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SELECTIVAS
OBJETIVOS
MARCO TERICO
El modelo que usualmente se emplea para representar a un transistor es el de red bipuerto hbrido.
No obstante para nuestro caso resulta ms prctico emplear el modelo de red bipuerto admitancia.
Luego se pueden obtener algunas equivalencias entre ambos tal como se muestra a continuacin:
V1 hie hre I1
I h hoe V2
2 fe
I1 1 1
Y11 hie (1 h fe ) hoe hie hre
V1 V2 0
I2 1
Y21 hoe hie hre
V1 V2 0
I2 1
Y22 hoe hie hre h fe
V2 V1 0
I1 1
Y12 hoe 2hie hre h fe
V2 V1 0
Despus el modelo queda expresado de la siguiente manera, en el cual los voltajes V1 Veb y
V2 Vcb .
I1 Yi Yr V1
I Y Yo V2
2 f
Con esto se puede realizar el anlisis en AC para encontrar el valor del voltaje de salida en funcin
del de entrada.
En este caso el circuito que interviene en la amplificacin slo es el configurado en base comn
para el cual se debe desarrollar su modelo para pequea seal.
Si consideramos las bobinas con una impedancia de entrada Yin y de salida Yout se tendra una
impedancia total resultado de la suma de la primera y la reflexin de la segunda.
n(Vo1 V ) Vo 2
Adems se sabe que la impedancia reflejada en el primario lo hace en un factor Yout ' n Yout
2
Vo1 (Y Yi )(Yo YT )
c1 Yr
Vi Yf
Finalmente de acuerdo a la ecuacin (4) se puede obtener el voltaje a la salida del transformador.
Vo 2 (Yc1 Yi )(Yo YT ) YT
Yr
Vi Yf Yin Yout
Adicionalmente el voltaje en la toma central del transformador estar determinado por el factor de
escala del mismo.
MATERIALES
Fig. 13 Osciloscopio
DISEO
CONTENIDO PREVIO
1. Determinar la expresin de Vo1, Vo2 y Vo3 en forma (Colector conectado en 1).En funcin
de que parmetro principal se encuentra Vo1? Considerar L in,Cin ,RP en la bobina y
capacidades parasitas del transistor.
De donde V01 RP g mVbe en resonancia
V01 RP g mVref
Entonces:
V02 RP g mVref
De donde:
n1
n
n2
n2
Y sea: n '
n3
Vo 2
Luego: Vo 3
n'
RP g m
Vo 3 Vref
n'
Vo1 se encuentra bsicamente en funcin de del parmetro principal gm del transistor Q1.
2. Halla el anlisis en DC y determinar el rango de R POT para obtener una corriente entre 100
y 300A.
La fuente de corriente del circuito es:
12 ( R pot R1 ) I 0,7 0,47(2 I )
Para: I=100A
Para: I=300A
R pot R 36,73K....( II )
De (II) POT debe ser el minimo y en (I) el mximo, luego de la diferencia concluimos que
Rpot debe ser 75,33K
1
f r min
2 Lmax C
1
f r max
2 Lmin C
Entonces tendramos dos ecuaciones y dos incgnitas siendo posible el clculo de Lin y
Cin.
Por lo tanto de las ecuaciones I y II se pueden hallar los valores de Lin y Cin.
1
De (I) tenemos LinCin .(III)
(2 f o ) 2
1
De (II) tenemos Lin (Cin Ce )
(2 f1 ) 2
1
LinCin LinCe ..(IV)
(2 f1 ) 2
Reemplazando IV en III:
1 1 1
Lin 2 2
4 Ce f1
2
fo
1
f 2
Cin Ce o2 1
f1
CONTENIDO FINAL
VCC T1
R1 XSC2
G
1k XFG1
C2 T
12.0V
C1 1F
A B C D
COM
10F
XFG2
COM
10:10:2
Q3 XFG3
BF469
COM
R2
1k
R3 C3
1k 10F
Q1 Q2
R5 2N2222 2N2222 V1
500k 90 % 120Vrms
Key=A 60Hz
0
R4 VEE
1k
-12.0V
CUADRO I-A
B. BLANCA B. NEGRA B. AMARILLA
() 80 mV 92.4 mV 3.28 V
() 1.18 V 1.74 V 19.2 V
CUADRO I-B
B. BLANCA B. NEGRA B. AMARILLA
FRMAX (KHz) 416.6 505.4 434.8
FRMIN (KHz) 264 274 296
5. Cambie la posicin del colector al terminal intermedio de la figura #18 y siguiendo el mismo
procedimiento que la figura anterior llenar el cuadro II-A y II-B.
VCC T1
R1 XSC2
G
1k XFG1
C2 T
12.0V
C1 10F
A B C D
COM
10F
XFG2
COM
10:10:2
Q3 XFG3
BF469
COM
R2
1k
R3 C3
1k 10F
Q1 Q2
R5 2N2222 2N2222 V1
500k 50 % 0.015Vrms
Key=A 60Hz
0
R4 VEE
1k
-12.0V
6. Sintonizando el circuito anterior (figura # 18) colocando los condensadores a cada una de
las bobinas para determinar y . Luego llenamos el cuadro siguiente.
Frecuencia 400 420 430 455 470 480 490 500 510
KHz
() 32 34.3 37 40.05 41 43.2 45 46,8 49
()() 21.212 21.213 21.212 21.213 21.213 21.213 21.215 21.215 21.216
CONCLUSIONES
Los transistores RF son de reducida dimensiones, ya que trabajan con seales dbiles y de
alta frecuencia