Sei sulla pagina 1di 24

UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

DEPARTAMENTO ACADMICO DE ELETROTCNICA


CURSO DE ENGENHARIA INDUSTRIAL ELTRICA

Disciplina de Eletrnica de Potncia ET66B

Aula 3
Prof. Amauri Assef
amauriassef@utfpr.edu.br

UTFPR Campus Curitiba


1
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Principais caractersticas
 um dispositivo no-controlado (comuta espontaneamente)
 Conduz quando diretamente polarizado e bloqueia quando i<0
 VAC > 0
 Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo
 VF ~ 1V (forward voltage)
 No so facilmente operados em paralelo, devido aos seus
coeficientes trmicos de conduo serem negativos
 Quanto maior temperatura menor a queda direta
 Pode conduzir reversamente durante um tempo trr (tempo de
recuperao reversa - especificado pelo fabricante)

UTFPR Campus Curitiba


2
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Caractersticas estticas (tenso-corrente):


Circuito equivalente do diodo

Ideal

Pc = V( TO )iDmed + rT I Def
Real 2

Regio de avalanche
(curto-circuito)
UTFPR Campus Curitiba
3
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Exerccio:
Calcular a corrente IF , a tenso VF , e a potncia no diodo
D polarizado diretamente por uma fonte de tenso
contnua de 50V, em srie com um resistor de 100.
Considerar rT = 15m e V(TO) = 0,7V:

UTFPR Campus Curitiba


4
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Caractersticas dinmicas (considera-se D real):


Tempo de recuperao reversa - trr
 Bastante significativo em aplicaes de chaveamento em alta
velocidade  provocam substncias perdas e sobrecorrentes
 O diodo real no passa, em um nico instante, do estado de
conduo para o de no-conduo (comutao abrupta)
 Nesse momento uma corrente reversa flui por um breve perodo,
e o diodo continua conduzindo devido aos portadores
minoritrios que permanecem na juno pn e no material
semicondutor propriamente dito
 Os portadores minoritrios requerem um certo tempo para
recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados
 C  Capacitncia de recuperao do diodo (da juno)
 Qrr  carga armazenada em C durante conduo

UTFPR Campus Curitiba


5
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Inicialmente S bloqueado
 Malha L e D circuito IL em roda livre

 S fechado  corrente IL
transferida de D para S
 Comutao  diodo bloqueia
 IL = iS + iF (constante)

 S fechado  corrente iF
 Velocidade de decrescimento
depende:

UTFPR Campus Curitiba


6
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Com iF=0
 Ocorre a descarga de C
 iD torna-se negativa, at que Qrr
seja toda removida
 IRM representa o pico da corrente
de recuperao do diodo
 Qrr = 0  diodo bloqueado
 A taxa de variao de corrente,
associada indutncia parasita
srie provoca sobretenso
negativa em D durante bloqueio
(pode ser destrutiva)
 Utilizar snubber RC srie em
paralelo com o diodo

UTFPR Campus Curitiba


7
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Formas de onda:

UTFPR Campus Curitiba


8
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Concluso: o tempo de recuperao reversa (trr) e a carga


armazenada na juno (Qrr) esto relacionadas
diretamente com as perdas de comutao

 Equaes:

 diF/dt  estabelecido pelo projetista (depende do circuito)


 Qrr dado do fabricante  quanto menor, mais rpido o diodo

UTFPR Campus Curitiba


9
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Exerccio:
O tempo de recuperao de um diodo trr=3 s e a taxa
de decaimento da corrente do diodo di/dt=30A/s.
Determinar (a) a carga armazenada Qrr e (b) a corrente
reversa mxima de pico IRM.

UTFPR Campus Curitiba


10
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Entrada em conduo do diodo:


 Circuito para o estudo da entrada em conduo do diodo e
formas de onda durante a comutao (entrada em
conduo)

Atraso de entrada
em conduo

UTFPR Campus Curitiba


11
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 trf: tempo de entrada em conduo


 Pode variar entre 0,1 a 1,5 s
 VFP: tenso de pico na entrada em conduo
 Pode alcanar valores prximo de 40V
 Diodos rpidos reduzem trf e VFP

O atraso e a sobretenso so devidos variao da resistncia


do diodo durante entrada em conduo

Em conversores comutados pela linha, as perdas de comutao


podem ser desconsideradas

UTFPR Campus Curitiba


12
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Classificao quanto ao tempo de recuperao:


 Diodos lentos (standard-recovery)  trr > 1 s
 Line frequency diodes operao em baixa frequncia, geralmente menor
que 1 kHz
 Diodos rpido (fast-recovery) trr < 200 ns
 Soft-recovery Variao de corrente suavizada para evitar picos de tenso
 Diodos ultra-rpidos (ultrafast-recovery)  trr < 70 ns
 Aplicao em fontes chaveadas
 Pode-se reduzir o circuito snubber de proteo

UTFPR Campus Curitiba


13
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Demais valores nominais:


 Corrente direta mdia mxima IF(avg)max
 a corrente mxima que o diodo pode aguentar com segurana quando
polarizado diretamente

 Corrente mxima de surto - IFSM


 a corrente mxima que o diodo pode suportar durante um transitrio
fortuito ou diante de um defeito do circuito

 Protees
 Sobretenso
 Sobrecorrente
 Transitrios circuito snubber
UTFPR Campus Curitiba
14
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Exemplo: 1N4007 (standard)

UTFPR Campus Curitiba


15
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Exemplo: MUR460 (ultrafast)

UTFPR Campus Curitiba


16
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

UTFPR Campus Curitiba


17
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Diodos Schottky
 Possuem uma baixa queda de tenso de conduo, tipicamente de 0,3V
 Baixo tempo de recuperao  baixa perdas por conduo
 Circuitos Snubbers menores e menos dissipativos
 Aplicao em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os
retificadores so significativas
 Desvantagem: baixa tenso direta e inversa suportvel

UTFPR Campus Curitiba


18
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO

 Retificador Monofsico Meia Onda a Diodo


 1) Carga Resistiva Pura

 Onde: v ( t ) = V m sen ( t ) = 2V o sen ( t )


Sendo: Vo = valor eficaz da tenso de alimentao

UTFPR Campus Curitiba


19
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO

 Formas de onda para carga R(pura):

UTFPR Campus Curitiba


20
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO
t0 +T
 Tenso mdia na carga: 1
V med =
T f ( t )dt
t0
1
V Lmed = 2V 0 sen ( t )d t
2 0

2V 0
V Lmed = = 0 ,45 V 0

 Corrente mdia na carga:

1 2V 0
I Lmed = sen ( t )d t
2 0
R

V Lmed 0 ,45 V 0
I Lmed = =
R R

UTFPR Campus Curitiba


21
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia RETIFICADORES A DIODO

 Corrente de pico no diodo:


2V 0
I Dp =
R
 Tenso de pico inversa do diodo:

V Dp = 2V 0
t0 +T

 Corrente eficaz no diodo V rms =


1
[ f ( t ) ]2
dt
T t0

2

1 2V 0
2
2V 0 V0 V0
I Lef = sen 2 ( t )d t = = = 0 ,707
2 0 R 2 R 2 2 2R R

UTFPR Campus Curitiba


22
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIODO DE POTNCIA

 Exerccios:
1) Seja o retificador de meia onda alimentando carga
resistiva pura com Vo=120V (valor eficaz) e R=50.
Calcular: (a) tenso mdia na carga , (b) corrente
mdia na carga, (c) corrente eficaz na carga e (d)
potncia transferida ao resistor R. Desenhar os grficos
de VL, IL e VD indicando os valores mximos e mnimos.

2) Considerando rT = 12m e V(TO) = 0,85V, calcular a


potncia de conduo do diodo:
Pc = V( TO )iDmed + rT I Def
2

UTFPR Campus Curitiba


23
Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia - Reviso

 Referncias bibliogrficas:

BARBI, Ivo. Eletrnica de Potncia; 6 Edio, UFSC, 2006


MUHAMMAD, Rashid Eletrnica de Potncia; Editora: Makron Books,
1999
ERICKSON, Robert W.; MAKSIMOVIC, Dragan. Fundamentals of power
electronics. New York: Kluwer Academic, 2001
AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia; Editora: Prentice Hall, 1a
edio, 2000
Materiais de aula do Prof. Leandro Michels UDESC

UTFPR Campus Curitiba


24
Prof. Amauri Assef

Potrebbero piacerti anche