PRCTICA # 1

CARACTERIZACIN DE DIODOS DE POTENCIA

OBJETIVO
En esta prctica se caracterizar el comportamiento esttico y dinmico 04 diferentes
tipos de diodos de potencia con el propsito de identificar las diferencias operativas
entre los mismos, basados en sus curvas V-I.

INTRODUCCIN
Describir en esta seccin en trminos generales el objetivo de la prctica, los
elementos electrnicos a utilizar, ejemplos tpicos de aplicacin etc.

MARCO TERICO
Esta seccin incluye un resumen de los conocimientos tericos obtenidos por
cientficos e investigadores, requeridos para el desarrollo de la prctica, incluyendo
tratamiento matemtico, presentacin grfica, etc. Que favorezca la comprensin del
conocimiento a validar.

Por ejemplo:

Caractersticas dinmicas:

Tiempo de recuperacin directo o tiempo de encendido

tfr (tiempo de recuperacin directo o tiempo de encendido): es el tiempo que
transcurre entre el instante en que la corriente nodo-ctodo en el diodo se hace
positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor V F en la carga.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir
prdidas de potencia apreciables.
Tiempo de cada o apagado

toff (tiempo de apagado): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la

corriente nodo-ctodo empieza a decrecer debido al cambio de polaridad del diodo
y hasta que se alcanza el valor de conduccin de 0 mA.

Tiempo de recuperacin inverso

trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea

negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.

Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin directo o tiempo de encendido
tfr (tiempo de recuperacin directo o tiempo de encendido): es el tiempo que
transcurre entre el instante en que la corriente nodo-ctodo en el diodo se hace
positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor V F en la carga.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir
prdidas de potencia apreciables.

Tiempo de cada o apagado

toff (tiempo de apagado): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la

corriente nodo-ctodo empieza a decrecer debido al cambio de polaridad del diodo
y hasta que se alcanza el valor de conduccin de 0 mA.

Tiempo de recuperacin inverso

trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea

negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
MATERIAL Y EQUIPO
Multmetro digital con terminales de prueba.
Fuente de alimentacin de Vcd con 02 conectores banana caimn.
Osciloscopio digital con 02 sondas compensadas.
Generador de seales con 01 sonda compensada.
Resistencias de: 100 Ohms, 1K, 100K, 1M.
Diodo de seal: 1N4148.
Diodo de red: 1N4007 o similar.
Diodo de potencia: BYW29-200 o similar.
Diodo Shottky de potencia: MBR735 o similar.

METODOLOGA: DESARROLLO DE LA PRCTICA

1).- Montar el circuito de la figura 1 para cada uno de los 04 diodos polarizados
directamente. Variando la tensin de alimentacin de la fuente de entrada Vi de 0 a
1.5 V, en incrementos de 0.1 V, anotar en cada caso el punto de operacin del
dispositivo (Id, Vd) que permitir trazar la curva caracterstica esttica (figura 3) para
cada tipo de diodo. Cuando utilice el diodo de seal 1N4148, R1 ser de 1K, para
los dems diodos R1=100 Ohms. Calcule adems el valor de la resistencia directa
(Ron) presentada por el diodo para cada caso en particular, registre los datos en la
tabla1, dada a continuacin en la seccin correspondiente.

Fig.1. Determinacin de la caracterstica Fig. 2. Determinacin de la caracterstica

esttica del diodo dinmica del diodo

Figura 3. Curva V-I Diodo semiconductor

TABLA 1
No. Diodo: ____________
Voltaje directo Voltaje directo Corriente Resistencia Voltaje Voltaje Corriente Resistencia
de la fuente en el diodo directa en directa del inverso de la inverso en inversa en inversa en
el diodo diodo (Ron) fuente el diodo el diodo el diodo
(Roff)
0.1 V -5 V
0.2 V -10 V
-15 V
1.0 V -
.
1.5 V
Grfica esttica real con los datos anteriores (para cada uno de los 04 diodos)
2).- Determinar la resistencia interna equivalente (R off) para polarizacin inversa para
cada uno de los diodos midiendo la corriente inversa para tensiones de: -5 V, -10 V,
-15 V y -20 V. Debido al reducido valor de Ia (corriente inversa de saturacin),
realizar la medida ensayando con resistencias en serie de alto valor (100K, 1M).
Registre tambin el valor de la corriente inversa Io para cada caso y calcule
utilizando la Ley de Ohm la resistencia presentada por el diodo en cada punto de
operacin. Comprobar la variacin de Io con la temperatura calentando el diodo con
el dedo u otra fuente de calor, registre los datos en la tabla1, en la seccin
correspondiente.

3).- Utilizando el generador de seal seleccione la forma de onda cuadrada con una
amplitud 4 Vpp e implemente en su tablilla de experimentos el circuito de
conmutacin de la figura 2. Representar las formas de onda de la tensin en la
resistencia R1 con valor de 1 M para los diferente diodos para frecuencias de: 1
KHz, 100 KHz y 1 MHz. Determinar y graficar el tiempo de recuperacin directo (t fr o
ton), el tiempo de recuperacin inverso (t rr) y la carga inversa (Qrr) de los 04 diferentes
diodos, auxilindose de las formas de onda de las figuras siguientes.

RESULTADOS EXPERIMENTALES OBTENIDOS

Datos obtenidos durante el desarrollo de la prctica, incluyen tablas, graficas,
fotografas, etc.

CONCLUSIONES INDIVIDUALES POR INTEGRANTE DEL EQUIPO

Detallar la parte experimental de la prctica contrastada con su parte terico-

cientfica, sealando el grado de comprensin alcanzado.

BIBLIOGRAFA

Fuentes y referencias bibliogrficas consultadas y referenciadas en el reporte.

SIMULACINES REALIZADAS

Resultados de las simulaciones realizadas de la operacin de los circuitos a

implementar en el laboratorio.

ANEXOS

Aqu se incluye toda aquella informacin complementaria para el reporte de la

prctica, como pueden ser hojas de especificaciones tcnicas, tablas del fabricante,
o toda aquella informacin tcnica soporte para el reporte.
PREPARACIN DE LA PRCTICA DE LABORATORIO
 1) Analizar e interpretar a detalle el objetivo de la prctica
2) Identificar e investigar en referencias bibliogrficas el
contenido terico-cientfico soporte, requerido para el
desarrollo y comprensin de la prctica.
3) Realizar los clculos necesarios, as como disear el
circuito esquemtico electrnico requerido.
4) Simulacin de la prctica.
Realice la simulacin de la prctica en el software que Ud. Prefiera
(Proteus, WorkBench, Pspice, Psim, Etc.) con el propsito de poder
comparar los resultados de la simulacin con los valores prcticos
obtenidos en el laboratorio en cada uno de los incisos de la misma.
Detalle sus conclusiones.
5) Implementacin en la tablilla de experimentos el circuito
final obtenido.

NOTAS:

NOTA 1: PARA INGRESAR AL LABORATORIO A REALIZAR LA PRCTICA

CORRESPONDIENTE, SER NECESARIO MOSTRAR A SU INGRESO LOS
RESULTADOS OBTENIDOS DE LA SIMULACIN, ASI COMO LOS
CLCULOS REALIZADOS DURANTE PREPARACIN DE LA PRCTICA
EN TURNO.

NOTA 2: DE PREFERENCIA LLEVAR AL LABORATORIO ARMADOS EN

PROTOBOARD LOS CIRCUITOS SOLICITADOS EN LA PRCTICA, PARA
UNICAMENTE SOLICITAR EL APOYO DE LOS INSTRUMENTOS DE
MEDICIN Y FUENTES DE ENERGA REQUERIDAS.