al final de la seccin IV. METODOLOGIA, se
variacin depende de otros factores, segn Savant,
planteo otra forma de diseo, los resultados
Vbe, Beta,Icb, Vcc.
obtenidos contrastan con las soluciones planteadas,
principalmente por dos razones, primero, se plantea
En cuanto a Vcc, se sabe que este valor no depende
que este tipo de diseo es independiente de Beta 8,
de la temperatura, por lo tanto se podra evitar una
segundo, ya que el valor de Re obtenido es mayor al
eventual subida de tensin colocando un diodo zener
valor originalmente calculado, en el caso de Rb se
del valor del voltaje de alimentacin requerido y asi
obtuvo un valor mas pequeo, si se hacer la relacin
evitar una variacin de Vcc en caso de que la fuente
Rb y Re, el valor es mucho mas cercano a 1, lo que
falle.
significa que es mas estable, frente al diseo original.
En el caso de Vbe, como se dijo anteriormente es
Por ultimo se recomienda utilizar tcnicas de
dependiente de la temperatura, por lo que una
enfriamiento pasivo o disipadores de calor en los
solucin para hacer que este valor no sea dependiente
dispositivos BJT, ya que muchas veces estos
de la temperatura seria usar un diodo en la unin base
dispositivos se rompen al alcanzar su potencia
emisor como se observa en la figura 13,
mxima.

8
Es independiente de beta, cuando este tiene valores superiores a 80
>Laboratorio N 1: Polarizacion del transistor BJT 8

de circuitos con baja sensibilidad en el Beta,

utilizacin de un diodo zener a la entrada del
VII. CONCLUSIONES circuito para garantizar que el voltaje de
Si bien algunos parmetros son efectivos a la entrada Vcc no sufra cambios.
hara de realizar diseos de circuitos con Si bien se mencionan mtodos para lograr
transistores BJT, se debe tener completo una estabilidad en el Beta, es recomendable
control de ellos y no abusar de los mismos ya utilizar dispositivos medidos antes de
que por ejemplo tener una estabilidad casi implementar un circuito, por ejemplo el Beta
perfecta en un circuito puede conducir a este de un transistor puede llegar a variar un
a operar muy cerca de la zona de corte, con lo 200%, paralelo a esto para evitar
que ante una pequea variacin de uno de movimientos en el punto Q causado por la
elementos del circuito puede hacer que el tolerancia de los resistores es recomendable
trasisitor entre a zona de corte y romperse. utilizar resistores de precisin debidamente
Es casi imposible decidir que configuracin testeados.
es la mejor ya que todas presentan ventajas y
desventajas, es por eso que es importante que REFERENCIAS
el diseador conozca las mismas y asi pueda
establecer un criterio de partida y escoger la [1] A. S. Sedra, Circuitos Microelectricos, Mexico D.F.:
Oxford, 2002.
configuracin que ms se amolde a las
[2] Boylestad, Teoria de Circuitos y Dispositivos Electricos,
exigencias de su diseo. Prentice Hall, 2009.
A pesar de que los circuitos diseados [3] C. J. Savant, Diseo Electrico, Prentice Hall.
inicialmente funcionaron normalente, y
respondieron bien ante las variaicones de
Vcc, Rc y Re se recomienda para un futuro
cercano disear bajo parmetros de
independencia de Beta, ya que estos
presentan mejor estabilidad y son menos
suceptibles a variacin de Beta, un parmetro
difcil de controlar en BJT.
El valor del Beta de un transistor BJT es
directamente proporcional a la temperatura, a
parte de esto las variaciones del Beta generan
cambios significativos sobre la corriente de
colector (Ic), para poder controlar la
variaciones de este parmetro se deben
controlar sus componentes de forma
independiente como lo son Vbe, Beta,Ico,
Vcc, adicionalmente a esto cuando se trabaja
con transistores de alta potencia es
recomendable utilizar disipadores de calor.
Se aprendieron nuevas formas de estabilizar
un circuito compuesto por transistores BJT,
como lo son compensacin por diodo, diseo