Tipos de tiristores

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto
cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para
controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y

desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en:

Tiristores controlados por fase

Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de lnea, y se apagan por
conmutacin natural. Un tiristor inicia la conduccin en sentido directo, cuando se aplica
un pulso de disparo de corriente de la compuerta al ctodo, y llega y se mantiene con
rapidez a la conduccin total, con una cada pequea de voltaje en sentido directo. No
puede hacer que su corriente regrese a cero mediante una seal en su compuerta; en lugar
de ello, se basa en el comportamiento natural del circuito para que la corriente llegue a
cero. Cuando la corriente andica baja a cero, el tiristor recupera su capacidad en unas
pocas decenas de microsegundos de voltaje de bloqueo en sentido inverso, y puede
bloquear la corriente en sentido directo hasta que se aplique el siguiente pulso de
encendido. El tiempo de apagado es del orden de 50 a 100 us. Es ms adecuado para
aplicaciones con conmutacin de baja velocidad, y tambin se le llama tiristor
convertidor.
Como un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado hecho de silicio, tambin se le
llama rectificador controlado de silicio (SCR).

Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT)

Es un dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos tiristores en un
encapsulado, permitiendo disear equipos ms compactos, simplificando el sistema de
enfriamiento y aumentando la fiabilidad del sistema. Los BCT permiten a los diseadores
cumplir con mayores demandas de tamao, integracin, fiabilidad y costo del producto
final. Son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estticos de volt-amperes
reactivos (VAR), interruptores estticos, arrancadores suaves y controles de motor. La
especificacin mxima de voltaje puede ser hasta de 6.5 kV a 1.8 kA, Y la especificacin
mxima de corriente puede ser hasta 3 kA a 1.8 kV.
Encendido y apagado.:
Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el flujo de la corriente en
sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este tiristor enciende con un pulso
de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente andica baja del valor
de la corriente de detencin, por el comportamiento natural del voltaje o la corriente.

Tiristores de conmutacin rpida (o SCR).

Se usan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin forzada

Tienen un tiempo corto de apagado, por lo general de 5 a 50 us, dependiendo del intervalo
de voltaje. La cada de voltaje en estado de encendido vara, aproximadamente en funcin
inversa del tiempo de encendido. A esta clase de tiristor tambin se le llama tiristor
inversor. Estos tiristores tienen alta tasa dv/dt, normalmente de 1000 V/us, y tasa di/dt de
1000 A/us.
El apagado rpido y la alta di/dt son muy importantes para reducir el tamao y el peso de
los componentes de conmutacin o del circuito reactivo.
Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por
compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin
suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH.
Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron
prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos
dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores,
puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR
en circuitos de cc.

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR
comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del
orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa
de entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe
ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

Smbolo del GTO.

Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una
compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el
voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El
voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la
misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a
los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un
TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.
 Smbolo del TRIAC.

Tiristores de conduccin inversa (RTC).

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de

un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga
inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El
diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones
de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso
puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito
dentro del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito;

puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se
muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico
(ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de
corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado
que para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la corriente
directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn
a diseos de circuitos especficos.
 Tiristor de conduccin inversa

Tiristores de induccin esttica (SITH).

Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como

los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta.
Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene
una baja resistencia en estado activo, as como una baja cada de potencial, y se puede
fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y

di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje
puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en
el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.

Rectificadores controlados de silicio activados por

luz (LASCR).
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada
con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente
de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea
a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes
luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y
dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo,
transmisin de Cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica
o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre
la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La
especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con
una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250 A/ s y el
dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ s.

Tiristores controlados por FET (FET-CTH).

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se
muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor.
Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede
desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un
disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la
seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

Estructura FET-CTH.

Tiristores controlados por MOS (MCT).

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor
regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente
se muestra en la figura siguiente. La estructura NPNP se puede representar por un
transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede
representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican
todas las seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo
directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se
forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p
E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p
B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma
la corriente de base correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+
E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1)
que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el
transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa
al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.
Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo
VGA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan
lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a
travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del
MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del
transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y ya no habr
huecos disponibles para recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2 de Q2).
La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el
transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo
de compuerta VGA, desva la corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto
el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es
menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores
que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del
dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un
SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de
corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe
ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En
muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso
continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar
ambigedad en el estado.
 Figura 7. Estructura MCT.

Un MCT tiene:

1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin.

2. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 s, y un tiempo de desactivado

rpido, tpicamente 1.25 s, para un MCT de 300A, 500v.
3. Bajas perdidas de conmutacin.
4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin
de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un
transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar
ambigedad de estado.