Gua de Prctica N2 Curva Caracterstica del Diodo

1. Objetivos

1.1. General
Demostrar la curva caracterstica de los tipos ms comunes de diodo.

1.2. Especfico
Medir los efectos de la polarizacin directa e inversa en el diodo zener.
Determinar experimentalmente y representar la caracterstica corriente-tensin
en el diodo zener.

2. Fundamento terico
2.1. El diodo
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en el
otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir,
cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de
los electrones).
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
2.2. Curva caracterstica del Diodo

2.2.1. Tensin umbral, de codo o de partida (Vy)

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente un diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente
al rededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa
supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequeos incrementos de tensin se produce grandes
variaciones de la intensidad de corriente.
2.2.2. Corriente mxima (Imx)
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto de Joule. Dado que es fusin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo el diseo del mismo.
2.2.3. Corriente inversa de saturacin (Is)
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura.
2.2.4. Corriente superficial de fugas
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que, al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial
de fugas.
2.2.5. Tensin de ruptura (Vr)
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse
el efecto avalancha.
3. Equipos, Materiales y Reactivos
3.1. Equipos
tem Equipo Caractersticas Cantidad
1 Protoboard Estndar 1
2 Multmetro Estndar 1
3 Alicate de corte 1
4 Alicate de pinza 1

3.2. Materiales
tem Material Caractersticas Cantidad
1 Diodo 1N4007 1
2 Diodo 1N4733A 1
3 Diodo Led Rojo 1
4 Trimpot Multivuelta 20K 1
5 Resistencia 10ohm 1/2w 1
6 Pila 9v. con conector 1
7 Alambre para protoboard 2 metros 1

4. Procedimientos
4.1. Circuito con diodo rectificar en polarizacin directa
4.2. Circuito con diodo led
4.3. Circuito con diodo zener en polarizacin directa
4.4. Circuito con diodo zener en polarizacin directa
5. Resultados
Se obtuvo dos grficas por cada circuito electrnico con diodos: una de datos
experimentales y otra con datos simulados. En la cual existen diferentes valores de
voltaje debido a la precisin de los datos simulados y tambin a la falla de los datos
experimentales debido a los insumos y materiales utilizados.
La corriente de saturacin inversa como parmetro del diodo semiconductor tanto
para el modelo terico como para el modelo usado en el simulador, el diodo se opone
al flujo de corriente, as un diodo con mayor corriente de saturacin inversa
presentar un valor de voltaje umbral y una resistencia dinmica.

6. Conclusiones

7. Sugerencias