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Universidad Nacional Federico Villarreal
Facultad de Ingeniera Electrnica e Informtica
OBJETIVOS:
PREGUNTAS PREVIAS:
El transistor en Corte.
En este caso no hay transferencia de energa de la fuente de entrada al circuito por lo tanto la
Corriente de salida IC es nula o sea que se comporta como un interruptor abierto
El transistor en Saturacin.
En este caso el transistor conduce la mxima corriente de colector IC posible sin daarse, o
sea que se comporta "casi" como un interruptor cerrado.
IC = .IB
IC = .IB
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6. Determine la ICSAT o ICmax y VCE max. Calcule los valores para ICQ y VCEQ en cada uno de los
circuitos.
De la ecuacin de la recta:
IC= - [1/{RC'+[(1+b)/b]*RE}]*VCE + [1/{RC'+[(1+b)/b]*RE}]*Vcc
Podemos concluir que para que se mantenga el mismo punto de trabajo, la pendiente no debe
cambiar, por lo tanto se debe cumplir que:
RC'+[(1+b)/b]*RE = RC
de donde despejamos:
RC'= RC - [(1+b)/b]*RE
EQUIPO NECESARIO:
1 Protoboard
1 Fuente de voltaje Regulada
1 DVM
1 Punta de prueba para DVM
1 Generador de seal con su respectiva punta de prueba
1 Osciloscopio con sus respectivas puntas de prueba
COMPONENTES NECESARIOS:
1 Resistencias de 100, 1k, 6.8k, 8.2k, 36k, 56k, 100K, otras de 1/2 de watt
1 2n3904, 2n3906, Tip 41, Tip 42
3 Transistor 2n2222
1 Potencimetro de 50K y 100K para montaje en protoboards
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PROCEDIMIENTO:
TERMINALES DE TRANSISTORES NPN y PNP
1. Mida el transistor con tester en escala de diodo. Concluya finalmente el tipo de transistor y el
nombre de cada uno de los terminales para cada uno de los transistores listados en la tabla de
elementos.
2. Utilizando el Multmetro determine el de cada uno de los elementos. De que otra forma se
puede determinar este parmetro.
El beta () es una caracterstica propia que tiene cada transistor y se encuentran, como dato del
mismo, en los manuales como el NTE, ECG o similares.
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4. Implemente el circuito de la Fig. 1. Ajuste el voltaje Vbb (entre 0 Volts y 10 Volts) y con el
multmetro mida los voltajes entre colector y emisor Vce; el voltaje en la resistencia RB, el
voltaje en la resistencia RC para completar la siguiente tabla (agregue las filas necesarias para
completar hasta 10V).
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5. Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en que est
trabajando el transistor (Activa, saturacin o corte) para cada fila de la tabla, indicando las
razones de cada una de ellas adems del estado de la unin base emisor y base colector.
6. Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el valor de la
relacin Ic / Ib. A qu parmetro del transistor corresponde dicho valor?; (Las corrientes Ic e Ib
se puede obtener utilizando la ley de Ohm, esto es, I = V / R en cada caso).
8. Mida los voltajes VCE, VBE, VC, VE, VB, VRB, VRE, VRC. Si no se encuentra en el punto medio de
la recta de carga vari la resistencia RB.
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10. Cambie el transistor por otro de la misma referencia. Mida nuevamente los voltajes en el
circuito y determine el . Si existen diferencias explique la razn.
Circuito de polarizacin por divisor de voltaje: con este tipo de polarizacin la estabilidad del
punto Q es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este trabajando, los valores de
ICQ, VCEQ se mantendrn casi inalterables. Es por esta razn que este tipo de polarizacin es
la ms utilizada cuando se trata de disear un amplificador.
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14. Despus de haber llevado a la prctica las configuraciones bsicas para polarizar a un BJT
cul considera ms estable respecto a las variaciones de temperatura?
Polarizacin fija: Es el circuito ms sencillo, pero tambin el ms inestable con las variaciones
de la temperatura.
15. Disee un cuadro de datos y compare los resultados prcticos con los tericos y los
obtenidos en la simulacin. Que puede concluir a partir de esta tabla.
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