Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Captulo 2
El Sol es una fuente de energa de 3,81020 MW, lo que equivale a una densidad de energa
por cada metro cuadrado de superficie solar de 62,5 MW. Sin embargo, como consecuencia de la
distancia que nos separa, solo una pequea parte, aproximadamente 1 kW, llega a la superficie de
la Tierra.
Llegados a este punto hay que decir que la potencia radiante que alcanza a nuestro planeta
es atenuada por diferentes fenmenos en la atmsfera. Estos fenmenos son:
Absorcin. Debida a las molculas que componen la misma: O3, H2O, O2, CO2,
etc.
Adems se ha de tener en cuenta que la energa emitida por el Sol no llega a la Tierra de
manera uniforme. Vara en funcin de la hora del da, la inclinacin estacional del globo terrqueo
respecto al Sol, la zona de la superficie terrestre, etc.
La intensidad de la radiacin solar sobre la superficie de la tierra est influenciada por tanto
por la forma de la Tierra, los movimientos de la misma, fenmenos atmosfricos o la propia
atmsfera, el ciclo da/noche e, incluso, la actividad humana.
Si se suma toda la radiacin global que incide sobre un lugar determinado en un periodo de
tiempo definido (hora, da, mes o ao), se obtiene la energa en kWh/m2. Se obtiene as un valor
diferente para cada regin.
En funcin de cmo reciben la radiacin solar los objetos situados en la superficie terrestre
se pueden distinguir los siguientes tipos de radiacin:
Directa. Es aquella que llega directamente del Sol sin haber sufrido cambio alguno
en su direccin. Se caracteriza por proyectar una sombra definida de los objetos
opacos que la interceptan.
Difusa. Parte de la radiacin que atraviesa la atmsfera es reflejada por las nubes o
absorbida por stas. Esta radiacin se orienta en todas las direcciones, como
consecuencia de las absorciones y reflexiones sucesivas, no solo de las nubes, sino
de las partculas de polvo atmosfrico, montaas, rboles, edificios, el propio suelo,
etc. Se caracteriza por no producir sombra alguna respecto a los objetos opacos
interpuestos.
Reflejada. La radiacin reflejada es, como su nombre indica, aquella reflejada por
la superficie terrestre. La cantidad de radiacin depende el coeficiente de reflexin
de la superficie, tambin llamado albedo. Las superficies horizontales no reciben
ninguna radiacin reflejada, porque no ven ninguna superficie terrestre y las
superficies verticales son las que ms radiacin reflejada reciben.
A la hora de estudiar la inclinacin ms adecuada con la que se deben orientar los mdulos
fotovoltaicos, es necesario precisar la posicin del Sol en cada instante, optimizando as el
rendimiento de la captacin. Para definir cada una de estas posiciones se recurre al sistema de
coordenadas polares.
La situacin del sol en un lugar cualquiera viene determinada por la altura y el azimut del
Sol.
Equipos:
Cada sistema tiene sus ventajas. En este momento, la generacin de vapor, tambin
conocida como energa solar termoelctrica, es ms eficiente que la fotovoltaica, ya que transforma
en electricidad un mayor porcentaje de la luz solar recibida. Sin embargo, requiere muchas
hectreas de terreno y largos tendidos de cables de alta tensin para poner la energa en el
mercado. Los paneles fotovoltaicos, en cambio, se pueden instalar en los tejados, en el lugar donde
se necesita la energa. Los dos procedimientos comparten un inconveniente obvio: su produccin
disminuye cuando el cielo est nublado y desaparece por la noche. Pero los ingenieros ya estn
trabajando para desarrollar sistemas que permitan almacenar la energa y utilizarla en las horas de
oscuridad.
Figura. Mayor planta fotovoltaica construida en Asia. Corea del Sur, 2008.
Las centrales elctricas termosolares pueden convertirse en los parques elicos marinos del
desierto. No hay barreras tcnicas, econmicas o de recursos para suministrar el 5 % de las
necesidades elctricas mundiales con slo electricidad solar trmica en el 2040, incluso asumiendo
que la demanda elctrica global se podra doblar para entonces. La industria termosolar podra as
convertirse en un negocio dinmico e innovador de 15.000 millones de euros anuales en 20 aos,
suministrando electricidad a 100 millones de personas que viven en las partes ms soleadas del
mundo.
En muchas regiones del mundo, un kilmetro cuadrado de tierra basta para generar unos
100-200 Gigavatios hora (GWh) de electricidad al ao usando la tecnologa solar termoelctrica.
Esto equivale a la produccin anual de una central trmica convencional de carbn o de gas de 50
MW. A nivel mundial, la explotacin de menos del 1 % del potencial solar trmico total sera
suficiente para estabilizar el clima mundial mediante reducciones masivas de CO2.
En el desarrollo actual se han abierto dos grandes vas para el suministro a gran escala de
electricidad generada con energa solar trmica. Una es el tipo ISCC, operacin hbrida de
coleccin solar combinada con una planta de ciclo combinado alimentada por gas. La otra es la
operacin solar nica, con una turbina de vapor convencional, y cada vez ms con el uso de un
medio como la sal fundida para el almacenamiento. Se elimina el aceite trmico, se genera vapor
directamente (GDV) en el tubo absorbedor, mejorando la eficiencia energtica y reduccin de
campo solar. Existe una planta piloto de este tipo en Almera, Proyecto DISS, que entr en
funcionamiento en 1998.
Figura. Planta DGV (Generacin Directa de Vapor) con agua-vapor. Se elimina el aceite trmico.
Figura. Diagrama de AndaSol: configuracin del campo solar, sistema de almacenamiento y ciclo
de vapor en el proyecto AndaSol-1, en el sur de Espaa.
1
Rgimen especial. Produccin de energa elctrica realizada en instalaciones cuya potencia instalada no supera
los 50 MW, a partir de cogeneracin u otras formas de produccin de electricidad asociadas a actividades no
elctricas, siempre que supongan un alto rendimiento energtico, o en grupos donde se utilicen como fuente de
energa primaria alguna de las energas renovables no consumibles, biomasa o cualquier tipo de biocarburante, o
residuos no renovables o procedentes de los sectores agrcola, ganadero y de servicios, con una potencia instalada
igual o inferior a 25 MW, cuando supongan un alto rendimiento energtico. La produccin en rgimen especial
est acogida a un rgimen econmico singular.
En el difcil equilibrio permanente que hay que tener entre generacin y demanda, el tener
unas energas con una proporcin muy alta de energas menos gestionables que las convencionales
dada las potencias que se han instalado y que se van a instalar en el futuro-, obliga a un gran reto
al operador del sistema. Sobre todo, si tenemos en cuenta nuestra escasa capacidad de
interconexin con Francia. El pas vecino es nuestra unin con un sistema diez veces mayor que el
nuestro y, por tanto, nos da la suficiente estabilidad y garanta de que an, con esta apuesta por las
energas renovables, vamos a seguir teniendo un sistema seguro.
Cabe destacar la creacin, en 1974, del Centro de Estudios de la Energa con el fin de
actuar ordenadamente en el campo de las energas alternativas. Desde entonces este organismo ha
promovido la utilizacin de energa solar, posibilitando as el surgimiento de una industria nacional
en este sector. Espaa es hoy el primer pas europeo productor de clulas y paneles fotovoltaicos,
con el 10 % de la produccin mundial.
Ley 54/1977.
RD 661/2007.
RD 1578/2008.
Rgimen jurdico y econmico para las instalaciones posteriores a la fecha lmite del
mantenimiento de la retribucin del RD 661/2007. Dispone la realizacin de
inspecciones aleatorias anuales con el objeto de verificar, entre otros aspectos, el
cumplimiento de los requisitos tcnicos.
RD 1663/2000.
Conexin a la red elctrica de baja tensin.
Retribucin.
Primera convocatoria:
Tipo I: 340 /MWh para el subtipo I.1 y 320 /MWh para el subtipo I.2
Durante el ao 2012, a la vista de la evolucin tecnolgica del sector y del mercado, y del
funcionamiento del rgimen retributivo, se podr modificar la retribucin de la actividad de
produccin de electricidad mediante tecnologa solar fotovoltaica.
En cuanto a la potencia total acumulada, Espaa (3.300 MW) se alza al segundo puesto
mundial, slo por detrs de Alemania (5.308 MW) y por delante de Japn (2.149 MW) y EEUU
(1.137 MW). Ya muy por detrs se sitan Corea del Sur (352 MW), Italia (350 MW), Francia (146
MW), China (145 MW), Australia (100 MW) e India (90 MW).
En 2008, gracias a las facilidades crediticias concedidas por las entidades financieras, en
Espaa se invirtieron en fotovoltaica ms de 16.000 millones de euros. La inmensa mayora de la
potencia que se conect corresponde a grandes plantas en suelo. El sistema elctrico y las redes de
distribucin pudieron absorber el enorme volumen de instalacin. El comportamiento del
mercado fotovoltaico fue totalmente inesperado.
El sobrecoste de la energa fotovoltaica en nuestro pas rond los 2.000 millones de euros
en 2009. El coste total de la energa del sistema elctrico espaol ascendi a 7.755 millones de
euros en dicho ao.
Por otro lado, el 37 % de las instalaciones tiene seguidores, de los cuales el 24 % son con
seguimiento a dos ejes y el 14 % a un solo eje. Estos sistemas se encuentran incluso en
instalaciones de unos pocos kW de potencia.
Las principales compaas fotovoltaicas espaolas son Isofoton, BP Solar, Atersa, Gamesa,
Solar, Siliken, Grupo Solar, Guascor, Solaria, Instalaciones Pevafersa. Mientras que las principales
compaas proveedoras de inversores son Atersa, Ingeteam y Enertron.
Se estima que con un 1 % de la superficie desrtica del planeta sera suficiente para cubrir
la demanda elctrica mundial con sistemas CST. En Espaa se mantendra dicha proporcin. El
potencial tcnico-econmico de produccin solar termoelctrica en Espaa, asumiendo
emplazamientos apropiados con irradiancias superiores a los 2.000 kW/m2/ao, es de 1.278
TWh/ao, siendo la demanda actual inferior a los 300 TWh/ao. Todo el sur peninsular situado
por debajo del paralelo 40, as como amplias zonas de las cuencas del Ebro y el Duero, presentan
excelentes condiciones para el aprovechamiento de la radiacin solar. Los costes de generacin
solar termoelctrica en Espaa estn todava por encima de los 0.18 /kWh y los costes de
inversin se sitan en torno a los 4.000 /kW. El objetivo espaol para la nueva generacin de
plantas termosolares estara en bajar de los 2.500 /kW y 0.12 /kWh hacia el ao 2020.
En marzo de 2007, fue inaugurada en Europa la primera planta de energa solar cerca de
Sevilla. La planta de 11 MW conocida como PS10, produce electricidad mediante 634 helistatos.
Cada uno de estos helistatos tiene una superficie de 121 metros cuadrados que concentra los
rayos del sol en lo alto de una torre de 114 metros de altura donde est instalado un receptor solar
y un caldern, desde ah, el vapor es enviado a una turbina de vapor situada en un edificio anexo a
la torre.
2
Por sus explicaciones sobre el efecto fotoelctrico y sus numerosas contribuciones a la fsica terica, en 1921
obtuvo el Premio Nobel de Fsica.
Las clulas solares han sido utilizadas frecuentemente para producir electricidad en lugares
donde no llega la red de distribucin elctrica, tanto en reas remotas de la Tierra como del
Espacio, haciendo posible el funcionamiento de todo tipo de dispositivos elctricos como satlites
de comunicaciones, radiotelfonos o bombas de agua. Ensambladas en paneles o mdulos y
dispuestas sobre los tejados de las casas, por medio de un inversor, pueden inyectar la electricidad
generada en la red de distribucin para el consumo, favoreciendo la produccin global de energa
primaria de un pas, de manera limpia y sostenible. Igualmente estos ltimos pueden configurarse
en amplias zonas no urbanas, dando lugar a plantas de generacin elctrica fotovoltaica.
Bifaciales: estas clulas estn constituidas por una doble unin N+-P-P+,
permiendo as aprovechar tanto la radiacin frontal como la reflejada del suelo (la
radiacin del albedo). El rendimiento de estas clulas puede llegar al 30 % siempre
que se tenga especial cuidado con la calidad de la superficie reflejada y las
condiciones mecnicas de colocacin del panel.
Puede situarse en 1954 el inicio del uso de clulas y paneles fotovoltaicos para producir
electricidad, al estar incorporados en los primeros satlites artificiales.
Hoy da, los investigadores del Laboratorio Nacional de Energas Renovables de Golden,
Colorado, Estados Unidos, intentan aprovechar la propiedad de diferentes semiconductores de
captar diferentes colores de los rayos de luz. Superponiendo capas de unos compuestos llamados
fosfuro de indio-galio y arseniuro de galio-indio, y utilizando una lente3 para concentrar la luz
solar, el ao pasado lograron fabricar una clula fotovoltaica con una eficiencia del 40.8 %. Pero la
produccin masiva de estas clulas an es un objetivo lejano: ahora mismo pueden fabricarse a un
precio de unos 7.000 euros por centmetro cuadrado. La tecnologa es de una complejidad
increble.
Otra posibilidad es renunciar a una mayor eficiencia a cambio de un coste menos elevado.
Los semiconductores de capa fina generan menos energa, pero requieren menos materia prima, lo
que los convierte en una alternativa econmica para las grandes instalaciones fotovoltaicas. Existen
ya clulas solares de capa fina a un coste de unos 80 cntimos de euro por vatio.
La cantidad de silicio necesario para producir un Wp se reduce a un ritmo del orden del 5
% anual.
Con la mirada puesta en un futuro ms lejano, los ingenieros del NREL estn trabajando
con lquidos fotovoltaicos. El objetivo es que cuesten lo que un litro de pintura. La eficiencia no
ser del 50 o el 40 %, sino del 10 %. Pero si es barato, la gente puede pintar las paredes de su casa,
conectarse y listo.
3
Lentes de Fresnel. Permiten concentrar hasta 500 veces los rayos del sol.
{
I = I ph I o e ko (V + Rs I ) 1 } V
RSH
Potencia mxima o pico, Pmx: punto de operacin de la clula (IMPP, VMPP; MPP
maximum power point) para el cual la potencia generada es mxima, esto es:
Pmax=IMPPVMPP
I MPP VMPP
FF = Pmx = FF I SC VOC
I SC VOC
V
I = I sc 1 C1 e 2 oc 1
C V
Donde
1
I C2 Voc
VMPP
V I MPP
C1 = 1 MPP e C2 = MPP 1 ln 1
I SC Voc I SC
Irradiancia.
Temperatura.
Los paneles o mdulos se fabrican en una amplia gama de tamaos, con el fin de servir a
diferentes aplicaciones.
Entre los paneles fotovoltaicos ha de existir una cierta distancia, para evitar el efecto de
sombra.
Para estructuras fijas la distancia entre paneles se calcula mediante la siguiente expresin:
h
d=
tg (61 latitud )
Se ha de hacer notar que los mdulos fijos pueden disponerse a distancias menores que los
colocados en estructuras de seguimiento solar, puesto que estos ltimos producen mayores
superficies de sombra.
Instalaciones pequeas de 3 kWp como planta tipo (con rango hasta 5 kW).
Son aplicaciones rurales aisladas por ser una solucin limpia y muchas veces econmica,
o aplicaciones conectadas a red sobre tejados, azoteas de casas, hechas por particulares
en zonas de su propiedad o influencia; la motivacin es generalmente medioambiental.
Con la generacin de 3 kWp se cubrira el consumo propio de una casa tipo medio en el
que vivan 2-3 personas, excluyendo el consumo de calefaccin y aire acondicionado.
Instalaciones grandes de 300 kWp como planta tipo (entre 100 kW y 1MWp).
Adems de los paneles fotovoltaicos que alimentan los satlites artificiales, ya a nivel
terrestre el sector de las telecomunicaciones es tambin uno de los mayores usuarios de este tipo
de energa, ya que sus equipos usualmente se encuentran en lo alto de las montaas, en lugares de
difcil acceso o en zonas deshabitadas.
Un tipo de aplicaciones distintas a las anteriores son las que no requieren la utilizacin de
acumuladores y que funcionan siempre que haya sol, consumiendo la energa que generan los
paneles. Se trata de sistemas relativamente simples, siendo los sistemas de bombeo de agua el caso
ms utilizado.
El generador fotovoltaico se estima que tiene una vida til superior a 30 aos, siendo la
parte ms fiable de la instalacin. La experiencia indica que los paneles nunca dejan de producir
electricidad, aunque su rendimiento pueda disminuir ligeramente con el tiempo.
Los paneles que forma el generador apenas requieren mantenimiento, basta limpiarlos con
algn producto no abrasivo cuando se detecte suciedad solidificada.
Por otro lado, las bateras con un correcto mantenimiento tienen una vida
aproximada de diez aos. Se debe controlar que el nivel de agua del electrolito est dentro de unos
lmites aceptables. Para reponerlo se utiliza agua desmineralizada o destilada. Se debe revisar su
nivel mensualmente en cada uno de los elementos y mantener los bornes de conexin libres de
sulfato. Actualmente existen bateras sin mantenimiento o de electrolito gelificado que no
necesitan reposicin de agua.
Entre las principales aplicaciones de los sistemas conectados a la red elctrica son los
tejados de vivienda. Son sistemas modulares de fcil instalacin donde se aprovecha la superficie
de tejado existente para sobreponer los mdulos fotovoltaicos. El peso de los paneles sobre el
tejado no supone una sobrecarga para la mayora de los tejados existentes. Una instalacin de unos
3 kWp que ocupa cerca de 30 metros de tejado inyectara a la red la energa necesaria para una
pequea vivienda. El mantenimiento se reduce a la limpieza de los paneles, cuando se detecte
suciedad solidificada.
Plomo-cido.
Nquel-cadmio.
Nquel-hierro.
Plata-cadmio.
Zinc-xido de plata.
Figura. Bateras de gel. Tambin son estacionarias. El electrodo est gelificado, de modo que no
precisan mantenimiento y pueden funcionar colocadas en cualquier posicin.
Para una planta de 1 MW que utilice estructuras fijas, la superficie de ocupacin ser
aproximadamente de 1,4 hectreas, es decir x = y =120 metros.
La superficie ocupada por una planta fotovoltaica de 1 MW con seguidores de un solo eje
ser aproximadamente de 4,6 hectreas (x = y = 215 metros), considerando condiciones de
radiacin en torno a 2.120 kWh/m2ao. Igualmente, con seguidores de dos ejes la superficie
ocupada sera de 5 hectreas (x = y = 225 metros).
La regulacin del seguimiento del sol por dos ejes se realiza bsicamente mediante los
siguientes modos:
Los mdulos tienen una vida esperada de ms de 40 aos. Realmente no se tienen datos
para saber con exactitud la vida real de un generador conectado a red porque no se tiene suficiente
perspectiva.
La vida til de los restantes elementos que componen la planta FV, inversores y medidores,
as como los elementos auxiliares, cableado, canalizaciones, cajas de conexin, etc., es la vida til
tpica de todo tipo equipo electrnico y material elctrico, la cual es compatible con la larga vida
til del generador FV, con el adecuado mantenimiento.
2.8 El inversor.
Se denominan inversores a los convertidores de corriente continua (Direct Current, DC) a
corriente alterna (Alternating Current, AC). La funcin de un inversor es cambiar una tensin de
entrada de DC a una tensin simtrica de salida de AC, con la magnitud y frecuencia deseadas.
Las formas de onda de la tensin de salida de los inversores prcticos no son senoidales y
contienen ciertas armnicas. En aplicaciones de potencia baja e intermedia se pueden aceptar
tensiones de onda cuadrada o de onda casi cuadrada, y para aplicaciones con alta potencia se
requieren formas de onda senoidal con poca distorsin. Con la disponibilidad de los dispositivos
semiconductores de potencia de alta velocidad, se pueden minimizar los contenidos de armnicos
en la tensin de salida, o al menos reducirlos de forma importante, mediante tcnicas de
conmutacin.
La entrada del inversor puede ser una batera, una celda de combustible, celda solar u otra
fuente de DC.
Un inversor se llama inversor alimentado por tensin (Voltage Source Inverter, VSI) si la
tensin de entrada permanece constante; inversor alimentado por corriente (Current Source Inverter,
CSI) si la corriente de entrada permanece constante, y convertidor enlazado con DC variable si la
tensin de entrada es controlable.
Para obtener tensiones negativas, es necesario contar con dos clulas de conmutacin. Tal
es el caso del siguiente puente inversor monofsico:
Estos inversores usan en general seales de control por modulacin por ancho de pulso
(PWM) para producir una tensin de salida de AC.
Elevador y puente en H
Inversores de dos niveles requieren conmutacin en alta frecuencia, junto con diversas
estrategias de modulacin por ancho de pulso (PWM), para obtener una forma de onda de tensin
o corriente de alta calidad. Sin embargo, en aplicaciones con alta potencia y alta tensin, tienen
algunas limitaciones para operar en alta frecuencia, principalmente a causa de las prdidas por
conmutacin y limitaciones de las especificaciones nominales de los dispositivos.
En trminos generales, puede ser ms fcil producir un inversor de alta potencia y alta
tensin con la estructura multinivel, al aumentar la cantidad de niveles de tensin sin necesidad de
mayores especificaciones nominales de los dispositivos semiconductores. Cabe destacar, adems,
que a medida que aumenta la cantidad de niveles de tensin se reduce en forma importante el
contenido de armnicos en la forma de onda de la tensin de salida, permitiendo el empleo de
filtros de menor tamao. Se debe sealar, sin embargo, que un elevado nmero de dispositivos
semiconductores aumenta el coste y complejidad de control del convertidor. Supone, adems, un
reto para este ltimo el equilibrado de tensiones debidas al elevado nmero de condensadores.
Conviene decir, por otra parte, que los sistemas fotovoltaicos (FV) conectados a red,
en particular de baja potencia e integrados en las arquitecturas o tejados de los edificios, son
reconocidos cada vez en mayor medida en todo el mundo por su contribucin a la generacin
limpia de energa elctrica. Este tipo de sistemas FV generalmente son propiedad de un particular
o particulares, llegando a alcanzar una potencia de hasta 10 kW. Lgicamente, el principal objetivo
de estos operadores privados es maximizar la produccin de energa. Cuestiones como la vida til
del sistema (20 aos o ms), elevada eficiencia y buenas condiciones medioambientales
(disponibilidad de radiacin solar) son de importancia para estos operadores. Otros requerimientos
importantes de estos sistemas FV son el cumplimiento de las normas de calidad de la energa
elctrica, compatibilidad electromagntica, limitacin de ruidos, o requerimientos de seguridad y
proteccin. A pesar de ello, su implantacin o aceptacin depender en buena medida de su
fiabilidad y bajo coste.
La tendencia actual en este campo se basa en unidades dispuestas en cadena (ver apartado
siguiente) de potencias de 1 kW sin transformador (en particular en inversores con tensiones de
entrada elevadas), debido a su elevada eficiencia. Evitar el transformador trae consigo beneficios
como la reduccin del coste, tamao, peso y complejidad del inversor. Sin embargo, prescindir del
transformador y por consiguiente del aislamiento galvnico que proporciona debe ser considerado
cuidadosamente.
Figura. (a) Mxima (~nF) y (b) mnima (~pF) capacidad a tierra de un mdulo FV.
Figura. Sistemas FV conectados a red con (a) inversor de medio puente con fijador
de nivel por diodos de tres niveles y (b) inversor de medio puente con fijador
de nivel por diodos de cinco niveles
La conexin a tierra del sistema FV en su punto medio supone una clara ventaja, ya que
elimina las corrientes capacitivas a tierra y su influencia negativa en la compatibilidad
electromagntica del circuito.
Figura. Sistemas FV conectados a red con (a) inversor de puente completo con fijador de nivel por
interruptores y (b) inversor de puente completo con fijador de nivel con diodos
Un sistema FV sin transformador con similares caractersticas puede ser realizado con un
inversor de puente completo con fijador de nivel con diodos (ver figura anterior). En ambas
topologas los subconjuntos FV estn simtricamente cargados.
2.8.1.1.3 Cascada.
Para la conversin de energa DC a AC se muestra a continuacin un sistema FV
conectado a red sin transformador con un inversor en cascada (cascaded inverter). La topologa se
compone de dos puentes completos con sus salidas AC conectadas en serie. Cada puente puede
crear tres niveles diferentes de tensin AC, permitiendo generar una salida de tensin global de
cinco niveles. La ventaja de esta topologa es su carcter modular. En la bibliografa especializada
este concepto se sugiere en sistemas con una tensin de 40 V en cada bus DC, adems de en
aplicaciones de alta potencia.
2.8.1.1.4 Paso.
Un convertidor de paso (step converter) conmuta subconjuntos FV de diferentes tensiones
para obtener una tensin AC de salida. J. Mller, en su artculo Assesment and Optimisation of Step-
Inverters for Photovoltaic Systems, expone una topologa compuesta por cinco mdulos con tensiones
nominales de 11 V, 22 V, 44 V, 88 V y 176 V para un sistema FV conectado a red como se
muestra en la siguiente figura:
La energa generada por cada subconjunto FV crece con la tensin del bus DC.
V0 n
HFn = n >1
V01
La distorsin armnica total, que es una medida de la coincidencia de formas entre una
onda y su componente fundamental, se define como
1 2
THD = V02n
V01 n =02, 3, ...
1 V0 n 2
DF = 2
V01 n = 2, 3, ... n
V0 n
DF =
V01 n 2
Cuando uno analiza los costes de los componentes de la energa fotovoltaica (ver
figura a continuacin), se muestra claramente que pagar un precio mayor por el
convertidor probablemente pueda ser justificado por una potencial superior reduccin
de los costes de la instalacin.
Entre todos los elementos activos y pasivos, los condensadores electrolticos tienen
una menor vida til, y con la desventaja de que incrementan el valor de la resistencia
serie equivalente y consecuentemente tambin las prdidas. Esta topologa no
requerir un alto valor de este condensador a fin de permitir el uso de la tecnologa de
pelcula, especialmente del tipo polipropileno, la cual tiene una larga vida til, buena
estabilidad trmica y elctrica y finalmente una baja resistencia serie.
Los grupos de mdulos no alcanzan una potencia superior a los 2 kW. Su potencia
total puede alcanzar varios MW, pero su implantacin no es an efectiva.
Es apropiado para pequeas instalaciones fotovoltaicas, como una nica vivienda familiar.
a0
f (t ) = + [a m cos( mwt ) + bm sen( mwt ) ]
2 m =1
donde
1
am =
f (t ) cos(mwt ) dwt
m = 0,1, ...
1
bm =
f (t ) sen(mwt ) dwt
m = 1, 2, ...
Para una mejor comprensin, se muestra la siguiente figura, donde una seal peridica es
suma de dos funciones seno:
Igualmente, esta teora puede desarrollarse para una forma de onda f(x,y) dependiente de
dos variables, esto es:
A00
f ( x, y ) = + [A0 n cos(ny ) + B0 n sen(ny )] + [Am 0 cos(mx) + Bm 0 sen( mx)]
2 n =1 m =1
+ [A
m =1 n =
mn cos(mx + ny ) + Bmn sen(mx + ny )]
( n0)
donde
1
Amn =
2 2 f ( x, y) cos(mx + ny) dxdy
1
Bmn =
2 2 f ( x, y)sen(mx + ny) dxdy
A00
f (t ) = + [ A0 n cos(n[ w0 t + 0 ]) + B0 n sen( n[ w0 t + 0 ])]+
2 n=1
DC Offset Armni cos de la componente fundamental de la onda senoidal
+ [Am 0 cos(m[ wc t + c ]) + Bm 0 sen( m[ wc t + c ])]+
m =1
El primer sumatorio, ... donde m=0, define la forma de onda de salida fundamental y
n=1
los armnicos asociados a ella (si existen). Estos ltimos deben ser minimizados o preferiblemente
eliminados con el proceso de modulacin.
El segundo sumatorio, ... donde n=0, corresponde a los armnicos de la onda
m =1
portadora, los cuales son relativamente componentes de alta frecuencia, ya que el trmino de ms
baja frecuencia es la propia frecuencia de la seal portadora.
El doble sumatorio final, ... donde m, n 0, se refiere a los armnicos
m =1 (nn=
0)
Para ilustrar esta idea, se considera la estructura general de un inversor alimentado por
tensin monofsico (single-phase VSI). El apagado y encendido de cada dispositivo semiconductor
se realiza mediante la comparacin de una seal moduladora triangular (portadora) y una seal
senoidal de referencia.
Ar
M=
Ac
Igualmente, para los interruptores T2 y T4 se obtiene la tensin Vbz desfasada 180 de Vaz:
Vdc
1
+ 4 mJ m M sen [ m + n] cos( m wc t + n w0 t )
m =1 n =
n
2 2
Vdc
1
+ 4 mJ m M sen [ m + n] cos( m wc t + n [ w0 t ])
m =1 n =
n
2 2
+ 8
Vdc
2m J
1
2 n 1 (mM ) sen ([m + n + 1] ) cos(2m wc t + [2n 1]w0 t )
m =1 n =
Esta expresin muestra que los armnicos impares y de banda laterales presentes en la
tensin de fase debidos a la seal triangular, son completamente cancelados en le tren de pulsos de
la tensin de lnea de salida. En ella quedan sin embargo los trminos impares (2n-1) debidos a la
seal de referencia y los trminos pares (2m) de la seal triangular.
La siguiente figura ilustra el espectro frecuencial de las tensiones de fase y de lnea de salida
expuestas anteriormente:
Figura. Espectro armnico terico de un inversor monofsico modulado por PWM: (a) Fase a y
(b) Tensin de lnea de salida, M=0.9, fc/fo=21.
Las ms utilizadas en aplicaciones industriales son la tercera y, sobre todo, la cuarta, debido
a su mejor factor de potencia y baja distorsin armnica, por lo que nos centraremos en ellas.
Empecemos por la modulacin por ancho de pulso senoidal, ya presentada anteriormente:
En lugar de mantener igual el ancho de todos los pulsos, como en el caso de la modulacin
de varios pulsos, se hace variar el ancho de cada pulso en proporcin con la amplitud de una onda
senoidal. El DF y la LOH se reducen en forma apreciable. Dichas seales de control (g1, g2, etc.)
de los dispositivos semiconductores, como se ve en la figura anterior, se generan comparando una
seal senoidal de referencia con una onda portadora triangular de frecuencia fc. La tensin de salida
es vo = Vs (g1-g4). La cantidad de pulsos por medio ciclo, p, depende de la frecuencia de la portadora.
fc m f
p= =
2 f0 2
Esta clase de modulacin elimina todas las armnicas menores o iguales a 2p-1. Para p=5,
la LOH es la novena.
Se pueden generar las mismas seales de disparo con una onda portadora triangular
unidireccional como se ve en el caso (d) de la figura anterior. Es ms fcil de implementar este
mtodo, y es preferible.
La representacin (c) de la figura anterior indica que los anchos de los pulsos ms cercanos
al pico de la onda senoidal no cambian mucho al variar el ndice de modulacin. De esta manera, la
tcnica anterior se puede modificar para que se aplique la onda portadora durante los primeros y
ltimos intervalos de 60 por medio ciclo. Esta modulacin por ancho de pulso senoidal
modificada (modified sinusoidal pulse-width modulation, MSPWM) se ve en la siguiente figura.
Aumenta la componente fundamental, y mejora sus caractersticas armnicas. Reduce la cantidad
de conmutacin de los dispositivos de potencia, y tambin reduce las prdidas por conmutacin.
Figura. Perfil de armnicos con modulacin por ancho de pulso senoidal modificado.
fc
= 6q + 3
fo
1. Modulacin trapezoidal.
Las seales de compuerta se generan comparando una onda portadora triangular con una
onda moduladora trapezoidal como se ve en la siguiente figura.
Esta clase de modulacin aumenta la tensin pico fundamental de salida hasta a 1.05 Vs,
pero la salida contiene armnicos de orden menor (LOH).
5. Modulacin delta.
En la modulacin delta se deja oscilar una onda triangular dentro de una ventana definida
V, arriba y abajo de la onda senoide de referencia vr. La funcin de conmutacin del inversor,
que es idntica a la tensin de salida v0, se genera desde los vrtices de la onda triangular vc, como
se ve en la figura. Tambin se llama modulacin por histresis o bang-bang. Si cambia la frecuencia de la
onda moduladora, manteniendo constante la pendiente de la onda triangular, cambia la cantidad de
pulsos y de anchos de pulso de la onda modulada.
La tensin fundamental de salida puede ser hasta 1Vs, y depende de la amplitud pico Ar y
de la frecuencia fr de la tensin de referencia. La modulacin delta puede controlar la relacin de
tensin a frecuencia, lo que es una caracterstica deseable, en especial para controlar motores.
Figura. Rizado de corriente de salida como una funcin del ndice de modulacin.
Entre todos ellos, los mtodos de perturbacin y observacin son los ms populares,
debido a su fcil implementacin.
A continuacin se muestra el diagrama de control bsico del convertidor elevador con lazo
cerrado de tensin de salida, lazo cerrado de corriente y control MPPT.
I p = I ph I o exp ( KV c / N s )
Pp = Vc I p = Vc (I ph I o exp ( KVc / N s ) )
El cambio de potencia de salida del sistema fotovoltaico bajo una perturbacin de tensin
puede ser dado por:
Wc C1 Vc V
Pc = =
T T
donde Vc es la tensin en C1 y T es el periodo MPPT. La precisin del MPPT puede ser mejorada
disminuyendo el paso de tensin o aumentado el periodo MPPT. Estas medidas , sin embargo,
disminuyen la velocidad de respuesta del MPPT.
En la siguiente figura se muestra una curva P-I de un sistema fotovoltaico compuesto por
8 mdulos de 130 Wp en serie bajo condiciones de radiacin solar 750 W/m2, 1.5 masa de aire y
25 C de temperatura. Adems, se representa PC, Pp y la curva de cambio de potencia en el bus
DC Pi(Pp- PC ), con paso de tensin 1.56 V y periodo MPPT de 160 ms.
PA
MPPT = x 100 %
Pm
La precisin del MPPT puede ser mejorada con alimentacin hacia delante de la potencia
del condensador del filtro. El algoritmo MPPT puede ser dado como sigue,
Vc = Vc ( k 1) + V (k 1)sign ( Pi + Pc )
Las teoras que tratan con potencias instantneas pueden ser clasificadas
fundamentalmente en dos grupos. El primero de ellos se basa en la transformacin de las fases abc
a tres ejes ortogonales, y el segundo opera directamente sobre las fases abc. La primera, que ser
llamada teora pq, se basa en la transformacin abc a o. En el mbito que nos ocupa, la teora pq
evidencia un tratamiento ms eficiente con corrientes no senoidales que la anterior,
particularmente cuando estn presentes componentes de secuencia cero. Adems, desde el punto
de vista de la compensacin, la teora pq permite la compensacin separada de las potencias activa
p, y reactiva q, adems de potencia activa de secuencia cero, po, siendo esta la razn por la que
esta teora puede compensar incluso bajo tensiones distorsionadas y/o desequilibradas.
1 1 1
2 2 2 v
v o a
2 1 1
v = 3 1
2
v b
2
v v
3 3 c
0
2 2
1
1 0
2 v o
v a
v = 2 1
1 3
v
b 3 2 2 2
vc v
1 1 3
2 2 2
Igualmente, las intensidades instantneas de lnea pueden ser transformadas a los ejes o,
esto es:
1 1 1
2 2 2
io ia
2 1 1
i = 3 1
2
2 ib
i ic
3 3
0
2 2
y su transformada inversa:
1
1 0
2 io
ia
i = 2 1
1 3
i
b 3 2 2 2
ic i
1 1 3
2 2 2
1 1
1 v a
v 2 2 2
v = vb
3 3 3
0 v
2 2 c
1 0
v a
v = 2 1 3 v
b
3 2 2 v
vc
1
3
2 2
Tres potencias instantneas (la potencia instantnea de secuencia cero po, la potencia activa
instantnea p, y la potencia reactiva instantnea q) se desprenden de los ejes o a partir de las
corrientes de lnea y tensiones de fase:
p o v o 0 0
p = 0 v v
q 0 v v
i 1 v v p
i = 2
v + v
2
v v q
Figura. Esquema de variables elctricas que forman parte del control pq.
Fotovoltaica.
Elica.
Clulas de combustible.
Microturbinas.
Cogeneracin.
Estas tecnologas juegan ya un papel importante en los picos de generacin, durante las
horas de mayor demanda, cuando los costes elctricos son altos. Junto a otros beneficios, y a pesar
de ello, hay lmites tcnicos asociados con la proliferacin de unidades de generacin distribuida,
como puede ser el funcionamiento en isla.
Qu es el funcionamiento en isla?
Se trata de la generacin de energa elctrica por parte de estas unidades cuando la red
elctrica se encuentra, aguas arriba, desconectada, debido a una operacin de falta, un evento
planeado de mantenimiento, o al fallo de algn equipo o dispositivo de la aparamenta del sistema
elctrico.
Como para todos los equipos de proteccin, el rendimiento de la proteccin en isla puede
ser cuantificada mediante los siguientes parmetros:
Tiempo de operacin.
UL 1741-2001
IEEE 1547.1-2005
5. Mtodos hbridos.
Si la potencia elctrica suministrada por el inversor, y por tanto por la planta fotovoltaica,
es similar a la potencia total consumida por las cargas aguas abajo, la variacin de tensin y
frecuencia en el PCC son menos evidentes cuando opera en isla. En tales casos, estos mtodos
pierden su efectividad, al incurrir en una zona de no deteccin (Non-Dectection Zone, NDZ).
IQ = 0
PLOAD = P + P
QLOAD = Q + Q
P
I=
V
V2 V2
Z LOAD = =
P + P + j (Q + Q ) P + P + j Q
'
Z LOAD Z LOAD
V
V ' = I Z LOAD
'
I Z LOAD =
P Q
2 2
1 + +
P P
P Q V
2 2 2
1 + + =
P P V '
La zona de no deteccin del mtodo OVP/UVP para DG controlada por corriente es:
2 2
P Q V
2 2
V
1 + +
Vmax P P Vmin
Sabemos de la norma IEEE Std. 1547 que la tolerancia respecto a la amplitud normal de
tensin es 88 % ~ 110 %:
Vmin = 0.88 V
Vmax = 1.10 V
P Q
2 2
0.91 1 +
2
+ 1.14
2
P P
Figura. NDZ del mtodo OVP/UVP para sistemas DG controlados por corriente.
V2
PLOAD = = P + P
R
1
QLOAD = Q = V 2 2fC
2fL
1
f'=
2 LC
Q C 1
=R 2f LC
PLOAD L 2f LC
Y sustituyendo:
1
Q Q P f' f
= 1 + =Qf
PLOAD P P f f '
C
Qf = R
L
1
f f Q P f f
Q f min 1 + Q f max
f f min P P f f max
donde fmax y fmin son los valores predeterminados del umbral de frecuencias antes mencionado. De
la norma IEEE Std. 1547, conocemos que la tolerancia de frecuencia de la tensin normal es 98.83
%~100.83 %, considerando una red de 50 Hz, tenemos
f min = 49.4 Hz
f max = 50.4 Hz
1
Q P
0.024 * Q f 1 + 0.016 * Q f
P P
Figura. NDZ del mtodo OFP/UFP para sistemas DG controlados por corriente.
Tiempo de disparo
P 50 % 10 ciclos
Fdp carga aislada <0.95 10 ciclos
P 50 % + Fdp carga aislada <0.95 10 ciclos
P < 50 % + Fdp carga aislada > 0.95 2 seg
Los mtodos activos tratan de superar las dificultades de deteccin en isla de los mtodos
pasivos mediante la inyeccin de una perturbacin en el sistema elctrico, causando una condicin
anormal de las magnitudes elctricas bajo condiciones de funcionamiento en isla. La
representacin en el espacio P-Q de la NDZ no es adecuada para los mtodos activos, ya que
para un determinado intercambio de potencia reactiva, Q, diferentes combinaciones de L y C son
posibles. Algunas de estas combinaciones resultan en funcionamiento en isla y otras no.
Todos los mtodos de deteccin en isla activos deben cumplir las normas internacionales a
tal efecto. As, la distorsin armnica total (THD) de la corriente suministrada por los inversores
distribuidos debe ser menor de un 5 %. Ello conduce a un incremento del tiempo de deteccin y
afecta a la fiabilidad de la operacin.
Segn el IEEE Std. 929-2000, el factor de calidad Qf est definido como 2 veces la
relacin entre la mxima energa almacenada y la energa disipada por ciclo a una frecuencia dada:
1
2 C R 2 I 2
Qf = 2 = w R C = R = R C
R I / w0
2 0
w0 L L
donde
1
w0 = 2f 0 =
LC
frecuencia resonante en rad/s.
La magnitud y fase de la impedancia de una carga paralela RLC a una frecuencia arbitraria f,
en funcin del factor de calidad Qf y la frecuencia resonante f0 de la carga, son dadas por:
1 R
Z LOAD = =
2 2
1 1 f f
+ wL 1 + Q f 0
R 2 wL f f0
1 w 2 LC f f
LOAD = tan R
1
= tan 1 Q f 0
wL f f 0
Cabe destacar, en primer lugar, que la magnitud de la impedancia de carga cambia muy
poco para cargas con Qf < 2.5. Por otra parte, debido a que el margen de frecuencias de operacin
es relativamente pequeo, 59.4 Hz a 60.5 Hz, impuesto, entre otras, por la norma IEEE Std. 929-
2000, se asume que la magnitud de tensin no vara con la frecuencia del sistema.
Figura. Variacin del ngulo de fase de una carga RLC con la frecuencia para diferentes valores de
frecuencia de resonancia (fo) y factor de calidad (Qf)
Las curvas muestran que a medida que aumenta el factor de calidad Qf, hay una mayor
variacin del ngulo de fase de la carga LOAD en torno a la frecuencia del sistema. Adems, la
interseccin de las curvas, ngulo de fase cero, tiene lugar en la frecuencia de resonancia fo. Por
otra parte, es interesante hacer notar que una carga cuya frecuencia de resonancia sea menor que la
frecuencia de la red (fo<fg) se muestra como una red capacitiva, ya que la corriente adelanta a la
tensin (LOAD>0). Igualmente, una carga con fo>fg es una red inductiva a la frecuencia de la red.
Este mtodo es resistente a falsos disparos ocasionados por saltos de fase aleatorios en la
tensin de la red. Por otro lado, se ha de tener en cuenta la posibilidad de interferencias entre
mltiples unidades y la habilidad de detectar fiablemente cambios de impedancia con valores
prcticos de la carga insertada.
Figura. Forma de onda de salida del inversor usando el mtodo SMS: (a) fase de adelanto de la
intensidad, (b) fase de atraso de la intensidad.
Este mtodo es relativamente fcil de implementar, ya que requiere solo una ligera
modificacin de un componente que ya es requerido, el PLL.
Figura. Marcos.
Figura. Esquema SRF-PLL (Synchronous Reference Frame PLL.). Este esquema es simple
y usado en casi todas las tcnicas PLL para sistemas trifsicos.
f fg
SMS = M sen
2 fm f g
donde fm es la frecuencia a la cual sucede el ngulo de fase mximo, M.
Despus de la desconexin de la red, la frecuencia del sistema aislado se desviar del valor
nominal fg si:
d LOAD d SMS
<
df f = fg
df f = fg
LOAD 12 Q f
fm f g 2
donde Qf es el valor mximo para el cual la condicin de isla ha de ser detectada, y fm-fg es tomada
normalmente como 3 Hz.
La NDZ del SMS IDM en el espacio Qf-fo se obtiene usando el criterio de fase (phase
criteria), esto es:
f o f is f fg
tan 1 Q f = M sen is
f f 2 f f
is o m g
Por tanto,
f is tan ( SMS ( f is ) )
f o2 f o f is2 = 0
Qf
Puede observarse que la NDZ es nula para Qf<2.5 cuando M=10 y fm-fg=3 Hz como
especificaciones de diseo. Adems, mientras M disminuye, el factor de calidad para el cual el
funcionamiento en isla no es detectado decrece. El rendimiento de este mtodo es similar al
mtodo pasivo UFP/OFP (M=0) para cargas con Qf elevado.
Figura. IPV para AFD (a) hacia arriba (drift up) y (b) hacia abajo (drift down).
La relacin entre el tiempo cero, tz, y la mitad del periodo de la onda de tensin, TVutil/2, se
denomina fraccin de corte (chopping fraction, cf):
2tz
cf =
TVutil
En rgimen permanente la magnitud Vis y frecuencia fis en un sistema aislado con una carga
local RLC pueden ser calculadas desde las siguientes ecuaciones:
Vis2
PLOAD ,is =
R
Vis2 f 2
QLOAD ,is = o 1 = Qinv
X c,g f is
AFD puede ser implementado forzando la frecuencia de la corriente a ser f (<1.5 Hz) por
encima de la frecuencia de la tensin en el ciclo previo (fik=fvk-1+ f), y manteniendo la corriente
del inversor igual a cero desde el final de su semiciclo negativo hasta el paso por cero de la tensin
positiva. Cuando la red elctrica est conectada, sta mantiene la frecuencia de la tensin. Cuando
no es as, la frecuencia de la tensin en el PCC tiende a aumentar (drift upward), alcanzando valores
por encima de fo. En ambos casos, la componente fundamental de la corriente adelanta a la
tensin un pequeo ngulo AFD.
ik = 2 I sen (2 ( f vk 1 + f ) t )
t z / 2 AFC
=
TV 2
donde
1 1 1 1 f
tz = = =
fV f i f f + f f ( f + f )
El ngulo de fase del inversor para el mtodo de deteccin en isla AFD es:
f
AFC = f t z =
f + f
f o f is f
tan 1 Q f =
f is f o f is + f
Por tanto,
f is tan ( AFD ( f is ) )
f o2 f o f is2 = 0
Qf
La siguiente figura muestra la NDZ de un AFD IDM (method detection islanding) para
diferentes valores de f:
Puede apreciarse, en la figura anterior, que la NDZ se desplaza hacia menores valores de
frecuencia de resonancia cuando f crece. Para Qf=2.5 y f=0.5 Hz, el mtodo falla en la
deteccin de funcionamiento en isla para cargas con 58.99 Hz fo 60.19 Hz. Para cargas con
factores de calidad por encima de 2.5 este mtodo activo no presenta ninguna mejora con respecto
a la proteccin pasiva UFP/OFP, ya que la capacidad de desplazamiento de la frecuencia es
significativamente reducida. Adems, para cargas capacitivas (fo<60 Hz) puede incurrir en fallos de
deteccin en isla, como se observa en la figura. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que este
mtodo es bastante efectivo para cargas inductivas.
Conviene decir, por otra parte, que bajo estas condiciones de anlisis (P=0 y Q=0,
Vis=Vg) el modo de control del inversor, por corriente constante o por potencia constante, no
tiene impacto sobre la NDZ.
cf = cf 0 + k ( f f g )
Donde cfo es la fraccin de corte cuando no hay un error de frecuencia y k es una ganancia
de aceleracin. Si la fraccin de corte aumenta, la frecuencia del inversor fotovoltaico se
incrementa, provocando la actuacin del rel de salida del inversor.
Para cfo=0.05, la distorsin armnica total (Total Harmonic Distortion, THD) de la corriente
del inversor es igual a un 5 % de la frecuencia nominal.
Este mtodo posee una de las ms pequeas zonas de no deteccin de todos los mtodos
de deteccin en isla activos. Adems, no pierde efectividad si es empleado por mltiples inversores
en isla, y puede ser extremadamente efectivo si es implementado en combinacin con el mtodo
Cambio Sandia de la Tensin (Sandia Voltage Shift, SVS).
Sin embargo, con este mtodo la calidad de la energa elctrica de salida del inversor DG se
reduce ligeramente. Tambin, la forma de onda de referencia puede ser estimulada por ruido o
armnicos.
wt z cf ( f )
SFS ( f ) = =
2 2
La NDZ de SFS IDM en el espacio Qf-fo se desprende de la expresin del criterio de fase
(LOAD =SFS):
f o f is
tan 1 Q f = [cf o + k ( f is f o )]
f is f o 2
Por tanto,
f is tan ( SFS ( f is ) )
f o2 f o f is2 = 0
Qf
A continuacin se muestra grficamente el resultado del clculo de la NDZ del SFS IDM.
Se observa que la NDZ es nula para cargas con Qf<4.8 cuando cfo=0.05 y k=0.1. Por otra
parte, a medida que k disminuye, el factor de calidad Qf para el cual no se detecta el
funcionamiento en isla tambin decrece. Para k=0 este mtodo llega a ser el AFD IDM, donde
habr cargas, mayormente capacitivas, para el cual no ser posible la deteccin del funcionamiento
en isla. Finalmente, cabe decir que el rendimiento de este mtodo es similar al mtodo pasivo
UFP/OFP para cargas con elevados factores de calidad.
Conviene decir, adems, que la NDZ en el espacio Qf-fo derivada para un inversor puede
ser directamente extendida para el caso de mltiples inversores, si emplean el mismo mtodo
activo y se encuentran razonablemente cerca. Sin embargo, uno debera usar un factor de calidad
modificado para la carga local (Qf_A&P), que es dado por:
Qf
Q f _ A& P =
1 PIDM
Este mtodo complementa el mtodo SFS anteriormente expuesto y puede ser usado en
caso de mltiples inversores.
Este mtodo presenta cierta dificultad de implementacin debida a la eleccin del valor
umbral. Un ajuste altamente sensible puede provocar molestos disparos de corte de suministro del
inversor DG, sin embargo la fiabilidad de deteccin en isla depende de la correcta eleccin de este
valor umbral.
Como punto dbil puede argirse una pequea reduccin de la calidad de energa elctrica
suministrada. La penetracin en el sistema elctrico de inversores DG que implementan este
mtodo debe mantenerse, por ello, baja.
Para detectar una isla accidental, se prueba la continuidad de la lnea de potencia enviando
una seal por el transmisor (T). Cuando la seal PLCC se pierde el receptor (R) puede ordenar el
cese da la operacin del inversor o inversores, o puede abrir su propio interruptor para aislar la
planta fotovoltaica de la carga del PCC.
Puede decirse que este mtodo posee mltiples ventajas: no tiene una NDZ, la calidad de
la energa elctrica suministrada por el inversor DG no est degradada, el nmero de inversores en
el sistema no afecta al rendimiento, y podra ser efectivo en cualquier nivel de penetracin de
inversores fotovoltaicos en la red. Sin embargo, se ha de considerar el coste del receptor y del
transmisor. Adems, existe la posibilidad de que una carga replique la seal PLCC siendo sta la
que detecte el dispositivo de deteccin, no permitiendo detectar la operacin anormal en isla.
Las compaas elctricas poseen aos de experiencia con este esquema para varias
aplicaciones de proteccin. Esta nueva aplicacin puede ser por tanto fcilmente aceptada. Este
mtodo, por otra parte, podra permitir la coordinacin de las unidades DG y los recursos de la
red elctrica. El mismo sistema podra ser usado tambin para la reconexin de los generadores
distribuidos una vez clareada la falta.
Su principal desventaja son los costes y potencial complejidad, ya que se hace necesario el
empleo de transmisores de seal para todos los posibles puntos de desconexin del sistema. Si hay
muchos interruptores automticos y la topologa de la red vara, un esquema de transferencia de
disparo puede llegar a ser bastante complicado.
Este mtodo presenta las siguientes ventajas: los bancos de condensadores requeridos
estn fcilmente disponibles en el mercado, las compaas elctricas tienen una gran experiencia en
ellos, pueden ser usados en caso de mltiples inversores, y no presenta zona de no deteccin. Por
otra parte, no est claro qu parte podra ser responsable del gasto del banco de condensadores.
Un nuevo mtodo propone la operacin del inversor como una inductancia virtual, ya que
la frecuencia de la tensin de salida del inversor es ligeramente superior a la frecuencia de la red.
Cuando se produce un corte de suministro de energa elctrica en la red, la amplitud o la
frecuencia de la tensin en la carga cambia. El funcionamiento en isla de la unidad DG se asocia a
este cambio, y la condicin de operacin en isla puede ser detectada.
La seal S2 es empleada para controlar el inversor conectado a red como una inductancia
virtual. La frecuencia de operacin de la inductancia virtual es ligeramente superior a la frecuencia
fundamental de la red.
El filtro pasa-banda (II) posee una estrecha banda de paso, y est sintonizado a una
frecuencia ligeramente superior a la frecuencia fundamental. Ya que la corriente de la inductancia
es proporcional a la integracin de la tensin, la salida de este filtro es enviada al integrador. El
filtro paso alto es empleado para bloquear la componente de continua generada por el inversor.
Bajo condiciones normales de operacin, S2 es muy pequea (casi cero). En este caso, el
sistema de generacin elctrica distribuida suministra solo potencia activa. Sin embargo, la
operacin de inductancia virtual proporcionar una retroalimentacin positiva. As, en caso de
funcionamiento en isla, provocar un cambio en la potencia reactiva general del sistema,
incrementndose con el tiempo. Se consigue as un cambio significativo en la amplitud de la
tensin en la carga. Ambos fenmenos, una variacin en la amplitud y la frecuencia de la tensin
en la carga, pueden ser detectados como condicin de funcionamiento en isla.
El concepto de gen escondido (hidden gene) se ha introducido para combinar los mritos de
los mtodos pasivos y activos. Un filtro de media movible es introducido en el controlador de
modulacin de frecuencia como un gen escondido, cuyo efecto no ser perceptible en una
situacin de red elctrica conectada. Sin embargo, la condicin de operacin en isla provocar que
el gen escondido se exprese distintivamente, proporcionado un marcado indicador de isla.
Esto implica que a igualdad de irradiacin solar incidente, un mismo sistema fotovoltaico
producir menos energa en un lugar clido que en un clima fro.
Un problema adicional puede surgir cuando hay sombras sobre el generador FV. En este
caso puede haber escalones en la curva I-V y el inversor operar en un punto que no es el de
mxima potencia.