PROBLEMAS PROPUESTOS DE CIRCUITOS

ELECTRNICOS III

INVERSOR MOS Y CIRCUITOS CMOS

1.- Inversor MOS

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1.- Para la siguiente cadena de inversores con kn=100uA/V y VT=0.5 V para todos los transistores, (a) si
se inyecta un 1 lgico en Vi, determinar que tensin corresponde a este 1 lgico de acuerdo a lo
analizado en clase y hallar V01 y V02. (b) Hallar V01 y V02 si Vi=0 V. Desprecie el efecto cuerpo.

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2.- Repetir el problema anterior con VT1=VT3=0.8 V, VT2=VT4=-1.2 V y kn=100uA/V para todos los
transistores. Desprecie el efecto cuerpo.

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3.- De acuerdo al siguiente circuito con kn=60 uA/V para todos los transistores, VT=0.8 V para los NMOS
y VT=-2 V para los MOS de deplexin, (a) con VX=5 V, V01=0.15 y P=250 uW para el inversor formado
porS1, S2, determinar los valores de S1, S2. (b) Para VX=VY=0 V, determinar V02.

Circuitos Electrnicos III M.Sc. Ing. Franco Renato Campana Valderrama

4.- Disear un inversor NMOS con carga depletada para que se obtenga un tp=1 ns y VL=0.2 V con
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CL=0.2 pF. Encontrar tambin la PMAX. Asumir que VDD=3.3 V, kn1=kn2=100 uA/V , VT1=0.75 V, VT2=-2 V

2.- Circuitos CMOS

2.1.- Comportamiento esttico del inversor CMOS

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5.- Se tiene un inversor CMOS con VDD=3.3 V, VTN=|VTP|=0.4 V, SN=2, SP=5, Asumir kn=100 uA/V y
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kp=40 uA/V . Determinar:

(a) Los puntos de transicin y hallar el Vin cuando i) Vout=0.25 V, ii) Vout=3.05 V.
(b) Los mrgenes de ruido NMH y NML.
(c) La corriente IMAX en la conmutacin.

2.2.- Comportamiento Dinmico del Inversor CMOS

6.- Cul es el tr, tf y tp para un inversor CMOS con SN=2/1, SP=5/1, CL=0.2 pF ?. Asumir que VDD=1.8 V,
2 2
VTN=|VTP|=0.6 V, kn=100 uA/V , kp=40uA/V .

7.- Disear las relaciones geomtricas de un inversor CMOS para que se obtenga un tp=3 ns y tf=tr, con
2 2
CL=1pF. Asumir que VDD=2.5 V, VTN=|VTP|=0.6 V, kn=100 uA/V , kp=40uA/V .

2.3.- Compuertas lgicas CMOS: Lgica Esttica

8.- A partir de la siguiente compuerta, encontrar (a) la funcin lgica y (b) las relaciones geomtricas de
todos los transistores.

9.- Disear el circuito que implemente la funcin =A(BC+DE) con lgica esttica. Asimismo, establezca
las relaciones geomtricas de todos los transistores.

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10.- A partir de la siguiente red Pull Down, (a) encontrar la funcin lgica, (b) disear la red Pull Up y (c)
establecer las relaciones geomtricas de todos los transistores.

11.- De acuerdo al circuito completo del problema anterior y considerando que, las relaciones
geomtricas de todos los transistores es SN=SP=2/1, hallar el retraso de propagacin tp para una
capacidad de carga CL=0.5 pF y VDD=2.5 V.

2.4.- Compuertas lgicas CMOS: Lgica Dinmica o Domin

12.- Mediante la lgica domin, implementar la funcin y=A(B+C)(D+E).

13.- A partir de siguiente circuito y de acuerdo con la tabla mostrada, determinar los estados V01, V02 y
V03.

ESTADO CLK X Y Z V01 V02 V03

1 0 0 0 0
2 1 1 1 1
3 0 0 0 0
4 1 0 1 1
5 0 0 0 0
6 1 1 0 1

2.5.- Lgica de Transistores de Paso: Compuertas de Transmisin

14.- Se tiene una compuerta de transmisin CMOS con VTN=|VTP|=0.4 V. Cuando VG=VDD=2.5 V, la
entrada vara con el tiempo Vi=2.5-0.2t para 0t12.5 s. Si Vout=2.5 V en t=0 s y CL=0.2 pF. Determinar el
intervalo de tiempo cuando el NMOS y el PMOS conducen y cuando estn en corte.

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