U.N.A.M.

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Facultad de Estudios Superiores

Plantel ARAGN

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LABORATORIO: Dispositivos Electrnicos.
ALUMNOS: - Chvez Molina Luis.
- Rodriguez Escamilla Erik Marcos.
- Ruz Gmez Daniel.
- Vzquez Ordua ngel.
PROFESOR: Ing. Luna Escorza Prcoro Pablo.
GRUPO: 8450 GRADO: 5 Semestre.
TEMA: Previo Diodos: Parmetros y Caractersticas.
NO. PRCTICA: 3 FECHA DE ENTREGA: 4 Septiembre - 2017
1. Investigue cuales son los diferentes tipos de diodos que existen,
mencione sus nombres, caractersticas y aplicaciones.
 Diodo Detector: Tambin denominado diodo de seal o de contacto
puntual, est hecho de germanio y se
caracteriza por poseer una unin PN
muy diminuta. Esto le permite operar a
muy altas frecuencias y con seales
pequeas. Se emplea en receptores de
radio para separar la componente de
alta frecuencia (portadora) de la
componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin se
denomina deteccin.

Diodo Rectificador: Son aquellos dispositivos semiconductores que solo

conducen en polarizacin directa
(arriba de 0.7 V) y en polarizacin
inversa no conducen. Estas
caractersticas son las que permite a
este tipo de diodo rectificar una seal.
Los hay de varias capacidades en
cuanto al manejo de corriente y el
voltaje en inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie,
por ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de un semiconductor, el
1 indica el nmero de uniones PN y el 4004 las caractersticas o
especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o continental
se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la B
indica el material (silicio) y la Y el tipo (rectificador).

Diodo Zener: Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por

su capacidad de mantener un voltaje
constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y
por ello se emplea como elemento de
control, se encuentra con capacidad de
watt hasta 50 watt y para tensiones de
2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal,
su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, por ejemplo: 1N3828 o
BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y
la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse
(PZ).
 Diodo Varactor: Tambin conocido como diodo varicap o diodo de
sintona. Es un dispositivo semiconductor
que trabaja polarizado inversamente y
acta como condensador variable
controlado por voltaje. Esta caracterstica
lo hace muy til como elemento de sintona
en receptores de radio y televisin. Es
tambin muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores,
generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante del
mismo son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y
microondas.

Diodo Emisor de Luz (LED): Es un diodo que entrega luz al aplicrsele

un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinacin de
huecos y electrones cerca de la unin NP;
si este se ha polarizado directamente la
luz que emiten puede ser roja, mbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su
composicin.
Los LEDs se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la
cada de voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima
corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden
de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA
hasta ms de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (mili candelas)
hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el
brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mnimo para
LEDs rojos y mximo para LEDs azules.
Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para
limitar la corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima.
Tambin deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje
inverso superior a 5V causa generalmente su destruccin inmediata del LED.

Diodo Lser: Tambin conocido como lser de inyeccin o ILD. Son LEDs
que emiten una luz monocromtica,
generalmente roja o infrarroja,
fuertemente concentrada, enfocada,
coherente y potente. Es muy utilizado en
computadoras y sistemas de audio y video
para leer discos compactos (CDs) que
contienen datos, msica, pelculas, etc.,
as como en sistemas de comunicaciones para enviar informacin a travs
de cables de fibra ptica. Tambin se emplea en marcadores luminosos,
lectores de cdigos de barras y otras muchas aplicaciones.
 Diodo Estabilizador: Est formado por varios diodos en serie, cada uno
de ellos produce una cada de tensin
correspondiente a su tensin umbral.
Trabajan en polarizacin directa y
estabilizan tensiones de bajo valores
similares a lo que hacen los diodos Zener.

Diodo Tnel: Tambin conocido como diodo Esaki. Se caracteriza por

poseer una zona de agotamiento
extremadamente delgada y tener en su
curva una
regin de
resistencia
negativa
donde la corriente disminuye a medida que
aumenta el voltaje. Esta ltima propiedad lo
hace muy til como detector, amplificador,
oscilador, multiplicador, interruptor, etc., en
aplicaciones de alta frecuencia.

Diodo Backward: Es un diodo de germanio que presenta en polarizacin

inversa una zona de resistencia negativa similar
a las de los diodos tnel.

Diodo Schottky: Tambin llamado diodo de recuperacin rpida o de

portadores calientes, est hecho de silicio y se
caracteriza por poseer una cada de voltaje
directa muy pequea, del orden de 0.25 V o
menos, y ser muy rpido. Se emplea en fuentes
de potencia, sistemas digitales y equipos de alta
frecuencia.

Fotodiodo: Son diodos provistos de una ventana transparente cuya

corriente inversa puede ser controlada en un
amplio rango regulando la cantidad de luz que
pasa por la ventana e incide sobre la unin PN.
A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la
corriente inversa producida por que se genera
un mayor nmero de portadores minoritarios, y
viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas
de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de
comunicaciones pticas y otras aplicaciones.
2. Consulta los manuales de elementos discretos (que se encuentran
en el laboratorio), y d las caractersticas de los siguientes diodos:

1N4006
 TZ12
 LED

Material Longitud de onda Color

GaAs: Zn 9000 Infrarrojo
GaAsP.4 6600 Rojo
GaAsP.5 6100 Ambar
GaAsP.85: N 5900 Amarillo
GaP: N 5600 Verde

Tabla 1. Longitudes de onda de algunos

compuestos de Galio

Color Luminosidad Consumo Longitud onda Dimetro

Rojo 1,25 mcd 10 mA 660 nm 3 y 5 mm

Verde, amarillo y naranja 8 mcd 10 mA 3 y 5 mm

Rojo (alta luminosidad) 80 mcd 10 mA 625 nm 5 mm

Verde (alta luminosidad) 50 mcd 10 mA 565 nm 5 mm

Hper Rojo 3500 mcd 20 mA 660 nm 5 mm

Hper Rojo 1600 mcd 20 mA 660 nm 5 mm

Hper Verde 300 mcd 20 mA 565 nm 5 mm

Azul difuso 1 mcd 60 470 5 mm

Rojo y verde 40 mcd 20 mA 10 mm

Tabla 2. Caractersticas de los Leds.

Color Cada de tensin Intensidad mxima Intensidad media

(V LED) V (I LED) mA (I LED) mA

Rojo 1.6 20 5 10
Verde 2.4 20 5 10
Amarillo 2.4 20 5 10
Naranja 1.7 20 5 10

Tabla 3. Cada de tensin e intensidad.

3. Explique cul es la diferencia entre un diodo 1N4001 y un diodo
1N4007.

La diferencia entre el diodo 1N4001 y el diodo 1N4007 es la tensin de pico

inverso, ya que el diodo 1N4007 soporta mucho mayor tensin.
La tensin de pico inverso es la tensin pico mx. que soporta el diodo
cuando se encuentra polarizado en inversa, por ejemplo; cuando se utiliza
como rectificador es la tensin que soporta en el semi-ciclo que no conduce.

4. Mencione el modelo matemtico del diodo y su curva

caracterstica, con todas sus acotaciones y regiones.

El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el

de Shockle que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora
de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y
la diferencia de potencial es:

DONDE:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre

sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente A).
q es la carga del electrn.
T es la temperatura absoluta de la unin.
k es la constante de Boltzmann.
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El trmino VD es la diferencia de tensin entre sus dos extremos.

Vu Tensin umbral

Vs Tensin de saturacin

Vr Tensin de ruptura

OA Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente

AB Zona de conduccin

OC Corriente inversa de saturacin

A partir de C, zona de avalancha