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Eg
Eg Banda de
valencia
Banda de
valencia
Banda de Eg = 0
valencia
Eg = 0.5 2 eV
Eg = 5 10 eV Donde: Eg = Energa
- Hay un enlace roto por cada 1,7 109 tomos.
- Un electrn libre y una carga + por cada enlace roto.
Dopaje o dopado:
- Dopar es aadir deliberadamente tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar
su conductividad elctrica.
- Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco.
- Hay 2 tipos:
* Tipo n: Aaden impurezas donadoras (electrones). Ejm: Fsforo (P) (5 e- de valencia).
La unin pn:
- Por s mismo, un semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de carbn,
pero ocurre algo distinto cuando se dopa un cristal mitad n y mitad p.
- La unin pn en polarizacin directa e inversa:
* En polarizacin directa: Hay un flujo libre de electrones.
Donde: NPN y PNP son las uniones de tres semiconductores (n-p-n y p-n-p, respectivamente).