Laboratorio Electrnica Analgica 2 Grupo 1

Prctica #1: Polarizacin con transistor FET.

Pablo Esteban Lpez Martinez.
plopezm@est.ups.edu.ec

1 Objetivos como una fuente de corriente gobernada por

VGS
1.1 Disear, calcular y comprobar el
funcionamiento de las siguientes polarizaciones
con transistor FET.
a) Polarizacin con fuente de gate y fuente
drain source
b) Autopolarizacion con resistencia en el
source
c) Polarizacin con divisor de tensin.
d) Polarizacin con fuente doble(simtrica)

1.2 Disear, calcular y comprobar la polarizacin

de un transistor MOSFET.
(Para los dos objetivos el punto de trabajo
debe estar en el centro de la recta de carga)
2 Marco Terico
2.1 Transistores de efecto de campo JFET
El transistor FET es un dispositivo controlado por
voltaje, es decir no necesita de una corriente de
polarizacin1, posee tres terminales comnmente
llamados Drain (D), Gate (G) y finalmente Source(S)
tal como se indica en la figura 1
Figura 2: Zonas de trabajo del transistor JFET
La ecuacin de Shockley permite aproximar el
comportamiento del diodo en la mayora de los casos
y en este caso en particular nos permite modelar el
comportamiento del transistor de efecto de campo
mediante su ecuacin que es
2
= (1 ) ECUACION DE SHOCKLEY
La figura 2.1 Representa de una manera grfica el comportamiento
de esta ecuacin teniendo como componentes la corriente de drain y
el voltaje de estrangulamiento.

Figura 1. Distribucin interna de los pines.

El transistor tiene similitudes a su homologo el
transistor bjt ya que cuenta con una recta de carga,
entre otros tiene los siguientes parmetros tal como se
indica en la figura 2
ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el
transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un
parmetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para
VDS=0, y distintos valores de VGS.
Figura 2.1: Grafica de la ecuacin de Shockley.
2.2 Transistor MOSFET.
El transistor de efecto de campo metal-xido-
semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es
un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas2.
Los modos de operacin de este tipo de transistores se
reducen en:

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es

donde el transistor amplifica y se comporta
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Regin de corte cuando VGS < Vth la figura 5 teniendo en cuenta que los clculos
posteriores sern siempre en la recta de carga.
Vth es la tensin de umbral del transistor, el modelo
bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conduccin entre la fuente
Siguiendo el siguiente planteamiento
y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta
como un interruptor abierto. Si IDSS=0 Vp=Max
Si Vp=0 IDSS=MAX

Regin lineal VGS > Vth y VDS < (VGS Vth)

Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la
tensin de umbral, se crea una regin de agotamiento
en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta
tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios en la regin de agotamiento, que darn
lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa
entonces a estado de conduccin, de modo que una
diferencia de potencial entre drenador y fuente dar
lugar a una corriente. El transistor se comporta como
una resistencia controlada por la tensin de puerta.

Regin de Saturacin VGS > Vth y VDS > (VGS Vth)

Cuando la tensin entre drenador y fuente supera
cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta Figura 4: Circuito para comprobar las caractersticas
sufre un estrangulamiento en las cercanas del reales del transistor FET
drenador y desaparece. La corriente que entra por el
drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que
es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre IDSS 4.84 mA
ambos terminales.
ID 2.42 mA
Las regiones se pueden apreciar en mejor manera en la
figura 4
Vp 2.42 V

VDD 12 V

VDS 6V

Tabla 3: Datos reales del transistor JFET

Figura 4: Zonas de trabajo de MOSFET

3 Clculos
Para realizar de una manera precisa y eficiente se
procede a realizar el clculo de los datos fsicos del
transistor a usar para usarlo en los posteriores tems,
los cuales dan usando configuracin de la
polarizacin de un transistor FET que se encuentre
en la figura 4 con fuente en el gate y fuente drain Figura 5: Parametros reales del transistor
source los cual variando los parmetros de la fuente
de control VGS obteniendo los valores que se
encuentran en la tabla 3 que se presenta a
continuacin siguiendo el patrn que se muestra en
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3.1 Polarizacin de un transistor FET 3.2 Autopolarizacion de un transistor

con fuente de Gate y fuente drain-source.
En las ecuaciones 1 hasta la ecuacin 10 se puede
observar el comportamiento de la polarizacin de
un transistor FET que se encuentre en la figura 6
con fuente en el gate y fuente drain source.
FET con resistencia en el source.
En las ecuaciones 11 hasta la ecuacin 22 se puede
observar el comportamiento de la Autopolarizacion
de un transistor FET que se encuentre en la figura
7.

Figura 6: Polarizacin de un transistor FET con

fuente en el Gate y fuente Drain-Source
Ecuaciones de comportamiento.
2
= (1 ) (1) Figura 7: Autopolarizacion de un transistor FET

con resistencia en el source

= (1 ) (2)

2.42
= (1 ) (2.70) (3) Ecuaciones de comportamiento
4.84
2
= 0.79 (4) = (1 ) (11)

= + (5)
= (1 ) (12)

12 = (2.42) + 6 (6)
126
= 2.42 (7) = (1
2.42
) (2.70) (13)
4.84
= 2.47 2.4 (8)
= 0.79 (14)
= (9)
+ = 0 (15)
= 2.4 2.42 = 5.8 (10)
= (16)
La tabla 4 resume los datos importantes para su
posterior aplicacin 0.79
= 2.42 (17)
CALCULADO = 326.45 330 (18)
VGS -0.79V = (19)

RD 2.4K
= 12 6 (330 2.42) (20)
= 5.20 (21)
VRD 5.8V
5.20
= 2.42 = 2.15 2.2 (22)
VCE 6V

ID 2.42mA

Tabla 4: Resumen para la aplicacin en la prctica.

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3.79
= = 2.42 (30)

La tabla 5 resume los datos importantes para su
= 1.56 1.5 (31)
posterior aplicacin
= (32)
CALCULADO
12 6 (1.5 2.42) (33)
VGS -0.79V = 2.37 (34)
2.37
RD 2.2K = = 2.42 (35)

= 979.4 1 (36)
RS 330
2
= 1+2 (37)
VRD 5.20V
2
3 = 12 90 (38)
VDD 12V
2 = 22.5 (39)
ID 2.42mA 1 = 90 22.5 68 (40)
La tabla 6 resume los datos importantes para su
VCE 6V
posterior aplicacin
Tabla 5: Resumen para la aplicacin en la prctica
3.3 Polarizacin de un transistor FET CALCULADO
con divisor de tensin.
En las ecuaciones 23 hasta la ecuacin 40 se puede VGS -0.79V
observar el comportamiento de la polarizacin de
un transistor FET con divisor de tensin como se RD 1K
indica en la figura 8.
RS 1.5K

R1 68K

R2 22.5K

VRD 2.37V

VDD 12V

ID 2.42mA

Tabla 6: Resumen para la aplicacin en la prctica

Figura 8: Polarizacin de un transistor FET con

divisor de tensin. 3.4 Polarizacin de un transistor FET
con fuente doble simtrica.
En las ecuaciones 41 hasta la ecuacin 52 se puede
= 3 (23) observar el comportamiento de la polarizacin de
1 + 2 = 90 (24) un transistor FET con fuente doble simtrica como
se indica en la figura 9.

= (1 ) (25)

2.42
= (1 ) (2.70) (26)
4.84

= 0.79 (27)
= = 3 (0.79) (28)
= 3.79 (29)
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3.5 Polarizacin de un transistor

MOSFET
En las ecuaciones 53 hasta la ecuacin 60 se puede
observar el comportamiento de la polarizacin de
un transistor MOSFET como se indica en la figura
9.

Figura 9: Polarizacin de un transistor FET con

fuente doble simtrica.

= (1 ) (41)

2.42
= (1 4.84
) (2.70) (42)

= 0.79 (43)
Figura 10: Polarizacin de un transistor FET con
12 = 0 (44)
fuente doble simtrica.
= 12 + 0.79 (45)
= 12.79 (46)
= + (53)
12.79
= = 2.42 (47) = = 4 (54)

= 5.2 5.1 (48) 12 = 6 + 4 (55)

+ + = 24 (49) 124
= (56)
6
( + ) = 24 (50)
= 1.33 (57)
246
= 2.42 5.2 (51) = 3 (58)
RD = 2.2380K 2.2K (52) = 4 (59)
La tabla 7 resume los datos importantes para su

= () 2 = 0.000667 (60)
posterior aplicacin
La tabla 8 resume los datos importantes para su
posterior aplicacin
CALCULADO

VGS -0.79V CALCULADO

RD 2.2K VGS 4V

RS 5.1K VDS 4V

VDS 6V RS 1.33K

VDD 12V ID 6.08mA

ID 2.42mA Tabla 8: Resumen para la aplicacin en la prctica

Tabla 7: Resumen para la aplicacin en la prctica

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4 Lista de materiales y equipos.

PRESUPUESTO MATERIALES

# Descripcin Valor Valor

Unitario Total

1 TRANSISTOR $ 0,75 $0.75

JFET K30

1 Transistor $ 1.00 $ 1.00

MOSFET
IRF740 Figura 11. Simulacin de la polarizacin de un
transistor FET con fuente de Gate y fuente Drain-
10 Resistencias 1/2 $ 0.03 $ 0.30 Source.
W
5.1.2 Autopolarizacion de un transistor FET con
1 Cable Multipar $0.50 $0,50 resistencia en el Source.

Total $ 2.55 En la figura 12 se puede apreciar el comportamiento

del circuito de Autopolarizacion de un transistor
Tabla 9. Presupuesto de materiales FET con resistencia en el Source.

HERRAMIENTAS CANTIDAD

MULTIMETRO 2

FUENTE DOBLE 1
SIMETRICA

PROTOBOARD 1

PELACABLES 1

PINZAS 2

Figura 12. Simulacin de Autopolarizacion de un

Tabla 10. Herramientas usadas
transistor FET con resistencia en el Source.
5 Desarrollo 5.1.3 Polarizacin de un transistor FET con
divisor de tensin.
5.1 Simulaciones
En la figura 13 se puede apreciar el comportamiento
Las simulaciones se dieron a cabo en el simulador del circuito de la Polarizacin de un transistor FET
MULTISIM V14. con divisor de tensin
5.1.1 Polarizacin de un transistor FET con
fuente de Gate y fuente drain-source
En la figura 11 se puede apreciar el comportamiento
del circuito de polarizacin de un transistor FET
con fuente de Gate y fuente Drain-Source.

Figura 12. Simulacin de la Polarizacin de un

transistor FET con divisor de tensin.
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5.1.4 Polarizacin con fuente doble simtrica.

RD 2.4K 2.2K
En la figura 14 se puede apreciar el comportamiento
del circuito de la Polarizacin con fuente doble VRD 5.8V 5.4V
simtrica
VDD 12V 12V

ID 2.42mA 2.54mA

VCE 6V 6.32

Tabla 11: Comparativa de valores para la generacin

de la grfica de la recta de carga.

Figura 14. Simulacin de la Polarizacin con fuente

doble simtrica
5.1.5 Polarizacin de un transistor Mosfet
En la figura 15 se puede apreciar el comportamiento
del circuito de la Polarizacin de un transistor
Mosfet
Figura 16: Recta de carga aplicado la regresin lineal
5.2.2 Autopolarizacion de un transistor FET con
resistencia en el Source

CALCULADO MEDIDO

VGS -0.79V -0.75

RD 2.2K 2.2K

RS 330 330

VRD 5.20V 5.36V

Figura 15. Simulacin de la Polarizacin de un VDD 12V 12

transistor Mosfet.
ID 2.42mA 2.51mA
5.2 Rectas de Cargas y puntos de trabajo
calculados y simulados. VCE 6V 5.62
A las rectas de trabajo as como sus puntos, se aplic
el teorema de la regresin lineal y es por eso que se Tabla 12: Comparativa de valores para la generacin
visualizan un comportamiento lineal como se ve a de la grfica de la recta de carga.
continuacin.
5.2.1 Polarizacin de un transistor FET con fuente
de Gate y fuente drain-source

CALCULADO MEDIDO

VGS -0.79V -0.78

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VDS 6V 5.76V

VDD 12V 12V

ID 2.42mA 2.51mA

VDS 6V 5.76V

Figura 17: Recta de carga aplicado la regresin lineal Tabla 14: Comparativa de valores para la generacin
de la grfica de la recta de carga.
5.2.3 Polarizacin de un transistor FET con divisor
de tensin.

CALCULADO MEDIDO

VGS -0.79V -0.77V

RD 1K 1K

RS 1.5K 1.5K
Figura 19: Recta de carga aplicado la regresin lineal
R1 68K 68K

R2 22.5K 22K 5.2.5 polarizacin de un transistor Mosfet

VRD 2.37V 2.36V

CALCULADO MEDID
VDD 12V 12V O
ID 2.42mA 2.56mA VGS 4V 4.12V
VDS 6V 5.57V VDS 4V 4.13V
Tabla 13: Comparativa de valores para la generacin RS 1.33K 1.2K
de la grfica de la recta de carga.
ID 6.08mA 6.08mA

Tabla 15: Comparativa de valores para la generacin

de la grfica de la recta de carga.

Figura 18: Recta de carga aplicado la regresin lineal

5.2.4 Polarizacin con fuente doble simtrica

CALCULADO MEDIDO

VGS -0.79V -0.79V

RD 2.2K 2.2K

RS 5.1K 5.1K Figura 20: Recta de carga aplicado la regresin lineal

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6 Anlisis de resultados
Los valores que se encuentran expresados en
las tablas de las grficas tienen una ligera
variacin entre los valores calculados
medidos y simulados debido a que al ser
sistemas reales no pueden ser perfectos. En la
figura 21 se muestran los principales errores
cometidos para la inexactitud de los valores
obtenidos.
Errores
CALIDAD DE LOS
ELEMENTOS
9%
10% CALIDAD DE LOS
INSTRUMENTOS
23% 58% REDONDEO DE LAS
RESISTENCIAS
OTROS
Figura 21.Errores generados
En los valores de otros se generan errores de
clculo y el uso de menos de 3 decimales.
En conceptos generales se obtuvieron los
resultados necesarios para hacer las grficas
de las rectas de carga para su posterior
anlisis.
The values that are expressed in the tables of
the graphs have a slight variation between the
calculated values measured and simulated
because they are real systems cannot be
perfect. Figure 21 shows the main errors
made for the inaccuracy of the values
obtained.
In other values are generated calculation
errors and the use of less than 3 decimals.
In general concepts were obtained the
necessary results to make the graphs of the
load lines for later analysis.
7 Conclusiones y recomendaciones.
El conocer fsicamente la distribucin de
pines del transistor as como sus
caractersticas elctricas hacen que se realice
el trabajo en un menor tiempo, el conocer las
ventajas y fortalezas de este tipo de transistor
de efecto de campo hace que la aplicacin sea
muy variada desde conmutacin hasta
amplificacin de seales , se puede decir que
el transistor de efecto de campo es uno de los
pilares de la electrnica analgica as como
su homologo el transistor Mosfet que es la
base de la familia CMOS.
Grupo 1
Los transistores FET son dispositivos
controlados por voltaje por lo que son
empleados en una gran gama por ejemplo una
mayor estabilidad en altas temperaturas y
tambin presentan una impedancia alta en la
entrada del circuito
Es importante tomar ciertas consideraciones
para realizar las polarizaciones del transistor
FET, principalmente la consideracin que al
ser estos transistores de la gama baja sus
caractersticas no se asemejan a las del
datashet y por ende las desviaciones en los
resultados sern evidentes en el momenteno
de visualizar mediante los equipos de
medicin los resultados. Equipos que
tambin al ser de la gama baja tambin
tienden a tener un error que debe ser
considerado.
Es necesario realizar el proceso para obtener
los parmetros del transistor ya que esto ser
til en el transcurso de la practica ser un eje
significante ya que guiara de manera directa
atravez de la misma.
El proceso a seguir para obtener la
informacin del transistor es el siguiente
.Primero realizamos la conexin de la
polarizacin con fuente doble, segundo una
vez conectado variando la fuente que ingresa
al gate procedemos a variar los voltajes, hasta
obtener el valor de IDSS y el valor de VP que
es el voltaje de estrangulamiento.
El transistor Mosfet cuando se encuentra en
configuracin de empobrecimiento se
comporta igual que el transistor de efecto de
campo.
Knowing physically the distribution of pins
of the transistor as well as its electrical
characteristics make the work done in a
shorter time, knowing the advantages and
strengths of this type of transistor field effect
makes the application is very varied from
switching until amplification of signals, it can
be said that the field effect transistor is one of
the pillars of analog electronics as well as its
homologous the Mosfet transistor which is
the basis of the CMOS family.
FET transistors are voltage controlled
devices so they are used in a wide range eg
higher stability at high temperatures and also
have a high impedance at the input of the
circuit
It is important to take certain considerations
to realize the polarizations of the transistor
FET, mainly the consideration that being
these transistors of the low range its
characteristics do not resemble those of the
datashet and therefore the deviations in the
results will be evident in the moment to
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visualize by measuring the results. Teams
that also being of the low range also tend to
have an error that should be considered.
It is necessary to perform the process to
obtain the parameters of the transistor as this
will be useful in the course of the practice will
be a significant axis as it will guide directly
through it.
The process to follow to obtain the
information of the transistor is the following.
First we made the connection of the
polarization with double source, second once
connected by varying the source that enters
the gate we proceed to vary the voltages, until
obtaining the value of IDSS and the value of
VP which is the throttling voltage.
The Mosfet transistor when in depletion
configuration behaves the same as the field
effect transistor.

9 Bibliografia

[1] Boylestad. (2011). Introduccin al anlisis de

circuitos", 12 Ed., Mxico.
[2] Nashelsky. B. (2013). Electrnica: Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos Mxico.
[3] Boylestad (2009) Electrnica: Teora de Circuitos
y Dispositivos Electronicos10 Ed. Mxico.

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Anexo 1: Firmas aprobadas