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Los diodos suelen tener una estructura Por tanto, causada la recombinacin
PN
en la que un material de tipo P se de los huecos y electrones aparecer
encuentra en ntimo contacto con uno una zona exenta de portadores de
de tipo N, denominndoselos como N carga mviles (Imagen 2). La corriente
unin PN. elctrica no puede circular en condicio-
nes normales a travs de esta zona,
Unin PN que se denomina capa barrera y cuyo
La Imagen 1 nos muestra dos trozos espesor vale algunas milsimas de
unidos de materiales semiconducto- milmetro.
res, uno de tipo N y el otro de tipo P. contina en pgina 20 u
Figura 1. Unin PN antes de la difusin.
u viene de pgina 18
Cuando el polo positivo de la fuente est aplicado a la zona P, y el polo negativo a la zona N del diodo semiconductor,
se encontrar ste conectado en sentido de paso o directo.
Cuando el polo negativo de la fuente est aplicado a la zona P y el polo positivo a la N, el diodo se encontrar conec-
tado en sentido de bloqueo o inverso.
u viene de pgina 20
Figura 4.
~ Cuando se aumenta la tensin directa La zona de bloqueo de la caracters-
UF aumentar rpidamente la intensi- tica nos indica el comportamiento
La Figura 4 nos aclara el origen de este
dad de la corriente directa IF. No obstan- del diodo funcionando en sentido
efecto de vlvula de la unin PN; su
te, la corriente no debe sobrepasar una inverso.
esquema a) nos muestra que al aplicar
determinada intensidad pues en caso continuar...
una tensin en sentido de bloqueo se
ensancha la capa barrera en compara-
I F en A
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cin con la Figura 2, pues una parte de
los portadores de carga mviles ha des-
aparecido atrados por los polos de la
fuente de signo opuesto. Por tanto, prc- UF : Tensin en sentido de paso
ticamente no puede circular corriente a (tensin directa)
travs del diodo semiconductor.
I F : Intensidad en sentido de paso 300
Por el contrario, si aplicamos una ten- (intensidad derecta)
sin en sentido de paso, la capa barrera
absorbe los electrones y huecos y va UR : Tensin en sentido de bloqueo
desapareciendo (Figura 4 B), con lo que (tensin inversa)
podr circular una corriente a travs del 200
diodo. I R : Intensidad en sentido de
bloqueo (intensidad inversa)
An nos queda por explicar por qu la
circulacin de la corriente a travs de la 100
unin PN polarizada en sentido de paso
empieza a partir de aproximadamente 4
Zona 4
de
0,6 V, tal como vimos en el experimento.
4 Zona de bloqueo
UR en V paso
Observemos al respecto la Figura 4 B.
4
4
Podemos ver que la tensin de difusin 1000 500 1 U en V
y la tensin aplicada en sentido de paso F
estn orientadas en sentidos opuestos. Tensin
Por consiguiente, la tensin exterior disruptiva
deber ser mayor que la de difusin, 0,1
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