Universidad Nacional de Ingeniera

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Laboratorio de Circuitos Analgicos

Informe Previo N 5

Tema: Amplificador multi-etapa

Integrantes:

Jarra Gonzales, Renato 20060191a

Crdenas Arizaga, Bruno Jesus 20071089i

Cueva Asparrin, Jeysson Scrates 20020221g

Seccin: N.

Octubre de 2013
 AMPLIFICADOR MULTIETAPA
OBJETIVO:
Disear, simular, implementar y analizar, la ganancia y respuesta en frecuencia de un
amplificador lineal

FUNDAMENTO TERICO:
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los
transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Un
transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado
de actividad.

Funcionamiento:
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-
colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y
la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est
dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la
base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que
se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente:

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a
la relacin tensin-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensin-
corriente exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo).

En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es

aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como
el modelo Ebers-Moll.

El Alfa y Beta del transistor:

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y
el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante
es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):
Regiones operativas del transistor:
Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces

est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un
dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor

bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector
y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para
maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso
es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:

Corriente de Colector = Corriente de Emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de Colector = Corriente de Emisor = Imx, (Ic = Ie = Imx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito
y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic
= * Ib)

INFORME PREVIO:
1). Detallar las condiciones para las que un BJT y/o FET pueda operar en baja
frecuencia.
Las seales de pequea amplitud y baja frecuencia permiten al BJT trabajar en la zona
lineal. En estas condiciones, el modelo de parmetros hbridos se convierte en la mejor
herramienta para analizar el funcionamiento del transistor BJT en pequea seal.

El comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones

lineales y sencillas.

El transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por

elementos lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrnica
(Ohm, Kirchhoff, Thevenin) para su resolucin.

Parmetros Hbridos:
Para conseguir el modelo de pequea seal de un transistor BJT analizaremos el transistor
como un cuadripolo, desarrollando las ecuaciones que relacionan las tensiones y
corrientes de entrada y salida.

Variables i1 y v1 valores instantneos de entrada

Variables iS y vS valores instantneos de salida

Las variables iS y v1 son independientes mientras que i1 y vS son dependientes

Desarrollando estas funciones en la serie de Taylor:

Las derivadas parciales son los incrementos de las variables y en pequea seal, dado que
dichos incrementos son pequeos, coinciden con los valores instantneos:
Rescribiendo las ecuaciones de otra manera, el significado de los parmetros
hbridos se entiende mucho mejor:

hi () impedancia de entrada con la salida en cortocircuito

hr (adimensional) ganancia inversa de tensin con entrada en circuito abierto

 hf (adimensional) ganancia de corriente con la salida cortocircuitada

ho (-1) conductancia de salida con la entrada en circuito abierto

Estas ecuaciones permiten dibujar el circuito equivalente en pequea seal del BJT:

Para conseguir el modelo de pequea seal de un transistor FET analizaremos el transistor

como un cuadripolo, desarrollando las ecuaciones que relacionan las tensiones y
corrientes de entrada y salida.

Tensin VGS, tensin instantnea de entrada.

 Variables ID y VDS, valores instantneos de salida.
La variable Id es dependiente, mientras Vgs y Vds son independientes:

Desarrollando esta funcin en serie de Taylor:

Las derivadas parciales son los incrementos de las variables y en pequea seal, dado
que dichos incrementos son pequeos, coinciden con los valores instantneos:

gm [-1] TRANSCONDUCTANCIA o corriente de salida con respecto a la tensin de

entrada con la salida en cortocircuito.

1/rd [-1] Conductancia de Salida cuando no hay seal a la entrada.

rd [] Resistencia del Drenador.

Estas ecuaciones permiten dibujar el circuito equivalente de pequea seal del FET.

2). Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, escriba la ecuacin dIC2/dT
tal que IC2=f(ICBO,VBE) y considerando que los BJT son de silicio.

Sabemos:
I C 2 I B 2 1I CB 0
Tambin:
VVBE
I B2 I B 20 e T 1


Entonces:
 VVBE
IC2 I B 20 e T 1 1I CB 0


Derivando:
dI C 2 I B 20 VT dV
VBE
dI
e 1 BE 1 CB 0
dT VT dT
dT

3). Fundamente las razones por las que se disea la ganancia y otros parmetros de
un amplificador independiente del hfe, hie, etc del BJT por ejemplo.

Parmetros:

Zi: la impedancia de entrada se mide como la relacin del voltaje de entrada y la corriente
de entrada del amplificador

Z0: la impedancia de salida se mide como la relacin del voltaje de salida y la corriente
de salida del amplificador

Av: la ganancia de voltaje del amplificador es la relacin entre el voltaje de salida y el

voltaje de entrada

Ai: la ganancia de corriente del amplificador es la relacin entre la corriente de salida y

la corriente de entrada

La razn por la cual se disean estos parmetros es para poder tener una referencia del
valor al cual puede amplificar voltaje o corriente nuestro circuito amplificador y poder
darle aplicaciones ms eficientes a nuestro diseo eliminando la influencia de los
parmetros no manejables de un transistor.

4). Disee un circuito amplificador.

Vcc R4 R6 R9 R13
R2 R11
2.7k 3.3k 80k 3.3k
12Vdc 110k C7 2.7k
C6 C4
1.2n Vo
0 1.8n C
C3 C
C1 B
Q1 B
Q3 0.1u RL
3.8u 2N2222A C 8.6u 2N2222A C 10k
B B
Q4
E Q2 E
R1 2N2222A
2N2222A 0
10k E R10 E
R7 R14
Vi 22k
R3 R5 0.1k R12 0.1k
VOFF = 10m
48k 3.3k 1.2k
VAMPL = 10m
R8 C2
FREQ = 1k R15 C5
2.2k 5.2u
0.68k 8.2u

Podemos dividir el circuito en 2 etapas:

Etapa de la Derecha:

Sabemos que:
VCC V
VE 4 CC
10 5
Tomamos:
VCC
VE 4 1.2V
10
Luego:
VCC
VCEQ (Por diseo)
2
VCEQ 4 6V

Por diseo cuando: RL 10K R13 25%RL

R13 25%RL 2.5K IC 4 2mA

Pero debemos buscar un pequeo consumo de corriente:

Luego tomamos:
R13 3.3K I CQ 4 1.5mA
Luego:
R14 R15 0.8K ... ( )

As como en Q4:
VCC
VCEQ 3 VCEQ 3 6V
2
Luego considerando: I CQ 3 1.5mA
 R11 2.7 K
Asimismo:
R12 1.2 K
Clculo de R9 y R10
3
RB 3 R9 // R10 R12 (Por diseo)
10
R9 // R10 10R12 12K
V 12V
R9 RB3 CC 12K R9 80K
VBB 1.8V
Luego:
R9
4 R10 22 K
R10
Tambin:
Zin ' hie4 R12 1 4 // R9 // R10

Etapa de la Izquierda:

Ahora asumiremos:
VCC
VE 7
VE 7 2.4V
5
Como buscamos un pequeo consumo de corriente, digamos: I CQ 2 1mA
R6 3.3K
Adems: R7 R8 2.4 K
Asumiendo lo mismo en Q1:
R4 2.7 K R5 3.3K
Clculo de R2 y R3 :
RB1 R2 // R3 10R5 33K (Por diseo)
12V
R2 33K
3.6V
 R2 110 K
De forma similar calculamos R3
R3 48K
Por dato:
R1 10 K
Analicemos las ganancias:
AV 2
R13 // RL R12
VT VT R V
R12 R14 R14 12 T
IC 3 IC 3 IC 4
R12
Como: R14 0.12 K
10
Si:
R14 0.1K R15 0.68K
AV 2 21

AV 1
R6 // Zin ' R5
VT VT RV
R5 R7 R7 5 T
I C1 I C 2 IC 2
R5
Como: R7 0.33K
10
R8 2.2K
Luego: AV 1 21.17

Finalmente:
AV AV 1 AV 2 21 21.17 440

Obs: En la prctica AV disminuir, un poco, obteniendo as AV aproximadamente a 350.

Diseo de Condensadores:
Considerando C6 y C7 capacitores de alta frecuencia:

Tomemos:
C6 10 pF ; C7 10 pF
Impedancia vista por cada capacitor:

Vista por C1:

hie1
C1

R1
R2//R3 R5//[hie2+R7(B)](B)

RTC1 R1 R2 // R3 // hie1 R5 // hie2 R7
RTC1 42 K
Vista por C2:
hie2

R7(B+1)
Ra

R8(B+1) C1

Donde:
 hie R // R2 // R3
Ra R5 // 1 1
1
Adems:
RTC 2 Ra hie2 R7 1 // R8 1
RTC 2 30.53K
Vista por C3:

C3 hie3

R6
{R12//[hie4+R14(B)]}(B)
R9//R10

Resolviendo el circuito como anteriormente hemos estado haciendo:

RTC 3 18.6K
Vista por C4:
C4

R13
RL

RTC 4 R13 RL
Reemplazando valores:
RTC 4 13.3K
Vista por C5:
hie4

{[R6//R9//R10]+hie3}/(B+1) R14(B+1)
R12

R15(B+1) C5

Igualmente si resolvemos el circuito y reemplazamos los valores correspondientes

tendremos:
RTC 5 19.36K
Comparando las resistencias calculadas, notamos que la menor de ellas es RTC 4 13.3K
Por lo tanto lo tomaremos como polo dominante:

f L 4 100 Hz
Las dems frecuencias las tomaremos como:
fL4
1Hz
100
Para que no influyan en la respuesta en frecuencia.
Por tanto:

f L1 1Hz
f L 2 1Hz
f L3 1Hz
f L5 1Hz

Sabemos que la capacitancia se calcula de la siguiente manera:

1
C
2 fRTC

Finalmente obtenemos los siguientes valores:

C1 3.8uF
C2 5.2uF
C3 8.6uF
C4 0.1uF
C5 8.2uF

5). Simular en computadora el circuito de la figura e imprima los principales

parmetros del amplificador.

a). comprobar los voltajes de polarizacin de acuerdo al diseo:

 12.00V
V1

12Vdc R4 R9 R11
2.2k 68k 3.9k
R2 R6
100k 3.3k C7
0V C6 R13
9.766V
6.449V 3.3k
0 1.2n
C1 1.8n C3
Q2N2222A Q2N2222A
7.299V 5.818V C4
0.22u Q1 0.15u Q3
0V
0V
Q4 0.22u
R1 4.596V Q2 2.785V
10k Q2N2222A RL
3.951V Q2N2222A 10k
1.470V
2.131V
R3 R7 R10 R14
68k 0.1k 22k 100 0V

R5 R12
3.9k 3.154V 1.5k 1.282V 0
0V

R8 C2 R15 C5
2.2k 47u 0.68k 47u

VE1 VC1 VC2 VR8 VE3 VR15 VC4

3.951v 9.766v 7.299v 3.154v 2.131v 1.282v 5.818v

b). Conecte la fuente Vin compruebe la amplificacin de Q1 y Q2 y anote en AC:

 12.00V
V1

12Vdc R4 R9 R11
2.2k 68k 3.9k
R2 R6
100k 3.3k C7
0V C6 R13
9.766V
6.449V 3.3k
0 1.2n
C1 1.8n C3
Q2N2222A Q2N2222A
7.299V 5.818V C4
0.22u Q1 0.15u Q3
0V
0V
Q4 0.22u
R1 4.596V Q2 2.785V
10k Q2N2222A RL
3.951V Q2N2222A 10k
1.470V
2.131V
0V R3 R7 R10 R14
68k 0.1k 22k 100 0V
V3
VOFF = 0v R5 R12
VAMPL = 20mv 3.9k 3.154V 1.5k 1.282V 0
FREQ = 1k

R8 C2 R15 C5
2.2k 47u 0.68k 47u

0V

VR1 VE1 VE2 VC2

0v 3.951v 3.295v 7.299v

Grafica de VRL:

5.0V

0V

-5.0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(C4:2)
Time
c). Mediante el condensador C3 aplique Vin y compruebe si la amplificacin de Q3 y
Q4 y anote en AC.

12.00V

V1

12Vdc R4 R9 R11
2.2k 68k 3.9k
R2 R6
0V 100k 3.3k C7
9.766V
C6 6.449V R13
3.3k
0 1.2n
C1 1.8n 7.299V V2 C3
Q2N2222A 5.818V
Q2N2222A
7.299V C4
0V
0.22u Q1 FREQ = 1k 0.15u Q3 0V
VAMPL = 20mv
4.596V VOFF =2.785V
0v Q4 0.22u V
R1 Q2
10k 3.951V Q2N2222A RL
Q2N2222A 10k
1.470V
2.131V
0V
R3 R7 R10 R14 0V
68k 0.1k 22k 100

R5 3.154V R121.282V
3.9k 1.5k 0

R8 C2 R15 C5
2.2k 47u 0.68k 47u

0V

VB3 VE3 VE4 VC4 VRL

6.449v 1.470v 1.282v 340mv 340mv

Grafica de VRL:

400mV

200mV

0V

-200mV

-400mV
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(C4:2)
Time

d). Efectu un barrido de frecuencia entre 5Hz y 50Khz:

 V1

12Vdc R4 R9 R11
2.2k 68k 3.9k
R2 R6
100k 3.3k C7
C6 R13
3.3k
0 1.2n
C1 1.8n C3
Q2N2222A Q2N2222A
C4
0.22u Q1 0.15u Q3

Q4 0.22u
R1 Q2
10k Q2N2222A RL
Q2N2222A 10k

R3 R7 R10 R14
68k 0.1k 22k 100
V2
10mVac R5 R12
0Vdc 3.9k 1.5k 0

R8 C2 R15 C5
2.2k 47u 0.68k 47u

0
Grafica VR1:
10mV

8mV

6mV

4mV

2mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(R1:2)
Frequency

Grafica VB1:
8.0mV

6.0mV

4.0mV

2.0mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(R2:1)
Frequency

Grafica VB2:
 8.0mV

6.0mV

4.0mV

2.0mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(Q1:e)
Frequency

Grafica VC2:

200mV

150mV

100mV

50mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(Q2:c)
Frequency

Grafica VE2:

7.0mV

6.0mV

5.0mV

4.0mV

3.0mV

2.0mV

1.0mV
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(Q2:e)
Frequency

Grafica VB3:
 200mV

150mV

100mV

50mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(C3:2)
Frequency

Grafica VB4:

200mV

150mV

100mV

50mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(Q4:b)
Frequency

Grafica VC4:

4.0V

3.0V

2.0V

1.0V

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(Q4:c)
Frequency

Grafica VE4:
 150mV

100mV

50mV

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(Q4:e)
Frequency

Grafica VRL:

4.0V

3.0V

2.0V

1.0V

0V
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(C4:2)
Frequency