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Semiconduttore

Si Z=14 (1s)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)2

Il silicio forma 4 legami di tipo covalente con 4 atomi primi vicini

- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
- - - -
- - - - -
Si
- Si - Si - Si
- - - -

Alfredo Rubino
Semiconduttore
- Portatori di carica: modello di Feynman
- - -
- - - - -
- - -
Si Si Si Si
- - - -
- - - -
- - - - -
- - -
Si Si Si Si
- - - -
T=0K
Se nessun legame rotto: non ci sono
portatori carica liberi e non pu esserci
flusso di corrente se si applica un
campo elettrico.

Alfredo Rubino
Semiconduttore
Per temperature non molto elevate, vi una probabilit diversa da zero che
un elettrone rompa un legame, acquisendo energia grazie alla temperatura
e divenendo in tal modo libero per la conduzione e lasciando un legame non
saturo e un atomo carico positivamente.
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - - -
- - -
- + -
- - - - -
Si Si - Si - Si
- - - -
Se tale legame viene occupato da un elettrone di un atomo di silicio
adiacente, leffetto netto lo spostamento di una carica positiva in verso
opposto.
Alfredo Rubino
Semiconduttore: Diagramma a bande
Banda di conduzione T=0K
vuota Equivalentemente nel modello a
EC bande del semiconduttore, se a
T0=K la banda di valenza
EV completamente piena e la banda
Banda di valenza di conduzione completamente
piena vuota, non ci sono portatori liberi
per la conduzione.
Qualitativamente, lelettrone in banda di valenza non pu acquistare energia dal
campo elettrico perch non ci sono stati disponibili liberi, se non in banda di
conduzione ma ad energie molto pi elevate.
In realt gli elettroni sono quasi liberi, perch questo movimento di carica non
da origine ad un flusso netto di corrente se il semiconduttore sottoposto ad un
campo elettrico? Il motivo risiede nella simmetria delle banda per cui per ogni
elettrone con momento k, c ne un altro con momento k per cui il flusso netto
zero.

Alfredo Rubino
Diagramma a bande -Semiconduttore
E
Banda di conduzione
Elettrone
(Parzialmente piena) Ec
EC
Ev
EV Lacuna

Banda di valenza
T = 300K
(Parzialmente vuota

Per temperature non molto elevate, vi una probabilit diversa da zero che un
elettrone in banda di valenza abbia energia maggiore della banda proibita e
quindi possa trovarsi in banda di conduzione.
La presenza di elettroni in banda di conduzione implica che in banda di valenza,
piena a T=0K, ci siano stati elettronici permessi vuoti: lacuna

Alfredo Rubino
Diagramma a bande -Semiconduttore

Materiale EG(0) (10-4)


(eV) (eV/K) (K)
Ge 0.7437 4.774 235
Si 1.170 4.73 636
GaAS 1.519 5.405 204

T 2
EG (T ) = EG (0)
T +

Variazione di Eg con la temperatura


per Ge, Si, GaAs

Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Metallo

Banda parzialmente
piena
E=0

Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Isolante

Banda di conduzione
(vuota)
EC
Egap Diamante circa 5eV

Banda di Valenza EV
(piena)

Alfredo Rubino
Semiconduttori allequilibrio I

Postulato fondamentale: il numero di particelle per unit di


volume (dn) la cui energia compresa nellintervallo [E,E+dE]
dato da :
dn= f(E) dG

dove :f(E) la probabilit di occupazione degli stati la cui


energia nellintervallo [E,E+dE]

dG rappresenta il numero di stati per unit di volume con


energia nel medesimo intervallo [E,E+dE]

Alfredo Rubino
Semiconduttori allequilibrio II

Se si introduce la funzione densit degli stati g(E): numero


di stati per unit di volume ed intervallo di energia:
dG
g( E ) =
dE
allora
dn= f(E) g(E)dE

Alfredo Rubino
Semiconduttori allequilibrio III

per qualunque grandezza fisica A, funzione dellenergia, il


suo valore per un sistema di particelle caratterizzato da una
funzione di distribuzione f(E) e una densit degli stati g(E)
dato da

E max
A(T ) = A( E ) f ( E ) g ( E )dE
E min

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) I

La funzione densit degli stati in prossimit del


minimo della banda di conduzione
3
2m * 2
gc ( E ) = 4 dc (E E )1 2
2 C
h

m *dc la massa efficace per la DoS in banda di


conduzione (1.08me per Si)
h la costante di Planck
EC il minimo della banda di conduzione.

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) II

La funzione densit degli stati in prossimit del


massimo della banda di valenza
3
2m * 2
gv ( E ) = 4 dv (E E )1 2
2 V
h

m *dv la massa efficace per la DoS in banda di


valenza (0.55me per Si)
h la costante di Planck
EV il massimo della banda di conduzione.

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) III

Densit degli stati per il silicio. EV=0

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) IV
gc(E)= densit degli stati nei quali si
possono avere elettroni in banda di
E gc(E) conduzione

Ec
Banda proibita Eg=1.12eV (Si)
Ev

E1 dE gv(E)= densit degli stati nei quali si


possono aver elettroni in banda di valenza
gv(E)

Significato: gv(E1)dE = numero di stati con energia intorno ad E1


nei quali si possono avere elettroni in banda di valenza per unit di
volume.

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) V
Esercizio : Calcolo della densit degli stati
Si utilizzi lequazione di Schrodinger per calcolare gli stati permessi (gli
autovalori) degli elettroni in un cubo di cristallo di lato L, al cui interno
lenergia potenziale supposta ovunque nulla, e sia limitato inoltre ad
x(y,z)=0 ed x(y,z)=L da barriere di potenziale di valore che impediscono
la fuoriuscita di elettroni. (elettrone fortemente legato)

U ( x) = x < 0 x > L

U ( x) = 0 0 < x < L
0 L x

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) VI

U ( x) = x < 0 x > L
U ( x) = 0 0 < x < L
0 L x
eq.ne di Schrodinger indipendente dal tempo

2 2
( r ) + ( E U (r )) ( r ) = 0
2m
che riscriviamo in una dimensione come

d 2 ( x ) 2mE
2
= 2
( x)
dx

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) VII

U ( x) = x < 0 x > L

U ( x) = 0 0 < x < L
0 L x La soluzione generale dellequazione :

( x ) = A sin( kx ) + B cos( kx ) 0< x<L


2mE
con k=
2
Le costanti A e B si determinano dalle condizioni al contorno

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) VIII

U( x ) = x < 0 x > L

U( x ) = 0 0 < x < L
0 L x

Le costanti A e B si determinano dalle condizioni al contorno

( x = 0) = 0 B = 0
( x = L) = 0 = A sin( kL)

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) IX

U( x ) = x < 0 x > L

U( x ) = 0 0 < x < L
0 L x

Le costanti A e B si determinano dalle condizioni al contorno

( x = L) = 0 = A sin( kL)
A=0 soluzione banale ( x) = 0 ovunque

sin( kL ) = 0 Ld = n con n intero (n1)

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) X

n 2 2 2
En =
2mL2

Lenergia quantizzata

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XI

In tre dimensioni: ( x , y , z ) = x ( x ) y ( y ) z ( z )

2 2
+ E ( x, y, z ) = 0
2m

2
2m
( )
x ( x ) y ( y ) z ( z ) + x ( x ) y ( y ) ( z ) + x ( x ) y ( y ) z ( z ) + E ( x , y , z ) = 0

Dividendo a dx e sn per : ( x , y , z ) = x ( x ) y ( y ) z ( z )

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XII

2 x ( x ) y ( y ) z ( z )
+ + + E = 0
2m x ( x ) y ( y ) z ( z )

i( i ) con i=x,y,z funzione solo di i


i (i )

2 i( i ) = +E

2m
i ( i ) i con i=x,y,z

Ex + E y + Ez = E

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XIII

n xx n yy nzz
( x , y , z ) = A sin sin sin


L L L
con nx , ny , nz che soddisfano singolarmente

L 2mE x L 2mE y L 2mE z


nx = ny = nz =
2 2 2

E=
2 2
2mL 2
(
n 2x + n 2y + n 2x ) = 8mL2 n2
h2

n 2x + n 2y + n 2x = n 2

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XIV

( ) = 8mL2 n
2 2
2 2 2 h 2
2
E= nx + ny + nx
2
2mL

Al crescere di nX,nY,nZ si possono avere stati energetici con n


diversi ma di uguale energia. Tali stati si dicono degeneri e
bench la degenerazione aumenti con n, in base al principio di
esclusione di Pauli non pi di 2 elettroni possono occupare uno
stesso stato energetico seguendo in ogni caso la regola che i
livelli di energia pi bassi sono riempiti per primi.

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XV
En
n= n 2x + n 2y + n 2x =
E1

Ad ogni valore dellenergia corrisponde un valore di n


In un sistema di assi cartesiani (nx, ny e nz ) ogni terna di numeri
interi rappresenta uno stato ed un valore possibile dellenergia.

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XV
Poich interessano solo i valori ny
positivi gli stati possibili sono
allinterno del primo ottante (in
due dimensioni nel quarto di
circonferenza).
Se lenergia abbastanza
grande, lerrore nel considerare
questo reticolo come continuo nx
pu essere considerato
trascurabile.

La densit di punti unitaria: uno stato per unit di volume (un


cubetto di spigolo unitario comprende un solo punto del reticolo)

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XVII
G(E)
3 3
1 4 3 E 2
8 mL 2
2
NT (E) = 2 n = = 2 E
8 3 3 E1 3 h
Numero di stati con energia minore di E

Il fattore 2 tiene conto della degenerazione di spin

3
8m 2
G(E) == 2 E
3 h
Numero di stati per unit di volume con energia minore di E (L=1 cm)

Alfredo Rubino
Funzione densit degli Stati (DoS) XVIII
G(E)
3
8m 2
G(E) == 2 E
3 h

dG ( E ) 4
g( E ) = = (2m )3 2 E 1 2
dE h3

se m=mfree e lelettrone ha un energia potenziale V0

g ( E ) = 6.8 10 21
(EeV V0,eV ) 2
1
eV -1cm 3
Alfredo Rubino
Funzione densit di probabilit di
occupazione distribuzioni quantistiche

Particelle dotate di spin intero s=0,1, sono chiamate


bosoni
Particelle dotate di spin semi intero s=1/2, (come elettroni,
protoni, neutroni) sono chiamate fermioni

Differenze principali fra particelle classiche e quantistiche:


Particelle classiche identiche sono distinguibili, le particelle
quantistiche sono indistinguibili.
I fermioni obbediscono al Principio di esclusione di
Pauli : per ogni valore di energia non possono esistere
pi di due fermioni dotati di spin opposto

Alfredo Rubino
Distribuzione di Maxwell delle velocit e
distribuzione classica dellenergie
Maxwell calcol la probabilit di distribuzione delle componenti della velocit
di una molecola in funzione della temperatura assoluta T, utilizzando la
Fisica Classica.

Probabilit di avere una particella con velocit compresa tra v e v+dv


12 mv 2 2
f (v )dv = 4Ce v dv
= 1
k BT
C una costante di normalizzazione

23 5 1eV= energia acquistata da una


k B = 1.38 10 J eV
K = 8.617 10 K particella avente carica elementare nel
passaggio tra due punti fra cui esiste
una differenza di potenziale
q0 = 1.6 10 19 C ; 1eV = 1.6 10 19 J elettrostatico di 1V

Alfredo Rubino
Distribuzione di Maxwell delle velocit e
distribuzione classica dellenergie
La probabilit di trovare una molecola con energia tra E ed E+dE
12 mv 2 2
f ( E )dE = 4Ce v dv = 4Ce E 2 E d 2 E
m m

= 4Ce E 2 E 2 1 dE = 4C3 / 22 e E E dE = Ag ( E )e E
m m 2 E m

dove g(E)=densit degli stati della distribuzione di Boltzmann

Esercizio trovare lenergia pi probabile di una molecola

e E E + e E 1 = e E
df ( E )
0= E ( + 1 )
dE 2 E 2E

Alfredo Rubino
Energia media delle particelle classiche

Il valore medio dellenergia


E
Eg(E)e dE E 3 / 2e E dE 3 3
E = 0
= 0
= = kB T


g(E)e E dE E 1/ 2e E dE 2 2
0 0
kT/2 per ogni grado di libert: Equipartizione dellenergia secondo Boltzmann

Velocit quadratica media

2
m E = 2
m
m
2 v 2
= v 2
= 2 3
m 2 k B T = m3 k B T,

v 2
= 3kB T
m

Alfredo Rubino
Distribuzioni di Fermi-Dirac e Bose-Einstein

Le particelle che soddisfano le statistiche quantistiche hanno


distribuzioni differenti da quella di Boltzmann.

Classica Bosoni Fermioni


(Boltzmann) (Bose -Einstein) (Fermi-Dirac)

F(E) E 1 1
e
c B e E 1 cF e E + 1

Quando E grande o T piccolo (cio E grande) le distribuzioni


quantistiche tendono a quella Classica (Boltzmann).

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
f(E) la probabilit che uno stato con energia E sia occupato
da un elettrone allequilibrio termodinamico.

f(E) 1
1 F(E) =
T=0K E EF
1 + exp
kT
0,5
EF = Energia di Fermi
(livello di Fermi)
T=300K T=500K k= costante di Boltzmann
0 T= temperatura assoluta
0 EF E

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)

1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT

Paul Adrien Maurice Dirac


1902-1984 nobel 1933
Enrico Fermi
1901-1954 nobel 1938

E. Fermi, Zur Quantelung des Idealen Einatomigen Gases


(Sulla Quantizzazione di un gas perfetto monoatomico), Z. Phys. 36, 902
(1926).
P.A.M. Dirac, On the theory of quantum mechanics, Proc. Roy. Soc. A112,
661 (1926).
Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)

1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT

Paul Adrien Maurice Dirac


1902-1984 nobel 1933
Enrico Fermi
1901-1954 nobel 1938
Caro Signore! Nel suo interessante lavoro, On the theory of quantum mechanics,
ha proposto una teoria del gas ideale basata sul principio di esclusione di Pauli. Ora
una teoria sul gas ideale che praticamente identica alla sua stata pubblicata da
me all'inizio del 1926 (Zs. f. Phys. 36, p. 902, Lincei Rend. Febbraio 1926). Poich
immagino lei non ha visto il mio articolo mi permetto di attrarre la sua attenzione su di
esso. Sinceramente suo Enrico Fermi.

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT

Il livello di Fermi EF indica il livello energetico, non necessariamente occupato,


a cui compete una probabilit di occupazione pari a 1/2.
Una definizione alternativa quella che vuole EF coincidente con la massima
energia possibile degli elettroni nel cristallo alla temperatura di 0K. Va da s
che la probabilit utilizzata nel calcolo della densit di lacune debba coincidere
con il complemento ad uno di F(E), essendo associata alla probabilit
di assenza dellelettrone.

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT

Se F(E) rappresenta la probabilit di avere uno stato occupato ad unenergia E,


allora la probabilit di avere uno stato vuoto 1- F(E)

E EF 1
per E < E F F ( E < EF ) 1

kT 1+ e
T 0K
E EF 1
+ per E > E F F ( E > EF ) 0
kT
1+ e

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)

T 0K F(E) =
1
E EF
1 + exp
kT
1
Per E = E F F(E) =
2

Per E > E F + 3kT e (E - EF ) kT >> 1

F ( E ) e ( E E F ) kT
Funzione di distribuzione di Boltzmann

Gli stati con energia 3kT al di sopra del livello di Fermi sono vuoti

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)
1
F(E) =
E EF
1 + exp
kT

T 0K Per E < E F 3kT e (E - EF ) kT << 1


1
Sviluppo in serie 1 x per x << 1
1+ x

F ( E ) 1 e ( E E F ) kT 1 F ( E ) e ( E E F ) kT

La probabilit che uno stato sia vuoto per E<EF-3kT decresce esponenzialmente

Alfredo Rubino
Funzione di distribuzione di Fermi f(E)

3kT Ec

3kT
Ev

( E E F ) kT
F (E) e ( E E F ) kT 1 F(E) e
E>EF+3kT E<EF-3kT

Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Metallo

T=0 EF Banda parzialmente


piena
E=0

Alfredo Rubino
Diagramma a bande - Isolante

Banda di conduzione
(vuota)
EC
Egap
EF

Banda di Valenza EV
(piena)

Perch il livello di fermi disegnato circa al centro della banda proibita?

Alfredo Rubino
Diagramma a bande -Semiconduttore

Banda di conduzione
(Parzialmente piena)
EC
EF
EV
Banda di valenza
(Parzialmente vuota)
Per temperature non molto elevate, vi una probabilit diversa da zero che un
elettrone in banda di valenza abbia energia maggiore della banda proibita e
quindi possa trovarsi in banda di conduzione.
La presenza di elettroni in banda di conduzione implica che in banda di valenza,
piena a T=0K, ci siano stati elettronici permessi vuoti: lacuna

Alfredo Rubino
Semiconduttore: Drogaggio
Drogare nella terminologia dei semiconduttori significa aggiungere una quantit
controllata di atomi di unimpurezza specifica per aumentare la concentrazione
di elettroni o di lacune. Le impurezze, a causa della rigidit del reticolo
cristallino , possono andare in posizione sostituzionale
1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

Alfredo Rubino
Drogaggio: Donatori e Accettatori
Droganti donatori: aumentano la concentrazione di elettroni, atomi V colonna 5
elettroni di valenza
1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

Droganti accettatori: aumentano la concentrazione di lacune, atomi III colonna,


3 elettroni di valenza
Alfredo Rubino
Drogaggio: Donatori e Accettatori
Silicio Sb P As Ti Pt Au C O
Ed(eV) 0.039 0.045 0.054 0.21 0.82 0.83 0.25 0.16
0.77 0.51
Livelli donatori introdotti da alcuni elementi nel silicio. Elementi droganti tipici

Silicio B Al Ga In Pt Au Pd O
Ed(eV) 0.045 0.067 0.072 0.16 0.87 0.58 0.34 0.74
0.36 0.41

Livelli accettatori introdotti da alcuni elementi nel silicio. Elementi droganti tipici

Alfredo Rubino
Energie di ionizzazione

mq 4
EI = 13.6eV per lelettrone nellatomo di idrogeno
2(4 0 ) 2

mq 4 13.6
EI = eV
2(4 0 r )
per lelettrone dellatomo di impurezza nel
2
r2 silicio

r = 11.8 per il silicio

Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo n
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
- 1
- - 5 - 0K -
2
-
- - - - -
Si As
- Si - Si
- 4
3
- - -
A 0K, il 5 elettrone del guscio esterno dellatomo di arsenico
(valenza 5) non trova un legame disponibile ed debolmente
legato allatomo donatore.

Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo n
- - - -
- - - - -
Si Si
- Si Si
- -
5 - -
300K
- -
- 1 - -
- - -2 - - -
Si
- Si
- Si
- As+ - 4 -
3
-
A 300K, tutti gli elettroni non leganti degli atomi di Arsenico
divengono portatori liberi nel reticolo. Notiamo che non vi un
aumento delle lacune. La neutralit di carica del materiali viene
conservata perch vi anche un atomo ionizzato carico
positivamente.

Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo p
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - - -
- - 1 - 0K -
2
-
- - - - -
Si B Si - Si
- 4
3
- - -
A 0K, il vi un legame non completo, poich gli atomi della
terza colonna hanno solo tre elettroni di valenza

Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo p
- - - -
- - - - -
Si Si + Si Si
- - - -
- - 1 - - 300K
- - -2 - - -
Si B- - Si
- Si
- - 4 -
3
-

A 300K, latomo di boro accetta un elettrone da un atomo di


silicio vicino completando i legami, generando una lacuna. La
neutralit di carica rispettata perch latomo di boro
ionizzato negativamente.

Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo n
0K 300K
Energia

- -
- +
EAs=0,054eV Eg=1.12eV

Larsenico genera uno stato permesso allinterno


della banda proibita, molto vicino alla banda di
conduzione. La posizione energetica tale che a
temperatura ambiente tutti gli elettroni sul livello
dellarsenico sono in banda di conduzione.
Alfredo Rubino
Drogaggio semiconduttore estrinseco di tipo p
0K 300K
Energia

-
EB=0,054eV Eg=1.12eV
+ -
+

Il boro genera uno stato permesso allinterno della banda


proibita, molto vicino alla banda di valenza. La posizione
energetica tale che a temperatura ambiente il livello
associato ad ogni atomo di boro sia occupato da un
elettrone proveniente dalla banda di valenza. Tale
processo genera una lacuna in banda di valenza.
Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p I

dG ( E ) 4
g( E ) = = (2m )3 2 E 1 2
dE h3
Per il silicio che presenta una banda di valenza e una banda di conduzione

4
gC (E) =
3
(2mc )32
E E C per E > E C
h
4
gV ( E ) =
3
(2mv )3 2 EV E per E < E V
h

Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p II

E C ,max
n= gC ( E )F ( E )dE =
EC
E C ,max
4 32 E EC
= ( 2me ) dE
h3 EC 1 + exp( E E F kT )
non si risolve analiticamente

[n] = cm 3

Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p III

EV ,max
p= gV ( E )[1 F ( E )]dE =
EV ,min

4 32
EV EV E
= ( 2m h ) dE
( E E F kT )
h3 EV ,min 1 + exp
non si risolve analiticamente

[ p] = cm 3

Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p IV
E C ,max
4 32 E EC
n= ( 2me ) dE
3 ( E E F kT )
h E C 1 + exp
se il livello di Fermi almeno 3kT al di sotto di EC e EC, max >>E C

perch sono plausibili?


32
2me kT ( ) ( )
n = 2 e EC E F kT = N C e EC E F kT
2
h
Nc rappresenta la densit efficace degli stati nella banda di conduzione
32

2me kT
N C = 2 = 2.8 1019 cm 3 (valore misurato)
2
h

Alfredo Rubino
Distribuzione della densit dei portatori di
carica n e p V

4 32
EV EV E
p= ( 2m h ) dE
3 ( E E F kT )
h EV ,min 1 + exp

se il livello di Fermi almeno 3kT al di sopra di EV e EV, mmin <<E V


32
2m h kT ( E F EV ) kT ( E F EV )
p = 2 e = NV e kT
2
h
NV rappresenta la densit efficace degli stati nella banda di valenza
32

2m h kT
NV = 2 = 6 1018 cm 3 (valore misurato)
2
h

Alfredo Rubino
Diagramma a Densit Funzione di Distribuzione
Grafici bande di energia degli stati occupazione dei portatori

E c ,sup
n= gC ( E ) f ( E )dE elettroni
Ec
Ec

Ev lacune
p = gV ( E )[1 f ( E )].dE
E v ,inf

Alfredo Rubino
Il livello di Fermi Intrinseco
Le concentrazioni di elettroni e lacune sono uguali in un semiconduttore
intrinseco
( EC E F )
ni = n = p N C e kT ( )
= NV e E F EV kT

NV 1 mh
E Fi = ( EC + EV ) + kT ln = ( EC + EV ) + kT ln
1 1 3


2 2 NC 2 4 me

mh 3 mh
= 0.69 kT ln = 7.3meV per T=300K
me 4 me

E Fi = ( EC + EV )
1
2
Poich EG=1.12ev a T=300K

Alfredo Rubino
Espressioni alternative della densit di portatori di
carica I

(
E C E Fi ) kT ni = NV e
(
E Fi EV ) kT
ni = N C e

Ricaviamo NC e NV

(EC EFi ) kT (EFi EV ) kT


N C = ni e NV = ni e

Sostituiamo in

( EC E F ) ( E F EV ) kT
kT
n = NC e p = NV e

Alfredo Rubino
Espressioni alternative della densit di portatori di
carica II

( E F E F i ) kT
p=ne
( E F i E F ) kT
n=n e i i

Valide per un semiconduttore allequilibrio

Alfredo Rubino
ni
(
EC E Fi ) kT (
E Fi EV ) kT
ni = N C e ni = NV e

Moltiplichiamo membro a membro

(
EC E Fi ) kT (
E Fi EV ) kT ( EC EV ) kT
ni2 = NV N C e e = NV N C e

EG
ni = NV N C e 2 kT

2 3 EG kT B = 1.08 10 31 K 3cm 6
ni = BT e

Alfredo Rubino
ni
3 EG kT
EG
ni = NV N C e 2 kT 2
ni = BT e
3
2k
B = 4 (
m n m p 3 2 )
h2

per il silicio

B = 1.08 10 31 K 3cm 6

ni ( Si ) = 1.45 1010 cm 3
Concentrazione intrinseca nel Si e ni (GaAs ) = 1.79 106 cm 3
ni (Ge ) = 2.3 1013 cm 3
nel GaAs in funzione dellinverso
della temperatura

Alfredo Rubino
ni

( )
ni = BT 3 1 2 EG 2 kT
e

Alfredo Rubino
Livelli di drogaggio

(1014 < N Imp < 1020 )atomi cm 3

ND=1015/cm3

1 atomo di impurezza ogni 107


atomi di silicio

regione di congelamento
regione a concentrazione costante
regione intrinseca

Alfredo Rubino
Espressione del livello di Fermi in funzione del
drogaggio I
E evidente che se EF determina la probabilit che un elettrone sia in
banda di conduzione la sua posizione vari in funzione del drogaggio,
come visto gi qualitativamente.
( E F E F i ) kT
p=ne
( E F i E F ) kT
n=n e i i
Allequilibrio termodinamico, per temperature sufficientemente elevate
(temperatura ambiente), ovvero con tutti gli atomi donatori completamente ionizzati,
risolvendo le due equazioni per EF-EFi

n
E F E F i = kT ln
ni
p
E F i E F = kT ln
ni
Alfredo Rubino
Espressione del livello di Fermi in funzione del
drogaggio II
n p
E F E F i = kT ln E F i E F = kT ln
ni ni
Ad esempio, in un semiconduttore di tipo n drogato con ND atomi donatori:

n ND ND
E F E F i = kT ln
ni
in un semiconduttore di tipo p drogato con NA atomi accettatori:

p NA NA
E F i E F = kT ln
ni
Il livello di Fermi si muove sistematicamente verso la banda di conduzione a
partire dal livello di Fermi intrinseco allaumentare della concentrazione di droganti
donatori e verso la banda di valenza, sempre a partire da EFi allaumentare della
concentrazione di atomi accettatori.
Per quale concentrazioni di atomi droganti valida questa espressione?

Alfredo Rubino
Livello di Fermi in funzione della temperatura e del
drogaggio
Energia (eV)

Alfredo Rubino
Legge di azione di massa
consideriamo

( E F E F i ) kT p=ne
( E F i E F ) kT
n=n e i i
moltiplichiamo tra di loro

np = ni2 Legge di azione di massa del materiale

Se nel materiale si aumenta la concentrazione di elettroni, la concentrazione


di lacune deve diminuire in modo da mantenere costante il loro prodotto.
Ovviamente vale anche il viceversa.

Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Alfredo Rubino
Resistivit in funzione della concentrazione di
impurezze

Alfredo Rubino
Relazioni di neutralit di carica
+ np = ni2
p n+ ND NA =0

risolvendo il sistema si ottiene

n 2 ( N D N A )n ni2 = 0 con soluzione positiva

1
N D N A N D N A 2 2
n= + + ni
2
2 2
1
ni2 N A N D N A N D 2
2
p= = + + ni
2


n 2 2

Alfredo Rubino
Relazioni di neutralit di carica

Semiconduttore intrinseco NA=ND=0


n = p = ni

Semiconduttore di tipo n N D N A N D >> ni


ND ND ni2
n + = ND p=
2 2 ND

Semiconduttore di tipo p N A N D N A >> ni


N N
p A + A = NA ni2
2 2 n=
NA

Alfredo Rubino
Relazioni di neutralit di carica

Semiconduttore drogati per cui ni >> N D N A

poich

ni = N C NV exp EG 2kT

Alfredo Rubino
Bande reali

gap indiretta

gap diretta
Energia

k
Alfredo Rubino