ELETRNICA DE POTNCIA AULA 03

Prof. Roberto de Oliveira Brito

3.1 Transistores de potncia

Os transistores so chaves que possuem trs terminais (ao contrrio do diodo), tendo a possibilidade
de serem controladas, e que trabalham com alto valor de tenso e corrente so classificados como
transistores de potncia. Como tm funo de amplificao e chaveamento, e os estudamos na primeira
funo em Eletrnica 1 e 2, nos atearemos funo de chaveamento em Eletrnica de Potncia, aplicadas
especificamente em choppers e em inversores.

Dois dos tipos de transistores utilizados em eletrnica de potncia so o BJT (Bipolar Junction
Transistor, principalmente na configurao Emissor Comum e os NPN) e o MOSFET (Metal-Oxide-
Semicondutor Field-Effect Transistor).

Antes da chegada o MOSFET (controlado por tenso), o preferido era o BJT (controlado por corrente
aplicada na base pino B). Contudo, existem vantagens de um com relao ao outro.

A resposta do BJT mais lenta do que um MOSFET, sendo o ltimo preferido em aplicaes que
exigem alta freqncia de chaveamento;
Um BJT controlado por corrente, sendo necessria uma grande corrente para ligar e ainda maior
para desligar o transistor, e ainda mais alta nas aplicaes que exigem rapidez para deslig-lo (ligado
entre os terminais B e E). Esta limitao aumenta a complexidade dos circuitos fornecedores das
correntes IB com BJT, tornando-os mais caros;
Um MOSFET controlado por tenso, e tem uma queda de tenso no estado direto mais alta do que
o BJT. Mas, em aplicaes de alta tenso, em que as perdas no estado ligado precisam ser
minimizadas, utilizamos um BJT.

O IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor ou Transistor Bipolar de Porta Isolada) foi criado para
contornar as limitaes descritas acima. Os IGBTs so designados para aplicaes que envolvem alta
tenso, com baixa perda quando no estado ligado e em alta freqncia.

3.2 Curva caracterstica

Os transistores operam em trs regies distintas: corte, saturao e ativa (figura 3.1). Na operao
de chaveamento utilizamos somente duas:

a de corte (chave aberta), quando a corrente IB praticamente igual a zero, levando a uma
corrente IC desprezvel;
a de saturao (chave fechada), quando a corrente IB alta o bastante para levar o transistor
regio de saturao.

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 Fig.:3.1 Regies de operao do transistor

Na figura 3.2 abaixo temos um exemplo do transistor BJT sendo utilizado como chave e a sua curva
caracterstica com a reta de carga, que caracteriza em que situaes de operao do transistor junto com o
resistor RC e RB (rede de polarizao fixa).

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 Fig.:3.2 Regies de operao do transistor

Traando uma reta entre os dois pontos acima, temos a denominada reta de carga. Os pontos de
cruzamento entre esta reta e as curvas IB identificam os pontos de operao.

Notamos os pontos:

a) P1 ponto de saturao, onde o transistor opera na saturao, onde

IC = VCC/RC
b) P2 ponto de corte real, onde temos a reta de carga cruzando a curva para IB = 0A, e a corrente
IC passa a ser a corrente de fuga.

Obs.: O ponto P4 o ponto IDEAL de corte, onde temos

IC = 0A e VCE = VCC
Como se trata de uma polarizao fixa do transistor, podemos encontrar VCE pela equao

VCC ICRC VCE = 0

VCE = VCC ICRC

No grfico, ainda temos o ponto P3, que intercepta a curva de IB = IB(Sat) , quando o transistor est em
operao ligado e conseqentemente temos VCE(sat) e a IC mxima ou IC(sat).

Assim, podemos concluir que a corrente de base mnima para garantir a saturao :

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 Onde, como sabemos, = IC/IB. Mas, para garantir a conduo com a menor VCE sugerido um valor
um pouco maior.

3.3 Perda de Potncia

Tal como aconteceu com os dispositivos vistos at momento, temos um desperdcio de potncia maior
durante os transientes, que so diretamente proporcionais freqncia utilizada no mecanismo de
controle para abrir e fecha a chave.

Como no BJT temos preocupao com a intensidade da corrente para mant-lo na regio de saturao,
faremos um breve estudo da perda de potncia na base (PB):

PB = VBE(Sat).IB

Neste caso,

PC = VCE(sat).IC

Concluindo-se uma perda total de

PON = VCE(sat). IC + VBE(sat).IB

Mas, como na maioria das vezes a perda na base PB pequena, aproximamos

PON VCE(sat).IC

E, conforme visto na aula 01, a potncia de OFF, POFF pode ser calculado pela equao

POFF = VCE.IC = VCC.Ileakage

Reafirmando as equaes vistas anteriormente, como temos que as perdas de energia durante a
passagem para o estado ligado e para o estado desligado como

Podemos encontrar a potencia, multiplicando as equaes pela freqncia de chaveamento.

Passamos a ter uma equao mais genrica:

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 Exerccio: Para a figura 3.2, sabendo que VCC= 120V, RC = 20, e que a curva caracterstica deste
transistor est na mesma figura, determine a corrente de carga e a perda de potncia para as seguintes
correntes de base: IB = 0,6 A, IB = 0,4 A, IB = 0,2 A e IB = 0,0 A.

Note que no clculo para as letra a) e d) temos baixa perda de potncia, observando-se os estado de
saturao e corte. Contudo, a medida que vamos para a regio ATIVA, temos uma maior perda de potncia,
uma vez que VCE aumenta.

Exerccio: Considerando o mesmo circuito do exerccio anterior, sabendo que VCC = 208V, RC = 20,
VCE(sat) = 0,9 V , VBE(sat) = 1,1 V e = 10, determine a) IC b) IB c) a perda de potncia no coletor (PC) e d) a
perda de potencia na base (PB).

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 Exerccio: Na figura 3.2, sabendo que VCC = 200V, RC = 20, tr = 1,0 s e tf = 1,5 s e f = 5 KHz,
determine: a) a perda de energia na passagem de desligue para ligado b) a perda de energia na passagem
de ligado para desligado e c) a perda de potencia no chaveamento.

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 3.4 Testando um TBJ

Realizando uma anlise de similaridade do comportamento do TBJ durante testes de funcionalidade,

podemos concluir que ele se comportaria conforme figura 3.3.

Fig.:3.3 Similar do TBJ

Como vemos na figura 3.3 temos um transistor NPN (seta de P para N). Durante teste de funcionalidade
com um ohmmetro, espera-se que as junes base-emissor e base-coletor, se diretamente polarizada
(ponta vermelha em P e preta em N), devem possuir resistncias pequenas. E, se inversamente polarizadas,
devem possuir alta resistncia. Agora, se medimos a resistncia entre os pontos C e E, (resistncia RCE),
temos um valor muito maior do que cada uma das resistncias RCB e RBE. Vale ressaltar que transistores
classificados como de potncia apresentam resistncia prximo de zero (0) quando danificados, mesmos
que RCB e RBE apresentem valores esperados.

OBS.: Identificamos se um transistor NPN se encontramos uma resistncia baixa ao ligarmos a ponta
vermelha na base e a ponta preta no terminal emissor. Caso contrrio, ser PNP.

Se a corrente IC for muito alta, temos o incremento de temperatura na juno, que tem o efeito fsico de
diminuir a resistncia RCE, elevando ainda mais a corrente IC. Este processo entre em um ciclo vicioso que
pode danificar o transistor. Uma possvel soluo seria o uso de um fusvel, que no possui resposta rpida,
inviabilizando o seu uso. Um paliativo seria o uso de uma chave automtica sensvel a este incremento que
realize um curto-circuito entre o terminal C e o terra, protegendo o transistor.

Se a tenso inversa entre C e B exceder consideravelmente valores superiores a 1000 V (tenso

funcional normalmente encontrada em transistores de potencia), pode ocorrer a ruptura por avalanche,
promovendo uma corrente muito alta entre os seus terminais, danificando o transistor. O uso de um diodo
antiparalelo (diodo contrrio juno PN)entre os terminais pode contornar este problema.

Tal como ocorreu com diodos, tambm h o interesse na utilizao do denominado circuito SNUBBER
(figura 3.4) para limitao de tenso durante os transitrios. Ou seja, quando em chave fechada, o diodo
no est conduzindo e a tenso na resistncia mnima. Quando em chave aberta, o capacitar carregado,
pois o diodo se fecha, uma vez que o transistor no est mais conduzindo, e conseqentemente o capacitor
passa a absorver parte da carga-transiente, evitando sobre tenso.

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 Fig.:3.4 SNUBBER no TBJ

3.5 Conexo Darlington

Como foi visto anteriormente IC = .IB. Ou seja, a corrente de carga proporcional a , que devido a
ser limitada em transistores de potncia, exige certos artifcios como a configurao Darlington (figura 3.5),
que tm a vantagem de incrementar o valor de .

Fig.:3.5 Configurao Darlington

Nesta configurao basta uma pequena corrente IB1 para termos uma corrente de IB2 maior. E, em
sendo uma configurao to prtica fabricada em um nico chip.

A duas desvantagens so:

1. Temos um VCE(sat) maior no estado ligado (chave fechada). E, conseqentemente, as perdas

tambm so altas;
2. Tem um velocidade de chaveamento menor.

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 = 1 , 2
Exerccio: Na figura 3.5 acima Q1 est trabalhando com IC1 = 20 A e possui 1 = 20, e o Q2 trabalha com IC2 =
100 A e um 2 = 10. Qual ser a corrente IB1 necessria para levar a montagem Darlington ao estado de
chave fechada ? E, comparativamente, caso tivssemos somente Q2, qual seria a corrente necessria?

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 = 1 , 2

Ou seja, realmente a configurao Darlington trs vantagens.

3.6 Ligaes Srie/Paralelo de Transistores

Como a utilizao de um nico transistor no pode ser compatvel com a quantidade de tenso ou
corrente, normalmente so utilizadas associaes srie e paralelo, tal como realizado com diodos, que
incrementa a tenso de bloqueio reversa e a corrente de conduo direta (IC).

Fig.:3.6 Configurao de Transistores

3.7 MOSFETs Metal-xido-Semicondutor FET

Os MOSFET de potencia so similares aos utilizados em eletrnica de pequenos sinais, o diferencial

fica por conta das tenses e correntes suportadas, no caso, mais altas. Mas, no to altas quanto os TBJ.

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 A principal vantagem do MOSFET o seu rpido chaveamento (at 100 KHz). O que os TBJ no
suportam.

Conforme estudado anteriormente, pode ser de canal-N (figura 3.7) ou canal-P, sendo que os de
primeiro tipo suportam correntes e tenses mais altas. E, os terminais so Dreno (D), porta (G) e fonte (S).

Fig.:3.7 Simbologia do MOSFET de canal-N

Uma das aplicaes dos MOSFETs em fontes de alimentao chaveada, onde as temos freqncias
altas de chaveamento. E, se utilizamos altas freqncias teremos dispositivos com componentes menores e
mais econmicos.

So dois os tipos de MOSFET, os de canal p e canal N, mas este ltimo mais aplicado, uma vez que
suportam conduzir mais corrente e tenso. No caso, se temos tenso VGS, temos o estado Ligado. A falta de
VGS trs o MOSFET sua condio de Desligado.

As mais importantes caractersticas do MOSFET so o fato da resistncia (impedncia) de entrada ser

extremamente alta e a corrente de gate (IG) ser igual a zero. Propriedades que possibilitam circuitos de
controle mais simples e eficientes. Aliado ao fato de ser de rpida freqncia de chaveamento tem reduzida
perda nos perodos de transio (transiente). A perda maior ocorre no estado de ON (ligado).

A curva caracterstica do MOSFET trs uma curva ID x VDS (figura 3.8) para valores especficos de
VGS, que ir facilitar (potencial positivo) ou dificultar (potencial negativo) a passagem da corrente ID. Se este
valor de VGS exceder uma determinada tenso de threshold (VTH).temos a conduo da corrente ID atravs
do canal, caso contrrio, no; incrementando proporcionalmente a VGS. Se este valor exceder um certo ponto
de saturao temos ID = IDSS. A partir deste ponto no temos incremento significativo de corrente ID.

Quando aplicamos o MOSFET em chaveamento em circuitos de potencia, esperamos que este

trabalha em duas regies da curva: No-Saturada (ligado; VTH < VGS) e Corte (desligado; VGS < VTH). A
terceira regio a Ativa, funcionando como amplificador. No transiente temos a passagem de um estado
para o outro pela regio ativa, onde ocorrem as perdas por transiente. Se esta mudana ocorre de forma
rpida, temos reduo das perdas, o que ocorre com o MOSFET devido sua rpida freqncia de
chaveamento.

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 Fig.:3.8 Curva caracterstica do MOSFET ID x VDS

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