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Si Z=14 (1s)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)2
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
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- - - - -
Si
- Si - Si - Si
- - - -
Alfredo Rubino
Semiconduttore
- Portatori di carica: modello di Feynman
- - -
- - - - -
- - -
Si Si Si Si
- - - -
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- - - - -
- - -
Si Si Si Si
- - - -
T=0K
Se nessun legame rotto: non ci sono
portatori carica liberi e non pu esserci
flusso di corrente se si applica un
campo elettrico.
Alfredo Rubino
Semiconduttore
Per temperature non molto elevate, vi una probabilit diversa da zero che
un elettrone rompa un legame, acquisendo energia grazie alla temperatura
e divenendo in tal modo libero per la conduzione e lasciando un legame non
saturo e un atomo carico positivamente.
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - - -
- - -
- + -
- - - - -
Si Si - Si - Si
- - - -
Se tale legame viene occupato da un elettrone di un atomo di silicio
adiacente, leffetto netto lo spostamento di una carica positiva in verso
opposto.
Alfredo Rubino
Semiconduttore: Diagramma a bande
Banda di conduzione T=0K
vuota Equivalentemente nel modello a
EC bande del semiconduttore, se a
T0=K la banda di valenza
EV completamente piena e la banda
Banda di valenza di conduzione completamente
piena vuota, non ci sono portatori liberi
per la conduzione.
Qualitativamente, lelettrone in banda di valenza non pu acquistare energia dal
campo elettrico perch non ci sono stati disponibili liberi, se non in banda di
conduzione ma ad energie molto pi elevate.
In realt gli elettroni sono quasi liberi, perch questo movimento di carica non
da origine ad un flusso netto di corrente se il semiconduttore sottoposto ad un
campo elettrico? Il motivo risiede nella simmetria delle banda per cui per ogni
elettrone con momento k, c ne un altro con momento k per cui il flusso netto
zero.
Alfredo Rubino
Diagramma a bande -Semiconduttore
E
Banda di conduzione
Elettrone
(Parzialmente piena) Ec
EC
Ev
EV Lacuna
Banda di valenza
T = 300K
(Parzialmente vuota
Per temperature non molto elevate, vi una probabilit diversa da zero che un
elettrone in banda di valenza abbia energia maggiore della banda proibita e
quindi possa trovarsi in banda di conduzione.
La presenza di elettroni in banda di conduzione implica che in banda di valenza,
piena a T=0K, ci siano stati elettronici permessi vuoti: lacuna
Alfredo Rubino
Diagramma a bande -Semiconduttore
T 2
EG (T ) = EG (0)
T +
Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Metallo
Banda parzialmente
piena
E=0
Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Isolante
Banda di conduzione
(vuota)
EC
Egap Diamante circa 5eV
Banda di Valenza EV
(piena)
Alfredo Rubino
Semiconduttori allequilibrio I
Alfredo Rubino
Semiconduttori allequilibrio II
Alfredo Rubino
Semiconduttori allequilibrio III
E max
A(T ) = A( E ) f ( E ) g ( E )dE
E min
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) I
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) II
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) III
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) IV
gc(E)= densit degli stati nei quali si
possono avere elettroni in banda di
E gc(E) conduzione
Ec
Banda proibita Eg=1.12eV (Si)
Ev
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) V
Esercizio : Calcolo della densit degli stati
Si utilizzi lequazione di Schrodinger per calcolare gli stati permessi (gli
autovalori) degli elettroni in un cubo di cristallo di lato L, al cui interno
lenergia potenziale supposta ovunque nulla, e sia limitato inoltre ad
x(y,z)=0 ed x(y,z)=L da barriere di potenziale di valore che impediscono
la fuoriuscita di elettroni. (elettrone fortemente legato)
U ( x) = x < 0 x > L
U ( x) = 0 0 < x < L
0 L x
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) VI
U ( x) = x < 0 x > L
U ( x) = 0 0 < x < L
0 L x
eq.ne di Schrodinger indipendente dal tempo
2 2
( r ) + ( E U (r )) ( r ) = 0
2m
che riscriviamo in una dimensione come
d 2 ( x ) 2mE
2
= 2
( x)
dx
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) VII
U ( x) = x < 0 x > L
U ( x) = 0 0 < x < L
0 L x La soluzione generale dellequazione :
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) VIII
U( x ) = x < 0 x > L
U( x ) = 0 0 < x < L
0 L x
( x = 0) = 0 B = 0
( x = L) = 0 = A sin( kL)
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) IX
U( x ) = x < 0 x > L
U( x ) = 0 0 < x < L
0 L x
( x = L) = 0 = A sin( kL)
A=0 soluzione banale ( x) = 0 ovunque
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) X
n 2 2 2
En =
2mL2
Lenergia quantizzata
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XI
In tre dimensioni: ( x , y , z ) = x ( x ) y ( y ) z ( z )
2 2
+ E ( x, y, z ) = 0
2m
2
2m
( )
x ( x ) y ( y ) z ( z ) + x ( x ) y ( y ) ( z ) + x ( x ) y ( y ) z ( z ) + E ( x , y , z ) = 0
Dividendo a dx e sn per : ( x , y , z ) = x ( x ) y ( y ) z ( z )
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XII
2 x ( x ) y ( y ) z ( z )
+ + + E = 0
2m x ( x ) y ( y ) z ( z )
2 i( i ) = +E
2m
i ( i ) i con i=x,y,z
Ex + E y + Ez = E
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XIII
n xx n yy nzz
( x , y , z ) = A sin sin sin
L L L
con nx , ny , nz che soddisfano singolarmente
E=
2 2
2mL 2
(
n 2x + n 2y + n 2x ) = 8mL2 n2
h2
n 2x + n 2y + n 2x = n 2
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XIV
( ) = 8mL2 n
2 2
2 2 2 h 2
2
E= nx + ny + nx
2
2mL
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XV
En
n= n 2x + n 2y + n 2x =
E1
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XV
Poich interessano solo i valori ny
positivi gli stati possibili sono
allinterno del primo ottante (in
due dimensioni nel quarto di
circonferenza).
Se lenergia abbastanza
grande, lerrore nel considerare
questo reticolo come continuo nx
pu essere considerato
trascurabile.
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XVII
G(E)
3 3
1 4 3 E 2
8 mL 2
2
NT (E) = 2 n = = 2 E
8 3 3 E1 3 h
Numero di stati con energia minore di E
3
8m 2
G(E) == 2 E
3 h
Numero di stati per unit di volume con energia minore di E (L=1 cm)
Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XVIII
G(E)
3
8m 2
G(E) == 2 E
3 h
dG ( E ) 4
g( E ) = = (2m )3 2 E 1 2
dE h3
g ( E ) = 6.8 10 21
(EeV V0,eV ) 2
1
eV -1cm 3
Alfredo Rubino
Funzione densit di probabilit di
occupazione distribuzioni quantistiche
Alfredo Rubino
Distribuzione di Maxwell delle velocit e
distribuzione classica dellenergie
Maxwell calcol la probabilit di distribuzione delle componenti della velocit
di una molecola in funzione della temperatura assoluta T, utilizzando la
Fisica Classica.
Alfredo Rubino
Distribuzione di Maxwell delle velocit e
distribuzione classica dellenergie
La probabilit di trovare una molecola con energia tra E ed E+dE
12 mv 2 2
f ( E )dE = 4Ce v dv = 4Ce E 2 E d 2 E
m m
= 4Ce E 2 E 2 1 dE = 4C3 / 22 e E E dE = Ag ( E )e E
m m 2 E m
e E E + e E 1 = e E
df ( E )
0= E ( + 1 )
dE 2 E 2E
Alfredo Rubino
Energia media delle particelle classiche
E
Eg(E)e dE E 3 / 2e E dE 3 3
E = 0
= 0
= = kB T
g(E)e E dE E 1/ 2e E dE 2 2
0 0
kT/2 per ogni grado di libert: Equipartizione dellenergia secondo Boltzmann
2
m E = 2
m
m
2 v 2
= v 2
= 2 3
m 2 k B T = m3 k B T,
v 2
= 3kB T
m
Alfredo Rubino
Distribuzioni di Fermi-Dirac e Bose-Einstein
F(E) E 1 1
e
c B e E 1 cF e E + 1
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
f(E) la probabilit che uno stato con energia E sia occupato
da un elettrone allequilibrio termodinamico.
f(E) 1
1 F(E) =
T=0K E EF
1 + exp
kT
0,5
EF = Energia di Fermi
(livello di Fermi)
T=300K T=500K k= costante di Boltzmann
0 T= temperatura assoluta
0 EF E
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT
E EF 1
per E < E F F ( E < EF ) 1
kT 1+ e
T 0K
E EF 1
+ per E > E F F ( E > EF ) 0
kT
1+ e
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
T 0K F(E) =
1
E EF
1 + exp
kT
1
Per E = E F F(E) =
2
F ( E ) e ( E E F ) kT
Funzione di distribuzione di Boltzmann
Gli stati con energia 3kT al di sopra del livello di Fermi sono vuoti
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT
F ( E ) 1 e ( E E F ) kT 1 F ( E ) e ( E E F ) kT
La probabilit che uno stato sia vuoto per E<EF-3kT decresce esponenzialmente
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
3kT Ec
3kT
Ev
( E E F ) kT
F (E) e ( E E F ) kT 1 F(E) e
E>EF+3kT E<EF-3kT
Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Metallo
Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Isolante
Banda di conduzione
(vuota)
EC
Egap
EF
Banda di Valenza EV
(piena)
Alfredo Rubino
Diagramma a bande -Semiconduttore
Banda di conduzione
(Parzialmente piena)
EC
EF
EV
Banda di valenza
(Parzialmente vuota)
Per temperature non molto elevate, vi una probabilit diversa da zero che un
elettrone in banda di valenza abbia energia maggiore della banda proibita e
quindi possa trovarsi in banda di conduzione.
La presenza di elettroni in banda di conduzione implica che in banda di valenza,
piena a T=0K, ci siano stati elettronici permessi vuoti: lacuna
Alfredo Rubino
Semiconduttore: Drogaggio
Drogare nella terminologia dei semiconduttori significa aggiungere una quantit
controllata di atomi di unimpurezza specifica per aumentare la concentrazione
di elettroni o di lacune. Le impurezze, a causa della rigidit del reticolo
cristallino , possono andare in posizione sostituzionale
1 2
H He
1,008 4,003
3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183
11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948
19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80
37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30
55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)
Alfredo Rubino
Drogaggio: Donatori e Accettatori
Droganti donatori: aumentano la concentrazione di elettroni, atomi V colonna 5
elettroni di valenza
1 2
H He
1,008 4,003
3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183
11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948
19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80
37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30
55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)
Silicio B Al Ga In Pt Au Pd O
Ed(eV) 0.045 0.067 0.072 0.16 0.87 0.58 0.34 0.74
0.36 0.41
Livelli accettatori introdotti da alcuni elementi nel silicio. Elementi droganti tipici
Alfredo Rubino
Energie di ionizzazione
mq 4
EI = 13.6eV per lelettrone nellatomo di idrogeno
2(4 0 ) 2
mq 4 13.6
EI = eV
2(4 0 r )
per lelettrone dellatomo di impurezza nel
2
r2 silicio
Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo n
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
- 1
- - 5 - 0K -
2
-
- - - - -
Si As
- Si - Si
- 4
3
- - -
A 0K, il 5 elettrone del guscio esterno dellatomo di arsenico
(valenza 5) non trova un legame disponibile ed debolmente
legato allatomo donatore.
Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo n
- - - -
- - - - -
Si Si
- Si Si
- -
5 - -
300K
- -
- 1 - -
- - -2 - - -
Si
- Si
- Si
- As+ - 4 -
3
-
A 300K, tutti gli elettroni non leganti degli atomi di Arsenico
divengono portatori liberi nel reticolo. Notiamo che non vi un
aumento delle lacune. La neutralit di carica del materiali viene
conservata perch vi anche un atomo ionizzato carico
positivamente.
Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo p
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
- - 1 - 0K -
2
-
- - - - -
Si B Si - Si
- 4
3
- - -
A 0K, il vi un legame non completo, poich gli atomi della
terza colonna hanno solo tre elettroni di valenza
Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo p
- - - -
- - - - -
Si Si + Si Si
- - - -
- - 1 - - 300K
- - -2 - - -
Si B- - Si
- Si
- - 4 -
3
-
Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo n
0K 300K
Energia
- -
- +
EAs=0,054eV Eg=1.12eV
-
EB=0,054eV Eg=1.12eV
+ -
+
dG ( E ) 4
g( E ) = = (2m )3 2 E 1 2
dE h3
Per il silicio che presenta una banda di valenza e una banda di conduzione
4
gC (E) =
3
(2mc )32
E E C per E > E C
h
4
gV ( E ) =
3
(2mv )3 2 EV E per E < E V
h
Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p II
E C ,max
n= gC ( E )F ( E )dE =
EC
E C ,max
4 32 E EC
= ( 2me ) dE
h3 EC 1 + exp( E E F kT )
non si risolve analiticamente
[n] = cm 3
Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p III
EV ,max
p= gV ( E )[1 F ( E )]dE =
EV ,min
4 32
EV EV E
= ( 2m h ) dE
( E E F kT )
h3 EV ,min 1 + exp
non si risolve analiticamente
[ p] = cm 3
Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p IV
E C ,max
4 32 E EC
n= ( 2me ) dE
3 ( E E F kT )
h E C 1 + exp
se il livello di Fermi almeno 3kT al di sotto di EC e EC, max >>E C
2me kT
N C = 2 = 2.8 1019 cm 3 (valore misurato)
2
h
Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p V
4 32
EV EV E
p= ( 2m h ) dE
3 ( E E F kT )
h EV ,min 1 + exp
2m h kT
NV = 2 = 6 1018 cm 3 (valore misurato)
2
h
Alfredo Rubino
Diagramma a Densit Funzione di Distribuzione
Grafici bande di energia degli stati occupazione dei portatori
E c ,sup
n= gC ( E ) f ( E )dE elettroni
Ec
Ec
Ev lacune
p = gV ( E )[1 f ( E )].dE
E v ,inf
Alfredo Rubino
Il livello di Fermi Intrinseco
Le concentrazioni di elettroni e lacune sono uguali in un semiconduttore
intrinseco
( EC E F )
ni = n = p N C e kT ( )
= NV e E F EV kT
NV 1 mh
E Fi = ( EC + EV ) + kT ln = ( EC + EV ) + kT ln
1 1 3
2 2 NC 2 4 me
mh 3 mh
= 0.69 kT ln = 7.3meV per T=300K
me 4 me
E Fi = ( EC + EV )
1
2
Poich EG=1.12ev a T=300K
Alfredo Rubino
Espressioni alternative della densit di portatori di
carica I
(
E C E Fi ) kT ni = NV e
(
E Fi EV ) kT
ni = N C e
Ricaviamo NC e NV
Sostituiamo in
( EC E F ) ( E F EV ) kT
kT
n = NC e p = NV e
Alfredo Rubino
Espressioni alternative della densit di portatori di
carica II
( E F E F i ) kT
p=ne
( E F i E F ) kT
n=n e i i
Alfredo Rubino
ni
(
EC E Fi ) kT (
E Fi EV ) kT
ni = N C e ni = NV e
(
EC E Fi ) kT (
E Fi EV ) kT ( EC EV ) kT
ni2 = NV N C e e = NV N C e
EG
ni = NV N C e 2 kT
2 3 EG kT B = 1.08 10 31 K 3cm 6
ni = BT e
Alfredo Rubino
ni
3 EG kT
EG
ni = NV N C e 2 kT 2
ni = BT e
3
2k
B = 4 (
m n m p 3 2 )
h2
per il silicio
B = 1.08 10 31 K 3cm 6
ni ( Si ) = 1.45 1010 cm 3
Concentrazione intrinseca nel Si e ni (GaAs ) = 1.79 106 cm 3
ni (Ge ) = 2.3 1013 cm 3
nel GaAs in funzione dellinverso
della temperatura
Alfredo Rubino
ni
( )
ni = BT 3 1 2 EG 2 kT
e
Alfredo Rubino
Livelli di drogaggio
ND=1015/cm3
regione di congelamento
regione a concentrazione costante
regione intrinseca
Alfredo Rubino
Espressione del livello di Fermi in funzione del
drogaggio I
E evidente che se EF determina la probabilit che un elettrone sia in
banda di conduzione la sua posizione vari in funzione del drogaggio,
come visto gi qualitativamente.
( E F E F i ) kT
p=ne
( E F i E F ) kT
n=n e i i
Allequilibrio termodinamico, per temperature sufficientemente elevate
(temperatura ambiente), ovvero con tutti gli atomi donatori completamente ionizzati,
risolvendo le due equazioni per EF-EFi
n
E F E F i = kT ln
ni
p
E F i E F = kT ln
ni
Alfredo Rubino
Espressione del livello di Fermi in funzione del
drogaggio II
n p
E F E F i = kT ln E F i E F = kT ln
ni ni
Ad esempio, in un semiconduttore di tipo n drogato con ND atomi donatori:
n ND ND
E F E F i = kT ln
ni
in un semiconduttore di tipo p drogato con NA atomi accettatori:
p NA NA
E F i E F = kT ln
ni
Il livello di Fermi si muove sistematicamente verso la banda di conduzione a
partire dal livello di Fermi intrinseco allaumentare della concentrazione di droganti
donatori e verso la banda di valenza, sempre a partire da EFi allaumentare della
concentrazione di atomi accettatori.
Per quale concentrazioni di atomi droganti valida questa espressione?
Alfredo Rubino
Livello di Fermi in funzione della temperatura e del
drogaggio
Energia (eV)
Alfredo Rubino
Legge di azione di massa
consideriamo
( E F E F i ) kT p=ne
( E F i E F ) kT
n=n e i i
moltiplichiamo tra di loro
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Resistivit in funzione della concentrazione di
impurezze
Alfredo Rubino
Relazioni di neutralit di carica
+ np = ni2
p n+ ND NA =0
1
N D N A N D N A 2 2
n= + + ni
2
2 2
1
ni2 N A N D N A N D 2
2
p= = + + ni
2
n 2 2
Alfredo Rubino
Relazioni di neutralit di carica
Alfredo Rubino
Relazioni di neutralit di carica
poich
ni = N C NV exp EG 2kT
Alfredo Rubino
Bande reali
gap indiretta
gap diretta
Energia
k
Alfredo Rubino